臺北高等行政法院93年度訴字第2445號判決

裁判字號：臺北高等行政法院93年訴字第2445號判決

裁判日期：民國94年09月09日

裁判案由：發明專利舉發

臺北高等行政法院判決
93年度訴字第02445號原告矽品精密工業股份有限公司代表人甲○○訴訟代理人戊○○複代理人 李宏澤 律師被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）住同上訴訟代理人丙○○
參加人乙○○訴訟代理人 陳森豐 律師複代理人丁○○上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國93年5月26日經訴字第09306219500號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實
壹、事實概要：緣原告矽品精密工業股份有限公司前於民國（下同）89年6月16日以「晶片堆疊封裝結構」向被告經濟部智慧財產局申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第137595號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人乙○○以其違反核准時專利法第20條第1項第1款及第2項之規定，不符發明專利要件，對之提起舉發，案經被告審查，於92年12月17日以（92）智專三㈡04024字第09221285500號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，旋遭駁回，遂向本院提起行政訴訟。
貳、兩造聲明：
一、原告聲明求為判決：
㈠、訴願決定及原處分均撤銷。
㈡、訴訟費用由被告負擔。
二、被告聲明求為判決：
㈠、駁回原告之訴。
㈡、訴訟費用由原告負擔。
參、兩造之爭點：
一、原告主張之理由：
㈠、訴願決定機關未依職權調查證據及認定事實，完全抄用被告之訴願答辯書內容，訴願決定書內亦完全未敘明其抄用被告答辯內容之理由，對於原告所提出之訴願理由，訴願決定書內完全未記載不採信及毋庸調查之理由，決定之程序及結果均顯非公正適法。本件參加人所舉舉發證據附件二為西元1999年12月21日公開之美國第0000000號「CHIPSTACKING
ANDCAPACITORMOUNTINGARRANGEMENTINCLUDINGSPACERS」專利案（下稱引證一）；附件三為西元1998年2月24日公開之美國第0000000號「ANGULARLYOFFSETSTACKEDDIEMULTICHIPDEVICEANDMETHODOFMANUFACTURE」專利案（下稱引證二）；附件四為西元1993年6月1日公開之美國第0000000號「SEMICONDUCTORDEVICEHAVINGAPADARRAYCARRIERPACKAGE」專利案（下稱引證三）。惟系爭專利確具進步性：
１、被告及訴願決定機關所認定「晶片堆疊配置中，晶片大小，墊塊材質及配置位置，墊塊形式，黏著層及封裝膠體材質等，均可因使用者之需求而可簡易變更運用」之觀點，顯然有「後見之明」之謬誤。根據引證一所揭露內容，其發明標的與系爭專利顯然不同，引證一發明標的在於將晶片間之墊塊作為接地之用，或者形成一電容器，所以該案墊塊均會與晶片或基板透過銲線電性連接。亦因如此，所以引證一中墊塊形狀會受到限制，需要在邊緣形成階梯狀（如第4圖），或部分尺寸大於晶片（如第10圖）。引證一完全未提及有關於墊塊形狀或配置會造成封裝可靠度之問題，所以引證一之熟習技術者基於該案之標的，不可能思及系爭專利中所揭露之多個墊塊配置於相鄰二晶片或其周圍之技術，更不可能做如此變更。所以被告及訴願決定機關所認定墊塊之配置為使用者簡易變更運用，實為「後見之明」的認定，漠視系爭專利之創意與效果。然而系爭專利所揭露墊塊配置方式，可縮減墊塊與晶片貼合面積，避免黏著層脫層而影響可靠度，其進步性十分明確。
２、根據專利審查基準第1-2-21頁關於進步性判斷規定：「顯然的進步」，係指申請專利之發明克服先前技術中存在之問題點或困難性而言，通常係表現於功效上。在技術發展空間有限之領域中（inthefieldofthecrowdedart），如在技術上有微小的改進，產生好用或實用的效果，得視為具「顯然的進步」。晶片堆疊封裝之技術已是行之已久之技術領域，其技術發展空間本就十分有限，而該技術中所著重即是在於可靠度問題，所以諸如墊塊材質選擇與晶片熱膨脹係數相仿，即是欲解決熱應力所造成之可靠度問題，所以可靠度一直是該領域需改善之問題及瓶頸。而系爭專利與引證一相較差異點之一在於系爭專利墊塊配置明顯與引證一不同，而將單一墊塊改成多個墊塊，可明顯縮減墊塊與晶片接合面積，減少黏著層用量，進而減少脫層現象發生，可顯著提高封裝可靠度，正可解決該領域之技術瓶頸，所以實為「顯然的進步」。然而審查委員及訴願審議委員竟完全漠視系爭專利所產生之可靠度效果，實令原告不服。
３、此外，引證一未揭示系爭專利最上方墊塊設有一散熱表面暴露於封裝體外，且未揭示系爭專利最上方墊塊還具有一散熱片，其散熱表面暴露於封裝體之外。誠如前述，此部分基於引證一之發明標的，實為熟習該項技術者所不能思及，且可明顯提高封裝散熱效率，進而提高封裝可靠度及使用壽命，所以該部分技術之進步性亦是無庸置疑，被告及訴願決定機關顯然漠視此部分系爭專利創意。
㈡、被告及訴願決定機關雖稱各國法制有別，專利審查基準各異，對應案在他國獲准專利尚難執為系爭專利舉發不成立之論據。然而各國對於新穎性及進步性之認定精神相似，亦應有參考之價值，系爭專利在美國之對應案件於美國審查過程中，審查委員曾經檢索出與引證一相同案件，惟在審定書中敘明該案件與本案並無直接關係，所以自始至終皆未被引用作為核駁理由。據前述分析亦可知悉，引證一與系爭專利標的顯然不同其技術特徵也不相同，實不應相提並論，所以美國審查委員之認知，正是原告理由正確性最佳佐證。
㈢、綜上所述，系爭專利所揭露之技術、目的、功效及結構，確實與參加人所提之引證案完全不同，並未揭露於參加人所提引證案中，實具有新穎性，此亦為原審查結果及原舉發審定之處分所肯認。又系爭專利所揭露之結構及功效，更足以改善參加人所提引證案之缺點，二者間之差異實已達到技術上之改進，解決該技術領域之技術瓶頸，並可增進可靠度功效，系爭專利確具有進步性，應無庸議。是以，參加人主張顯無理由，系爭專利並無違反專利法第20條第1項第1款及第2項之規定，被告所為原處分及訴願機關所為訴願決定，認事用法具有違誤。
二、被告主張之理由：
㈠、原告稱引證一未揭示系爭專利之墊塊設置於晶片角落位置，系爭專利與引證一單一墊塊不同，且引證一未揭示系爭專利最上方墊塊設有散熱表面暴露於封裝體外，或最上方墊塊具有散熱片，系爭專利相較於引證一仍具進步性云云。惟查系爭專利發明標的係為將數個晶片層層堆疊基板之上表面，並在晶片之間，配置數個墊塊，以銲線分別電性連接各個晶片之銲墊至基板；墊塊之材質可為具有良好散熱性之矽、空白晶片（dummychip）、或是其他金屬材料，熱膨脹係數亦與第一晶片和第二晶片相同或十分接近。雖系爭專利於每相鄰二晶片之間配置有複數個墊塊，與引證一於每相鄰晶片之間僅配置單一墊塊者不同，然系爭專利發明標的為將習知晶片間用以堆疊之膠層，而改以配置墊塊，其可為整片式或柱狀式，材質為具有良好散熱性，熱膨脹係數亦與晶片相近，不會產生熱應力之問題，藉由曝露墊塊或加裝之散熱片的散熱表面，可產生良好散熱效果。而系爭專利於堆疊晶片間配置墊塊，墊塊材質熱膨脹係數與晶片相近具有良好散熱性等，已為引證一揭示一晶片堆疊配置，晶片間之矽質墊塊係與晶片之熱膨脹係數相匹配，為一良好之熱導體等有相同揭露；且在晶片堆疊配置中，晶片大小、墊塊材質及配置位置、墊塊型式、黏著層及封裝膠體材質等，均可因使用者之需求而可簡易變更運用，對於熟習該項技術者所能輕易思及轉換；另為使散熱效果良好而加裝散熱片，仍係習知技術之簡單附加，故系爭專利為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具進步性。
㈡、起訴理由又稱系爭專利之美國對應案已獲准專利，稱系爭專利具有可專利性。然各國專利制度並不相同，不能相互引用，起訴理由自不足採。另有關運用墊塊及散熱片係屬於習知技術運用，其中散熱片部分引證案雖未提及，但其為一般習知技術，並無進步性可言。綜上所述，被告原處分並無違法，原告之訴應予駁回。
三、參加人主張之理由：原告所持論點多屬似是而非之謬誤論斷。該些論點或與系爭專利說明書所載之事實不符，且有悖相關之技術原理；或未查美國專利制度與臺灣之不同，更刻意忽略其臺灣專利申請案與美國專利申請案所載內容之差異。其主張違法、不當而無一可採：
㈠、就原告主張「系爭專利藉由將晶片間之單一墊塊改為多個墊塊，可明顯縮減墊塊與晶片的接合面積，．．．」而論：?
１、前揭原告所據以主張系爭專利具有進步性之依據，顯然是以系爭專利某一特定實施例之態樣（參系爭專利說明書第4A圖所載，墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周），來作為其與先前技術相區別之依據。惟查，一專利是否具備新穎性或進步性等專利要件，必須以申請專利範圍所主張之專利權範圍來加以論斷，此等要求在被告頒布之89年10月專利審查基準中有明白揭示；如前揭基準第1-2-5頁：「作為新穎性判斷對象的發明，為申請專利範圍之『請求項所載發明』」；又如第1-2-20頁：「判斷進步性時，應依據申請專利範圍之請求項所載發明，判斷有無專利法第20條第2項之規定情事．．．。」基此，依據系爭專利申請專利範圍第1項中有關墊塊的界定：「複數個墊塊，分別配置於該些晶片之間，並且每相鄰二該些晶片之間配置有複數個該些墊塊」，其並未如原告所主張對其複數個墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周；亦即，根據此等申請專利範圍之用語，其並不限制晶片間複數個墊塊之形狀、面積、大小，而僅在數目上有所界定，即便與引證一完全相同之形式亦都被包括在內。舉例言之，系爭專利專利說明書第14頁倒數第5行之記載：「．．．3.墊塊可為整片式或柱狀式，而利用墊塊架高晶片，可層層堆疊相近大小之晶片。」即可為證。由此可知，原告以一個並非其申請專利範圍所載特點來主張其專利要件，並企圖涵蓋原已屬公共領域之先前技術來作為其專利權範圍，其違法謬誤之處，不言可喻。
２、再者，縱如原告所述「系爭專利之墊塊配置方式，可以縮減墊塊與晶片的接合面積，減少黏著層的用量，進而減少脫層現象的發生，而顯著提高封裝的可靠度，而具有進步性」，此觀點亦與相關技術原理不符。蓋將墊塊如原告所主張以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周，雖可減少黏著層用量，然而，其結果反可能影響晶片與墊塊間黏著之可靠度，正如黏著時，在全面塗布膠量其黏著效果會優於塗佈局部面積一般。並且，原告所主張之墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周，其加工將更為繁複，相較於先前技術，其整體製造可靠度更值商榷。
㈡、就原告主張「系爭專利之美國對應案已經獲得美國專利商標局之核准專利為據，因此，系爭專利應符合發明進步性專利要件」而論：
１、參加人首先說明，就技術相關之發明，我國專利法提供有發明專利與新型專利兩種保護，一般而言，不論是學界或實務，咸認發明專利之進步性要求係高於新型專利之進步性要求。相對而言，美國專利制度並不區分所謂發明專利與新型專利，而係一概以「發明專利」（utilityinvention）授與專利權。基此，由於美國不另行區分新型專利，因此一技術取得美國專利，其進步性仍可能僅達到我國之新型專利或甚至更低之標準。查，系爭專利於我國所申請者乃屬進步性要求甚高之發明專利，原告「系爭專利之美國對應申請案已取得美國專利」此主張，實不足以作為系爭專利具備發明進步性要件之佐證。
２、由有甚者，如前所述系爭專利其申請專利範圍第1項中有關墊塊與黏著層之限制要件係為：「複數個墊塊，分別配置於該些晶片之間，並且每相鄰二該些晶片之間配置有複數個該些墊塊」及「複數個黏著層，配置於該些墊塊、該些晶片、以及該些載具之間」。然查，原告所據以支持系爭專利之美國對應申請案，其對複數個墊塊及複數個黏著層之限制條件，卻與於臺灣申請之系爭專利截然不同，亦即，其係以遠遠小於系爭專利的申請專利範圍，來取得美國專利商標局對其專利之核准。舉例言之，其美國對應申請案申請專利範圍第1項中之複數個墊塊為：「至少一個墊塊，配置於兩個相鄰的晶片之間，其中，墊塊之上表面及下表面分別面對兩個相鄰的晶片，並且該墊塊係由熱膨脹係數與晶片之熱膨脹係數相近的材料所製成。」（atleastonespacerlocatedbetweentwoadjacentdies,whereinatopsurfaceand
abottomsurfaceofthespacerfacethetwoadjacentdies,respectively,andthespacerismadeofmaterialhavingathermalexpansioncoefficientapproximatetothethermalexpansioncoefficientof
thedies.）；而其美國對應申請案申請專利範圍第1項中之複數個黏著層則為：「複數個黏著層，配置於該些墊塊、該些晶片、以及該些載具之間，其中其至少沿著每一晶片上表面、下表面或上下表面的的周邊，並且，該些墊塊之側邊並未被該等黏著層所覆蓋。」（apluralityofadhesivelayerslocatedbetweenthespacers,thedies,thecarriers,whereinatleastalongperipheryofthe
topsurface,abottomsurfaceorbothsurfaceofeachdie,andasidesurfaceofthespacersarenotcoveredbytheadhesivelayers.）。詳言之，原告之美國對應申請案，其係以一與系爭專利不同且遠小於系爭專利申請專利範圍之專利權主張來取得美國專利，基此，原告以系爭專利之美國對應申請案取得美國專利，來作為主張系爭專利具備發明進步性之佐證，實有牛頭不對馬嘴之疑，其不當、謬誤，不言可喻。
㈢、綜上所陳，原告關於系爭專利具備發明進步性之主張，不僅與系爭專利專利說明書之所載內容不符，亦與系爭專利專利說明書所強調者有違；至原告主張系爭專利之美國對應申請案獲得美國專利，可作為系爭專利之進步性佐證，不僅未察美國專利制度與我國專利制度之不同，甚且，其所據以主張之美國對應申請案，其申請專利範圍所載技術內容亦與系爭專利之申請專利範圍所記載者不同，自無從佐證系爭專利是否確實具備發明專利之進步性要件。
理由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，固為系爭專利核准時專利法第19條暨第20條第1項所明定。惟其發明如「係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所規定。
二、本件系爭第00000000號「晶片堆疊封裝結構」發明專利案，依91年5月24日申請專利範圍修正本所載，其至少包括：一載具，具有一上表面及相對於該上表面之一背面；複數個晶片，每一晶片四周至少各別包括複數個銲墊，且該數晶片層層堆疊於該載具之上表面上；複數個墊塊，配置於每相鄰二晶片之間；複數個黏著層，配置於墊塊、晶片、以及載具之間；複數條銲線，電性連接該等晶片之銲墊至載具；以及一封裝膠體，覆蓋於載具之上表面、墊塊、晶片、以及黏著層。
三、參加人所舉舉發證據附件二為西元1999年12月21日公開之美國第0000000號「CHIPSTACKINGANDCAPACITORMOUNTINGARRANGEMENTINCLUDINGSPACERS」專利案（下稱引證一）；附件三為西元1998年2月24日公開之美國第0000000號「ANGULARLYOFFSETSTACKEDDIEMULTICHIPDEVICEANDMETHODOFMANUFACTURE」專利案（下稱引證二）；附件四為西元1993年6月1日公開之美國第0000000號「SEMICONDUCTORDEVICEHAVINGAPADARRAYCARRIERPACKAGE」專利案（下稱引證三）。
四、被告係以，引證二及三雖不足以證明系爭專利不具新穎性及進步性。惟引證一第1圖揭示一晶片堆疊配置，一半導體封裝體之一部分包含：用以容納一半導體晶片或晶粒之一晶片安裝表面，以及位於該封裝體或基板上之銲墊；一第一晶片係藉著習知方法安裝於表面上；晶片包含上表面、下表面，以及在表面週邊之銲線銲墊，用以作為電性連接；在第一晶片與封裝體間之電性連接係藉由細線而達成，該細線係具有銲線銲墊與封裝體銲墊間之打線連接；配置另包括平面狀墊塊，具有一底部表面可黏合於第一晶片之上表面；墊塊亦包含一上表面，且視應用而定可為各種不同材料及外形：諸如矽之材料可提供良好的熱傳導性用以散熱，且與第一晶片和第二晶片之熱擴散係數相匹配，其優點在於其為一良好的熱導體，與晶片之熱膨脹係數相匹配，且易以機械或化學的方法加工；目前已發現小於所置放之晶片，尺寸大約40毫吋的墊塊，且於原型的應用中令人滿意的；於第1圖中，墊塊典型上係使用一非導電性黏著層黏合於第一晶片之上表面；作為一黏著層，環氧樹脂係相當令人滿意的，第二晶片係藉由黏著層，可為環氧樹脂，黏合於墊塊之上表面；第二晶片包含下表面與具有銲線銲墊之上表面；在第二晶片與封裝體間之電性連接係藉由細線而達成；墊塊之厚度選定，將使第二晶片之下表面高於銲線與第一晶片連接之最高點，以便提供足夠的間隙用以打線；雖然僅有兩晶片顯示於第一圖，然而可藉由將一額外之墊塊黏合於第二晶片之上表面上而增加額外之晶片；又墊塊可為一導電材料，例如鋁；通常係以電性絕緣熱傳導材料，諸如鋁、金鋼石或氮化鋁，填充這些黏合劑；藉由額外的墊塊與主動晶片黏合於先前已完成銲線連接之晶片頂部，便可將額外的晶片增加至該堆疊上。系爭專利與引證一相較，系爭專利僅將數個晶片層層堆疊在基板之上表面，並在晶片間配置數個墊塊，以銲線分別電性連接各個晶片之銲墊至基板；墊塊之材料可為具有良好散熱性之矽、空白晶片或是其他金屬材料，熱膨脹係數亦與第一晶片和第二晶片相同或十分接近，雖其於每相鄰二晶片之間配置有複數個墊塊，與引證一不同，不足以證明系爭專利不具新穎性；惟系爭專利於堆疊晶片間配置墊塊，墊塊材質熱膨脹係數與晶片相近具有良好散熱性，已為引證一所揭露，而在晶片堆疊配置中，晶片大小、墊塊材料、配置位置、墊塊型式、黏著層及封裝膠體材質等，均可因使用者之需求而簡易變更運用，故系爭專利係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，不具進步性；又系爭專利申請專利範圍第1、14及27項所述構成之附屬項（第2至13項、第15至26項及第28至39項）所述有關堆疊配置之晶片大小、墊塊材質、配置型式、墊塊型式、黏著層及封裝膠體材質等，亦屬運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，不具進步性，乃為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。
五、原告起訴意旨略謂：系爭專利特徵在於晶片與晶片間是用複數墊塊加以配置，引證案則僅用一大片之墊塊，故引證案並未揭露系爭案技術特徵，又系爭專利於晶片上有加裝散熱片，此引證案未揭露。系爭專利所揭露之技術、目的、功效及結構，確實與引證案完全不同，並未揭露於引證案中，實具有新穎性，此亦為原審查結果及原舉發審定之處分所肯認。又系爭專利所揭露之結構及功效，更足以改善參加人所提引證案之缺點，二者間之差異實已達到技術上之改進，解決該技術領域之技術瓶頸，並可增進可靠度功效，系爭專利確具有進步性云云。
六、本院判斷如下：
㈠、本件原處分已審定：引證二及三不足以證明系爭專利不具新穎性及進步性且引證一不足以證明系爭專利不具新穎性，均有上開被告原審定可按，兩造就上開審定，亦不爭執，是本件兩造爭執之要點為：引證一是否足以證明系爭案不具進步性？
㈡、經查，系爭專利主要係為將數個晶片層層堆疊基板之上表面，並在晶片之間，配置數個墊塊，以銲線分別電性連接各個晶片之銲墊至基板；墊塊之材質可為具有良好散熱性之矽、空白晶片（dummychip）、或是其他金屬材料，熱膨脹係數亦與第一晶片和第二晶片相同或十分接近，不會產生熱應力之問題，並藉由曝露墊塊或加裝之散熱片的散熱表面，可產生良好散熱效果。
㈢、雖系爭專利於每相鄰二晶片之間配置有複數個墊塊，與引證一於每相鄰晶片之間僅配置單一墊塊者不同，然系爭專利於堆疊晶片間配置墊塊，墊塊材質熱膨脹係數與晶片相近具有良好散熱性等，已為引證一所揭露；而在晶片堆疊配置中，晶片大小、墊塊材質及配置位置、墊塊型式、黏著層、封裝膠體材質等，均可因使用者之需求而可簡易變更運用，而為使散熱效果良好而加裝散熱片係習知技術之簡單附加，故系爭專利為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具進步性。
㈣、再按一專利是否具備新穎性或進步性等專利要件，必須以申請專利範圍所主張之專利權範圍來加以論斷，原告雖稱引證一未揭示系爭專利之墊塊設置於晶片角落位置，系爭專利與引證一單一墊塊不同，應具進步性云云，惟查，原告所據以主張系爭專利具有進步性之依據，係以系爭專利說明書第4A圖所載，墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周之某一特定實施例之態樣，作為其與先前技術相區別之依據。但依據系爭專利申請專利範圍第1項中有關墊塊的界定為：「複數個墊塊，分別配置於該些晶片之間，並且每相鄰二該些晶片之間配置有複數個該些墊塊」，並未如原告所主張對其複數個墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周；亦即，根據此等申請專利範圍之用語，其並不限制晶片間複數個墊塊之形狀、面積、大小，而僅在數目上有所界定，即便與引證一完全相同之形式亦都被包括在內。系爭專利專利說明書第14頁倒數第5行之記載：「．．．3.墊塊可為整片式或柱狀式，而利用墊塊架高晶片，可層層堆疊相近大小之晶片。」即可為證。此從系爭專利專利說明書第14頁倒數第5行之記載：「．．．3.墊塊可為整片式或柱狀式，而利用墊塊架高晶片，可層層堆疊相近大小之晶片。」即可為證。足見系爭專利於堆疊晶片間配置墊塊，已為引證一所揭露；而在晶片堆疊配置中，晶片大小、墊塊材質及配置位置、墊塊型式、黏著層、封裝膠體材質等，均可因使用者之需求而可簡易變更運用，乃運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，自不具進步性。
㈤、退一步言，縱將墊塊如原告所主張以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周，雖可減少黏著層用量，然而，其結果反可能影響晶片與墊塊間黏著之可靠度，正如黏著時，在全面塗布膠量其黏著效果會優於塗佈局部面積一般。並且，原告所主張之墊塊係以晶片局部面積的形式各別配置於晶片四周，其加工將更為繁複，相較於先前技術，其整體製造可靠度並不具功效增進，是縱以功效增進之觀點，系爭案亦不具進步性。
㈥、原告雖又主張：引證一未揭示系爭專利最上方墊塊設有散熱表面暴露於封裝體外，或最上方墊塊具有散熱片，系爭專利相較於引證一具進步性云云。惟查，有關運用墊塊及散熱片係屬於習知技術運用，其中散熱片部分引證案雖未提及，但為使散熱效果良好而加裝散熱片，仍係習知技術之簡單附加，故系爭專利為運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，不具進步性。原告之主張，亦非可採。
㈦、至原告稱系爭專利之對應案已獲准美國專利乙節，按各國法制有別，專利審查基準各異，對應案在他國獲准專利尚難執為本件應為舉發不成立之論據。況系爭專利其申請專利範圍第1項中有關墊塊與黏著層之限制要件係為：「複數個墊塊，分別配置於該些晶片之間，並且每相鄰二該些晶片之間配置有複數個該些墊塊」及「複數個黏著層，配置於該些墊塊、該些晶片、以及該些載具之間」。然查，原告所據以支持系爭專利之美國對應申請案，其對複數個墊塊及複數個黏著層之限制條件，卻與於臺灣申請之系爭專利截然不同，亦即，其係以遠遠小於系爭專利的申請專利範圍，來取得美國專利商標局對其專利之核准。舉例言之，其美國對應申請案申請專利範圍第1項中之複數個墊塊為：「至少一個墊塊，配置於兩個相鄰的晶片之間，其中，墊塊之上表面及下表面分別面對兩個相鄰的晶片，並且該墊塊係由熱膨脹係數與晶片之熱膨脹係數相近的材料所製成。」（atleastonespacerlocatedbetweentwoadjacentdies,whereina
topsurfaceandabottomsurfaceofthespacerface
thetwoadjacentdies,respectively,andthespacer
ismadeofmaterialhavingathermalexpansioncoefficientapproximatetothethermalexpansioncoefficientofthedies.）；而其美國對應申請案申請專利範圍第1項中之複數個黏著層則為：「複數個黏著層，配置於該些墊塊、該些晶片、以及該些載具之間，其中其至少沿著每一晶片上表面、下表面或上下表面的的周邊，並且，該些墊塊之側邊並未被該等黏著層所覆蓋。」（apluralityofadhesivelayerslocatedbetweenthespacers,thedies,thecarriers,whereinatleastalongperipheryofthetopsurface,abottomsurface
orbothsurfaceofeachdie,andasidesurfaceof
thespacersarenotcoveredbytheadhesivelayers.）。原告之美國對應申請案，係以一與系爭專利不同且小於系爭專利申請專利範圍之專利權主張取得美國專利，則原告以系爭專利之美國對應申請案取得美國專利，作為主張系爭專利具備發明進步性之佐證，殊有不合。
七、從而，被告所為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分，揆諸首揭法條規定，並無不合。訴願決定遞予駁回，亦無違誤，均應予維持。本件原告之訴為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中華民國94年9月9日
第五庭審判長法官張瓊文
法官帥嘉寶法官劉介中上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國94年9月9日
書記官黃明和