裁判字號：智慧財產法院99年行專訴字第7號判決
裁判日期：民國99年07月01日
裁判案由：發明專利申請
智慧財產法院行政判決
99年度行專訴字第7號民國99年6月3日辯論終結原告矽創電子股份有限公司代表人甲○○（董事長）訴訟代理人 陳森豐 律師被告經濟部智慧財產局代表人乙○○（局長）訴訟代理人丙○○
丁○○上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國98年11月12日經訴字第09806121450號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、程序事項：原告經合法通知，未於言詞辯論期日到場，核無行政訴訟法第218條準用民事訴訟法第386條各款所列情形，爰依被告之聲請，由其一造辯論而為判決。
二、事實概要：原告前於民國92年9月23日以「防止驅動器靜電放電之方法」向被告申請發明專利（下稱系爭專利），經被告編為第00000000號審查，不予專利。原告不服，申請再審查，案經被告於98年6月15日以（98）智專三（二）04066字第09820358600號專利再審查核駁審定書為「不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部同年11月10日經訴字第09806121450號決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。
三、原告聲明求為判決：㈠原處分及訴願決定均撤銷。㈡被告對原告92年9月23日申請第00000000「防止驅動器靜電放電之方法」發明專利申請事件，應作成准予發明專利之行政處分。並主張：
㈠申請第00000000號「元件充電模式靜電放電防護電路」發明
專利（下稱引證案）之圖8所示之電感器L設置於晶片內部，且VDD電源線與VSS電源線並未設置電感器L，並未揭示系爭專利之主要技術特徵（即在VDD電源線之中間段與VSS電源線之中間段各設置第一螺旋線段與第二螺旋線段，以用於阻止晶片內部進行靜電放電）。又引證案之電感器L係用於讓靜電放電電流經由晶片內部的輸入墊片200進行放電，而避免輸入級100的閘極氧化層600損壞，用以防止晶片內部之充電模式的靜電放電，每一電感僅能保護少數幾個元件，而系爭專利主要係解決外部之靜電放電電流流入驅動器內部進行放電，以保護晶片內所有與電源供應線VSS和VSS連接的邏輯區塊與電子元件，一組電感可保護數十萬到數百萬金屬氧化物半導體元件，其功效明顯不同於引證案之電感功用。另引證案無法防止外部靜電放電，無法解決系爭專利所欲解決問題，且系爭專利相較於其他靜電放電技術，可使晶片面積較小，優於現有靜電放電技術。
㈡系爭電路結構相較於現有解決外部靜電放電的電路結構較為
簡單，且現今製程在在晶片上設置電感所佔用面積較小，系爭專利晶片面積會明顯較小。系爭專利之第2圖與第3圖係有標號32與33分別指向第一螺旋線段與第二螺旋線段，即為系爭專利所述之電感，且系爭專利說明書亦有相關說明。
㈢引證案圖5與韓國LCD某公司之電路結構，皆非利用電感作
保護電路，倘此方式為所屬技術領域具有通常知識者所皆知的防護方式，被告並無法提出相關前案。
㈣雖系爭專利說明書並未交代數值部分，而申請專利範圍第3
項與第4項所界定的數值，係經過種種考量與晶片整體電路電路結構，並進行計算或模擬所得知，並無規定必須詳載如何選定此數值，且此數值僅為系爭專利之其一實施方式的適值。由於系爭專利確實解決外部靜電放電問題，所以採用系爭專利所述之電感值與電容值可避免外部靜電放電影響晶片內部所有邏輯區塊與電子元件，有別於引證案，產生不可預期的功效，具有進步性。
四、被告聲明求為判決：駁回原告之訴，並抗辯：㈠電感功能，就任何修習過基本電路學者而言，依電感與電流
電壓的關係式，可以明顯知道當在電感兩端施加一電壓差V，當一個電感值增加（L值增加），則電流隨時間的變化當然變小，可以有效阻止外部之靜電放電電流流入驅動器內部進行放電，此功效完全可以預期。
㈡原告稱「引證案所示之晶片的VDD電源線與VSS電源線並未
設置電感器L，因此引證案並未揭露本案的主要技術特徵」，然此一技術特徵仍為利用VDD電源線之中間段與VSS電源線之中間段增加一電感結構，以減少晶片內部放電，仍屬基本電學中電感穩壓電流的特性，功效完全可以預期。
㈢系爭專利的技術特徵、解決問題手段、功效均屬於基本電學
中電容與電感的基本功效，此本屬於基本電學的領域知識所教示，引證案目的在於揭露「在積體電路製程中製造電感與電容的技術」與作為該技術時間點的佐證。原告所述引證案未能揭露關於電感電容所能產生的減少電壓波動、相位偏移量、電壓差非預期交叉反轉等電路功效均已由基本電學關於電感電容之知識所教示可得到。且電感滿占晶片的面積，並非如原告所述，可以達到縮小晶片面積的功效，與事實上認知不符。
㈣引證案第8圖可看出電感接的位置，亦在VDD與VSS之間，
靜電放電已被引證案所揭示。又系爭專利第2圖以下均為示意圖，無法看出形狀，僅能看出VDD與VSS之接線圖，且系爭專利說明書第10頁表示係實施示意圖，但有關配線部分，並未詳載。
㈤系爭專利說明書並未詳載其如何選定元件最適值，亦未說明選這個值可以產生何功效，即未交代數值部分。
五、查系爭專利係於92年9月23日申請，被告於98年6月15日為「不予專利」之處分，是系爭專利應否准許，應以審定時有效之92年2月6日修正公布之專利法（即現行專利法）為斷。本件爭點為原告之系爭專利有無違反專利法第22條第4項進步性之規定？㈠按發明，指利用自然法則之技術思想之創作，專利法第21條
定有明文。又發明為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，不得依專利法申請取得發明專利，同法第22條第4項亦有明文。
㈡系爭專利之技術內容：
⒈關於系爭專利之創作目的：
由於1.0微米以下的互補式金氧半導體（CMOS）積體電路使用LDD、金屬矽化、多晶金屬矽化、自行校準矽化等製程，以提昇積體電路的運算速度及可靠度，但CMOS元件因上述製程技術得以縮得更小的元件尺寸，導致次微米CMOS積體電路對靜電放電（ESD）的防護能力下降許多。但一般產品被使用的外界環境所產生的靜電並未減少，故CMOS積體電路因ESD而損傷情形更形嚴重。就算加大元件尺寸，ESD耐壓度不見得成正比地提昇，且元件尺寸相對地所佔的佈局面積亦增大，整個晶片大小亦增大，對靜電放電的承受能力反而嚴重下降。一般電子產品由其需以手握著之電子產品，常因人體放電藉由空氣而使產品內的驅動器產生靜電放電的現象，將會產生大電磁場，而電源供應不穩定，如此高電壓脈衝在很短的時間持續干擾液晶顯示驅動器，則液晶顯示驅動器內部暫存器將失去保持（hold）資料的能力，將改變暫存器的資料值，液晶顯示上的顯示展出功能失敗（見本院卷第67至69頁之系爭專利說明書中【先前技術】）。是以系爭專利係一種防止驅動器靜電放電之方法，目的在解決人體放電或環境對驅動器所產生的靜電放電問題，在第一電源供應線和第二電源供應線中間段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段再接入邏輯區塊，俾藉透過該螺旋線段所產生的額外電感阻止驅動器內電流的突然變化，因此，當人體放電或環境對驅動器所產生的靜電放電期間，能夠保持驅動器內部電壓的水準于受高電壓脈衝持續攻擊幾個毫微秒後（見本院卷第69頁之系爭專利說明書中【發明內容】）。
⒉系爭專利之申請專利範圍共4項，其中第1項為獨立項，
其餘為附屬項（見本院卷第73頁之發明專利說明書）。申請專利範圍第1項：「一種防止驅動器靜電放電之方法，係現行驅動器內具有一邏輯區塊，而該邏輯區塊接有一第一電源供應線（VDD）和第二電源供應線（VSS），對外連接電源，本發明係一種用於第一電源供應線和第二電源供應線之間防止靜電放電的方法；其特徵在於：第一電源供應線和第二電源供應線之中間段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段；同時設一儲存電容於邏輯區塊內，而該儲存電容耦接於上述第一電源供應線和第二電源供應線間於與邏輯區塊內元件耦接之前；俾藉透過第一螺旋線段與第二螺旋線段所產生的額外電感來阻止驅動器內電流的突然變化。」（相關圖式見附圖1）㈢被告所提之引證案（我國87年10月21日公告之第343386號「
元件充電模式靜電放電防護電路」發明專利案，見本院卷第24至54頁）：
⒈引證案為一種元件充電模式靜電放電之防護電路，包括一
做在晶片上的電感，連接於一靜電放電防護元件與一輸入級電路的閘級之間，該電感提供了一電壓降的效用，一限制電流的效用，以及一時間延遲的效用，因而可以有效地防止元件充電模式之靜電放電電流自輸入級的閘極放電而出。該電感又能與一般常用的輸入靜電放電防護電路共用而達到全方位的靜電放電防護，能夠同時防護人體放電模式、機器放電模式，以及元件充電放電模式之三種靜電放電對積體電路的破壞。該電感能夠用金屬線或多晶矽線以方形迴旋結構實現在互補式金氧半積體電路之晶片上，並可放置在積體電路打線用墊片的正下方以節省積體電路之佈局面積（見本院卷第25頁之引證案專利說明書中【中文發明摘要】）。
⒉引證案之申請專利範圍共11項，其中第1、8項為獨立項
，其餘為附屬項。申請專利範圍第1項：「一種積體電路晶片，具有一元件充電模式之靜電放電防護電路，該積體電路晶片包含：一輸入墊片；一第一級靜電放電防護元件，連接於該輸入墊片與一VSS電源線之間；一第二級靜電放電防護元件，與該第一級靜電放電防護元件並聯，連接於該輸入墊片與該VSS電源線之間；一內部電路，連接於一VDD電源線與該VSS電源線之間；及一晶片上的電感器，串接於該第二級靜電放電防護元件與該內部電路之間。」（見本院卷第41至42頁。相關圖式見附圖2）㈣系爭專利申請專利範圍第1項：
⒈有關電感設置位置，系爭專利申請專利範圍第1項之第一
電源供應線（VDD）與第二電源供應線（VSS）之中間段分別設置第一螺旋線段與第二螺旋線段，藉第一螺旋線段與第二螺旋線段所產生的額外電感來阻止驅動器內電流的突然變化；以及設置儲存電容於邏輯區塊內，用以當人體放電或環境對驅動器所產生的靜電放電期間，能夠保持驅動器內部電壓的水準於於受高電壓脈衝持續攻擊幾個毫微秒後，第一和第二電源供應線將不會有上下彈跳脈衝通過而使其電壓差產生非預期之交叉反轉。而引證案揭示將電感器設置於輸入墊片與輸入級電路的閘極之間，可以限制元件充電模式之靜電放電電流自輸入級電路的閘極流出。⒉是以系爭專利與引證案之電感器設置位置並不相同，亦即
系爭專利係第一電源供應線與第二電源供應線之中間段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段；引證案之方形迴旋結構連接於輸入墊片與輸入級電路的閘極之間。此設置之差異使欲限制靜電放電電流之方向有別，系爭專利係為阻止外部靜電電流流入驅動器，引證案則為阻止內部之靜電放電電流流經輸入級電路至輸入墊片放電。
⒊然系爭專利申請專利範圍第1項係藉透過第一螺旋線段與
第二螺旋線段所產生之額外電感以阻止驅動器內電流之突然變化。而引證案說明書第13頁倒數第5行至倒數第2行已揭示：「電感器的電路特性是VL=L‧(di/dt)，也就是說如果一流經電感器的電流有非常快速地劇烈變化會在電感器的兩端感應出一極高的電壓降。因此，電感器上的電流是不能夠瞬間地做變化的。」（見本院卷第36頁），且由於外部靜電放電電流是經由電源線（VDD、VSS）流入驅動器內部進行放電，因此將電感設置於外部靜電放電電流經過的電源線（VDD、VSS），可以使電感阻止外部靜電放電電流流入驅動器內部進行放電，並產生阻止驅動器內電流突然變化的功效。是以系爭專利申請專利範圍第1項，相較於引證案，並未產生無法預期之功效。
⒋原告主張引證案無法達到防止外部靜電放電云云，惟查引
證案說明書第13頁第14至16行揭示「...。該輸入級靜電放電防護電路（400、500）能夠提供有效的靜電放電防護以防止人體放電模式與機器放電模式的靜電放電對積體電路的損傷。...」（見本院卷第36頁），並參照圖8（如附圖2所示），當外部靜電電流流入至VSS電源線時，輸入級靜電放電防護電路（400、500）可以限制跨在輸入級（100）之閘極氧化層（600）的電壓，因此防止人體放電模式與機器放電模式之外部靜電放電電流對閘極氧化層（600）之損傷，並排放大部分靜電電流。故原告此部分主張要無足取。
⒌原告另主張引證案所欲解決之問題不同於系爭專利，且無直接或者隱含電感可設置於電源線云云。惟查：
⑴引證案係為改良傳統的靜電放電防護電路無法提供有效
的元件充電模式之靜電放電防護措施，且無法有效地防範元件充電模式靜電放電對深次微米積體電路產品的破壞，引證案利用一做在晶片上的電感器，連接在需要被保護的輸出／入級與墊片之間。利用電感器的電路特性，使元件充電模式之靜電放電電流流過電感，抑制靜電放電的瞬間電流峰值，而有效大幅降低跨在輸出／入級之閘極氧化層（600）的電壓，有效防護人體放電模式、機器放電模式以及元件充電模式之靜電放電對積體電路造成之損傷（見本院卷第32至35頁之引證案專利說明書中【發明說明】）。而系爭專利係一種防止驅動器靜電放電之方法，在第一電源供應線和第二電源供應線中間段各設置一第一螺旋線段與第二螺旋線段再接入邏輯區塊，俾藉透過該螺旋線段所產生的額外電感阻止驅動器內電流的突然變化，因此，系爭專利之創作目的在解決人體放電或環境對驅動器所產生的靜電放電問題。
故二者之創作目的並無二致。
⑵外部靜電放電電流係經由電源線（VDD、VSS）流入驅
動器內部進行放電，因此所屬技術領域中具有通常知識者藉由引證案所揭示之電感器可限制靜電放電電流通過之技術特徵之教示，即能輕易將電感設置於外部靜電放電電流經過之電源線（VDD、VSS），而使電感阻止外部靜電放電電流流入驅動器內部進行放電，並阻止驅動器內電流突然變化，而完成系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵。
⒍綜上，引證案之技術內容，足以教示靜電放電防護電路設
計之技術領域中有通常知識之人，依據系爭專利92年9月23日申請當時之技術水準，輕易完成系爭專利申請專利範圍第1項，且系爭專利申請專利範圍第1項，相較於引證案，並未產生無法預期之功效，故系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。
㈤雖系爭專利之獨立項（即申請專利範圍第1項）的技術特徵
已為引證案所揭露，而不具進步性，然由於依附於獨立項之各附屬項（即申請專利範圍第2至4項）具有所依附之第1項以外之技術特徵，未必不具進步性，仍應再就各附屬項之附屬特徵作進一步之審查，此即逐項審查之原則。
㈥系爭專利申請專利範圍第2項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第2項為依附於第1項獨立項之附
屬項，除包含第1項所有之技術特徵之外，第2項進一步限縮界定其中「該儲存電容可設置於邏輯區塊外。」（見本院卷第73頁）。
⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性
，已於前述。另第2項附屬技術特徵所揭示儲存電容之設置位置，可使第一和第二電源供應線將不會有上下彈跳脈衝通過而使其電壓差產生非預期之交叉反轉，此乃為電容於電路中之基本功能，係屬習知技術。綜上，系爭專利申請專利範圍第2項為所屬技術領域中具有通常知識者，依引證案及習知技術所能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。
㈦系爭專利申請專利範圍第3項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第3項為依附於第1項獨立項之附
屬項，除包含第1項所有之技術特徵之外，第3項進一步限縮界定其中「該第一螺旋線段與第二螺旋線段之電感值為1nH（nano-Henry，毫微亨）至2nH間」（見本院卷第73頁）。
⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性
，已於前述。另第3項附屬技術特徵所界定之電感值範圍，係為經由其欲提供防護之外部靜電放電模式之電流波形，以及電感器之電路原理之普通計算即能得知。關於該電感值之界定，系爭專利說明書並未記載其如何選定或有何不可預期之功效（見本院卷第70至71頁之系爭專利說明書中【實施方式】）。經本院於準備程序時命原告說明本請求項所界定之電感值範圍是否可經由電感與電壓電流、電容與電壓間的電路關係式計算而得？相較先前技術而言，系爭專利是否產生不可預期的功效？（見本院卷第102頁），原告僅表明相關設定係考慮晶片接腳接地線的阻抗，而取一適當值等語（見本院卷第102頁），並於99年5月27日具狀陳稱：雖系爭專利說明書並未交代數值部分，而申請專利範圍第3項所界定的數值，係經過種種考量與晶片整體電路電路結構，並進行計算或模擬所得知，並未有相關規定必須詳載如何選定此數值，且此數值僅為系爭專利之其一實施方式的適值等語（見本院卷第132頁）。是以難認系爭專利申請專利範圍第3項所界定之電感值範圍有何不可預期之功效。
⒊綜上，系爭專利申請專利範圍第3項為所屬技術領域中具
有通常知識者，依引證案及習知技術所能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。
㈧系爭專利申請專利範圍第4項部分：
⒈系爭專利申請專利範圍第4項為依附於第1項獨立項之附
屬項，除包含第1項所有之技術特徵之外，第4項進一步限縮界定其中「該儲存電容之靜電容量為0.5nF（nano-Farady，毫微法）至1nF間。」（見本院卷第73頁）。
⒉引證案足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性
，已於前述。另第4項附屬技術特徵所界定之靜電容量範圍，係為經由其欲鎖定第一與第二電源供應線間的電壓差，以及電容之電路原理之普通計算即能得知，乃為習知技術。關於該靜電容量之界定，系爭專利說明書並未記載其如何選定或有何不可預期之功效（見本院卷第70至71頁之系爭專利說明書中【實施方式】）。經本院於準備程序時命原告說明本請求項所界定之電容量範圍是否可經由電感與電壓電流、電容與電壓間的電路關係式計算而得？相較先前技術而言，系爭專利是否產生不可預期的功效？（見本院卷第102頁），原告僅表明相關設定係考慮晶片接腳接地線的阻抗，而取一適當值等語（見本院卷第102頁），並於99年5月27日具狀陳稱：雖系爭專利說明書並未交代數值部分，而申請專利範圍第4項所界定的數值，係經過種種考量與晶片整體電路電路結構，並進行計算或模擬所得知，並未有相關規定必須詳載如何選定此數值，且此數值僅為系爭專利之其一實施方式的適值等語（見本院卷第132頁）。是以難認系爭專利申請專利範圍第4項所界定之靜電容量範圍有何不可預期之功效。
⒊綜上，系爭專利申請專利範圍第4項為所屬技術領域中具
有通常知識者，依引證案及習知技術所能輕易完成，故系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性。
六、從而，經整體技術特徵比對，系爭專利之主要技術特徵已為引證案及習知電學知識所揭示，而為所屬示靜電放電防護電路設計之技術領域中具有通常知識者顯能輕易完成者，不具有進步性。故被告以系爭專利有違專利法第22條第4項規定，而為「不予專利」之處分，雖就系爭專利申請專利範圍第
3項、第4項是否不具進步性部分，原處分第5頁倒數第6行至倒數第2行僅稱：「請求項3、4為進一步限定請求項
1第一、二螺旋線段之電感值及儲存電容之靜電容量值，請求項1已見於引證案所揭示已於前述，綜上，請求項1至4為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成。」（見本院卷第61頁），並未針對申請專利範圍第3、4項之整體技術特徵作進一步之審查，有違逐項審查之原則，顯有未洽，惟申請專利範圍第3、4項所限定之附屬技術特徵，確為依電學有關電感器、電容之電路原理之普通計算即能得知，而屬習知技術，復經本院當庭命兩造就此陳述意見（見本院卷第102至103頁），故原處分此部分瑕疵尚不影響結論之判斷，訴願決定未予指摘，予以維持，結論尚無不合。原告主張前詞，聲請撤銷訴願決定及原處分，並命被告作成系爭專利申請案應予專利之審定，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無涉，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中華民國99年7月1日
智慧財產法院第二庭
審判長法官陳國成
法官曾啟謀法官蔡惠如以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由（須按他造人數附繕本）。
如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國99年7月1日
書記官林佳蘋