裁判字號：最高行政法院87年判字第1729號判決
裁判日期：民國87年08月28日
裁判案由：發明專利申請
行政法院判決八十七年度判字第一七二九號
原告聯華電子股份有限公司代表人乙○○訴訟代理人丙○○複代理人 張質平 律師被告經濟部中央標準局訴訟代理人 孫紀 還 郭宏杉 右當事人間因發明專利申請事件，原告不服行政院中華民國八十六年十二月二十六日台八十六訴字第五一五五六號再訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如左︰
主文原告之訴駁回。
事實緣原告於民國八十三年二月二十八日以其「傾斜旋轉化學氣相 沈積 方法」係將支持晶圓之基台設置為與沈積方向呈一可使沈積入射角對應於晶圓各區域概略維持在一差異較小夾角之適當傾斜角度，並使基台帶動晶圓呈同方向旋轉操作，以降低晶圓上沈積材料層之高低落差等情，向被告申請發明專利。案經被告編為第00000000號審查、再審查，不予專利，發給八十六年二月二十五日台專（伍）○四○四五字第一○七○五四號專利再審查審定書。原告不服，提起訴願、再訴願，遞遭決定駁回，遂提起行政訴訟。茲摘敍兩造訴辯意旨如次：
原告起訴意旨及補充理由略謂：一、被告引證之Edwards產品說明書之出版日期是否確實為1989無法證明。因為該說明書附件上之〞1989〞字樣顯然是手寫，故該附件是否可作為證據值得質疑。緣以，行政訴訟人要求被告提出該份產品說明書之出版日期的書面證據。再者，Edwards產品說明書中從未提及PVD等字，甚至應用於真空鍍膜技術之敍述亦付之闕如，足見此一證據並不能證明係屬PVD所使用的技術，應不足採。此外，於再訴願書中，原告曾提及本案與附件一（〞MicroelectronicMaterials
andProcesses〞書中第220頁至223頁）中所提之大氣氣壓化學氣相沈積反應器（Apc
vdreactor）所使用之方法有相當大之差異。並且本發明解決了習知〞沈積死角〞的問題，關於此點行政院訴願委員會並未提出任何反駁，應為默認本發明具有不可預期之功效。二、民事訴訟法第二百八十條第一項之「同自認」，須當事人對於他造主張之事實，於言詞辯論時不爭執者，始有適用。換言之，倘訴訟程序尚有為言詞辯論之可能，則當事人自得於言詞辯論中予以爭執，應不生同自認之效果。三、按行政訴訟法第十九條規定：「行政訴訟就書狀判決之。但行政法院認為必要或依當事人之聲請，得指定期日，傳喚原告、被告及參加人到庭，為言詞辯論」，同法第二十條亦規定：「原告、被告及參加人於為言詞辯論時，得補充書狀或更正錯誤及提出新證據」，足證行政訴訟程序仍許為言詞辯論，亦容許原告在此程序中爭執他造主張之事實，故本件不生同自認之效果，應甚灼然。四、抑有進者，「同自認」應在「言詞辯論」時不爭執者，始足當之。然綜觀本件行政訴訟前置階段，始自審查、再審查乃至訴願、再訴願之過程中，均未曾行任何之言詞辯論程序，則其與「同自認」之要件不符，更不待言。本件既不能認原告有「同自認」情事，則被告主張應類推適用自認撤銷之規定，由原告舉證上開型錄之出版日期乙節，亦失所附麗。五、又行政訴訟法第三十三條規定：「本法未規定者，準用民事訴訟法」。查本件被告核駁原告專利申請中之主要理由，即係引證上開型錄，並認定該型錄所示真空鍍膜機「亦係利用傾斜旋轉方式達成沈積膜之均勻平坦．．．足見調整晶片與沈積方向角度以達成沈積之技術，係屬習知」等語，故上開型錄是否真正（包括形式及實質的真正），以及其出版日期如何，均攸關本件專利技術有無「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成」此一新穎性要件，並為本案之重要爭點。就此重要爭點，被告既認定本案存在有「不具新穎性」此一積極事實，依舉證責任分配法則，自應由主張該積極事實存在之被告負舉證責任，其理至明。六、再者，上開型錄要屬私文書，則依民事訴訟法第三百五十七條之規定：「私文書應由舉證人證其真正」，此益證該型錄是否真正，以及其出版日期如何等事實，均應由提出該型錄之被告負舉證責任。詎料被告非但未盡舉證之責，猶徒以「附件二為外國廠商之型錄，高科技發展日新月異，一九八九年型錄的機器或許早已退出市場不再生產，甚至該廠商是否存在都是問題，舉證至為困難」等語置辯，卻不思請原審查委員提供該型錄之背景資料以供查證，其漠人民權益之推托心態委實難昭折服，更遑論此種心態恐將導致人民權益之重大損害！七、綜上所述，除上述理由外，原告於訴願、再訴願所述理由，亦以之作為行政訴訟之理由，敬請均院一併審查判決將再訴願決定、訴願決定及原處分均撤銷等語。
被告答辯意旨略謂：一、被告已於初審階段對於附件二出版日期為相當且必要之處理，原告自始至終亦從未對引證日期有所爭論，因此原告之請求並無依據，理由如下：㈠按，廠商之產品型錄通常無法在每一頁、每一產品皆附有出版日期，為此，本案初審程序中，承辦人員曾以標專（伍）四○四○三字第六○八三七號函請初審審查委員提供出版日期，惟基於上述理由，審查委員即在該函「附件乙件」欄下加註「年份1989年」字樣，表示附件二出版日期確屬一九八九年無誤，被告並據以辦理初審不准之審定。㈡專利法明定有初審、再審查兩個審查程序，且同法第四十條第二項規定，於再審查程序賦予申請人申復之機會，若加上行政訴訟提起前的訴願、再訴願，整體而言，已有充分保障原告之程序權。惟原告對此一初審提出之證據資料，於行政訴訟前從未質疑其出版日期，且皆針對該附件二之實質內容為攻擊防禦，如今突然要求被告提出出版日期書面證據，實有下述之問題：⒈行政訴訟法第二十二條採職權調查證據，雖然不同於民事訴訟法之辯論主義，惟行政訴訟法第三十三條有準用民事訴訟法之規定，且誠實信用原則於程序上當然有其適用。本案原告就附件二出版日期在其再審查理由書、申復書、訴願理由、再訴願理由皆未主張，且都針對該附件二揭示之實質技術內容來比較本案內容之不同而為攻擊防禦，類推民事訴訟法第二百八十條第一項之法理，原告之不爭執出版日期，應有擬制自認之效果。今原告質疑出版日期，如同自認之撤銷，類推民事訴訟法第二百七十九條第三項之規定，尚需原告證明與事實不符，且係出於錯誤而自認者，始得為之。亦即，在此應由原告負舉證責任，證明該附件二年份並非一九八九年，而非再由被告來負證明附件二年份為一九八九年之舉證責任。⒉附件二為外國廠商之型錄，高科技發展日新月異，一九八九年型錄的機器或許早已退出市場不再生產，甚至該廠商是否仍存在都是問題，舉證至為困難。原告於舉證尚屬容易之行政訴訟前置階段，不要求被告舉證，而於該附件二提出之日（八十四年二月十六日發文之台專（伍）○四○四三字一○六八○六號審定書）三年後，方要求被告證明其出版日期，此一攻擊防禦方法類推民事訴訟法第一百九十六條第二項之法理，或依誠實信用原則，應予以駁回。二、「PVD」等說明字樣首次出現在於原告八十五年五月十四日申復理由書第３頁倒數第二行以下，有卷可稽，即原告係自行認定附件二屬PVD技術領域，基於此點並成為嗣後再審查、訴願、再訴願爭執「PVD」、「CVD」是否屬相同領域之重心，如今原告又再為自相矛盾之主張。至於真空鍍膜技術依引證一封面上「CoatingSystem」名稱及其內容觀之，至為顯然。同樣的，原告先前程序所有理由皆也認同附件一是為真空鍍膜技術，有爭執者僅在於該技術與本案是否屬於相同領域而已。三、物品之功效是一種物理上之事實，不會是他造默認而產生之事實。又功效本身也不足以完全說明發明專利要件之進步性，專利法第二十條第二項規定之要件是考量能否為熟習該項技術者所能輕易完成，而非有否功效之增進，此點對照同法關於新型專利第九十八條第二項有「增進功效」等規定，尤為明顯。四、因此，原告理由第１及２點關於引證附件二的質疑並不成立，而理由第３點亦不足否認本案不具進步性。被告再審查所引附件一也揭示基台「旋轉」及「傾斜角度」兩種特徵，因此本案將CVD基台以一傾斜角度旋轉之技術內容，係運用申請前既有的薄膜沈積技術，而為熟習該項技術者所能輕易完成。五、綜上所述，被告所為本案應不予專利之審定並無違法，本案原告之訴無理由，敬請駁回原告之訴等語。
理由依專利法第二十條第二項規定，發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無同條第一項所列情事，仍不得申請取得發明專利。本件被告以本案主要係令支持晶圓之基台設置與沈積方向呈一適當之傾斜角度旋轉，以達成均勻沈積厚度及平坦化效果之化學氣相沈積法（CVD）。西元一九八九年之EDWAR-DS產品說明（以下稱引證一）所示真空鍍膜機亦係利用傾斜旋轉方式達成沈積膜之均勻平坦，八十一年九月三十日發行之MicroelectronicMaterialsandProcesses（台灣版）一書（以下稱引證二）第二二○頁亦指出CVD反應器構造中之旋轉及傾斜基台特徵，第三圖及第六圖Ｄ並建議CVD非以水平基台之設置為必然，足見調整晶片與沈積方向角度以達成沈積之技術，係屬習知。至主張本案構造變化大，需就支撐、動力源各方面通盤考量云云，以本案關於基台之細部構造或支撐、動力源之設計均付之闕如，此部分顯非本案技術內容。本案係運用申請前既有之技術，為熟習該項技術者所能輕易完成，依專利法第二十條第二項規定，應不予專利。原告不服，循序提起行政訴訟，而為如前揭事實欄所載之主張。惟查：一、被告提出之Edwards產品說明書（即產品型錄）雖未記載出版日期，惟該型錄所載Auto306CoatingSYSTEM即Auto
306型真空蒸鍍機（或稱真空鍍膜機），國防部中山科學研究院早在八十年間購買此型機器於八十一年九月二十四日入帳，證人即本案原審查委員甲○○於一九八九年即看過此一型錄，業經該證人於本院調查中到庭結證屬實，並有該研究院Ａ類財產明細表（個人帳）影本附卷可資佐證。是該型機器出廠，遠在本案申請日（即八十三年二月二十八日）之前，由此足證本案之技術係屬習知。二、本案於一再訴願階段，曾經經濟部先後函請財團法人工業技術研究院電子工業研究所審查，據該所審查意見略謂：「本案〞傾斜旋轉化學氣相沈積方法〞其特徵為支撐晶圓的基台具有傾斜角度並可自轉，然由附件（一）（即引證二）MicroelectronicMaterialsandProcesses第223頁Fig.6中已揭露在電漿加強式化學氣相沈積（PECVD）法使用旋轉式基台（Fig6A）與具有傾斜角度之基台（Fig.6D），本案只是結合〞旋轉〞及〞傾斜角度〞兩種觀念同時應用於基台上，這是熟習該項技術者所能輕易完成。此外附件（二）（即引證一）之真空鍍膜機亦是利用傾斜旋轉方式達成沈積膜之均勻平坦，而PVD及CVD均屬於薄膜沈積領域，易於引用相同觀念。綜合上述，本案不具進步性，應不予專利。」又「．．．然由附件（一）第二二○頁第十一行文字中已指出化學氣相沈積（ＣＶＤ）方法反應器構造中之旋轉及傾斜基台特徵，所以本案技術特徵不具新穎性。此外，附件（一）第二二三頁圖六已揭露化學氣相沈積法使用旋轉式基台（圖６Ａ）與具有傾斜角度之基台（圖６Ｄ），熟習該項技術者可結合此兩種觀念同時應用於ＣＶＤ基台上，所以本案實施結構（如圖Ｂ及圖Ｃ）不具進步性。綜合上述，本案不具有專利價值。」等情，有該所八十六年六月十二日（八六）工研電審字第○二七一號及八十六年十月七日（八六）工研電審字第○六四六號各函檢附之審查意見書附訴願卷可稽。核其審查意見與被告及一再訴願決定機關之認定並無二致。而該所為我國光電工業之研究機構，對於光電工業之理論及實務均具權威性，所為之審查意見具有鑑定性質，自屬客觀可信。從而，被告原處分為本案不予專利之審定及一再訴願決定遞予維持，均無違誤。原告起訴意旨，仍執前詞指摘原處分及一再訴願決定違法，難謂有理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第二十六條後段，判決如主文。中華民國八十七年八月二十八日
行政法院第五庭
審判長評事 廖政雄
評事 藍獻林 評事 沈水元 評事 林清祥 評事 劉鑫楨 右正本證明與原本無異
法院書記官陳佩玲中華民國八十七年八月二十九日