裁判字號：智慧財產法院108年民專上字第27號民事判決
裁判日期：民國110年04月08日
裁判案由：確認專利權等（勞動）
1智慧財產法院民事判決2108年度民專上字第27號3上訴人冠榮科技股份有限公司45法定代理人王冠宇6訴訟代理人吳尚昆律師7葉思慧律師8被上訴人翁榮財910方敏郎11陳金川12蔡政達13共同14訴訟代理人鄭植元律師15高華陽律師16楊家瑋律師17上列當事人間確認專利權等（勞動）事件，上訴人對於中華民國11808年5月27日本院107年度民專訴字第98號第一審判決提起上19訴，並追加備位之訴，本院於110年3月11日言詞辯論終結，判20決如下：
21主文22原判決關於駁回上訴人後開第二、三之訴部分，暨該部分訴訟費23用之裁判均廢棄。
24確認中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應25性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「真空離子蒸鍍材料結構26」新型專利之專利申請權為上訴人所有。
27被上訴人應移轉中華民國第I595110號「以真空離子蒸鍍法製備多11元合金反應性鍍膜製程」發明專利及第M530826號「真空離子蒸2鍍材料結構」新型專利之專利權予上訴人。
3第一審及第二審（含追加之訴）訴訟費用，由被上訴人負擔。
4事實及理由5壹、程序事項：
6按第二審訴之變更或追加，非經他造同意不得為之，但請求之7基礎事實同一者，不在此限，民事訴訟法第446條第1項、第8255條第1項第2款定有明文。查上訴人於原審依侵權行為及9不當得利之法律關係，起訴請求確認中華民國發明第I00000000號「以真空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程」專利（11下稱系爭專利1），及新型第M530826號「真空離子蒸鍍材12料結構」專利（下稱系爭專利2）之專利申請權及專利權為上13訴人所有；被上訴人應移轉系爭專利1、2之專利權予上訴人14。嗣就原審駁回其「確認專利申請權」與「請求移轉專利權」15部分提起上訴，並主張若本院認為兩造對系爭專利1、2均有16實質貢獻，則追加備位之訴請求確認系爭專利1、2之專利申17請權為兩造「共有」；被上訴人應將系爭專利1、2之專利權18登記為兩造「共有」。經核上訴人前開追加備位之訴與原訴請19求之基礎事實同一，依上開規定，應予准許。
20貳、實體事項：
21一、上訴人主張：上訴人為改良表面處理加工效能，將傳統HCD22鍍膜技術改良成上訴人自有專用的真空離子蒸鍍設備，被上23訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達原為上訴人公司員工，於民國12405年間陸續離職後，竟與被上訴人陳金川共同擅自將上訴人25已有之真空離子蒸鍍生產流程與機器設備相關技術，向經濟26部智慧財產局（下稱智慧局）申請取得系爭專利1、2，然系27爭專利1、2為上訴人已有之技術，被上訴人並無實質貢獻，21爰依民法第184條第1項前段、第185條、第179條規定，2擇一求為命確認系爭專利1、2之專利申請權及專利權均為上3訴人所有，及命被上訴人應將系爭專利1、2專利權移轉登記4予上訴人之判決。原審為上訴人敗訴之判決，上訴人不服一5部提起上訴。上訴聲明：原判決關於駁回上訴人後開第二
6、三之訴部分，暨訴訟費用之裁判均廢棄。確認系爭專利1
7、系爭專利2之專利申請權為上訴人所有。被上訴人應移8轉系爭專利1、系爭專利2之專利權予上訴人。另追加備位9聲明：確認系爭專利1、系爭專利2之專利申請權為上訴10人與被上訴人共有。被上訴人應將系爭專利1及系爭專利211之專利權登記為上訴人與被上訴人共有。
12二、被上訴人則以：上訴人之製程及機器早已公開而為業界習知13技術，非上訴人所發明。系爭專利1之創舉在於將HCD、AR14C、SPUTTER三種同時啟動進行鍍膜，然上訴人之CIP-80115設備只單獨以HCD鍍金屬膜，另DASH-800D2SH設備（下稱16DASH-800設備）是用來鍍類鑽膜而非金屬膜，且該設備的H17CD功率很低非供鍍膜之用，SPUTTER則無靶材，上訴人未18證明有以HCD結合ARC、SPUTTER共同鍍金屬膜，自無法19證明系爭專利1為上訴人所發明。至於系爭專利2之各個披20覆層皆以至少二種以上的非合金之純金屬或非金屬材料所組21成，但CIP-801設備僅有一蒸發源，自未揭露系爭專利2技術22特徵等語，資為抗辯。並聲明：上訴及追加之訴均駁回。
23三、本院得心證之理由：
24被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達原為上訴人公司員工，於12505年間陸續離職，其三人與被上訴人陳金川於105年6月3026日向智慧局申請系爭專利1、2，分別於106年8月11日及12705年10月21日公告等情，為兩造所不爭執。上訴人主張系31爭專利1、2技術內容來自於上訴人已有之生產流程與機器設2備，上訴人才是系爭專利1、2之專利申請權人，若認兩造均3有實質貢獻則備位聲明主張系爭專利1、2應為兩造共有，然4為被上訴人所否認，並以前詞置辨。經查：
5本件確認之訴部分上訴人有即受確認判決之法律上利益：
6按確認法律關係之訴，非原告有即受確認判決之法律上利益者7，不得提起之，為民事訴訟法第247條第1項前段所明定。而8所謂即受確認判決之法律上利益，係指因法律關係之存否不明9確，致原告在私法上之地位有受侵害之危險，而此項危險得以10對於被告之確認判決予以除去者而言（最高法院42年台上字11第1031號判例參照）。本件被上訴人雖向智慧局申請取得系12爭專利1、2之專利權，然上訴人主張其才是專利申請權人，13惟為被上訴人否認，顯然兩造就系爭專利1、2之權利歸屬有14所爭執，上訴人認其在法律上之地位有不安狀態存在，而此種15不安之狀態，能以本件確認判決將之除去，則上訴人所提本件16確認專利申請權之訴，堪認有確認利益甚明。
17專利申請權歸屬之判斷：
18按專利申請權，指得依專利法申請專利之權利。專利申請權人19，除本法另有規定或契約另有約定外，指發明人、新型創作人
20、設計人或其受讓人或繼承人，專利法第5條定有明文。由21上開規定可知，專利申請權人係指發明人或創作人，所謂「發22明人」係指實際進行研究發明之人，「創作人」係指實際進行23研究創作新型之人，發明人或創作人均須係對申請專利範圍所24記載之技術特徵具有實質貢獻之人，其須就發明或新型所欲解25決之問題或達成之功效產生構想，並進而提出具體而可達成該26構想之技術手段。
27專利權人非屬真正專利申請權人之情事，常見有：剽竊他人41創作，並提出專利申請；受雇人擅自或未依其與雇用人之約2定，將其於職務上所完成之創作申請專利；雇用人將受雇人3於非職務上所完成之創作申請專利；或受聘人未依其與出資4人之約定，將其研究開發成果申請專利等。前述每一種情事在5判斷歸屬時的考量均有差異，若為前述情形，應就被控行為6人是否接觸主張為真正申請權之人（下稱主張者）的技術、被7控行為人所申請之發明或創作是否和主張者之技術實質相同等8予以探究；若為前述情形、之雇傭關係中職務上之創作或9非職務上之創作的歸屬判斷，主要是就受雇人之職務是否與其10創作有關、該創作完成之時間點是否於僱傭之期間內、受雇人11之創作與系爭專利是否實質相同、雙方當事人間有無契約約定12專利申請權及專利權之權利歸屬等予以探究；若為前述情形13之出資受聘關係下的歸屬判斷，主要是就雙方當事人間契約約14定內容及是否依契約執行、出資研究開發工作內容與系爭專利15是否實質相同等予以探究。至於「實質相同」之判斷，於理解16技術內容時，不應侷限於系爭專利權和主張者所提之技術內容17間形式上的文字記載或表達上是否相同為斷，若發明/新型所18屬技術領域中具有通常知識者能判斷為二者均是敘述同一事項19，或者差異未逸脫主張者已擁有之針對解決技術問題或達成功20效所提出技術手段的內容，仍應認定為「實質相同」，其情況21包括新穎性、擬制喪失新穎性之態樣，亦包括基於普遍使用或22眾所周知技術的使用或基於普通技能的選擇，而對於所欲解決23之問題或達成功效之技術手段沒有造成實質影響的情況但不包24括進步性之態樣。又是否構成實質相同，於判斷時必須仔細探25求、逐項認定主張者所擁有之技術內容與系爭專利申請專利範26圍所載之技術之異同，以資認定。
27上訴人於系爭專利1、2申請前所擁有之技術：
51上證33是被上訴人方敏郎自CIP-801設備電腦操作畫面下載2圖片後編輯製作之「CIP-801操作手冊」；上證6是被上訴人3翁榮財任職於上訴人期間所完成之「TiCrAlN初步測試結果報4告」，該測試結果報告記載使用之鍍膜設備為CIP801；上證250為爐號8-4401的生產操作紀錄表，測試日期為103年1月165日，上訴人主張上證20是使用上訴人之CIP-801設備，被7上訴人對此並未爭執。因此上證6、上證20、上證33可相互8勾稽為上訴人型號CIP-801之HCD真空離子蒸鍍設備及其製9程，且可證明為系爭專利1、2申請前上訴人已有之技術。
10上證1、2、3為被上訴人翁榮財在2004、2008、2009年任職11時之工作日誌、上證5為被上訴人翁榮財任職時之研發部工12作紀錄，上證1至5描述之多元合金靶材，為系爭專利1、213申請前上訴人公司已有之技術。
14上證9為上訴人「多鎗物理氣相沉積DASH-800D2SH」（即15DASH-800設備）說明書英文版，上證9-1為上訴人於199916年11月30日向日本Nanotec公司購買上證9設備之收據，上17證35為DASH-800設備之操作介面，上證36為使用上訴人D18ASH-800設備進行離子鍍膜之生產操作紀錄，故上證9、9-1
19、36可相互勾稽為上訴人DASH-800設備及其製程，且可證20明為系爭專利1、2申請前上訴人已有之技術。
21被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達於任職上訴人期間有接觸上22訴人前開技術：
23被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達均為上訴人之前員工，被上24訴人蔡政達於93年1月起擔任設備部經理，負責上訴人公司25鍍膜設備之製圖、發包及組合業務，被上訴人翁榮財於99年269月起擔任上訴人公司薄一廠廠長，先後負責受理戶鍍膜料件27清點及鍍膜前置作業、生產部門管理、公司ISO文件及品保61系統認證與產品品質管理制度建立及聯繫等業務，被上訴人方2敏郎於98年12月起擔任上訴人公司研發部經理，負責生產作3業及離子蒸鍍設備機台操作、作業部門之管理、開發設備及自4製設備與現有製程之改善、鍍膜設備及新型設備之測試等業務5，另被上訴人翁榮財任職期間有製作上證1、2、3、5、6等6工作日誌、工作紀錄、測試報告、生產操作紀錄，被上訴人方7敏郎任職期間有編寫上證33之「CIP-801操作手冊」，以上可8證明被上訴人翁榮財、方敏郎、蔡政達長期受雇上訴人期間，9知悉且有接觸上訴人上開多元合金靶材、CIP-801設備、DAS10H-800設備及相關製程技術。
11系爭專利1之專利申請權為上訴人所有：
12請求項1部分：
13系爭專利請求項1申請專利範圍為：「1.一種以真空離子蒸鍍14法製備多元合金反應性鍍膜製程，係於一真空蒸鍍爐所進行的15製程，該製程的步驟主要包含有：製備合金靶材，係備一筒狀16坩堝，該坩堝位於該真空蒸鍍爐中心，該坩堝內置放了所需之17固態的合金靶材，該坩堝內並配有環繞於合金靶材外圍的冷卻18水路，而所述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶材；加19熱至材料融化，對該坩堝內材料進行加熱，以控制材料融化的20階段性，進而讓坩堝內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再被21電子束解離成離子；導以偏壓電源，於待鍍工件導以偏壓的同22時，配合電場磁場使離子加速，而該偏壓為5~1000V帶負電23之偏壓電源，電子束電流20~300A；導入反應氣體，係可選24擇性的在導以偏壓電源步驟之前或之後進行，在原子受該電子25束解離成離子的同時導入反應氣體，該反應氣體也受到該電子26束解離成離子，所述之反應氣體係依照靶材所形成之薄膜而選27擇；薄膜形成，被解離的正離子受帶負電之偏壓電源吸引而撞71上位於該坩堝周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面排列形成合2金薄膜；冷卻出爐，待於該待鍍工件表面形成0.1~10μm之3薄膜層後進行冷卻，冷卻後便可出爐。」。
4系爭專利1請求項1與上訴人已有之技術內容比對：
5由上證33之CIP-801操作手冊第1、9至10頁記載內容可知6，CIP-801設備為一空心陰極放電HCD真空離子蒸鍍系統，7「基本操作流程」為依序執行抽氣、夾具旋轉、點鎗、加熱、8離子清潔、蒸鍍、打底鍍膜、單／多層鍍膜、冷卻及出爐之自9動離子蒸鍍製程（見本院卷三第23、39至41頁），相當於「10一種以真空離子蒸鍍法製備…製程，係於一真空蒸鍍爐所進行11的製程」技術特徵，上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之12鍍膜設備為CIP-801，使用之鍍材為外徑23mm的圓柱狀Ti-A13l合金靶植入外徑40mm之鈦錠中，且在前述結構上方中央位14置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠，使用之鍍膜設備為CIP-80115，對螺絲工件進行TiCrAlN鍍膜測試（見本院卷一第177至16191頁），相當於「製備多元合金反應性鍍膜製程」技術特徵17，是前述內容已對應揭示系爭專利1請求項1之「一種以真18空離子蒸鍍法製備多元合金反應性鍍膜製程，係於一真空蒸鍍19爐所進行的製程」技術特徵。
20上證33之CIP-801操作手冊第1頁記載CIP-801設備具有一21坩堝位於真空蒸鍍爐中心，且鍍材為TiAlCr三元合金靶（見22本院卷三第23頁），上證3工作日誌第43頁記載鍍材為AlC23r二元合金靶（見本院卷一第129頁），已對應揭示系爭專利241請求項1之「製備合金靶材，係備一坩堝，該坩堝位於該真25空蒸鍍爐中心，該坩堝內置放了所需之固態的合金靶材，而所26述合金靶材可為二元、三元、或多元合金靶材」技術特徵。上27證33雖未揭示系爭專利1之「該坩堝內並配有環繞於合金靶81材外圍的冷卻水路」技術特徵，惟真空離子蒸鍍系統為控制坩2堝中的靶材成熔融狀並在鍍膜的過程維持穩定量的蒸發，當然3會設置冷卻裝置在過熱時進行降溫控制，此為使用於真空離子4蒸鍍設備的坩堝於申請時的通常知識。
5上證33之CIP-801操作手冊記載離子蒸鍍製程有加熱、離子6清潔、打底及多層鍍膜（見本院卷三第23頁），上證20生產7操作紀錄從加熱階段到蒸鍍階段持續使坩堝溫度在301~400℃8間，蒸鍍時間第8分時，空心陰極鎗會形成電子束射向坩堝9，將金屬靶溶解並蒸發，此即「Cr完全共融合金靶」階段；10隨後，氣態原子解離，HCD蒸鍍形成TiCrAlN多層鍍膜（見11本院卷一第243頁），已對應揭示系爭專利1請求項1之「12加熱至材料融化，對該坩堝內材料進行加熱，以控制材料融化13的階段性，進而讓坩堝內原料均勻地蒸發，蒸發上來的原子再14被電子束解離成離子」技術特徵。
15上證20生產操作紀錄記載於「鈦底」階段及「蒸鍍」階段的16空心陰極鎗電子束從68.8A逐漸增加至186.3A，並對待鍍工17件上施加bias電壓（偏壓）逐漸從154.3V降至88V，同時間18，控制電子束對焦之下磁圈電流逐漸從5.84A降至0.71A再增19至13.04A，以電場磁場使離子加速（見本院卷一第243頁）20，已對應揭示系爭專利1請求項1之「導以偏壓電源，於待21鍍工件導以偏壓的同時，配合電場磁場使離子加速，而該偏壓22為5~1000V帶負電之偏壓電源，電子束電流20~300A」技術23特徵。
24上證20生產操作紀錄記載氣體N2在蒸鍍階段由流量100逐25漸增加至156再降至128，氣體CH4則僅在蒸鍍後期加入，26流量由0逐漸增加至9，且於蒸鍍階段，導入反應氣體，用27來生成內含N元素之TiAlCrN多元合金薄膜，工件之bias電91壓逐漸從154.3V降至88V（見本院卷一第243頁），已對應2揭示系爭專利1請求項1之「導入反應氣體，係可選擇性的3在導以偏壓電源步驟之前或之後進行，在原子受該電子束解離4成離子的同時導入反應氣體，該反應氣體也受到該電子束解離5成離子，所述之反應氣體係依照靶材所形成之薄膜而選擇」技6術特徵。
7上證20生產操作紀錄記載於蒸鍍期間對待鍍工件施加bias偏8壓，使得被解離的正離子受偏壓電源吸引而撞上待鍍工件，「9階段特殊狀況」記載「多層第5層」、「第8層」…「第3010層」、「最終層33層」，顯示TiAlCrN鍍膜厚度隨時間變化11逐漸成長（第2分鐘鍍膜厚度0.08μm、第8分鐘鍍膜厚度0
12.32μm…第72分鐘鍍膜厚度4.15μm），最終形成約4.39μ13m之薄膜（見本院卷一第243頁），上證33之CIP-801操作14手冊第1頁圖2記載形成單層或多層鍍膜後，會經冷卻動作15再出爐（見本院卷三第23頁），以上已對應揭示系爭專利116請求項1之「薄膜形成，被解離的正離子受帶負電之偏壓電17源吸引而撞上位於該坩堝周圍的待鍍工件，而於待鍍工件表面18排列形成合金薄膜」、「冷卻出爐，待於該待鍍工件表面形成
190.1~10μm之薄膜層後進行冷卻，冷卻後便可出爐」技術特徵20。
21綜上可知，系爭專利1請求項1與上訴人已有之技術內容應22構成實質相同。
23請求項2至10部分：
24請求項2、3、4部分：
25系爭專利1請求項2係依附於請求項1，並界定「該製備合26金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過27渡層之材料，該過渡層之材料係可在薄膜層的合金靶材之前預101先披覆於該待鍍工件表面上，進而形成所述之過渡層」之附屬2技術特徵；系爭專利1請求項3係依附於請求項1，並界定3「該製備合金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材內4鑲埋一過渡層之材料，使得該過渡層之材料在鍍上薄膜層的過5程中披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進而形成具有過6渡層的漸層式薄膜層」之附屬技術特徵，請求項3和請求項27均係界定合金靶材具有過渡層材料，差別在於合金靶材之製8備方法不同，請求項2是界定將過渡層材料放置於合金靶材9上、請求項3是界定將其鑲埋於合金靶材內；系爭專利1請10求項4係依附於請求項1，並界定「該製備合金靶材之步驟11中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過渡層之材料以12及同時於合金靶材中鑲埋該過渡層之材料，使得該過渡層之材13料在鍍上薄膜層的過程中披覆於該待鍍工件表面上與薄膜層之14間，進而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」之附屬技術特徵，15請求項4係界定合併請求項2、3之合金靶材製備方法。
16查上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之鍍膜設備為CIP-80171，使用之鍍材為外徑23mm的圓柱狀Ti-Al合金靶植入外徑1840mm之鈦錠中，且在前述結構上方中央位置放置一個ψ19m19mx3mm的鉻錠（見本院卷一第177至191頁），相當於「該20製備合金靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置21放一過渡層之材料」、「該製備合金靶材之步驟中，預先位於22該坩堝內之合金靶材內鑲埋一過渡層之材料」、「該製備合金23靶材之步驟中，預先位於該坩堝內之合金靶材上方置放一過渡24層之材料以及同時於合金靶材中鑲埋該過渡層之材料」技術特25徵。又上證20生產操作紀錄記載在「鈦底」階段調整上、下26磁圈電流為7.83A及5.84A，對焦於靶材上，首先會使Ti錠27植入Ti-Al圓柱的合金靶上放置的3mm厚之Cr錠開始融化，111此即為「階段特殊狀況記錄」提到「0.22μ合金靶才開始融開2」、「Cr完全共融合金靶」，使得於蒸鍍初期的鍍膜主成分3為Cr過渡層（見本院卷一第243頁），即相當於「該過渡層4之材料係可在薄膜層的合金靶材之前預先披覆於該待鍍工件表5面上，進而形成所述之過渡層」、「使得該過渡層之材料在鍍6上薄膜層的過程中披覆於該待鍍工件表面上或薄膜層之間，進7而形成具有過渡層的漸層式薄膜層」。
8因此，前述內容已對應揭示前述系爭專利1請求項2、3、49之附屬技術特徵，故系爭專利1請求項2、3、4與上訴人已10有之技術內容應構成實質相同。
11請求項5部分：
12系爭專利1請求項5係依附於請求項1，並界定「在該真空13蒸鍍爐內設單一或多個傳統的SPUTTER濺射裝置或者ARC14電弧式放電濺射裝置，而該SPUTTER濺射裝置或者ARC電15弧式放電濺射裝置配置至少一種靶材物質，繼於蒸鍍初期、中16期或末段啟動該濺射裝置將靶材物質激發出來，藉此配合坩堝17之薄膜層的合金靶材而可形成漸層式或多段式的薄膜層」之附18屬技術特徵。請求項5是進一步界定HCD真空離子蒸鍍系統19進行蒸鍍過程中，該蒸鍍爐內更有設有單一或多個傳統的SP20UTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗，以使得在蒸鍍任何時間（初21期、中期或末期），SPUTTER濺射鎗或者ARC電弧鎗可配合22HCD鎗一併將合金靶材物質激發，形成漸層式薄膜層。
23查在真空離子蒸鍍系統之蒸鍍爐內更可設有其他離子源早為所24屬技術領域所普遍使用，如西元1992、1996年公開的德國文25獻已記載蒸鍍爐內設有2個HCD鎗及1個ARC電弧鎗，配26合同時使用形成（Cr,Ti）N膜、蒸鍍爐內設有1個HCD鎗27及1個ARC電弧鎗，配合同時使用的多鎗真空離子蒸鍍設備121，且1996年公開的德國文獻已揭露「如圖2所示，電弧源12和HCD源2設置在第一腔室E的壁和下部中…在腔室E的底3部是一個帶有靶材T的容器3…因此，根據本發明的裝置被4設計成使得可以在同一腔室E同時進行上部的離子電弧塗覆5和下部的HCD離子塗覆…這可以產生具有優異品質的塗層…6可以以簡單的方式進行多層塗佈，從而可以實現高生產率並降7低成本」（見本院卷五第137至145頁），可知在真空離子8蒸鍍系統之蒸鍍爐內更可設有其他離子源早為所屬技術領域所9普遍使用，而為申請時之通常知識，另依上證9之Dash-80010設備說明書第5至6頁「4-2IonSource（離子源）」記載「4-112-1DLCIonSource2sets…4-2-2SputterTarget1set…4-2-3Hal12lowCathodeGunUnit1set…」（見本院卷一第201至202頁13），可知DASH-800設備蒸鍍爐內設有離子鎗（2支）、Sputt14er鎗（1支）及HCD鎗（1支）3種鎗作為離子源，另由上證1535之DASH-800設備操作介面可知該設備有A至F共6種操16作模式，製程為電子束加熱、離子清潔、濺射過渡層、DLC17鍍膜等階段，在DLC（Diamond-likeCarbon，類鑽碳)階段18，模式B至E之鍍膜處方僅開啟離子鎗，模式A及膜式F之19鍍膜處方是離子鎗與HCD鎗同時開啟（ON）（見本院卷二第20269頁），亦可證明在真空爐內設有其他離子源及開啟多鎗之21通常知識早已使用於上訴人公司。再者，前述西元1992、199226年公開的德國文獻已揭露在蒸鍍爐內設置多鎗後可以於真空23離子蒸鍍時同時使用HCD鎗及ARC電弧鎗，而開啟多鎗的24時間點係發明所屬技術領域中具有通常知識者可以依使用需求25決定選擇的普通技能，至於請求項5能形成漸層式或多段式26之薄膜層，已為上證6、上證20、上證33之上訴人已有之技27術所揭露，因此，系爭專利１請求項5附屬技術特徵並未逸131脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系2爭專利1請求項5與上訴人已有之技術內容應構成實質相同3。
4請求項6部分：
5系爭專利1請求項6係依附於請求項1，並界定「該真空蒸-3-46鍍爐在鍍膜階段的腔內壓力設定為10torr~10torr，溫度設7定450℃以下者」之附屬技術特徵。查上證20之TiCrAlN鍍-38膜生產操作紀錄記載其鍍膜階段壓力介於1.445x10torr至1.8-3924x10torr，溫度介於388℃至327℃（見本院卷一第243頁10），已對應揭示前述系爭專利1請求項6之附屬技術特徵。故11系爭專利1請求項6與上訴人已有之技術內容應構成實質相同12。
13請求項7部分：
14系爭專利1請求項7係依附於請求項1，並界定「該製備合15金靶材之步驟中，可選擇相組合的合金元素有鈦、鉻、鋁、釸
16、鎢、鉭、碳或釩」之附屬技術特徵。查上證2第115頁記載17「TiAlCrSiN=>Ti-Al50/50Ti:Al:Cr:Si=>3:3:2.7:1」、第12183頁記載「換加熱器→ZrN→剝離→TiN→剝離→TiN…ZrN19→OK→TiN→NG（3只NG、3只OK）」（見本院卷一第11
205、117頁），所述TiAlCrSiN（鈦鋁鉻矽）鍍膜、VC（釩碳21）鍍膜等，已對應揭示系爭專利1請求項7附屬技術特徵之合22金靶材材料選擇式中的「元素鈦、鉻、鋁、釸、碳及釩」，其23雖未揭示選擇式中的「鎢、鉭」，惟鎢、鉭元素僅是鍍膜領域24會使用到的習知材料，例如成功大學論文第13頁Table2.1便25列出包括系爭專利1請求項7所有不同薄膜元素及特性，以鈦
26、鉻、鉭、鎢、釩為合金靶材之材料選項種類（見本院卷四第27212頁），可知材料之選擇屬於申請時的通常知識，未逸脫上141訴人已有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專2利1請求項7與上訴人已有之技術內容應構成實質相同。
3請求項8部分：
4系爭專利1請求項8係依附於請求項7，並界定「各合金的5組合比例有鈦(30~70%)-鋁(70~30%)、鈦(40~80%)-鉻(60~620%)、鈦(90~80%)-釸(10~20%)、鈦(30~45%)-鋁(30~457%)-鉻(10~40%)、鈦(30~40%)-鋁(30~40%)-鉻(15~30%)-8釸(5~10%)、鈦(60~80%)-鉭(20~40%)、鈦(60~80%)-鎢(290~40%)、鈦(90~80%)-釩(10~20%)」之附屬技術特徵。查上10證3第47頁記載合金靶材之Ti:Si比例可為90/10%（見本院11卷一第131頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(90~80%)-12釸(10~20%)」之合金選擇及數值範圍；上證3第55頁記載合13金靶材之TiAl比例可為30/70%、45/55%（見本院卷一第13514頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(30~70%)-鋁(70~30%)15」之合金選擇及數值範圍；上證2第127頁、上證3第129頁16記載合金靶材之Ti:Al:Cr比例可為32:32:36%、36.7:36.7:26.175%、40:40:20%（見本院卷一第119、143頁），已揭露請求18項8所界定之「鈦(30~45%)-鋁(30~45%)-鉻(10~40%)」之19合金選擇及數值範圍；上證2第115頁記載合金靶材之Ti:Al
20:Cr:Si比例為30.9%:30.9%:27.8%:10.3%（見本院卷一第11521頁），已揭露請求項8所界定之「鈦(30~40%)-鋁(30~40%)-22鉻(15~30%)-釸(5~10%)」之合金選擇及數值範圍；雖上證123至5未揭示選擇式中的「鈦(40~80%)-鉻(60~20%)、鈦(60~8240%)-鉭(20~40%)、鈦(60~80%)-鎢(20~40%)、鈦(90~80)-25釩(10~20%)」，惟鈦、鉻、鉭、鎢、釩元素僅是鍍膜領域會26使用到的習知材料，例如成功大學論文第13頁Table2.1便列27出包括系爭專利1請求項8所有不同薄膜元素及特性，以鈦、151鉻、鉭、鎢、釩為合金靶材之材料選項種類（見本院卷四第2212頁），而合金比例數值範圍係靶材廠商依顧客需求進行不3同元素、不同比例靶材開發與比例調配，未逸脫上訴人所有之4技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專利1請求項58與上訴人已有之技術內容應構成實質相同。
6請求項9部分：
7系爭專利1請求項9係依附於請求項1，並界定「該導入反8應氣體之步驟中，反應氣體可為氮氣、甲烷、乙炔或甲矽烷任9一者」之附屬技術特徵。查上證20之TACON鍍膜生產操作10紀錄，導入氮氣（N2）及甲烷（CH4）反應氣體，上證33之11CIP-801操作手冊第1頁更記載可導入氮氣、甲烷、苯及甲矽12之反應氣體（見本院卷一第243頁、卷三第23頁），又甲烷13及苯係用以提供碳元素之反應氣體，甲矽係用以提供碳及矽元14素之反應氣體，製備薄膜時導入乙炔（C2H2）、甲矽烷（SiH154）為反應氣體，用以提供碳元素為離子蒸鍍設備領域之通常16知識，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及17功效，故系爭專利1請求項9與上訴人已有之技術內容構成實18質相同。
19請求項10部分：
20系爭專利1請求項10係依附於請求項1，並界定「該導以偏21壓電源之步驟中，以偏壓100V、電子束電流200A的帶負電之22偏壓電源為最佳」之附屬技術特徵。查上證20之TiAlCrN鍍23膜生產操作紀錄，於「鈦底」階段及「蒸鍍」階段bias電壓24逐漸從154.3V降至88V，電子束電流從68.8A逐漸增加至18
256.3A（見本院卷一第243頁），上證20之偏壓變化範圍已揭26露系爭專利1請求項10之偏壓，電子束電流也接近系爭專利271請求項10之電子束電流，且前述偏壓及電子束流最佳值會161隨著爐體不同而稍微改變，因不同爐體，其坩堝與工件間的距2離及電子束源及坩堝間距離略有不同，皆會影響偏壓值及電子3束電流值之最佳化，難認系爭專利1對偏壓100V及電子束電4流200A為最佳值之界定有顯著之意義，自未逸脫上訴人所有5之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭專利1請求6項10與上訴人已有之技術內容構成實質相同。
7綜上，系爭專利1請求項1至10與上訴人已有之技術內容構8成實質相同，雖其中的測試結果報告、工作日誌、工作紀錄、9操作手冊為被上訴人翁榮財、方敏郎於任職期間所製作，但其10內容均僅單純對於上訴人已有之機器、製程為紀錄，並無實質11貢獻可言，上訴人才是對系爭專利1有獨立且完全實質貢獻12者，是上訴人請求確認系爭專利1之專利申請權為上訴人所13有，為有理由。
14被上訴人主張並不可採，分述如下：
15被上訴人雖稱：上訴人之真空離子鍍膜設備為市售HCD鍍膜16設備，上訴人製備多元合金鍍膜之方法早已是公開技術，非上17訴人獨有云云。惟本件為專利申請權、專利權歸屬之爭執，係18就被上訴人之系爭專利與上訴人已有之技術內容比對是否實質19相同，以判斷權利應歸屬上訴人或被上訴人，至於該專利是否20不具新穎性或進步性，與本件專利權歸屬爭議無涉，被上訴人21上開主張恐有誤會，自不足採。
22被上訴人又稱：系爭專利1之創舉在於將蒸鍍（HCD）、濺23鍍（SPUTTER）、電弧鍍（ARC）三種同時啟動進行鍍膜，24且鍍膜過程中三種方法都有對應的金屬靶材，惟上訴人之25DASH-800設備是用來鍍類鑽膜非金屬膜，且其HCD功率很26低顯非用來鍍膜，SPUTTER亦無金屬靶材的記載，上訴人並27未證明其有同時使用HCD、SPUTTER、ARC來鍍金屬膜等171語。被上訴人上開所稱指的是系爭專利1請求項5之技術內容2，然查：
3系爭專利1請求項5是界定「HCD+ARC」、「HCD+SPUTTE4R」，而非「HCD+SPUTTER+ARC」：
5系爭專利1請求項5記載「在該真空蒸鍍爐內設單一或多個傳6統的SPUTTER濺射裝置『或者』ARC電弧式放電濺射裝置」7，其以「或」之擇一形式並列記載SPUTTER和ARC2個選項8，且未敘述「及其組合」，可知系爭專利1請求項5係在HC9D外，再設置SPUTTER或ARC之一，因此系爭專利1請求10項5是界定「HCD+ARC」、「HCD+SPUTTER」，被上訴11人稱系爭專利1是以「HCD+SPUTTER+ARC」三種同時進行12鍍膜而為其前所未有之創舉云云，顯然對於請求項5之解讀有13所誤會，自不可採。
14系爭專利1請求項5未界定鍍膜過程中三種方法都有對應的15金屬靶材：
16查系爭專利1請求項5記載「該SPUTTER濺射裝置或者AR17C電弧式放電濺射裝置配置至少一種靶材物質，繼於蒸鍍初期
18、中期或末段啟動該濺射裝置將靶材物質激發出來」，是界定19「配置『至少一種』靶材物質」而非三種都有各自對應的金屬20靶材，且參酌系爭專利1說明書第[0023]段記載「除了以上21述方式改變坩堝內之待蒸鍍合金靶材外，…該SPUTTER濺射22裝置或者ARC電弧式放電濺射裝置內配置靶材物質為鉻（Cr23），而該SPUTTER濺射裝置或者ARC電弧式放電濺射裝置24係在蒸鍍中期才啟動，並且直至薄膜完成，故可控制該薄膜層25最內層的鉻（Cr）元素0%，而在薄膜層的中間層鉻（Cr）元26素逐漸拉伸至20%~40%，在薄膜層的外層鉻（Cr）元素平均27達40%，如此一來，若配合有多個不同的靶材物質，且在鍍181膜的不同階段開啟或關閉可製造出多段式之薄膜層。」由上可2知，系爭專利1說明書是揭露SPUTTER鎗「或」ARC鎗對「3坩堝內之鉻（Cr）靶材物質」進行激發，而非三種方法都有對4應的金屬靶材，被上訴人上開主張並不足採。
5「實質相同」非「實際使用」：
6所謂「實質相同」之判斷不應侷限於兩者技術內容於形式上的7文字記載或表達是否相同，已如前述，因此「實質相同」當然8不必要求須「實際使用」，因為實際使用是屬於「完全相同」9，若採完全相同之標準，則只要將他人之發明施以無實質差異10之變化即可擁有該專利權，顯與專利法第5條之立法精神不符11。因此，被上訴人所謂DASH-800設備是用來鍍類鑽膜非金屬12膜、該設備未配置坩鍋、其HCD功率很低顯非用來鍍膜、SP13UTTER無金屬靶材的記載、上訴人未有同時使用HCD、SPUT14TER、ARC來鍍金屬膜等主張，是要求上訴人要「實際使用15」系爭專利1請求項5來作為論述基礎，其主張自不足採。
16系爭專利2之專利申請權為上訴人所有：
17請求項1部分：
18系爭專利2請求項1申請專利範圍為：「1.一種以真空離子蒸19材料結構，包括：一受鍍工件，係受真空離子蒸鍍之主體；一20多段合金材料薄膜，係漸層式的披覆於該受鍍工件的表面，主21要係由複數個披覆層所堆疊而成，該各披覆層皆係以至少二種22以上的非合金之純金屬材料或非金屬材料所組成，且各層之間23的比例不同，並以漸增或漸減的方式變化者。」其使用開放式24連接詞「包含」，表示不排除請求項中未提及之結構。又其界25定各披覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬材料或非金26屬材料所組成，且各層之間的比例不同，並以漸增或漸減的方27式變化者。另依系爭專利2說明書第[0006]、[0007]段記載191「該結構具有漸層式之特性，各披覆層皆有二個以上的材質特2性，且可配合受鍍工件之需求以漸減、漸增、漸減再漸增或漸3增再漸減等不同態樣形成，進一步形成多種不同特性的薄膜，4是能有別於以往薄膜每層各別存在不同材料特性，產生更佳的5材質特性」、「由於部分待鍍工件表面和鍍膜的薄膜的性質差6異相當大，若因此直接將薄膜披覆於工件表面，則會產生極大7之內應力，而內應力過高便會產生薄膜剝離之現象，因此該多8段合金材料薄膜更進一步具有一過渡層，該過渡層係位於該各9披覆層與該受鍍工件表面之間，該過渡層係使用有別於披覆層10的另一非合金之純金屬材料或非金屬材料，且該過渡層與該受11鍍工件的表面性質差異係小於該披覆層與該受鍍工件的表面性12質差異者」，可知系爭專利2請求項1之具有漸層式披覆層13鍍膜的受鍍工件，可發揮每一披覆層各別存在不同材料特性，14產生更佳的材質特性，並可利用過渡層減少受鍍工件和鍍膜間15之內應力，避免薄膜剝離現象。
16系爭專利2請求項1與上訴人已有之技術內容比對：
17上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告第1頁及第2頁第一點記載18使用合金靶鍍材，並以CIP-801之離子蒸鍍系統，對PC受鍍19工件進行TiCrAlN鍍膜測試（見本院卷一第179至181頁）20，已對應揭示系爭專利2請求項1「一種真空離子蒸鍍材料21結構，包括：一受鍍工件，係受真空離子蒸鍍之主體」技術特22徵。
23上證20之TiCrAlN鍍膜生產操作紀錄記載製備PC受鍍工件24上具有最終層33層TiCrAlN披覆層鍍膜的生產過程，該紀錄25單之右上角記載「以TACON自動多層處方跑」，可知其鍍膜26種類為TiCrAlN膜，該紀錄單之「階段特殊狀況」記載「0.2227μ合金靶開始融熔」、「Cr完全共融合金靶」、「多層第5201層」、「第8層」…「第30層CH43%」、「最終層33層C2H48%」，鍍膜厚度隨時間變化逐漸成長（第2分鐘鍍膜厚度
30.08μm、第8分鐘鍍膜厚度0.32μm…第72分鐘鍍膜厚度
44.15μm），最終形成約4.39μm、33層披覆層堆疊之薄膜，5隨著反應氣體流量變化，各鍍膜層之成分比例亦有變化，形成6漸層式的披覆層披覆於PC受鍍工件的表面（見本院卷一第2473頁），已對應揭示系爭專利2請求項1「一多段合金材料薄8膜，係漸層式的披覆於該受鍍工件的表面，主要係由複數個披9覆層所堆疊而成」技術特徵。
10上證20之紀錄單記載「以TACON自動多層處方跑」，可知11其鍍膜種類為TiCrAlN膜，該紀錄單之「N2流量」記載氣體12N2在蒸鍍階段由流量100逐漸增加至156再降至128，「CH134流量」記載CH4則僅在蒸鍍後期加入，流量由0逐漸增加14至9，上證6測試報告記載「1.2鍍膜設備」記載使用「七號15機（CIP801）」，「1.1鍍材」記載使用「a.Ti-Al合金靶5016%-50%，切削成外徑23mm圓柱植入外徑40mm之鈦錠中，b
17.於a項鍍材上方再置一ψ19mm×3mm之鉻錠，並置於中央位18置」（見本院卷一第179頁），顯見CIP-801設備可利用控制19電子束聚焦大小、掃描電子束在靶材之聚焦位置等手段來控制20金屬靶材蒸發形成原子狀態之成分，配合隨著反應氣體的添加21量不同，亦即各鍍膜層是將合金靶蒸發出的純金屬原子離子化22及非金屬材料之氣體分子離子化後，披覆於工件上，所形成之23各鍍膜層之間的成分比例隨著離子化之金屬材料及非金屬材料24不同而漸進改變，已對應揭示系爭專利2請求項1「該各披25覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬材料或非金屬材料26所組成，且各層之間的比例不同，並以漸增或漸減的方式變化27者」技術特徵。
211綜上，系爭專利2請求項1與上訴人已有之技術內容構成實2質相同。
3系爭專利2請求項2至4部分：
4請求項2部分：
5系爭專利2請求項2係依附於請求項1，並界定「該多段合金6材料薄膜具有一過渡層，該過渡層係位於該各披覆層與該受鍍7工件表面之間，該過渡層係使用有別於披覆層的另一非合金之8純金屬材料或非金屬材料，且該過渡層與該受鍍工件的表面性9質差異係小於該披覆層與該受鍍工件的表面性質差異者」之附10屬技術特徵。查上證6TiCrAlN鍍膜測試報告記載使用之鍍材11為外徑23mm的圓柱狀Ti-Al合金靶植入外徑40mm之鈦錠中12，且在前述結構上方中央位置放置一個ψ19mmx3mm的鉻錠13，上證20生產操作紀錄記載「鈦底」階段調整上、下磁圈電14流為7.83A及5.84A，對焦於靶材，首先會使3mm厚之鉻錠15開始融化，此即為於蒸鍍TiAlCrN薄膜之前，預先批覆鉻過渡16層，而Cr相較TiAlCrN對於PC受鍍工件之表面性質差異較17小為材料本質特性（見本院卷一第177至191、243頁），是18上開內容已對應揭示前述系爭專利2請求項2之附屬技術特徵19，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效20，故系爭專利2請求項2與上訴人已有之技術內容構成實質相21同。
22請求項3部分：
23系爭專利2請求項3係依附於請求項1，並界定「該多段合金24材料薄膜具有一過渡層，該過渡層係同時位於該各披覆層與該25受鍍工件表面之間以及該各披覆層之間，該過渡層係使用有別26於披覆層的另一非合金之純金屬材料或非金屬材料，且該過渡27層與該受鍍工件的表面性質差異係小於該披覆層與該受鍍工件221的表面性質差異者」之附屬技術特徵。請求項3與請求項22附加技術特徵之差異僅在於請求項3除了會在受鍍工件表面形3成過渡層外，「各披覆層之間也會形成過渡層」。查上證204之生產操作紀錄之「蒸鍍」階段，記載調整電子束電流、上、5下磁圈電流，使得「0.22μ合金靶才開始融開」、「Cr完全6共融合金靶」、「多層第5層」、「第8層」…「第30層」
7、「最終層33層」，形成最終層33層之TiAlCrN多層合金8薄膜，而成分從Cr逐漸變化為TiAlCrN之各批覆層相較TiAl9CrN對於PC受鍍工件之表面性質差異較小為材料本質特性（10見本院卷一第243頁），已對應揭示前述系爭專利2請求項311之附屬技術特徵，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、12技術手段及功效，故系爭專利2請求項3與上訴人已有之技術13內容構成實質相同。
14請求項4部分：
15系爭專利2請求項4係依附於請求項1，並界定「該受鍍工件16係使用為鎢鋼系列之模具或刀具、高速鋼系列之模具或刀具、17模具鋼之模具或零件以及碳銅之模具或零件任一者」之附屬技18術特徵。查真空離子蒸鍍之受鍍工件，只要能夠放入真空腔室19，工件種類及材料並無限制，受鍍工件之選擇屬於申請時的通20常知識，未逸脫上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段21及功效，且上證6之TiCrAlN鍍膜測試報告記載受鍍工件為22螺絲，上證5第79頁記載對碳化鎢銑刀之受鍍工件鍍上TiAl23CrN鍍膜，上證1第45頁記載可對高速剛進行TiSaN鍍膜，24上證1第37頁記載對高速剛（SKH55）銑刀進行TiX鍍膜（25見本院卷一第103、105、161、177至191頁），是前述內26容亦已對應揭示系爭專利2請求項4之附屬技術特徵，未逸脫27上訴人所有之技術內容的創作構思、技術手段及功效，故系爭231專利2請求項4與上訴人已有之技術內容構成實質相同。
2綜上，系爭專利2請求項1至4與上訴人已有之技術內容構3成實質相同，雖其中的測試結果報告、工作日誌、工作紀錄、4操作手冊為被上訴人翁榮財、方敏郎於任職期間所製作，但其5內容均僅單純對於上訴人已有之機器、製程為紀錄，並無實質6貢獻可言，上訴人才是對系爭專利2有獨立且完全實質貢獻7者，是上訴人請求確認系爭專利2之專利申請權為上訴人所8有，為有理由。
9被上訴人雖稱：CIP-801設備僅有一蒸發源，無法形成系爭專10利2「各個披覆層皆係以至少二種以上的非合金之純金屬或11非金屬材料所組成」云云。惟查，上證20記載「蒸鍍」製程12階段「0.22μ合金靶開始融開」、「Cr完全共融合金靶」、「13多層第5層」、「第8層」、「第15層（合金靶周圍乾涸）14」、「第21層（合金靶外乾涸）、「主要鍍膜段（28）」、15「第30層CH43%」、「最終層33層CH48%」（見本院卷16一第243頁），顯見其所製作TiCrAlN膜形成有至少二種以17上的非合金之純金屬或非金屬材料所組成之33層披覆層，是18被上訴人上開主張自不可採。
19被上訴人應將系爭專利1、2之專利權移轉予上訴人：
20按專利申請權人，除本法另有規定或契約另有約定外，指發明21人、新型創作人、設計人或其受讓人或繼承人。專利法第5條22第2項定有明文。準此，專利經核准公告後，專利申請權人成23為專利權人。而研發成果經專利專責機關核准而得作為專利權24之客體，已具私法上財產權之屬性，真正之專利申請權人自得25提起給付之訴，請求冒充申請者返還該專利權，以維護其權利26。本件系爭專利1、2之專利申請權應歸屬上訴人所有，已如27前述，被上訴人冒充申請人取得系爭專利1、2自屬不當得利241，則上訴人依民法第179條規定，請求被上訴人將系爭專利1
2、2之專利權移轉予上訴人，洵屬有據。又上訴人依民法第1739條規定既已滿足其請求，則其依請求權競合關係另以民法第4184條第1項前段、第185條規定為請求，本院即無審究必要5。
6末查，上訴人於原審已主張系爭專利1、2內容為上訴人已有7之技術，系爭專利1、2之專利申請權為上訴人所有，並提出8相關證據證明，是上訴人於二審所提之證據僅是補充其上開主9張，並非提出新攻擊防禦方法，被上訴人抗辯上訴人在二審逾10時提出新攻擊防禦方法，應生失權效果云云，尚無可取，附此11敘明。
12四、綜上所述，上訴人依民法第179條規定，請求確認系爭專利1
13、2之專利申請權為上訴人所有，及請求命被上訴人應將系爭14專利1、2之專利權移轉登記予上訴人，為有理由，應予准許15。從而，原審就上開應准許部分為上訴人敗訴之判決，尚有16未洽，上訴論旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為有理由17，爰由本院廢棄改判如主文第2、3項所示。又上訴人先位聲18明之請求既為有理由，其追加之備位聲明，本院即毋庸再為19審究。
20五、本件事證已臻明確，兩造其餘之攻擊或防禦方法及所用之證21據，經本院斟酌後，認為均不足以影響本判決之結果，爰不22逐一論列，附此敘明。
23據上論結，本件上訴為有理由，依智慧財產案件審理法第1條，24民事訴訟法第450條、第78條，判決如主文。
25中華民國110年4月8日26智慧財產法院第一庭27審判長法官李維心251法官林洲富2法官蔡如琪3以上正本係照原本作成。
4如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其5未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀6(均須按他造當事人之人數附繕本)，上訴時應提出委任律師或具7有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資8格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466條之1第1項9但書或第2項(詳附註)所定關係之釋明文書影本。如委任律師提10起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
11中華民國110年4月19日12書記官邱于婷13附註：
14民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項)15對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴16人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。
17上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為18法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法19院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。
00000000