裁判字號：智慧財產法院99年行專訴字第11號判決
裁判日期：民國99年07月15日
裁判案由：發明專利舉發
智慧財產法院行政判決
99年度行專訴字第11號
99年6月17日辯論終結原告新揚科技股份有限公司代表人甲○○訴訟代理人 李世章 律師
徐念懷 律師被告經濟部智慧財產局代表人乙○○（局長）訴訟代理人丁○○
參加人台灣杜邦股份有限公司代表人丙○○訴訟代理人 郭雨嵐 律師
呂紹凡 律師 黃惠敏 律師上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國98年11月24日經訴字第09806122090號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要：訴外人太巨科技股份有限公司於民國87年12月9日以「聚醯亞胺樹脂及其積層板」向被告（原名經濟部中央標準局，嗣於88年1月26日改制為智慧財產局）申請發明專利，嗣於89年9月19日變更申請人為訴外人杜邦太巨科技股份有限公司（下稱杜邦太巨公司），並於91年11月6日變更專利之名稱為「聚醯亞胺積層板」，經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I220901號專利證書（下稱系爭專利）。又訴外人杜邦太巨公司於95年3月8日將系爭專利之專利權讓與參加人台灣杜邦股份有限公司。嗣原告以系爭專利有違專利法第22條第4項、第26條第2項、第3項及第67條第1項第3款規定，對之提起舉發，案經被告審查，於96年6月5日以（96）智專三㈤0105
8字第09620311690號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。原告不服，提起訴願，經訴願機關以被告對原告主張「引證一至四足以證明系爭專利申請專利範圍第4項不具進步性」及「引證一至五足以證明系爭專利申請專利範圍第5項不具進步性」部分有漏未審酌及理由不備之瑕疵，以96年12月4日經訴字第09606078090號訴願決定書將原處分撤銷，責由被告另為適法之處分。案經被告重為審查，於98年5月8日以（98）智專三㈤01058字第09820269750號專利舉發審定書為「舉發不成立」處分。原告不服，提起訴願，經被告訴願決定駁回，原告猶未甘服，遂向本院提起行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1項規定，依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、本件原告主張：㈠系爭專利申請專利範圍共有5項，其中第1項為獨立項，係
「一種聚醯亞胺積層板，包含有聚醯亞胺層及銅箔，應用於軟性印刷電路板，其製作方法係以聚醯胺酸溶液塗佈於銅箔表面，經過至少250℃之加熱使該聚醯胺酸進行亞醯胺化成聚醯亞胺層，該聚醯亞胺積層板之剝離強度依據JIS6471-8.
1方法所做之檢驗值至少為0.8kgf/cm，其尺寸安定性依據IPC-TM-650,method2.2.4方法所做之檢測值少於0.1%，其中該聚醯胺酸溶液係將苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺溶解於包含有1至30重量%之丙酮之極性非質子溶劑，加入至少一芳香族四羧酸二酐以反應成聚醯胺酸溶液，其中該聚醯胺酸溶液之固含量為至少10%及黏度為至少10000cps。該聚醯胺酸溶液添加無機填充材料；其中該塗佈方法係以聚醯胺酸溶液定量供給方式塗佈於連續移動之金屬箔表面。」，而系爭案之產品製造流程略為芳香族二胺「苯二胺與二胺基二苯醚＋芳香族四羧酸二酐（反應單體）、聚醯胺酸溶液、聚醯亞胺（固體）。」。
㈡原告提出之引證1為公元1994年3月1日公告之第0000000
號「Processforproducingmoldedarticlesofpolyim
ideprecursor」美國專利、引證2為公元1990年6月26日公告之第0000000號「Flexiblebasematerialsforprint
edcircuits」美國專利、引證4為公元1988年7月5日公告之第0000000號「Polyimidefilmhavingimprovedadhesiveproperties」美國專利。而系爭發明專利之申請日為87年12月9日，是上開引證案皆具有其證據能力。惟系爭專利性質上係屬物品專利，並非方法專利，關於進步性之比對，應以系爭發明專利所描述之產品元件（即聚醯亞胺層及銅箔）來判斷，不應將其製造方法列入進步性之比對。又系爭專利所描述之製造方法與引證案所述者不盡相同，惟援引證案之內容，足以揭露系爭發明專利所描述「聚醯亞胺積層板」之產品元件，系爭發明專利即無進步性可言，是系爭發明專利內關於聚醯亞胺層及銅箔之製造方法之技術特徵，並非本件判斷進步性與否之對象。
㈢被告認為引證4之表面凹凸不平，係因忽略系爭專利申請專
利範圍第1項並未定義其所需聚醯亞胺之表面平滑度、所需無機填充材料的粒徑範圍及所需聚醯亞胺之處理方法，且引證4之應用技術領域亦為軟性印刷電路板，復以引證4揭露添加無機粉末以及電暈放電之目的與系爭發明專利相同情況下，卻主動為系爭發明專利增加技術限制條件來認定引證4與系爭發明專利之技術差異甚大，並且與系爭發明專利所欲解決之問題、解決之手段及功效均迥異。惟引證4已經完全揭露系爭發明專利技術特徵之內容，是被告之認定，顯有違誤。
㈣被告認為引證1沒有添加無機填充材料，惟原告所主張者為
系爭專利申請專利範圍第1項違反進步性之規定，故單一之引證1沒有揭露添加無機填充材料之部分，尚須透過其他引證案補充。另就引證4需使用電暈放電處理部分，被告認為引證4添加無機粉末係為電暈放電處理，與系爭專利為不同之技術，然就系爭專利申請專利範圍第1項同樣未揭示「形成聚醯亞胺薄膜之後是否使用電暈放電處理」之技術特徵，表示其不為實施之必要技術特徵。系爭專利申請專利範圍第
1項僅規範聚醯亞胺薄膜之特性與其製造方法，在解讀系爭專利申請專利範圍時，不得在申請專利文字以外添加其他之技術限制。又引證4沒有添加無機粉末之比較例1與有添加無機粉末（磷酸氫鈣）之比較例2之結合強度實驗結果顯示，在沒有使用電暈放電處理之情況下，添加無機粉末（磷酸氫鈣）確能增加聚醯亞胺積層板之結合強度，故引證4已明確揭露被告限縮解釋後之請求項1之[A-2]添加無機粉末及[D-1]剝離強度之部分。且引證4電暈放電處理之目的亦為增加聚醯亞胺之接著力，此點與系爭專利專利說明書所載之無機填充材料之主要功用，係提升該聚醯亞胺樹脂對銅箔之接著效果乃為一致，並無衝突。再者，不論聚醯亞胺層是與何者間之接著性，均是增加聚醯亞胺層本身之接著性，此即足以構成動機，讓系爭案所屬技術領域中具有通常知識者來參考並試用引證4之技術內容。是以，系爭專利申請專利範圍第1項與引證1、引證2、引證4、原證1、原證2之組合相較下，其已為所屬技術領域中具有通常知識者，依系爭案申請前之先前技術所能輕易完成，不具進步性等情。並聲明求為判決：㈠訴願決定及原處分均撤銷。㈡被告對於原告之第000000000NO1號「聚醯亞胺積層板」發明專利舉發事件，應作成舉發成立處分或其他適法處分。
三、被告則以：㈠引證1（US5,290,497）係揭露一種藉由射出成型技術製備
聚醯亞胺前驅體之模具物品之方法，其特徵係將稀釋的聚醯亞胺前驅體溶液（即聚醯胺酸溶液）乾燥，並於80-130℃下射出乾燥固體以製成模具物品，該聚醯亞胺前驅體包含將芳香族四羧酸二酐或其衍生物及芳香族二胺，以一定當量比例反應而製成。惟系爭專利為製造聚醯亞胺積層板，而引證1則係製造聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，此外，引證1並未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中。
㈡引證2（US4,973,133）係揭露一種用於印刷電路板之彈性
基材，包含至少一0-20×l0-6（1/K）之低熱膨脹係數聚醯亞胺層及另一20×l0-6(l/K)或更高之高熱膨脹係數聚醯亞胺層，其中前述兩層聚醯亞胺層之熱膨脹係數差至少20xl0-
6（1/K），以及至少一導電層，該聚醯亞胺層係由芳香族四羧酸二酐及二胺類於適當溶劑中反應製成聚醯胺酸溶液，並將其塗佈於銅箔上，加熱至360℃形成聚醯亞胺覆銅積層板。系爭專利亦為聚醯亞胺覆銅積層板，惟系爭專利於聚醯胺酸溶液中另有添加無機填充材料來調整溶液性質以利生產製程，且可增進聚醯亞胺樹脂之物性，然引證2則未揭露相關技術。又引證2之積層板係包含至少兩層熱膨脹係數差異至少20×l0-6（1/K）以上之聚醯亞胺層，而系爭專利僅需一層聚醯亞胺層即可製成積層板。原告敘述引證2第10欄第38-44行及第11-12欄表2中之比較例1-5，其結構皆為在銅箔上只有一層聚醯亞胺層，惟表2之比較例是為了表示實施例有二層聚醯亞胺層之覆銅積層板，能得到較佳性質，且比較例1-5之聚醯亞胺層亦未揭露添加無機填充材料。原告敘述表2之線膨脹係數最大值55×10-61/K，遠小於系爭專利之0.1%，惟引證2係利用氯化鐵水溶液將銅箔蝕刻去除後所得薄膜（即聚醯亞胺膜）之線膨脹係數為55×10-61/K兩者意義不同，數值比較不具意義。
㈢引證4為美國專利第0000000號，揭示「聚醯亞胺層+黏著
劑層+銅箔」之有膠式積層板，與系爭專利「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板之技術明顯不同。且系爭專利添加無機填充物（例如雲母）之目的係為提升聚醯亞胺樹脂與銅箔之接著力，但其機制是透過在高溫情況下聚醯亞胺樹脂內的無機粉末（例如雲母）阻絕了氧氣的滲透，減少聚醯亞胺樹脂層與銅箔界面間發生氧化而達成，而引證4則係利用電暈放電處理之方法，兩者技術顯然不同。又引證4測試聚醯亞胺膜之接著強度性時，係先製作單獨之聚醯亞胺膜，再透過黏著劑將聚醯亞胺膜黏著至銅箔上（以壓合方式結合），並經過160℃、12小時熟成復再測試剝離強度。由於聚醯亞胺層並非直接黏著於銅箔上，其測得之接著強度，理論上應指「聚醯亞胺層＋黏著劑層」與「銅箔」、「聚醯亞胺層」與「黏著劑層+銅箔」之間之接著力，或剛好斷裂在黏著劑層所得之接著力。而系爭專利申請專利範圍第1項所述之JIS6471-8.1之剝離強度測試方法，係直接將「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板進行測試，因此測得之剝離強度為聚醯亞胺層與銅箔之間的接著力，兩者顯屬完全不同之接著力測試方法。再者，引證4係先製作單獨之聚醯亞胺膜，且透過添加無機粉末使聚醯亞胺膜表面形成凸出物，再藉由電暈放電處理提升聚醯亞胺膜之接著性，增加聚醯亞胺膜與黏著劑層之間之接著力，反觀系爭專利，僅需添加無機填充材料，並不需要進行電暈放電即可達到增進聚醯亞胺層對銅箔之接著效果，兩者不僅方法不同，改善接著力之對象亦不同。
㈣引證1為藉由射出成型技術製備聚醯亞胺前驅體之模具物品
之方法，並無任何有關聚醯亞胺積層板之技術內容，熟悉該項技術者無法推及聚醯亞胺積層板；引證2揭示用於印刷電路板之彈性基材，然該基材包含至少一0-20×l0-6（1/K）之低熱膨脹係數聚醯亞胺層及另一20×l0-6(l/K)或更高之高熱膨脹係數聚醯亞胺層，其中前述兩層聚醯亞胺層之熱膨脹係數差至少20xl0-6（1/K），以及至少一導電層，雖比較例聚醯亞胺層只有一層，但未揭露系爭專利添加無機填充材料之技術內容，熟悉該項技術者應不會推及只有一層聚醯亞胺層且添加無機填充材料的系爭專利；引證4揭示「聚醯亞胺層+黏著劑層+銅箔」之有膠式積層板，熟悉該項技術者應不會推及系爭專利「聚醯亞胺層+銅箔」之無膠式積層板，且引證4透過添加無機粉末，再藉由電暈放電處理提升聚醯亞胺膜之接著性，增加聚醯亞胺膜與黏著劑層之間之接著力，熟悉該項技術者應不會推及僅需添加無機填充材料，並不需要進行電暈放電即可達到增進聚醯亞胺層對銅箔之接著效果之系爭專利。是以，熟悉該項技術者無法結合引證1、引證2與引證4輕易完成系爭專利，故尚難證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。至系爭專利申請專利範圍第2項至第5項為第1項之直接或間接附屬項，包含所依附之請求項之全部技術特徵，其所依附之第1項具有進步性，故第2項至第5項亦具有進步性等語，茲為抗辯。並聲明駁回原告之訴。
四、參加人主張：系爭專利申請專利範圍第1項包含「尺寸安定性」之技術特徵，則原告於舉發時須證明此一技術特徵已明確揭示於引證案中，惟原告所舉引證案均無揭露「尺寸安定性」之技術特徵，其組合自無從證明系爭專利不具進步性。又原告係恣意拆解申請專利範圍第1項之技術特徵，顯非以發明之整體為對象，且隨意予以組合，亦非以具有通常知識者之水平加以比對，足見原告並非以發明整體作為進步性比對之對象，而係以拼湊之方式將引證1、引證2及引證4予以組合，惟系爭發明專利所屬技術領域中具有通常知識者，顯無法拼湊引證1、引證2及引證4之教示而輕易完成系爭發明，故系爭專利具有進步性。是原告提起本件行政訴訟於事實上及法律上均顯無理由等語。並聲明駁回原告之訴。
五、參酌上述當事人之陳述內容，可知本件主要之爭點乃為：引證1、引證2及引證4之結合是否可以證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項，而不具進步性？茲分述如下：
㈠經查，參加人台灣杜邦股份有限公司系爭專利乃關於一種具
有良好高溫安定性及對銅箔表面具有良好接著性之聚醯亞胺樹脂，其主要係用於製作聚醯亞胺積層板，可供應軟性印刷電路板工業之用，另外亦可提供一含丙酮之極性非質子溶劑，能有效溶解芳香族四羧酸二酐及芳香族二胺，有利於所合成聚醯胺酸溶液進行亞醯胺化時溶劑之移除，同時不致傷害聚醯亞胺薄膜，此外，系爭專利創作另提供一適當之無機填充材料，於添加少量之該無機填充材料後即可有效提升該聚醯亞胺樹脂對銅箔之接著效果。而系爭專利申請專利範圍共計有5項，其中第1項為獨立項，其餘各項則為附屬項。而第1項所揭露之技術特徵，主要乃：「1、一種聚醯亞胺積層板，包含有聚醯亞胺層及銅箔，應用於軟性印刷電路板，其製作方法係以聚醯胺酸溶液塗佈於銅箔表面，經過至少250℃之加熱使該聚醯胺酸進行亞醯胺化成聚醯亞胺層，該聚醯亞胺積層板之剝離強度依據JIS6471-8.1方法所做之檢驗值至少為0.8kgf/cm，其尺寸安定性依據IPC-TM-650，method2.
2.4方法所做之檢測?少於0.1%，其中該聚醯胺酸溶液係將苯二胺與二胺基二苯醚之芳香族二胺溶解於包含有1至30重量%之丙酮之極性非質子溶劑，加入至少一芳香族四羧酸二酐以反應成聚醯胺酸溶液，其中該聚醯胺酸溶液之固含量為至少10%及黏度為至少10000cps。該聚醯胺酸溶液添加無機填充材料；其中該塗佈方法係以聚醯胺酸溶液定量供給方式塗佈於連續移動之金屬箔表面。」，由上開所揭露之技術特徵，可知系爭專利申請專利範圍第1項所指之聚醯亞胺積層板主要係以「製法界定物(productbyprocess)」之方式界定其特徵，另並界定剝離強度、尺寸安定性等性質。另系爭專利申請專利範圍第2項則就上開技術特徵加以限縮，其揭露之技術特徵為：「2、如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺積層板，其中該聚醯亞胺層之厚度為1/5mil至2mil。」，而第3項亦就第1項所揭露之技術特徵加以限縮，其所揭露之特徵為：「3、如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺積層板，其中該芳香族二胺之對苯二胺之莫耳百分比為50至95。」，另第4項進一步再限縮為：「4、如申請專利範圍第1項所述之聚醯亞胺積層板，其中該聚醯胺酸溶液添加之無機填充材料係選自雲母粉、碳酸鈣粉、磷酸鈣粉、矽酸鈣粉及二氧化矽粉。」，第5項則就第4項所揭露之技術特徵再加以限縮為：「5、如申請專利範圍第4項所述之聚醯亞胺積層板，其中該聚醯胺酸溶液添加之無機填充材料至少1重量%。」。㈡按對於物之發明，若以其製造方法之外之技術特徵無法充分
界定申請專利範圍時，始得以製造方法界定物之發明，而以製造方法界定物之申請專利範圍時，則應記載該製造方法之製備步驟及參數條件等重要技術特徵，例如起始物、用量、反應條件（如溫度、壓力、時間等）。以製造方法界定物之申請專利範圍，其申請專利之發明應為申請專利範圍中所載之製造方法所賦予特性之物本身，亦即以製造方法界定物之申請專利範圍時，其是否具備專利要件並非由製造方法決定，若請求項所載之物與先前技術中所揭露之物相同或屬能輕易完成者，即使先前技術所揭露之物係以不同方法所製得，該請求項仍不得予以專利。是以，以製造方法界定物之申請專利範圍，其是否具備專利要件固非由製造方法決定，而係在該物本身，惟就系爭專利而言，其說明書及實施例業已證明選擇不同之製造條件，例如不同組成之芳香族四羧酸二酐或芳香族二胺之組合反應，所製備之聚醯亞胺樹脂即會有不同特性，例如，高溫安定性，熱膨脹係數，玻璃轉移溫度，對金屬之接著性，尺寸安定性等，其不同特性之結果將影響其所製成之聚醯亞胺樹脂之應用範圍，亦即影響其所製成之聚醯亞胺積層板使用情形（參酌系爭專利說明書第10頁）。
是以，系爭專利既無法以明確之結構界定該聚醯亞胺積層板，則以製造方法界定物之申請專利範圍，其申請專利之發明為申請專利範圍中「所載之製造方法所賦予特性」之物本身，除非能清楚界定系爭專利申請專利範圍第1項中所載之製造方法所賦予該聚醯亞胺積層板之所有特性，且引證案所揭露之物能證明與系爭專利所揭露由所載之製造方法所賦予特性之聚醯亞胺積層板相同或屬能輕易完成者，否則尚難排除考量該製法條件步驟之界定。準此，原告指稱系爭發明專利性質上屬物品專利，非方法專利，關於進步性之比對，即應以系爭發明專利所描述之產品元件（即聚醯亞胺層及銅箔）來判斷，無庸將其製造方法列入進步性之比對云云，顯非可採，合先敘明。
㈢而本件原告主張系爭專利違反專利法第22條第4項、第26條
第2項、第3項及第67條第1項第3款規定，對之提起舉發，主要係援引引證1，即1994年3月1日公告之美國專利US0000000號；引證2，即1990年6月26日公告之美國專利US0000000號及引證4，即1988年7月5日公告之美國專利US0000000號，並主張上開引證之結合可以證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項，而不具進步性。
以下即分別就引證案之技術特徵及其等與系爭專利所揭露之技術特徵分別比較說明：
⒈查引證1主要係揭示一種藉由射出成型技術製備聚醯亞胺前
驅體（polyimideprecursor）之模具物品（moldedarti
cle）方法，其特徵係將稀釋之聚醯亞胺前驅體溶液（即聚醯胺酸溶液）乾燥，並於80-130℃下射出乾燥固體以製成模具物品，該聚醯亞胺前驅體包含將芳香族四羧酸二酐（aromatictetracarboxylicdianydride）或其衍生物及芳香族二胺(aromaticdiamine)以等莫耳比例反應而製成。另引證
1於第2欄第57至64行雖有揭露芳香族二胺例包括對苯二胺（para-phenylenediamine）及二胺基二苯醚（4，4'-diaminophenylether)，惟其並未揭示將二者同時使用於反應製程之技術，此與系爭專利合成製備聚醯胺酸溶液係選用苯二胺與二胺基二苯醚所組合之芳香族二胺參與反應顯然不同；再者，引證1亦未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液中此一技術特徵，且引證1乃製造以聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利所揭示製造者為聚醯亞胺積層板，兩者產品完全不同，顯非相同領域之物。
⒉而引證2則揭露一種用於印刷電路板之彈性基材，包含至少
一0-20×l0-6（1/K）之低熱膨脹係數聚醯亞胺層及另一20×l0-6（l/K）或更高之高熱膨脹係數聚醯亞胺層，其中前述兩層聚醯亞胺層之熱膨脹係數差至少5xl0-6(1/K)，以及至少一導電層，該聚醯亞胺層係由芳香族四羧酸二酐及二胺類於適當溶劑中反應製成聚醯胺酸溶液（說明書第9欄合成例8及表一及表二之比較例2及比較例4揭示使用芳香族二胺為苯二胺（PPD）及二胺基二苯醚（DDE）之組合，而所用之酸酐為BPDA（芳香族四羧酸二酐之一種）），並將該溶液塗佈於銅箔上，加熱至360℃形成聚醯亞胺覆銅積層板。引證2與系爭專利申請專利範圍第1項相較，兩者雖同為聚醯亞胺覆銅積層板，惟系爭專利於聚醯胺酸溶液中另有添加無機填充材料以調整溶液性質使利於生產製程，同時增進聚醯亞胺樹脂之物性，如系爭專利即係加入二氧化矽粉或雲母粉至聚醯胺酸溶液，以增進聚醯亞胺對銅箔之接著效果，而且系爭專利之聚醯胺酸溶液其固含量並控制在至少10％，反觀引證2則完全未揭露相關技術。另系爭專利申請專利範圍第1項所揭示之醯亞胺積層板其尺寸安定性依據IPC-TM-650，method2.2.4方法所做之檢測值少於0.1%之特性，於引證2則完全未揭示，原告雖表示引證2之產品具有線膨脹係數最大值為55×10-61/K，小於系爭專利之0.1%，惟引證2第8欄第38-41行卻記載：「利用氯化鐵水溶液將銅箔蝕刻去除後所得薄膜（即聚醯亞胺膜）之線膨脹係數為55×10-61/K」，足見引證2第10欄第38-44行以及第11-12欄表2等之線膨脹係數應係指聚醯亞胺層之熱膨脹係數，而非聚醯亞胺積層板（聚醯亞胺層加銅箔之積層板）之尺寸安定性，兩者意義並不相同，原告亦自承尺寸安定性與熱膨脹係數兩者分屬不同之性質。綜上分析，引證2於製造方法條件上與系爭專利明顯不同，且亦無法證明其產品與系爭專利申請專利範圍第1項所指之聚醯亞胺積層板性質相同。
⒊至引證4部分，依其說明書第1欄第22-24行記載：「聚醯
亞胺膜係作為彈性印刷電路板之基材，其係透過一黏著劑結合至銅箔上」，及第4欄第17-19行記載：「聚醯亞胺膜以環氧樹脂/尼龍之黏著劑結合至銅箔上」等文字，可知引證
4係揭示「聚醯亞胺層+黏著劑層+銅箔」之有膠式積層板，此與系爭專利「聚醯亞胺積層板」係以聚醯胺酸溶液直接塗佈於銅箔表面，進行亞醯胺化成聚醯亞胺層之「聚醯亞胺層+銅箔」無膠式積層板之結構特徵明顯不同。再者，系爭專利合成製備聚醯胺酸溶液係選用苯二胺與二胺基二苯醚所組合之芳香族二胺參與反應，惟引證4並未揭露此組合。雖引證4於聚醯亞胺層形成過程中亦加入無機粉末粒子以增加其黏著力，惟引證4說明書第2欄第17-22行明載該技術製成之聚醯亞胺薄膜係由粗材料（rawmaterial）與無機粉末製成表面具有微小凸出物之薄膜，且該薄膜需經過尖端放電處理；加以引證4第3欄第12-15行復記載，為了增加其接著性目的，該無機粉末必須於表面上形成凸出物，並藉由電暈放電處理，佐以引證4第3欄第41至57行又指出其增加黏著力原理係利用電暈放電處理移除聚醯亞胺薄膜最外層具有抑制黏著性之「弱邊界層(weakboundarylayer)」而達成等特徵，顯然與系爭專利係利用添加無機填充物（例如雲母）以提升聚醯亞胺樹脂與銅箔之接著力，其作法係在聚醯胺酸溶液塗佈於銅箔後，經250℃以上加熱亞醯胺化成聚醯亞胺樹脂層，在高溫情況下因聚醯亞胺樹脂內之無機粉末（例如雲母）阻絕了氧氣滲透之原因，達到減少聚醯亞胺樹脂層與銅箔界面間發生氧化之問題，兩者原理及手段明顯不同。另由引證4第4欄第15-21行記載，當其測試聚醯亞胺膜之接著強度時，係先製作單獨之聚醯亞胺膜，再透過黏著劑以壓合方式將聚醯亞胺膜黏著至銅箔上，再經過160℃、12小時熟成後再測試其剝離強度，因聚醯亞胺層及銅箔中間係另以黏著劑黏接，是以其測試接著強度（引證4表1「Bondstrength」欄）之方法，與系爭專利申請專利範圍第1項所述之JIS6471-8.1係將聚醯亞胺層直接形成於銅箔上之無膠式積層板進行測試，因此測得之剝離強度為聚醯亞胺層與銅箔之間之接著力，兩者數據意義完全不同。此外，系爭專利之聚醯胺酸溶液其固含量係控制在至少10％，而引證4則未揭露其積層板產品之尺寸安定性數據，亦未揭露有關控制固含量之相關技術，足見引證4於製造方法及結構皆與系爭專利明顯不同。引證4雖亦有添加無機粉末之程序，惟其原理及技術手段與系爭專利迥然不同，且無法證明其產品具有系爭專利申請專利範圍第1項所指聚醯亞胺積層板相同之性質。
㈣綜合前述分析結果，引證1、2、4與系爭專利所欲解決之
問題、所使用之手段及其所達成之功效均不相同，且其中引證1係製造聚醯亞胺前驅體為材質之模具物品，與系爭專利係製造聚醯亞胺積層板，兩者產品及應用領域均明顯有異，況引證1並未揭露添加無機填充材料於聚醯亞胺前驅體溶液之手段，兩者所揭露之製造方法、條件均明顯不同，而引證
2與系爭專利所揭露之技術特徵相較亦有同上之差異，爰不再贅。至引證4雖有添加無機粉末，惟其原理及技術手段與系爭專利完全不同，且製造方法及結構皆與系爭專利皆有明顯差異，是系爭專利申請專利範圍第1項尚難謂為其所屬技術領域中具有通常知識者，藉由結合引證1、2、4即能輕易完成，換言之，引證1、2、4之結合尚難證明系爭專利申請專利範圍第1項違反專利法第22條第4項而不具進步性。另系爭專利申請專利範圍第2至5項為第1項之直接或間接附屬項，解釋上包含所依附之請求項之全部技術特徵，而其所依附之第1項具有進步性，已如前述，是第2至5項亦具有進步性，自不待言。
六、綜上所述，被告所為舉發不成立之處分，洵無違誤，訴願機關遞予維持，亦無不當；原告徒執前詞，聲請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，兩造其餘主張或答辯，已與本院判決結果無影響，爰毋庸一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
文。
中華民國99年7月15日
智慧財產法院第一庭
審判長法官李得灶
法官林欣蓉法官汪漢卿以上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國99年7月15日
書記官邱于婷