裁判字號：臺北高等行政法院92年訴字第4788號判決
裁判日期：民國93年11月19日
裁判案由：新型專利異議
臺北高等行政法院判決九十二年度訴字第四七八八號
原告甲○○訴訟代理人乙○○
鍾亦琳律師被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）住同右訴訟代理人丁○○
參加人日月光半導體股份有限公司代表人 張虔生 訴訟代理人 陳森豐 律師（兼送達代收人）複代理人丙○○右當事人間因新型專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十二年八月二十七日經訴字第○九二○六二一八一七○號訴願決定，提起行政訴訟。本院判決如左：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實
壹、事實概要：緣參加人日月光半導體製造股份有限公司前於民國（下同）八十九年六月二十一日以「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」向被告經濟部智慧財產局申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭案，如附圖一）。公告期間，原告甲○○以其有違核准審定時專利法第九十七條、第九十八條第一項第一款、第二款及第二項之規定，不符新型專利要件，對之提起異議，案經被告審查，於九十一年十月二十四日以（九一）智專三（二）○四○六○字第○九一八九○○二三八○號專利異議審定書為異議不成立之處分。原告不服，向經濟部提起訴願後，案經被告依訴願法第五十八條第二項規定，於九十二年二月十八日以（九二）智專三（二）○四○六○字第○九二二○一五五一七○號函自行撤銷原處分並陳報經濟部，經濟部乃依訴願法第七十七條第六款之規定，於九十二年三月四日以經訴字第○九二○六二五一四五○號訴願決定書決定「訴願不受理」。案經被告重為審查於九十二年二月十八日以（九二）智專三（二）○四○六○字第○九二二○一五五一三○號專利異議審定書為異議不成立之處分。原告不服，提起訴願，旋遭駁回，遂向本院提起行政訴訟。
貳、兩造聲明：
一、原告聲明求為判決：
㈠、訴願決定及原處分均撤銷，並命被告作成異議成立之處分。
㈡、訴訟費用由被告負擔。
二、被告聲明求為判決：
㈠、駁回原告之訴。
㈡、訴訟費用由原告負擔。
參、兩造之爭點：
一、原告主張之理由：
㈠、本件系爭案乃係以熟習該項技術者所能輕易完成之習知技術之應用作為創作內容而獲准專利，阻礙一般大眾對於習知技術之自由運用機會，顯然不利於技術上之發展，此絕非專利法本意。依據專利法規定，專利權範圍係以申請專利範圍所記載者為準。換言之，對於專利要件之比對，應以專利說明書之申請專利範圍所界定者為準，其說明及圖式所揭露者，乃為其申請專利範圍所界定之範圍內之技術內容及實施方式等，故專利申請案之申請專利範圍係將該項創新技術之內容明確加以界定，合先敘明。另按專利法實施細則第十六條第二項之規定，及專利審查基準第2-3-7頁中亦指出：「申請專利範圍中之請求項，其種類可劃分為獨立項及附屬項．．．申請人應從新型說明中所揭示之新型，依自己之判斷，於申請專利範圍之獨立項中，記載其所欲申請專利之新型，以便明確的表示其所欲申請專利之新型」。
㈡、查原告所舉異議證據包括：異議附件二為西元一九九四年五月十三日公開之日本特開平六─一三二四四三號專利案（下稱引證一，如附圖二）；異議附件三為八十七年七月三十日申請，八十九年七月十一日公告之第00000000號「晶片塵具彎折部之半導體裝置」發明專利案（下稱引證二，如附圖三）。系爭案之主要技術內容，如其申請專利範圍獨立項（修正後之申請專利範圍第1項）所敘述者：「一種導線架結構，用於半導體晶片封裝構造，其包含：複數條導線，該複數條導線之內端界定一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」。其中，所指稱之「該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端」特徵係具體揭示於異議證據中，同時，亦為系爭案所述之習知技術中所充分揭露，而為任一熟悉該項技藝者所熟知應用於導線架之習知技術。即如引證一之第1圖、第6圖及第7圖中所有導線架之剖面示意圖中，以及引證二第7C圖及第8C圖之導線架之剖面示意圖中；再者，於系爭案專利說明書第4頁第3行至第16行之「先前技術」中即提及：「第一圖為一習知半導體晶片封裝構造，．．．又，如圖所示，該晶片承座111具有低置（downset）結構，使該晶片承座111略低於該導線架之內腳部」。因此，「晶片承座係低置於該複數條導線之內端」，不僅已具體揭示於異議證據，同時，亦為系爭案本身所述之習知技術中所充分揭露，而為任一熟悉該項技藝者所熟知應用於導線架之習知技術。此一部分已為被告所認同，即為先前原告提出第一次訴願時，經被告再予審酌後發現原處分之不當之處。故而，系爭案所指稱之技術特徵僅在於：「該晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」。
㈢、按「專利審查基準」第2-2-5頁中所述，「謂『新穎性之判斷』，指判斷申請專利範圍之請求項所載新型之新穎性而言」，而不是與一專利申請案之說明書中某一特定實施例之詳細技術說明或圖式加以比對。該「專利審查基準」並於同頁之「新穎性判斷之基本原則」之第1點中強調「作為新穎性判斷對象之新型，為申請專利範圍之『請求項所載新型』」，及其第3點中指出「判斷新型有無新穎性時，應以新型之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準」。此乃由於一項發明或新型專利權之保護範圍，主要係由其申請專利範圍來加以界定，而其說明書之詳細技術說明或圖式，僅係作為輔助說明之用途，此係專利法第一百零三條第二項所明定。因此，在考慮是否核准專利時，只要發現實質上可認定為與申請專利範圍相同之既有技術於其專利申請日之前已存在，該項申請專利範圍便應不具新穎性；否則，將導致該項申請專利範圍之保護範圍，廣泛涵蓋於專利申請日之前即已存在之公有技術領域，此舉顯然侵犯社會公眾之權益，與專利法之立法本旨不符。
１、經查引證一之主要技術內容，係如其申請專利範圍之獨立項（第1、2項）所敘述者：「一種半導體裝置，係包括有封裝件；設於該封裝件內之支承片；固定在該支承片之半導體元件；以及遍佈延伸至前述封裝件內外之複數個導線，其特徵為：在前述支承片設有突部，該突部之一部分到達封裝件之表面」、以及「一種導線架，為於支承片之主面上固定半導體元件之樹脂封裝型半導體裝置用導線架，其特徵為：在未固定有前述半導體元件之支承片之面上設有突部，該突部之一部分到達封裝件表面」。亦即，引證一之技術特徵在於：「在未固定有半導體元件之支承片之面上設有突部，該突部之一部分到達封裝件表面」。
２、因此，比對系爭案於其申請專利範圍之請求項所載新型之技術特徵為「該晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」，以及引證一之技術特徵「在未固定有半導體元件之支承片之面上設有突部，該突部之一部分到達封裝件表面」，對於任一熟習此項技藝者均知引證一之申請專利範圍之請求項不僅具體揭示出系爭案之特徵所在，同時，引證一之專利範圍亦已明確涵蓋系爭案之請求項，而令系爭案不具新穎性之事實，確鑿無疑。故而，系爭案不符合專利法第九十八條第一項第二款之規定，而不應准予新型專利。
㈣、根據「專利審查基準」第1-9-28頁關於專利說明書修正、更正之限制⑵申請專利範圍過廣所述：「申請專利範圍過廣情事，通常係因原核准公告專利範圍之新穎性、進步性受到質疑，被異議人、被舉發人乃藉修正、更正縮減該範圍，以期係爭案經縮減後可有效存在」，以及次頁之「注意事項」亦載明「若原審定公告之申請專利範圍過廣，經修正、更正，其範圍已符合上述縮減範圍之規定後，即需進一步審慎論究新穎性、進步性等專利要件」。
１、然查，系爭案於原告提出異議後，旋將原申請專利範圍之第1至13項刪除，其中，第1、6、11項係為獨立項，且於該第6及第11項中係明確指出系爭案之技術特徵在於「一種導線架結構．．．其特徵在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，並且具有至少一個向下之突起」，以及「一種導線架結構．．．其特徵在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，且該複數個支撐肋條於與晶片承座四角落連接處具有複數個向下之突起」（參系爭案原申請專利範圍第6、11項），而保留原申請專利範圍第14至第17項，其中，第14項係為獨立項，且明確指出系爭案之技術特徵在於「一種導線架結構．．．其特徵在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」。
２、亦即，比對系爭案修正前後之請求項之技術特徵之差異，係將「晶片承座具有至少一個向下之突起」、「複數個支撐肋條於與晶片承座四角落連接處具有複數個向下之突起」加以刪除，而僅保留「晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」。惟，如「專利審查基準」第1-9-29頁關於專利說明書修正、更正之「注意事項」所載明「若原審定公告之申請專利範圍過廣，經修正、更正，其範圍已符合上述縮減範圍之規定後，即需進一步審慎論究新穎性、進步性等專利要件」，然對於任一熟習該項技藝之人士均知，系爭案於修正後所予以保留之特徵中「晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」，乃為其修正時所刪除之特徵中「晶片承座具有至少一個向下之突起」之其中一實施態樣，乃為熟習該項技藝者所能輕易推及，因此，即便系爭案僅刪除大範圍保護之請求項之「晶片承座具有至少一個向下之突起」，而予以保留小範圍保護之請求項之「晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」，但仍未脫離習知技藝與異議證據中所揭露之技術內容，然而被告並未依照所頒行之審查基準，除確認該項修正未變更實質外，更需進一步審慎論究新穎性、進步性等專利要件，並未在慎究該項經修正之申請專利範圍的新穎性及進步性情況下，即為異議不成立之審定，顯有違誤。
㈤、本件系爭案係於八十九年六月二十一日申請專利，被告係於九十年七月二十四日審定准予專利，因此，應依據核准審定時所適用之八十三年一月二十一日修正公布之專利法第九十八條第一項第二款之規定：凡可供產業上利用之新型，無「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者」之情事者，始得依專利法申請取得新型專利。復依專利審查基準第2-2-11頁第⑵點中所述：「所謂『申請在先並經核准專利』，係指先申請案之發明雖經核准專利，但尚未在後申請案申請當日之前公告於專利公報，或先申請案之發明在後申請案申請當日雖尚未核准專利，但其後經核准專利者而言」，以及「由於『申請在先並經核准專利』之發明，在後申請案申請當日之前，尚未公告於專利公報，因此後申請案之新型並無申請前己見於刊物之情事，依理於申請當日應無不具有新穎性之道理，惟法律為顧及專利權之專有排他性，乃將此等先申請案所記載之發明以法律擬制（legalfiction）為既有技術，而使後申請案之新型不具新穎性」。因此，本案引證二之審定公告日（八十九年七月十一日）雖晚於系爭案之申請日（八十九年六月二十一日），惟該引證二係於八十七年七月三十日提出申請，早於系爭案之申請日，因此，先申請之引證二具有足以證明後申請之系爭案有違新穎性規定之論據顯然充足。
㈥、引證二於請求專利標的（申請專利範圍第1項）中已明確揭示「一種晶片座具彎折部之半導體裝置，係包括：晶片；一表面附著有該晶片，且另一表面上形成有至少一個彎折部之晶片座；複數個內端與該晶片表面以可導電之方式相連之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體」、以及申請專利範圍第9項中亦已揭示：「該彎折部係形成於該晶片座之外側緣上」，因此，該引證二係已充分揭露出系爭案於請求專利標的中「晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」之技術特徵所在，故而，系爭案之技術手段已為引證二所完整揭露，系爭案不具新穎性之事實，至為確鑿。
㈦、在實際操作上，不論該晶片承座之突起形成於晶片承座之中心或邊緣，其目的均可提供該晶片承座有效支撐力量與正確定位，此一特性即在系爭案專利說明書第9頁第11行至第15行中提及：「雖然本實施例中該晶片座111具有四個該突起150，但實際上僅需單一突起與該模穴底面接觸，即可定位該晶片承座111．．．再者，該導線架亦僅需共平面的三個凸起與該模穴底面接觸，即可穩固的保持該晶片承座111」，因此，系爭案中「晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片」等晶片承座之翼片設置位置、數量之變更亦或形狀之改變，均係為引證一之「「在未固定有半導體元件之支承片之面上設有突部」、及引證二之「表面上形成有至少一個彎折部之晶片座」之可實施態樣，而可為熟習該項技藝者所能輕易思及，故而，系爭案之暫准專利明顯有違「判斷新型有無新穎性時，應以新型之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準」等規定。再者，關於異議證據中該突起位置之認定於該晶片承座之中心處係為被告之主觀認定與誤解，事實上，於引證一之第2、8、9、11及12圖中，以及引證二之第9B、9C、9D、9G、9H、9I圖等，該突起之位置即可有所不同，斷非被告所認定必須為晶片承座中心處；然而被告亦漠視之，僅選擇性就該異議證據之部分圖式為與系爭案之比較依據，而未同時就原告所提上述之其他圖式作一全面考量，顯有失其處分之公平性與完整性，著實令原告難以誠服與理解。
㈧、再就系爭案與異議證據所欲達成之功效而言，引證二主要目的在有效避免模壓時上、下模流不平衡而產生晶片座、晶片或金線外露等問題，故可大幅降低晶片封裝產品不良率，並進而降低產品之生產成本，同時亦得作為殘留水氣之排出途徑，以及晶片熱量之散熱途徑，故除可降低產品不良率外，兼可提昇產品之可靠度以及信賴性。另，即使上模流之流動快於下模流而產生向下之壓力時，亦會因彎折部頂住模穴內表面，使晶片暨晶片座不會產生局部位移而造成任何晶片座之外露；同樣地，系爭案之目的及功效亦在使封裝後之半導體晶片封裝構造具有良好的效能，減低該封裝構造之不良率，與避免連接線露出該封膠體，以及防止晶片承座曝露於該封膠體。換言之，系爭案所欲解決之課題與所得產生之功效，俱皆由異議證據之揭示所能推及與導出，此足證系爭案所提出之一種用於半導體晶片封裝構造之導線架結構確為引證二所揭露之技術內容所充分揭示，當無疑義。綜上所述，系爭案所運用之技術手段，係於其提出申請前即已為異議證據所揭示，其單純為習用技術之應用；且該等技術手段之組合與應用，並無任何需克服之困難點，顯然屬業界所能輕易思及，系爭案不具專利性之事實至為明顯。
二、被告主張之理由：
㈠、系爭案「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」係一種導線架結構，用於半導體晶片封裝構造，其包含：複數條導線，該複數條導線之內端界定一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片。經查，系爭案晶片承座突起之位置主要在晶片外部之承載導線架，而引證一其突起主要配置於晶片下方之承載導線架，引證一之突起會與晶片下方之黏晶材料有所接觸，而系爭案之突起結構主要直接與封裝材料接觸，引證一並未如系爭案「在於該晶片承座係低置（downset)於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片」之結構特徵，兩案整體觀之，技術特徵並不相同。
㈡、復查引證二係一種晶片座具彎折部之半導體裝置，包括：晶片；一表面附著有該晶片，且另一表面上形成有至少一個彎折部之晶片座；複數個內端與該晶片表面以可導電之方式相連之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體，引證二亦未如系爭案「在於該晶片承座係低置（downset）於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片」之結構特徵，與系爭案技術特徵並非相同且引證二公告日晚於系爭案申請日。綜上所述，引證一、二與系爭案技術特徵及產生功效均不相同，自不足以證明系爭案不具新穎性或進步性。綜上所述，被告原處分並無違法，原告之訴應予駁回。
三、參加人主張之理由：參加人就系爭案之技術特徵暨其所具有之新穎性與進步性陳述如後：
㈠、系爭案之技術特徵，依其申請專利範圍第一項之規定，其包含二項技術特徵：１、該晶片承座係低置（downset）於該複樹條導線之內端。２、該晶片承座之邊緣上具有複數個向下延伸之翼片。
㈡、系爭案之新穎性：
１、新穎性之判斷原則：查，專利審查基準第2-2-5頁新穎性判斷之基本原則有謂：「比對方式，應採單獨比對方式，以個別獨立的引證資料與請求項所載新型進行比對，不得將兩個以上的獨立的引證資料予以組合，以與請求項所載新型比對。」；次查，前揭基準第2-2-17頁亦明文：「新穎性與進步性係不同的基本要件（Criteria）。申請專利之新型與申請當日之前既有之技術或知識若有差異時，即有新穎性。『有無進步性』之問題，僅於有新穎性之情形下，始會產生。」。申言之，於判斷新穎性時，應以個別獨立的引證資料與「請求項所載新型」作比對，如不相同即具有新穎性；至其差異大小，或是否為熟習該項技術者之一般技術知識而能輕易推知者，應為進入進步性階段後始需判斷之問題，合先敘明。
２、引證一之技術特徵：引證一其晶片承座之長條向下突起係位於該晶片承座之中心處，反觀系爭案係晶片承產之邊緣具有複數個向下延伸之翼片，是故引證一與系爭案就其形狀、構造、裝置關係及實質實施功效等整體觀之，其技術特徵並不相同。
３、引證二之技術特徵：引證二其技術特徵係包括：晶片，一表面附著有該晶片，且另一表面上形成有至少一個彎折部之晶片座；複數個內端與該晶片表面以可導電之方式相連之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該導腳之內端部分之封裝膠體。查，引證二其晶片承座並非低置於導線架內端，也未揭示導線或肋條與晶片承座相對高度或位置，故而二者之技術特徵並不相同。
綜上，引證一與引證二之技術特徵皆與系爭案不相同，二者皆不足證明系爭案有違專利法新穎性之規範，故而系爭案符合專利要件之新穎性要求，實無疑義。
㈢、系爭案之進步性：
１、查，引證二其審定公告之日為八十九年七月十一日，而系爭案係於八十九年六月二十一日提出申請；換言之，引證二之公告日晚於系爭案之申請日，於系爭案提出申請之時，引證二尚未公開核准，並非屬系爭案所得參考之先前技藝，依專利法暨專利審查基準之規定，此等先申請案所記載之新型係以法律擬制（legalfiction）為既有技術，而使後申請案不具新穎性，是故僅能適用於考量新穎性之用，不得作為考量進步性之用。基此，就系爭案進步性之論斷而言，引證二乃屬不適格之證據，自不得列入參酌，以作為系爭案是否有違進步性規定之論據。
２、次查，引證一之技術特徵，係晶片承座具有向下之突起，而該等突起係位於該晶片承座之中心處，而與晶片下方之黏晶材料直接接觸；反觀系爭案係晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片，其突起結構主要直接與封裝材料接觸。另一方面，引證一該晶片承座內部之突起，係以機械沖壓之方式所形成；而系爭案晶片承座邊緣之翼片，係藉由機械彎曲之方式，以於晶片承座上形成整體之向下延伸之翼片，二者之形成方式不同，難易有別。綜合言之，系爭案藉由位於晶片承座邊緣之翼片，而能提供更加之穩定度，使得該晶片承座能穩固定位於正確之位置；且其翼片係以彎折之方式來形成，與引證一以機械沖壓來形成突部相較，實得更輕易成型；由是，系爭案具有功效之增進而符合專利要件之進步性規範，至為確鑿。
㈣、綜上所陳，引證一、二皆與系爭案之技術特徵有所不同，系爭案具有新穎性實無疑義；另就系爭案進步性而論，引證一未具系爭案之功效，而引證二為系爭案申請後始公開之資料，依專利法規定不得作為進步性之依據。職是，被告所為異議不成立之處分，及受理訴願機關所為訴願駁回之決定，均無違法之處。
理由
一、按凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法申請取得新型專利，為系爭專利核准審定時專利法第九十七條暨第九十八條第一項所規定。而公告中之新型，任何人認有違反前揭專利法第九十七條至第九十九條規定者，依法得自公告之日起三個月內，備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起異議。從而，系爭專利有無違反專利法情事而應不予專利，依法應由異議人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違專利法之規定，自應為異議不成立之處分。
二、參加人日月光半導體製造股份有限公司前於八十九年六月二十一日以「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」向被告經濟部智慧財產局申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，原告甲○○以其有違核准審定時專利法第九十七條、第九十八條第一項第一款、第二款及第二項之規定，不符新型專利要件，對之提起異議，案經被告審查，於九十一年十月二十四日以
（九一）智專三（二）○四○六○字第○九一八九○○二三八○號專利異議審定書為異議不成立之處分。嗣經原告訴願及被告重為審查於九十二年二月十八日以
（九二）智專三（二）○四○六○字第○九二二○一五五一三○號專利異議審定書為異議不成立之處分等情，有上開審定書及異議申請書等件為證，並為兩造所不爭之事實，堪認為實。
三、原告起訴意旨略謂：引證一「形成於晶片承座之向下突起」與系爭案「形成於晶片承座之翼片」單純為形狀設計之變更，當視為可等效替換之相同構件。實際操作上，不論該晶片承座之突起形成於晶片承座之中心或邊緣，其目的均可提供該晶片承座有效支撐力量與正確定位，皆無法產生任何新功效或增進任何功效。。系爭案之暫准專利明顯有違「判斷新型有無新穎性時，應以新型之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準」等規定。再者，關於異議證據中該突起位置之認定於該晶片承座之中心處係為被告之主觀認定與誤解。系爭案所欲解決之課題與所得產生之功效，俱皆由異議證據之揭示所能推及與導出，此足證系爭案所提出之一種用於半導體晶片封裝構造之導線架結構確為引證二所揭露之技術內容所充分揭示。
四、本院判斷如下：
㈠、本件系爭第00000000號「半導體晶片封裝構造及其導線架結構」新型專利案，係一種導線架結構，用於半導體晶片封裝構造，其包含：複數條導線，該複數條導線之內端界定一中央區域；一晶片承座，位於該複數條導線之中央區域；複數個支撐肋條連接該晶片承座至該導線架；其特徵在於該晶片承座係低置(downset)於該複數條導線之內端，且該晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片。
㈡、原告所舉異議證據包括：異議附件二為西元一九九四年五月十三日公開之日本特開平六─一三二四四三號專利案（下稱引證一，如附圖二）；異議附件三為八十七年七月三十日申請，八十九年七月十一日公告之第00000000號「晶片塵具彎折部之半導體裝置」發明專利案（下稱引證二，如附圖三）。
㈢、按判斷系爭案有無新穎性時，應以系爭案申請專利範圍與異議證據間就技術內容比對是否實質相同為準，如技術內容實質不相同，則系爭案具新穎性；
１、經查，引證一之主要技術內容，係如其申請專利範圍之獨立項（第1、2項）所敘述者：「一種半導體裝置，係包括有封裝件；設於該封裝件內之支承片；固定在該支承片之半導體元件；以及遍佈延伸至前述封裝件內外之複數個導線，其特徵為：在前述支承片設有突部，該突部之一部分到達封裝件之表面」、以及「一種導線架，為於支承片之主面上固定半導體元件之樹脂封裝型半導體裝置用導線架，雖其專利範圍有記載：在未固定有前述半導體元件之支承片之面上設有突部，該突部之一部分到達封裝件表面」、「在其晶片承座上具有至少一個向下突起，使該突起裸露於封膠體，且該晶片承座係低於該導線架之導線內端」。
２、經查，被告業於原審定書中依引證一圖九所示，認定引證一其晶片承座之向下突起之位置確係位於該晶片承座之中心處在案。原告雖提出引證一中之第二、八、
九、十一及十二圖，主張該突起之位置可有所不同，不一定在中心處云云，惟查，引證一中之第二、八、九、十一及十二圖中，突起主要配置於晶片下方之承載導線架，此觀之本判決附圖之引證一中之第二、八、九、十一及十二圖自明，但系爭案晶片承座突起之位置主要在晶片外部之承載導線架，二者不同。引證一自不足以證明系爭案不具新穎性。原告主張：引證一「形成於晶片承座之向下突起」與系爭案「形成於晶片承座之翼片」單純為形狀設計之變更，當視為可等效替換之相同構件，是以系爭案之專利技術內容已為引證一所揭露，不具新穎性云云，自不可採。
㈣、按異議證據其公告日晚於系爭案申請日，自不足以作為證明系爭案有違進步性規定之論據。經查，引證二係一種晶片座具彎折部之半導體裝置，包括：晶片；－表面附著有該晶片，且另一表面上形成有至少一個彎折部之晶片座；複數個內端與該晶片表面以可導電之方式相連之導腳；以及包覆有該晶片、晶片座、以及該等導腳之內端部份之封裝膠體，從引證二其晶片承座並非低置於導線架內端，也未揭示導線或肋條與晶片承座相對高度或位置等等專利特徵可知，與系爭案技術特徵並非相同，並不足以證明系爭案有違新穎性；原告主張：引證二之彎折部係與系爭案之翼片實為等效之變化，並無任何技術上之差異性。並無新穎性云云，自不可採。
㈤、另引證一之突起會與晶片下方之黏晶材料有所接觸，而系爭案之突起結構主要直接與封裝材料接觸，系爭案與引證一之間有明顯結構與功能差異，兩案整體觀之，技術特徵並不相同，而系爭案係晶片承座之邊緣具有複數個向下延伸之翼片，能提供穩定度，使該晶片承座能穩固定位於正確之位置，故引證一與系爭案之間就其形狀、構造、裝置關係及實質實施功效等整體觀之，並非熟習該項技術者所能輕易完成者，自具有進步性。原告主張：不論該晶片承座之突起形成於晶片承座之中心或邊緣，其目的均可提供該晶片承座有效支撐力量與正確定位，皆無法產生任何新功效或增進任何功效云云，亦不可採。
㈥、又引證二其公告日晚於系爭案申請日，亦不足以作為證明系爭案有違進步性規定之論據，是原告就引證二所為關於進步性之論述，本院自無庸予以審酌，附此敘明。
五、從而，被告依首揭規定，為異議不成立之處分，並無不合。訴願決定遞予駁回，亦無違誤，均應予維持。本件原告之訴為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如
主文。中華民國九十三年十一月十九日
臺北高等行政法院第五庭
審判長法官張瓊文
法官帥嘉寶法官劉介中右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國九十三年十一月十九日
書記官黃明和