裁判字號：智慧財產法院99年行專訴字第142號判決
裁判日期：民國100年02月24日
裁判案由：發明專利舉發
智慧財產法院行政判決
99年度行專訴字第142號民國100年2月10日辯論終結原告日月光半導體製造股份有限公司代表人 張虔生 訴訟代理人 張耀暉 專利師
莊志強 專利代理人被告經濟部智慧財產局代表人 王美花 訴訟代理人 莊榮昌
參加人 陳謙益 訴訟代理人 潘柏均 專利代理人上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國99年7月13日經訴字第09906059670號訴願決定，提起行政訴訟，經本院命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、事實概要原告於民國（下同）93年8月24日以「多晶片同尺寸堆疊之封裝製程」向被告申請發明專利，並以93年3月31日申請之我國第00000000號發明專利案主張優先權；經被告編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第I240392號專利證書。嗣參加人以其有違專利法第22條第4項之規定，對之提起舉發。經被告審查，於99年2月3日以（99）智專三（二）04066字第09920078170號專利舉發審定書為舉發成立，應撤銷專利權之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部99年7月13日經訴字第09906059670號決定駁回，原告仍未甘服，遂向本院提起行政訴訟，本院因認本件訴訟之結果，倘認訴願決定及原處分應予撤銷，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1項規定，依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、原告之主張
(一)系爭專利申請專利範圍第3項與證據1、4及6相較，實具進步性：
1.參閱系爭專利說明書第9頁第3至12行，其揭露本發明所欲解決的問題包含：「由於在每一次黏晶與打線之後均需要以印刷或塗佈方式重覆形成該間隔層，其係增加了疊晶步驟，且該間隔層之平坦度與厚度無法均勻控制，並且在固化後該間隔層不具有黏性，必須在該間隔層之上表面額外黏貼一膠帶以供一第二晶片疊設，當堆疊越多晶片時，打線連接之銲墊位置與水平度越不容易被控制，此外，在已打線完成之晶片之主動面上以印刷或塗佈方式形成該間隔層，其形成該間隔層之治具(如網板)要避開該些銲線，並且要形成該適當面積之間隔層於該晶片之主動面，有實施上之困難與不可被利用性。」。
2.系爭專利申請專利範圍第3項之技術特徵：「一種多晶片同尺寸堆疊之封裝製程，其包含：提供一半導體晶圓，該晶圓係具有一主動面及一背面，該主動面之晶片區域內係形成有複數個銲墊；形成一半固化樹脂於該晶圓之背面；切割該晶圓，以形成至少一第一晶片與至少一第二晶片，該第一晶片之背面與該第二晶片之背面分別形成有該半固化樹脂；黏設該第一晶片至一基板之上表面；以複數個第一銲線電性連接該第一晶片與該基板，其中每一第一銲線係具有一結球端及一線尾端，該些結球端係設於該基板之上表面，該些線尾端係設於該第一晶片之銲墊上；以該第二晶片之半固化樹脂黏接該第二晶片之背面至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端；電性連接該第二晶片與該基板；該第一晶片係以其背面之半固化樹脂年接該基板；以及同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂」。已揭露可解決上述問題之技術手段。
3.另參閱系爭專利說明書第9頁倒數第2至3行以及第14頁第
3至7行，亦揭露系爭專利申請專利範圍第3項可達成之功效，其包含「在預定封裝厚度內可簡化步驟地堆疊更多數量之晶片，並且增進該些銲線之線尾端固定力」以及「使該些半固化樹脂122a、122b同時固化成為個別之完全固化樹脂
123，以構成一多晶片同尺寸堆疊之封裝構造，達到堆疊多數量之晶片、固定銲線之線尾端與減少疊晶步驟之功效」。且證據4之圖1及說明書第7至9頁揭示，設置於第一晶片21與第二晶片24之間的膠黏層23以及設置於第一晶片21與基板20之間的膠黏劑28，兩者在材質上實屬不同，故第一、二晶片21、24之上膠作業無法同時一次完成而須分段進行。比較系爭專利申請專利範圍第3項與證據4，系爭專利申請專利範圍第3項已揭示「同時固化」，亦即系爭專利申請專利範圍第3項之晶片上膠作業乃一次完成而非如證據4採用分段進行的方式，故證據4未完全揭露系爭專利申請專利範圍第
3項之技術內容，且無法達到系爭專利申請專利範圍第3項所能達成之效果。故系爭專利的申請專利範圍第3項相對於證據1、4、6而言應具有進步性。
4.原處分以證據6之第7頁第4行至第21行已揭示將糊狀物22加熱使其固化，然除此之外，證據6實際上並未揭露可同時加熱糊狀物22使其固化，證據6顯不足以揭露系爭專利申請專利範圍第3項之技術特徵，而證據4之說明書亦未提及同時固化，故證據4也亦不足以揭露申請系爭專利之申請專利範圍第3項的技術特徵，依專利審查基準彙編第五篇5.1.2節處分權主義之內容可知，原處分實有違判斷進步性之基本原則。且系爭專利申請專利範圍第3項亦無法由熟習該項技術者藉由證據1、4、6之技術組合而輕易完成，則系爭專利申請專利範圍第3項應具有進步性。
5.證據1、4、6非惟未揭露與系爭專利申請專利範圍第3項相同之技術特徵，且組合該三項證據所揭示之內容，亦無法達成與系爭專利申請專利範圍第3項相同之功效。況若需越多之證據組合證明，則益彰顯系爭專利申請專利範圍第3項之技術特徵對於所屬技術領域中具有通常知識者非顯而易見，亦非能輕易完成，而具有進步性。
(二)依前述系爭專利申請專利範圍第3項之說明亦可知系爭專利申請專利範圍第13、24項與證據1、4及6相較，亦具有進步性。為此起訴聲明請求：訴願決定及原處分均撤銷。
三、被告之答辯
(一)原告雖主張原處分違反判斷進步性之基本原則及方式，然原處分理由（四）已敘明由系爭專利說明書第8頁第21行至第
9頁第12行所載，系爭專利與先前技術間差異僅在於先前技術中間隔層會影響晶片堆疊。而證據4說明書第8頁第5至13行已揭示「該第一金線22之銲接作業係於第一晶片21之上片作業完成後進行之，為使第一金線22之線弧上引之部份位於基板20而非第一晶片21之上方，第一金線22之銲接係採反向銲接方式，亦即，將第一金線22之外端220先燒球於該基板20上之銲墊上，再上引外拉至第一晶片21之銲墊210時，將第一金線22之內端221綴接至預設於該銲墊210上之銲接塊即完成第一金線22之銲接作業。」另說明書第8頁揭示「該膠黏層23塗佈方式係使其完全充填於該第一晶片21與第二晶片24間，而將第一金線22位於該第一晶片21與第二晶片24間之部份完全包覆，使第一金線22無碰觸至第二晶片24而受損之虞」。另證據6申請專利範圍第1項已揭示一種有黏性糊狀物，塗佈在一晶圓的背面，及對照圖7揭示，該晶粒31相對於塗佈有糊狀物22之晶圓21背面的一面，具有供銲線55連接之主動面，晶粒31之主動面連接有複數條銲線55；晶粒31之主動面具有複數個供銲線55連接的銲墊，說明書第6頁倒數第3行至第7頁第3行揭示在晶圓21的背面，以網版印刷片23，塗佈一種有黏性糊狀物22在其上，較容易控制膠層之厚度，若採用一種B-stage的糊狀物塗佈於晶圓21的背面的糊狀物22呈半乾燥狀態，再進行切割晶圓21成為晶粒的作業，更容易控制夾層片高度與溢膠距離，說明書第7頁第4行至第14行揭示「將晶圓21切割成複數個晶粒29，圖4揭示該一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22一起由晶圓座30中被夾起，然後被放置於圖5的基板之指定部位40上，此時其被稱為母晶粒31，圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫，圖6所示的另一晶粒41（子晶粒），也是依照圖4所示者，由晶圓座30中夾起，然後放置於圖
5所示的母晶粒31上，圖6的子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後再進行銲線接合」。相較系爭專利請求項1，可知證據4及6已部分揭示請求項1之技術特徵，且證據4、6所揭示晶片打線在封裝製程中之順序或有不協調，然證據4、6已如上述分別已揭示請求項1部分技術特徵，且晶片打線於封裝製程中之順序仍可為所屬該項技術具有通常知識者就證據4、6所揭示重新安排，並無原告所稱證據4、6為先天不相容而無法結合。故系爭專利自承先前技術結合證據4、6可證明系爭專利請求項1為所屬該項技術具有通常知識者所能輕易完成。且原處分理由書（五）以下均已詳述系爭專利請他請求項為舉發證據揭示不具專利要件之理由。
(二)原告另主張證據4、6先天不相容，應不得將兩證據所揭示技術特徵逕自結合據為主張系爭專利不具專利要件。然原處分理由（四）即原處分第5頁倒數第2行開始至第6頁第9行止，已說明證據4、6並非完全互斥而不得作為組合之反向教示。另原告主張證據6未揭示系爭專利同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂之技術特徵。原告不爭執證據6已揭示將糊狀物加熱使其固化之技術，顯然系爭專利同時固化第一、二晶片背面僅是製程規劃不同於證據6，惟此不同仍為該項技術領域者可輕易推知。為此答辯聲明請求駁回原告之訴。
四、參加人之答辯系爭專利用以解決自承先前技術之手段已為證據6所揭露，且證據6已揭示在晶圓背面形成半固化糊狀物，故切割晶圓後各該堆疊晶片之間之半固化糊狀物即可為同一材質。「相同材質要同時固化」僅是本領域具有通常知識者在順序上調整或選擇，未有任何特別之技術效果。獨立請求項第11項亦界定所述方法是堆疊來自不同晶圓的第一晶片和第二晶片，若果如此，則該第一晶片與第二晶片背面亦可能為不同材質之樹脂，依原告之陳述，系爭專利第13項存在因第一晶片及第二晶片之半固化樹脂材料不同，而無法據以實施同時固化半固化樹脂之步驟。且原處分並未違反處分權主義，因系爭專利第3、13、24項分別為第1、11、21項之附屬項，附屬項特徵與獨立項特徵係整體解讀，於參加人主張該附屬項可輕易思及，則審查時依整體解讀之內容即按各請求項所引之證據組合為之，並未超越參加人主張之範圍，亦無違處分權主義。為此答辯請求駁回原告之訴。
五、本院之判斷
(一)本件原告前以「多晶片同尺寸堆疊之封裝製程」向被告申請發明專利，並以93年3月31日申請之我國第00000000號發明專利案主張優先權；經被告編為第00000000號審查後，發給發明第I240392號專利證書。嗣參加人提出舉發證據以其有違專利法第22條第4項之規定，對之提起舉發。經被告審查認舉發證據1、4、6等與習知技術之組合，得以證明系爭專利第1至30項違反專利法第22條第4項之規定，而於99年
2月3日作成「舉發成立，應撤銷專利權」之審定。原告不服，提起訴願，亦經經濟部以相同理由於99年7月13日訴願決定駁回，原告不服，向本院提起行政訴訟，惟於本院審理時主張僅爭執舉發證據1、4、6之組合並無法證明系爭專利第3、13、24項有被告所稱違反專利法第22條第4項之情形，而具有可專利要件，對於系爭專利之其他項次部分則不再爭執。查本件被告及參加人均係以舉發證據1、4、6之組合（見本院卷第117至118頁），認系爭專利申請專利範圍獨立項之第1、11、21項為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，而不具進步性；附屬項之第3、13、24項，係間接透過附屬項之第2、12項或直接依附於第1、11、21項，為各該獨立項技術內容之限制描述，故該等附屬項亦不具進步性，而為舉發成立之審定。原告於本院審理時既僅爭執系爭專利第3、13、24項具有可專利要件，而被告及參加人對於原告此部分主張亦表示無意見或未表示意見而行本案之準備程序（參見本院卷第207至
208頁），故本件爭點為上述證據之組合是否可證明系爭專利第3、13、24項之申請專利範圍為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成，而不具進步性。
(二)按凡利用自然法則之技術思想之創作，而可供產業上利用者，得依專利法第21條、第22條第1項之規定申請取得發明專利。又發明雖無第1項所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得依本法申請取得發明專利，復為同法第22條第4項所明定。
經查系爭專利係一種多晶片同尺寸堆疊之封裝製程，其係在一晶圓之背面形成一半固化樹脂，再將該晶圓切割成複數個晶片，以其中一具有半固化樹脂之晶片係黏接至一基板或另一晶片之主動面，複數個銲線係電性連接該晶片與該基板，該些銲線之結球端係設於該基板，該些銲線之線尾端係設於該晶片之主動面，在晶片對晶片之堆疊黏合時，在兩晶片間的該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些銲線之線尾端，以避免該些線尾端在壓模時產生斷線，使得在一封裝厚度內可堆疊更多同尺寸之晶片（系爭專利主要示意圖見附圖一）。次查原告爭執之系爭專利第3、13、24項係附屬項，必須與各該附屬項有關之獨立項綜合判斷該附屬技術特徵是否具進步性之可專利要件。其中第3項係依附於第2項、第1項，即第1項為：一種多晶片同尺寸堆疊之封裝製程，其包含：提供一半導體晶圓，該晶圓係具有一主動面及一背面，該主動面之晶片區域內係形成有複數個銲墊；形成一半固化樹脂於該晶圓之背面；切割該晶圓，以形成至少一第一晶片與至少一第二晶片，該第一晶片之背面與該第二晶片之背面分別形成有該半固化樹脂；黏設該第一晶片至一基板之上表面；以複數個第一銲線電性連接該第一晶片與該基板，其中每一第一銲線係具有一結球端及一線尾端，該些結球端係設於該基板之上表面，該些線尾端係設於該第一晶片之銲墊上；以該第二晶片之半固化樹脂黏接該第二晶片之背面至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端；及電性連接該第二晶片與該基板。第2項為：
如申請專利範圍第1項所述之多晶片同尺寸堆疊之封裝製程，其中該第一晶片係以其背面之半固化樹脂黏接該基板。第
3項為如申請專利範圍第2項所述之多晶片同尺寸堆疊之封裝製程，其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂。第13項則為依附於第12項、第11項，即第11項為：一種多晶片堆疊之封裝製程，其包含：提供一第一半導體晶圓及一第二半導體晶圓，該等晶圓係分別具有一主動面及一背面，該主動面之晶片區域內係形成有複數個銲墊；形成一半固化樹脂於該等晶圓之背面；切割該第一半導體晶圓，以形成複數個第一晶片，並切割該第二半導體晶圓，以形成複數個第二晶片，該等晶片之背面分別形成有該半固化樹脂；黏設該第一晶片至一基板之上表面；以複數個第一銲線電性連接該第一晶片與該基板，其中每一第一銲線係具有一結球端及一線尾端，該些結球端係設於該基板之上表面，該些線尾端係設於該第一晶片之銲墊上；以該第二晶片背面之半固化樹脂黏接至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端；及電性連接該第二晶片與該基板。第12項為：如申請專利範圍第11項所述之多晶片堆疊之封裝製程，其中該第一晶片係以其背面之半固化樹脂黏接該基板。第13項為：
如申請專利範圍第12項所述之多晶片堆疊之封裝製程，其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂。另第24項係依附於第21項，即第21項為：一種多晶片堆疊之封裝製程，其包含：提供一第一晶片及一第二晶片，該等晶片具有一主動面及一背面，該等晶片之主動面設有複數個銲墊，該等晶片之背面設有一半固化樹脂；以在該第一晶片背面之半固化樹脂黏設該第一晶片至一基板之上表面；以前折式打線製程（ForwardFoldedLoopBondingProcess）將複數條第一銲線電連接該第一晶片之該等銲墊與該基板之上表面；以該第二晶片背面之半固化樹脂黏接至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂受熱熔融而包覆該等第一銲線之一部分；及電性連接該第二晶片與該基板。第24項為：如申請專利範圍第21項所述之多晶片堆疊之封裝製程，其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂。原告並主張依據系爭專利說明書第9頁倒數第2至3行，以及第14頁第3至7行，已揭露系爭專利申請專利範圍第3、13、24項可達成之功效為：「在預定封裝厚度內可簡化步驟地堆疊更多數量之晶片，並且增進該些銲線之線尾端固定力」以及「使該些半固化樹脂122a、122b同時固化成為個別之完全固化樹脂123，以構成一多晶片同尺寸堆疊之封裝構造，達到堆疊多數量之晶片、固定銲線之線尾端與減少疊晶步驟之功效」。
(三)惟查舉發證據1即西元2003年04月22日公告之美國第6,551,
906號專利，係一種半導體裝置的製造方法，其說明書第3欄第33行至第4欄第32行揭示：「對該半導體元件11執行晶粒接合製程。其中係加熱以便藉由用於晶粒接合之帶狀黏著劑6來執行晶粒接合」（剖示圖見附圖2）：舉發證據4即
90年10月1日公告之我國第000000000號專利，係一種具多晶片模組之半導體封裝件2，係包括至少一黏接至一晶片承載件（ChipCarrier）20上之下層晶片21，多數之第一導線22以反向銲接（ReverseWireBonding）之方式電性連接該下層晶片21至該晶片承載件20，一佈設於該下層晶片21上之黏著層23，且該黏著層23完全覆蓋該下層晶片21銲接有第一導線22之表面，以在至少一上層晶片24藉該黏著層23黏接至該下層晶片21上後，避免氣泡形成於該上層晶片24與下層晶片21間，且該上層晶片24之面積得同於或大於下層晶片21之面積，而無上層晶片24會碰觸或損及第一導線22之問題；該上層晶片24與該晶片承載件20間之電性連接則藉多數之第二導線25為之，並使該上層及下層晶片24、21包覆於一封裝膠體26中（剖示圖見附圖3）；舉發證據6即90年10月1日公告之我國第000000000號專利，係一種將晶粒（die）附著（attach）於一物件之指定部位的方法。該物件可以是一導線架（leadframe）、或一基板（substrate）、或另一晶粒、或任何便於電連接或承載晶粒之物體。本案之特徵在於，將一種有黏性的糊狀物（Paste）呈半乾燥狀態時的特性，利用於黏貼晶粒到一物件之加溫過的部位，以避免習用方法中所存在的溢膠不良現象（主要示意圖見附圖4）。
因系爭專利申請專利範圍第3項係直接依附於第2項之附屬項，而系爭專利申請專利範圍第2項係直接依附於第1項之附屬項，故分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性前，須先分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第1與2項不具進步性。而就系爭專利申請專利範圍第1項各步驟技術特徵與證據4以及6分析而言：
1.證據4係一種具多晶片模組之半導體封裝件的製法，且證據4第1至5圖揭露其半導體封裝件中的各晶片為相同的尺寸，故系爭專利申請專利範圍第1項之標的「一種多晶片同尺寸堆疊之封裝製程」為證據4所揭露。
2.由證據6圖3以及說明書第7頁第4至5行記載：「圖3所示的晶圓座30，用以安置晶圓21，俾便於將晶圓21切割成複數個晶粒29。」等內容可知，證據6的晶圓21具有一主動面及背面，雖證據6圖3並未揭露晶圓21的主動面形成有複數個銲墊，然證據6圖7揭露由晶圓21所切割而成的母晶粒31與子晶粒41係用以進行銲線接合（WireBond），因此由晶圓21所切割而成的母晶粒31與子晶粒41的主動面上係具有可供銲線接合用的銲墊，故系爭專利申請專利範圍第1項之「提供一半導體晶圓，該晶圓係具有一主動面及一背面，該主動面之晶片區域內係形成有複數個銲墊」技術特徵為證據6所揭露。
3.證據6說明書第6頁最後1行至第7頁第3行記載：「若採用一種B-stage的糊狀物塗佈於晶圓21的背面，並且先讓晶圓21背面的糊狀物22呈半乾燥狀態，再進行切割晶圓21成為晶粒的作業，更是容易控制夾層片高度（Filletheight）與溢膠距離。」證據6係先將一種B-stage的糊狀物塗佈於晶圓21的背面，並讓該糊狀物22呈半乾燥狀態（即半固化），而B-stage糊狀物係屬於一種樹脂，故系爭專利申請專利範圍第1項之「形成一半固化樹脂於該晶圓之背面」技術特徵為證據6所揭露。
4.由證據6圖4以及說明書第6頁最後1行至第7頁第3行記載：「若採用一種B-stage的糊狀物塗佈於晶圓21的背面，並且先讓晶圓21背面的糊狀物22呈半乾燥狀態，再進行切割晶圓21成為晶粒的作業，更是容易控制夾層片高度（Filletheight）與溢膠距離。」等內容可知，證據6係
切割晶圓21成為複數個晶粒29（等同於系爭專利申請專利範圍第1項之第一晶片與第二晶片），且各晶粒29背面形成有呈半乾燥狀態的糊狀物22（等同於系爭專利申請專利範圍第1項之半固化樹脂），故系爭專利申請專利範圍第
1項之「切割該晶圓，以形成至少一第一晶片與至少一第二晶片，該第一晶片之背面與該第二晶片之背面分別形成有該半固化樹脂」技術特徵為證據6所揭露。
5.由證據6圖5、說明書第7頁第6至9行記載：「圖4所示的一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22，一起由晶圓座30中被夾起。然後被放置於圖5的一基板之指定部位40上，此時被稱為母晶粒31。圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。」以及第8頁第11至13行記載：「上述的晶粒附著方法中，母晶粒31之塗有糊狀物22的面，貼上指定部位40（參考圖5）的方式，可以採適度加壓進行，使附著品質更佳。」等內容可知，證據
6之晶圓21所切割形成的晶粒29（母晶粒31）係藉由加熱與加壓方式黏設至基板60之指定部位40上，故系爭專利申請專利範圍第1項之「黏設該第一晶片至一基板之上表面」技術特徵為證據6所揭露。
6.由證據4第1圖以及說明書發明說明第8頁第7至13行記載：「為使第一金線22之線弧上引之部份位於基板20而非第一晶片21之上方，第一金線22之銲接係採反向銲接（ReverseWireBond）方式，亦即，將第一金線22之外端
220先燒球於該基板20上之銲墊（未圖示）上，再上引外拉至第一晶片21之銲墊210時，將第一金線22之內端221綴接（StitchBond）至預設於該銲墊210上之銲接塊（BallBond，未圖示）即完成第一金線22之銲接作業。」等內容可知，證據4係採反向銲接（ReverseWireBond
）方式將第一金線22（等同於系爭專利申請專利範圍第
1項之第一銲線）電性連接第一晶片21與基板20，使第一金線22之外端220先燒球於基板20上之銲墊上而形成結球端，再將第一金線22之內端221綴接（StitchBond）至第一晶片21之銲墊210上之銲接塊而形成線尾端，故系爭專利申請專利範圍第1項之「以複數個第一銲線電性連接該第一晶片與該基板，其中每一第一銲線係具有一結球端及一線尾端，該些結球端係設於該基板之上表面，該些線尾端係設於該第一晶片之銲墊上」技術特徵為證據4所揭露。
7.由證據6第6圖、說明書第7頁第8至9行記載：「圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。」、說明書第7頁第9至11行記載：「圖6所示的另一晶粒41（子晶粒），也是依照圖4所示者，由晶圓座30中夾起，然後放置於圖5所示的母晶粒31上。」以及說明書第8頁第13至14行記載：「這種適度加壓作業同樣適用於子晶粒41附著母晶粒31（參考圖6）。」等內容可知，證據6藉由預先塗佈於子晶粒41（等同於系爭專利申請專利範圍第1項之第二晶片）背面的半乾燥糊狀物22，以加熱與加壓等方式將子晶粒41黏接至母晶粒31（等同於系爭專利申請專利範圍第1項之第一晶片）的主動面上，雖證據6之實施例的母晶粒31與子晶粒41為不同尺寸之晶粒，然由證據4第1圖以及說明書發明說明第8頁倒數第6行至倒數第2行記載：「該膠黏層23塗佈之方式係使其完全充填於該第一晶片21與第二晶片24間，而將第一金線22位於該第一晶片21與第二晶片24間之部份完全包覆，使第一金線22無碰觸至第二晶片24而受損之虞。」等內容可知，證據4已揭露相同尺寸的第一晶片21與第二晶片24間，利用樹脂（環氧樹脂）製成的膠黏層完全充填於該第一晶片21與第二晶片24間，使完全包覆第一金線22的內端221（線尾端），因此系爭專利申請專利範圍第1項之「以該第二晶片之半固化樹脂黏接該第二晶片之背面至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端」技術特徵，乃係組合證據4之預先塗佈於晶圓21背面的半乾燥糊狀物22以使晶粒29相互附著，以及證據6之同尺寸晶片間採反向銲接（ReverseWireBond）堆疊等技術特徵，故系爭專利申請專利範圍第1項之「以該第二晶片之半固化樹脂黏接該第二晶片之背面至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端」技術特徵為證據4與6組合所揭露。
8.證據4說明書發明說明第9頁倒數第3行至最後1行記載：「該第二晶片24黏接至膠黏層23上後，第二金線25即得以習用之銲接方式電性連接該第二晶片24與基板20。」可知，證據4藉由第二金線25電性連接第二晶片24與基板20，故系爭專利申請專利範圍第1項之「電性連接該第二晶片與該基板」技術特徵為證據4所揭露。
再者，就系爭專利申請專利範圍第1項的功效而言，系爭專利申請專利範圍第1項之多晶片同尺寸堆疊之封裝製程具有多晶片堆疊、固定銲線之線尾端以及減少疊晶步驟等功效。而證據4之半導體封裝件具有可堆疊多晶片且晶片尺寸相同的功效，故系爭專利申請專利範圍第1項之多晶片堆疊的功效已見於證據4；且證據4之半導體封裝件係採用反向銲接（ReverseWireBond）的銲接方式，其第一金線22（銲線）之內端221（線尾端）係形成於第一晶片21的銲墊210上，而第一金線22位於第一晶片21與第二晶片24間之部份被膠黏層完全包覆，因此證據4之半導體封裝件具有固定第一金線22（銲線）之內端221（線尾端）的功效，故系爭專利申請專利範圍第1項之固定銲線之線尾端的功效已見於證據4；末以證據6係先於晶圓21的背面塗佈呈半乾燥狀態的糊狀物22後，將晶圓21切割成複數個晶粒29後，藉由晶粒29背面的糊狀物22使各晶粒29間相互附著黏設，證據6無須重覆於晶粒表面塗佈糊狀物以進行晶粒附著作業，因此證據6具有減少疊晶步驟的功效，故系爭專利申請專利範圍第1項之減少疊晶步驟的功效已見於證據6；是以，系爭專利申請專利範圍第1項的功效已見於證據4與6，並無新功效產生。另證據1係一種半導體裝置的製造方法，其說明書第3欄第33行至第4欄第32行揭示：「對該半導體元件11執行晶粒接合製程。其中係加熱以便藉由用於晶粒接合之帶狀黏著劑6來執行晶粒接合」。證據1之晶圓1背面先塗佈帶狀黏著劑6後，再將晶圓切割成複數個半導體元件11，並藉由帶狀黏著劑
6進行半導體元件11間的相互晶粒接合，故系爭專利申請專利範圍第1項之「形成一半固化樹脂於該晶圓之背面」技術特徵為證據1所揭露，而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性既已如前述，則證據1、4與
6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。
(四)另查系爭專利申請專利範圍第2項係直接依附於第1項之附屬項，其附屬技術特徵為「其中該第一晶片係以其背面之半固化樹脂黏接該基板」；經查由證據6圖5、說明書第7頁第6至9行記載：「圖4所示的一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22，一起由晶圓座30中被夾起。然後被放置於圖5的一基板之指定部位40上，此時被稱為母晶粒31。圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。」以及第8頁第11至13行記載：「上述的晶粒附著方法中，母晶粒31之塗有糊狀物22的面，貼上指定部位40（參考圖5）的方式，可以採適度加壓進行，使附著品質更佳。」等內容可知，證據6之母晶粒31（等同於系爭專利申請專利範圍第
2項的第一晶片）係以其背面呈半乾燥狀態的糊狀物22（等同於系爭專利申請專利範圍第2項的半固化樹脂）黏接至基板60之指定部位40上，故系爭專利申請專利範圍第2項界定之附屬技術特徵為證據6所揭露。再者，系爭專利申請專利範圍第2項相較於第1項增加以第一晶片背面之半固化樹脂黏接至基板的功效，查證據6之母晶粒31係以其背面呈半乾燥狀態的糊狀物22黏接至基板60之指定部位40上，可知證據
6具有以母晶粒31背面之半乾燥狀態的糊狀物22黏接至基板60上的功效，故系爭專利申請專利範圍第2項之以第一晶片背面之半固化樹脂黏接至基板的功效已見於證據6，而系爭專利申請專利範圍第1項的功效見於證據4與6已如前述，因此系爭專利申請專利範圍第2項的功效亦見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第2項所依附之第1項不具進步性既已如前述，其進一步界定之附屬技術特徵為證據6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第2項的功效已見於證據4與6，是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第2項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第2項不具進步性。系爭專利申請專利範圍第3項係直接依附於第2項之附屬項，其附屬技術特徵為「其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂」；而證據6說明書第7頁第6至13行記載：「圖4所示的一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22，一起由晶圓座30中被夾起，然後被放置於圖5的一基板之指定部位40上，此時其被稱為母晶粒31。圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。圖6所示的另一晶粒41（子晶粒），也是依照圖4所示者，由晶圓座30中夾起，然後放置於圖5所示的母晶粒31上。圖6的子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond），完成之產品如圖7所示。」可知，證據6之母晶粒31（等同於系爭專利申請專利範圍第3項的第一晶片）與子晶粒41（等同於系爭專利申請專利範圍第3項的第二晶片）的表面塗佈有相同的糊狀物22（等同於系爭專利申請專利範圍第3項的半固化樹脂），而母晶粒31放置於基板指定部位40以及子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond）作業，即證據6之母晶粒31與子晶粒
41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第3項的固化），故系爭專利申請專利範圍第3項界定之附屬技術特徵為證據6所揭露。再者，系爭專利申請專利範圍第3項相較於第2項增加縮短整體固化時間的功效，查證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥已如前述，因此證據6具有縮短整體糊狀物22完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第
3項的固化）的功效，故系爭專利申請專利範圍第3項之縮短整體固化時間的功效已見於證據6，而系爭專利申請專利範圍第2項的功效見於證據4與6已如前述，因此系爭專利申請專利範圍第3項的功效亦見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第3項所依附之第2項不具進步性既已如前述，其進一步界定之附屬技術特徵為證據6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第3項的功效已見於證據4與6，是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第
3項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。
而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第3項不具進步性。
(五)又查因系爭專利申請專利範圍第13項係直接依附於第12項之附屬項，而系爭專利申請專利範圍第12項係直接依附於第11項之附屬項，故分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性前，須先分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第11與12項不具進步性。就系爭專利申請專利範圍第11項各步驟技術特徵與證據4以及6分析而言，證據4係一種具多晶片模組之半導體封裝件的製法，故系爭專利申請專利範圍第11項之標的「一種多晶片堆疊之封裝製程」為證據4所揭露。且如前所述，系爭專利申請專利範圍第11項之「提供一第一半導體晶圓及一第二半導體晶圓，該等晶圓係分別具有一主動面及一背面，該主動面之晶片區域內係形成有複數個銲墊」、「形成一半固化樹脂於該等晶圓之背面」、「黏設該第一晶片至一基板之上表面」等技術特徵已為證據6所揭露。雖證據6之複數個晶粒29係由同一晶圓21切割形成，相較於系爭專利申請專利範圍第11項之第一晶片與第二晶片係由不同的晶圓（第一半導體晶圓與第二半導體晶圓）切割形成，然二者的差異僅在於切割形成晶片的來源晶圓不同，故系爭專利申請專利範圍第11項之「切割該第一半導體晶圓，以形成複數個第一晶片，並切割該第二半導體晶圓，以形成複數個第二晶片，該等晶片之背面分別形成有該半固化樹脂」技術特徵，僅係為改變證據6之切割形成晶片的來源晶圓，亦已為證據6所揭露。至系爭專利申請專利範圍第11項之「以複數個第一銲線電性連接該第一晶片與該基板，其中每一第一銲線係具有一結球端及一線尾端，該些結球端係設於該基板之上表面，該些線尾端係設於該第一晶片之銲墊上」、「電性連接該第二晶片與該基板」之技術特徵，則為證據4所揭露。又系爭專利申請專利範圍第11項之「以該第二晶片背面之半固化樹脂黏接至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂係受熱熔融而包覆該些第一銲線之線尾端」技術特徵，亦為證據4與6組合所揭露。再者，就系爭專利申請專利範圍第11項的功效而言，系爭專利申請專利範圍第11項之多晶片堆疊之封裝製程具有多晶片堆疊、固定銲線之線尾端以及減少疊晶步驟等功效，亦如前所述，已見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第11項之封裝製程的各步驟技術特徵分別為證據4與6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第11項的功效已見於證據4與6。是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第11項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第11項不具進步性。又系爭專利申請專利範圍第11項之「形成一半固化樹脂於該等晶圓之背面」技術特徵為證據1所揭露，而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第11項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第11項不具進步性。系爭專利申請專利範圍第12項係直接依附於第11項之附屬項，其附屬技術特徵為「其中該第一晶片係以其背面之半固化樹脂黏接該基板」，如前所述，該附屬技術特徵已為證據6所揭露。再者，系爭專利申請專利範圍第12項相較於第11項增加以第一晶片背面之半固化樹脂黏接至基板的功效，亦已見於證據6。綜上，系爭專利申請專利範圍第12項所依附之第11項不具進步性既已如前述，其進一步界定之附屬技術特徵為證據6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第12項的功效已見於證據
4與6，是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第12項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性。而證據
4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第12項不具進步性。
(六)再查系爭專利申請專利範圍第13項係直接依附於第12項之附屬項，其附屬技術特徵為「其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂」；經查，證據6說明書第7頁第6至13行記載：「圖4所示的一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22，一起由晶圓座30中被夾起，然後被放置於圖5的一基板之指定部位40上，此時其被稱為母晶粒31。圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。圖6所示的另一晶粒41（子晶粒），也是依照圖4所示者，由晶圓座30中夾起，然後放置於圖5所示的母晶粒31上。圖6的子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond），完成之產品如圖7所示。」可知，證據6之母晶粒31（等同於系爭專利申請專利範圍第13項的第一晶片）與子晶粒41（等同於系爭專利申請專利範圍第13項的第二晶片）的表面塗佈有相同的糊狀物22（等同於系爭專利申請專利範圍第13項的半固化樹脂），而母晶粒31放置於基板指定部位40以及子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond）作業，即證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第13項的固化），故系爭專利申請專利範圍第13項界定之附屬技術特徵為證據6所揭露。再者，系爭專利申請專利範圍第13項相較於第12項增加縮短整體固化時間的功效，查證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥已如前述，因此證據6具有縮短整體糊狀物22完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第13項的固化）的功效，故系爭專利申請專利範圍第13項之縮短整體固化時間的功效已見於證據6，而系爭專利申請專利範圍第12項的功效見於證據4與6已如前述，因此系爭專利申請專利範圍第13項的功效亦見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第13項所依附之第12項不具進步性既已如前述，其進一步界定之附屬技術特徵為證據6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第13項的功效已見於證據4與6，是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第13項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。
(七)又查因系爭專利申請專利範圍第24項係直接依附於第21項之附屬項，故分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性前，須先分析證據1、4與6組合是否可證明系爭專利申請專利範圍第21項不具進步性。
就系爭專利申請專利範圍第21項各步驟技術特徵與證據4以及6分析而言，證據4係一種具多晶片模組之半導體封裝件的製法，故系爭專利申請專利範圍第21項之標的「一種多晶片堆疊之封裝製程」為證據4所揭露。且如前所述，系爭專利申請專利範圍第21項之「提供一第一晶片及一第二晶片，該等晶片具有一主動面及一背面，該等晶片之主動面設有複數個銲墊，該等晶片之背面設有一半固化樹脂」、「以在該第一晶片背面之半固化樹脂黏設該第一晶片至一基板之上表面」等技術特徵為證據6所揭露；另「電性連接該第二晶片與該基板」之技術特徵則為證據4所揭露。雖證據4揭露之反向銲接（ReverseWireBond）方式，相較於系爭專利申請專利範圍第21項界定之前折式打線製程（ForwardFoldedLoopBondingProcess）為不同的銲線銲接方式，然由系爭專利說明書第14頁第8至14行記載：「此外，本發明用以連接第一晶片114與該基板130之第一銲線140，其可採用前述之逆打線法，亦可採用Kulicke&Soffa之前折式打線製程（ForwardFoldedLoopBondingProcess；F2bondingprocess）。該種打線方式之銲線第一接合點位於晶片銲墊上，而第二接合點位於基板上，前折式打線製程具有低弧高（lowloop）之優點，以適用於本發明之多晶片堆疊之封裝製程。」可知，前折式打線製程係以低弧高方式銲接晶片與基板，而證據4之反向銲接方式亦係以低弧高方式銲接晶片與基板，且反向銲接方式與前折式打線製程皆為系爭專利所屬半導體封裝製程技術領域中為降低銲線弧高的習知技術，故系爭專利申請專利範圍第21項之「以前折式打線製程（ForwardFoldedLoopBondingProcess）將複數條第一銲線電連接該第一晶片之該等銲墊與該基板之上表面」技術特徵為證據4之銲線銲接方式的等校置換。至系爭專利申請專利範圍第21項之「以該第二晶片背面之半固化樹脂黏接至該第一晶片之主動面，其中該半固化樹脂受熱熔融而包覆該等第一銲線之一部分」技術特徵，則為證據4與6組合所揭露。再者，就系爭專利申請專利範圍第21項的功效而言，系爭專利申請專利範圍第21項之多晶片堆疊之封裝製程具有多晶片堆疊、固定銲線之線尾端以及減少疊晶步驟等功效。而證據4之半導體封裝件具有可堆疊多晶片的功效，故系爭專利申請專利範圍第21項之多晶片堆疊的功效已見於證據4；另證據4之半導體封裝件係採用反向銲接（ReverseWireBond）的銲接方式，其第一金線22（銲線）之內端221（線尾端）係形成於第一晶片21的銲墊210上，而第一金線22位於第一晶片21與第二晶片24間之部份被膠黏層完全包覆，因此證據4之半導體封裝件具有固定第一金線22（銲線）之內端221（線尾端）的功效，故系爭專利申請專利範圍第21項之固定銲線之線尾端的功效已見於證據4；末查，證據6係先於晶圓21的背面塗佈呈半乾燥狀態的糊狀物22後，將晶圓21切割成複數個晶粒29後，藉由晶粒29背面的糊狀物22使各晶粒29間相互附著黏設，證據6無須重覆於晶粒表面塗佈糊狀物以進行晶粒附著作業，因此證據6具有減少疊晶步驟的功效，故系爭專利申請專利範圍第21項之減少疊晶步驟的功效已見於證據6；是以，系爭專利申請專利範圍第21項的功效已見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第21項之封裝製程的各步驟技術特徵分別為證據4與6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第21項的功效已見於證據4與6。是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第21項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第21項不具進步性。另證據1之技術內容已如前述。證據1之晶圓1背面先塗佈帶狀黏著劑6後，再將晶圓切割成複數個半導體元件11，並藉由帶狀黏著劑6進行半導體元件11間的相互晶粒接合，故系爭專利申請專利範圍第21項之「該等晶片之背面設有一半固化樹脂」技術特徵為證據1所揭露，而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第21項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第21項不具進步性。系爭專利申請專利範圍第24項係直接依附於第21項之附屬項，其附屬技術特徵為「其另包含有：同時固化該第一晶片背面下之半固化樹脂與該第二晶片背面下之半固化樹脂」；經查，證據6說明書第7頁第6至13行記載：「圖4所示的一晶粒29與塗佈在其一表面的糊狀物22，一起由晶圓座30中被夾起，然後被放置於圖5的一基板之指定部位40上，此時其被稱為母晶粒31。圖5的基板指定部位40，在放置母晶粒31之前，先以熱板50加溫。圖6所示的另一晶粒41（子晶粒），也是依照圖4所示者，由晶圓座30中夾起，然後放置於圖5所示的母晶粒31上。圖6的子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond），完成之產品如圖7所示。」可知，證據6之母晶粒31（等同於系爭專利申請專利範圍第24項的第一晶片）與子晶粒41（等同於系爭專利申請專利範圍第24項的第二晶片）的表面塗佈有相同的糊狀物22（等同於系爭專利申請專利範圍第24項的半固化樹脂），而母晶粒31放置於基板指定部位40以及子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond）作業，即證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第24項的固化），故系爭專利申請專利範圍第24項界定之附屬技術特徵為證據6所揭露。再者，系爭專利申請專利範圍第24項相較於第21項增加縮短整體固化時間的功效，查證據
6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥已如前述，因此證據6具有縮短整體糊狀物22完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第24項的固化）的功效，故系爭專利申請專利範圍第24項之縮短整體固化時間的功效已見於證據6，而系爭專利申請專利範圍第21項的功效見於證據4與6已如前述，因此系爭專利申請專利範圍第24項的功效亦見於證據4與6，並無新功效產生。綜上，系爭專利申請專利範圍第24項所依附之第21項不具進步性既已如前述，其進一步界定之附屬技術特徵為證據6所揭露，且系爭專利申請專利範圍第24項的功效已見於證據4與6，是以，就整體言之，系爭專利申請專利範圍第24項並未產生不可預期之功效，為其所屬技術領域中具有通常知識者依證據4與
6之先前技術所能輕易完成，故證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。而證據4與6組合可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性既已如前述，則證據1、4與6組合自亦可證明系爭專利申請專利範圍第24項不具進步性。
(八)末查原告於行政訴訟起訴狀第6至7頁理由三、7謂：「再者，證據4、6雖然都是關於晶片封裝的技藝，且晶片打線作業乃為證據4、6的必要技術特徵。但是證據4的打線製程是在晶片堆疊中進行，證據6的打線製程是在晶片堆疊後進行，……。證據4、6的打線製程在整體堆疊作業的順序上，存在著極大差異，很明顯地先天不相容。」云云。惟依據證據6圖7以及說明書第7頁第11至13行記載：「圖6的子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond），完成之產品如圖7所示。」可知，證據6雖係揭露打線製程是在晶片堆疊後進行，然證據6說明書第4頁最後1行至第7行記載：「本案目的之一在於，提供一新式晶粒附著方法，解決習用方法之溢膠不良現象，使晶粒堆疊之封裝作業變成容易，而且能夠順利進行，以確保封裝產品之品質穩定度。本案目的之二在於，獲致最佳之膠層厚度和無氣洞之膠層……」，故證據6的目的在於晶粒彼此間的附著方法，即先於晶圓背面塗佈呈半乾燥狀態的糊狀物後，再將晶圓切割成複數個晶粒，並藉由糊狀物進行晶粒間的附著，證據6圖7所示於晶片堆疊後進行銲線接合作業（WireBond）乃為其實施例之一，證據6並未限定其晶粒附著方法須於晶片堆疊作業完成後才可進行銲線接合作業，證據6亦未限定其晶粒附著方法僅能將不同尺寸的晶粒彼此間進行附著作業，而排除同尺寸晶粒間的附著方法，而證據4係為多晶片間的相互堆疊附著以及打線的方法，證據4與6為相同的多晶片堆疊附著技術領域，難謂證據4與6的技術特徵明顯地先天不容而無法據以組合。另原告於行政訴訟起訴狀第9頁理由四、3第5至10行謂：「然而，舉發審定書中提到證據6的第7頁第4行至第21行揭示了將糊狀物22加熱使其固化，但是僅此而已。證據6實際上沒有揭露可同時加熱糊狀物22使其固化，顯然證據6並不足以揭露系爭專利申請專利範圍第3項的技術特徵。」云云。惟依據證據6說明書第7頁第6至13行所記載內容可知，證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22為相同材質，而母晶粒31放置於基板指定部位40以及子晶粒41放置於母晶粒31之上後，待糊狀物22完全乾燥後，再進行銲線接合（WireBond）作業，即證據6之母晶粒31與子晶粒41表面所塗佈的糊狀物22係同時進行完全乾燥（等同於系爭專利申請專利範圍第3項的固化），證據6並未記載須於母晶粒31表面所塗佈的糊狀物22完全乾燥後，才可將子晶粒41放置於母晶粒31之上，故難謂證據6並不足以揭露系爭專利申請專利範圍第3項的技術特徵。又原告於100年02月10日言詞辯論程序謂：「說明書第三圖，系爭案可以堆疊四層，與引證案不同。」云云。惟依據證據4說明書發明說明第6頁第4至8行記載：「本發明之半導體封裝件得包含兩個以上之晶片，亦即於該第二晶片之作用表面上得再黏接至少一晶片，此時，該第二銲線亦須以反向銲接（即其外端先銲接至晶片承載件上，再將其內端銲接至該第二晶片上）方式銲設於第二晶片與晶片承載件間……」，證據4之半導體封裝件並未限定其僅為兩層晶片的堆疊，證據4之半導體封裝件亦可由兩個以上之晶片堆疊形成，實難謂系爭專利之晶片堆疊結構與證據4不同。從而原告上開主張，均不可採。
六、綜上所述，結合上開舉發證據之技術內容，確實足以證明系爭專利第3、13、24項對該技術領域內之通常知識者而言，並未產生無法預期之功效，應認為係可輕易思及完成而不具進步性。從而被告以系爭專利有違專利法第22條第4項規定，所為舉發成立，應撤銷專利權之處分，於法尚無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤。原告仍執前詞訴請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已明，兩造其餘攻擊防禦方法均與本件判決結果不生影響，故不逐一論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中華民國100年2月24日
智慧財產法院第二庭
審判長法官陳忠行
法官蔡惠如法官熊誦梅以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國100年2月24日
書記官陳士軒