智慧財產法院98年度民專訴字第10號民事判決

裁判字號：智慧財產法院98年民專訴字第10號民事判決

裁判日期：民國98年09月08日

裁判案由：排除侵害專利權

智慧財產法院民事判決
98年度民專訴字第10號原告美商科林研發公司（LamResearchorp.）法定代理人甲0000000訴訟代理人 林秋琴 律師
陳彥希 律師 王仁君 律師 林哲誠 律師複代理人 范銘祥 律師被告新加坡商丙○○○○○○有限公司兼上一人法定代理人乙○○（Micha被告丙○○○○○○(上海)有限公司兼上一人法定代理人丁○○共同訴訟代理人 范曉玲 律師
汪家倩 律師 王孟如 律師複代理人戊○○上列當事人間排除侵害專利權事件，本院於98年8月18日言詞辯論終結，判決如下：
主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：
一、按訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但請求之基礎事實同一、擴張或減縮應受判決事項之聲明，或不甚礙被告之防禦及訴訟之終結者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項第2款、第3款及第7款分別定有明文。查原告於民國98年6月3日具狀追加乙○○、丙○○○○○○（上海）有限公司（即AdvancedMicro-FabricationEquipment
Inc.，下稱大陸中微公司）及丁○○為被告，係基於同一基礎事實之追加，不甚礙被告之防禦及訴訟之終結，揆諸前開說明，應予准許；另原告於起訴時聲明：「一、被告就型號為「PrimoD-RIE」之電漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華民國第136706號或第126873號發明專利之物品，不得自行或使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口或其他一切相關之侵權行為，及不得使用發明第126873號專利之方法，及使用、為販賣之要約、販賣或為上述目的而進口該方法直接製成之物品。」，嗣於98年6月
9日具狀減縮聲明為：「一、被告新加坡商丙○○○○○○有限公司、乙○○、丙○○○○○○(上海)有限公司及丁○○不得自行或使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口型號為「PrimoD-RIE」之電漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華民國第136706號發明專利之物品，或為其他一切相關侵害前述專利之行為。」揆諸前開說明，自應認原告所為訴之減縮係屬合法，應予准許。
二、本件原告公司為美國公司，被告新加坡商丙○○○○○○有限公司（下稱新加坡商中微公司）為新加坡公司，另被告大陸中微公司則為大陸公司，被告丁○○具有美國國籍，故本件具有涉外因素，原告主張被告侵害其專利權而起訴請求排除及防止侵害，為私法爭訟，故本件乃為涉外民事事件，自應適用涉外民事法律適用法及臺灣地區與大陸地區人民關係條例以定本件之管轄及準據法。按「因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄，為民事訴訟法第15條第1項所明定。
所謂行為地，凡為一部實行行為或其一部行為結果發生之地皆屬之。」（最高法院56年度台抗字第369號判例要旨參照），涉外民事法律適用法並未就法院之管轄予以規定，惟原告主張侵權行為地在我國境內，自應類推適用我國民事訴訟法第15條第1項規定，由我國法院管轄。依智慧財產法院組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條規定，本院就此涉外私法專利侵害事件自有管轄權。又關於由侵權行為而生之債，依侵權行為地法，但中華民國法律不認為侵權行為者，不適用之。涉外民事法律適用法第9條及臺灣地區與大陸地區人民關係條例第50條均定有明文。故關於涉外侵權行為之準據法，應適用「侵權行為地」及「法庭地法」，本件原告主張被告之侵權行為係發生在我國境內，依上開規定，本件涉外事件之準據法，應依中華民國之法律。
貳、實體方面：
一、原告起訴主張，其為中華民國第136706號「電漿反應器中之多孔的電漿密封環」發明專利（下稱系爭專利）之專利權人。新加坡商中微公司為被告大陸中微公司在新加坡所設立之海外據點，專事半導體設備銷售及售後支援服務。被告新加坡商中微公司業經我國主管機關認許並成立分公司經登記在案，以負責在我國之業務而以國內之半導體製造商或晶圓廠為其行銷、業務及服務之對象。至於被告大陸中微公司則主要負責設備之開發、製造及出口，其負責人即大陸中微公司董事長兼CEO丁○○（GeraldYIN）及若干高層人員，並曾任職於原告公司。原告頃由自身市場部門所收集及由業界所獲悉之資訊得知，大陸中微公司未經原告之同意或授權，為圖一己不法之利益，竟剽竊使用原告所有之上開系爭專利之「電漿反應器中之多孔的電漿密封環」技術，而運用於其所製造型號為「PrimoD-RIE」之電漿蝕刻機（下稱系爭設備）上，除公開於其網站上陳列、銷售上開侵權之系爭設備外，並私下提供系爭設備之技術簡報等行銷資料予其潛在之目標客戶（即相關國內半導體製造商或晶圓廠）等。經查，被告新加坡商中微公司為販賣、販賣之要約及使用等目的已進口至少二部型號PrimoD-RIE之系爭設備，分別於97年4月間將一部系爭設備引入第三人台灣積體電路製造股份有限公司（下稱台積電公司）位於新竹科學工業園區新竹市○○○路○號，即台積電公司總部及晶圓12廠內，現正進行機器試車及調整階段中；嗣被告又於97年8月間將另一部系爭設備引入第三人華邦電子股份有限公司（下稱華邦公司）位於中部科學工業園區台中縣○○鄉○○○路○號晶圓6B廠現址之N08E廠區內，現正進行機器試車調整階段並已為部分試產。
就後者被告新加坡商中微公司進口系爭設備並引入第三人華邦公司現正使用中而構成侵害系爭專利之事實，業經原告向本院聲請保全證據，經97年度民全字第47號裁定准予保全證據，並於97年12月19日赴第三人華邦公司晶圓6B廠實施保全證據取得系爭蝕刻機照片圖檔之記憶卡壹件、原告（即保全證據聲請人）所委任技術專家於保全現場手寫記錄紙貳張及第三人華邦公司自行提出系爭設備維修手冊壹頁。就系爭設備與原告系爭專利進行分析比對，系爭設備業已落入系爭專利以「電漿處理反應器」為標的之請求項第1、2、3、4、6、7、8、9、11、12、14、19、20、21及23項而構成專利侵害，此有國立中山大學出具專利侵害鑑定報告可稽。而上述關於系爭設備之解析，除有前揭實施保全證據所取得證據資料結果可資為憑外，另有被告中國商中微公司以AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.Asia公司之名義，就系爭設備之結構向美國專利商標局提出第US2008/0000000號（下稱第424號案），及第US2007/0000000號（下稱第
483號案）等專利案，依上開美國專利申請案所揭露之內容，可知系爭設備確實大致與上述相關人二件美國專利申請案所揭示電漿蝕刻機之實施例（例如第424號案之第3圖及第
4圖之結構，及例如第483號案第9圖至第10圖或第11圖至第12圖）相同，而落入原告系爭專利上開請求項。據上，本件被告等確有販賣、為販賣之要約、使用及為上述目的而進口系爭設備及其他侵害系爭專利之物品，而侵害原告之專利權，該等行為已構成專利法第56條第1項及第2項之違反，爰依專利法第84條第1項中段及後段之規定請求排除及防止其侵害。爰聲明求為判決被告新加坡商中微公司、乙○○、大陸中微公司及丁○○不得自行或使他人直接或間接為製造、販賣、販賣之要約、使用或為上述目的而進口型號為「PrimoD-RIE」之電漿蝕刻機或其他一切侵害原告中華民國第136706號發明專利之物品，或為其他一切相關侵害前述專利之行為；並願供擔保請准宣告假執行。
二、被告則以被告新加坡商中微公司登記設立於開曼群島，為跨國性之集團企業，以新加坡商中微公司為總公司，大陸中微公司乃設於上海負責研發製造之生產據點，受新加坡總公司指揮控制，被告新加坡商中微公司非大陸中微公司之海外據點。而被告丁○○早在18年前，即西元1991年即已自原告公司離職，斷無可能以此推論被告新加坡商中微公司之技術與原告有任何關連。原告追加乙○○及丁○○為被告之理由，無非係 以伊 等分別為新加坡商中微公司及大陸中微公司之負責人，從而宣稱依公司法第23條第2項及民法第185條規定，應與其他被告連帶負損害賠償責任，惟依公司法第23條第
2項及民法第185條之規定，其適用範圍僅限於損害賠償責任，而不適用於侵害排除及防止之請求。又系爭設備之相關業務均由新加坡商中微公司負責處理，完全為法人行為而與自然人無關，故原告僅需列新加坡商中微公司為被告請求侵害排除及防止即足保障其權益，被告丁○○及乙○○從未、亦不可能以其個人身分從事系爭設備任何相關業務，縱使因而勝訴取得執行名義，對於藉由強制執行排除「系爭設備」於台灣市場外（即原告本件起訴所請求之排除及防止侵害），毫無任何助益，故將二位公司代表人列為被告，實無權利保護必要。系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵多數皆為西元1996年1月23日公開之日本公開第特開平8-20879號「電漿處理裝置」專利（被證13號）及西元1998年6月26日公開之日本公開第特開平00-000000號「電漿處理裝置」專利（被證16號）所揭露，不具新穎性。唯一技術特徵未見於前載先前技術為「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並架構以電接地於該處理過程中」，然任擇西元1993年5月11日公開之美國公告第0000000號「VHF/UHFreact
orsystem」專利（被證14號），或西元1998年6月30日公開之美國公告第0000000號「Plasmaetchingapparatus」專利（被證15號）結合說明書中所載之先前技術，其仍為所屬技術領域中具有通常技術者即能輕易完成者。又「系爭專利」其餘請求項所有技術特徵，為所屬技術領域中具有通常知識者，均可藉由以下之組合得輕易完成，不具進步性：請求項2之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以「被證17號」、「被證33號」、「被證36號」擇一與「被證13號」組合；請求項3所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以「被證15號」、「被證16號」、「被證20號」、「被證33號」、「被證36號」或系爭專利所載之先前技術任擇其一與「被證13號」組合；請求項4所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以「被證16號」、「被證20號」、「被證17號」、「被證33號」、「被證36號」、系爭專利所載之先前技術任擇其一與「被證13號」組合；請求項6所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以「被證16號」、「被證20號」、「被證17號」、「被證33號」、「被證36號」任擇其一與「被證13號」組合；請求項7所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或將「被證16號」與「被證13號」組合；請求項8所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或「被證33號」與「被證13號」組合；請求項9之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或以系爭專利所載之先前技術或「被證16號」擇一，與「被證14號」或「被證15號」擇一組合；請求項11所載之技術特徵，以「被證36號」與「被證17號」組合；請求項12之技術特徵，以「被證38號」與「被證13號」之組合，或「被證33號」與「被證13號」之組合；請求項14所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或將「被證14號」、「被證15號」擇一與系爭專利所載之先前技術組合；請求項19所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」，或「被證33號」、「被證37號」擇一與「被證13號」組合；請求項20所載之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或「被證33號」與「被證13號」組合；請求項23之技術特徵，以「被證33號」與「被證17號」組合，或「被證33號」與「被證13號」之組合。另被證13可證明系爭專利請求項第1、7、9、11、21項不具新穎性。綜上，系爭專利之申請專利範圍第1、2、3、4、6、7、8、9、11、12、14、19、
20、21及23項，其專利範圍均屬「申請前已見於刊物或已公開使用者」或「有相同之發明或新型申請在先並經核准專利者」而不具新穎性；或「為所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成」而不具進步性，分別依據系爭專利審定核准時專利法第20條第1項第1款、第2款或同條第2項規定，不得取得發明專利。為此，被告新加坡商中微公司已依現行專利法第67條規定向經濟部智慧財產局申請舉發。系爭專利為「中華民國」發明第136706號專利，針對系爭專利有效與否之判斷，應依我國專利法、專利審查基準、及專利審查實務為據，與其他國家專利無涉，原告自不得依據美國專利內容主張系爭專利任何一項請求項為有效，原告所提原證44號，係一外國教授針對一美國專利出具之意見書，與系爭專利之有效性無涉，且該外國教授亦非本案適當之證據方法。系爭專利係將第一及第二射頻電源分別接於電漿蝕刻設備反應室內之上、下電極，係屬西元1990年代左右之技術水準；反觀待鑑定物乃將第一及第二射頻電源均接於「下電極」，此是西元2004年後由被告新加坡商中微公司開發成功之配置方式。兩者技術水準落差約達10年，完全不可能適用均等原則，原證11號之專利侵害鑑定報告居然不知反應室內射頻電源配置演進歷史，錯誤判斷系爭專利與待鑑定物品不同電源配置乃「均等」，足知撰寫該份鑑定報告者根本未具備電漿蝕刻領域專業知識，鑑定報告內容明顯錯誤，不得採為侵權之依據。系爭專利屬中華民國專利，則其效力當然僅及於我國境內，而被告大陸中微半導體公司在我國境內根本沒有任何商業活動，更遑論在我國境內有何專利法第56條所稱之「製造」、「販賣」、「為販賣之要約」、「使用」或「進口」侵權產品之行為；原告主張系爭侵權機器乃由大陸中微半導體公司所製造並「出口」，進而宣稱該等「出口」行為乃「販賣行為之一部分」，從而構成我國專利權之侵害，顯將專利法所未規範或禁止之「出口」行為，硬是扭曲成「販賣」行為，不但違反「屬地原則」，且更形同賦予專利權人享有於其他國家排除該他人「出口」之權利，顯然創設了專利法所無之權能。被告新加坡商中微公司長期花費大量成本、人力研究開發系爭系爭設備，若因假執行而致被告於判決確定前無法繼續產銷系爭設備，勢將使被告新加坡商中微公司無法即時進入市場，從而長期投入之鉅額研發成本將無法回收，顯將遭受鉅額之損害；而包括原告在內之其他競爭者得藉由產銷相類似設備，取代被告於半導體電漿蝕刻設備市場之地位。是以，若於判決確定前禁止被告產銷系爭設備，將造成被告經營事業之重大障礙，而對被告產生不能回復之損害。準此，原告假執行之聲請，依民事訴訟法第391條規定，應予駁回。並聲明求為判決駁回原告之訴及假執行之聲請，如受不利判決，請准供擔保免為假執行。
三、兩造不爭執之事實：
㈠、原告為系爭我國第136706號「電漿反應器中之多孔的電漿密封環」發明專利之專利權人。
㈡、被告新加坡商中微公司進口二部型號PrimoD-RIE之系爭電漿蝕刻機設備，分別於97年4月間按裝於第三人台積電公司位於新竹科學工業園區新竹市○○○路○號，即台積電公司總部及晶圓12廠內，及於97年8月間安裝於第三人華邦公司位於中部科學工業園區台中縣○○鄉○○○路○號晶圓6B廠現址之N08E廠區內。
四、本件兩造主要爭點為：
㈠、原告系爭專利申請專利範圍第1、2、3、4、6、7、8、9、
11、12、14、19、20、21及23項，是否不具專利有效性而有撤銷之原因？
㈡、被告進口之系爭設備是否落入原告系爭專利申請專利範圍第
1、2、3、4、6、7、8、9、11、12、14、19、20、21及23項？
㈢、苟被告進口之系爭設備落原告上開系爭專利申請專利範圍，原告聲明請求部分是應予准許？
五、經查：
㈠、按「當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利。」、「智慧財產民事及刑事訴訟中，當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因，且影響民事及刑事裁判之結果者，法院應於判決理由中，就其主張或抗辯認定之，不得逕以智慧財產權尚未經撤銷或廢止，作為不採其主張或抗辯之理由；亦不得以關於該爭點，已提起行政爭訟程序，尚未終結為理由，裁定停止訴訟程序。」，智慧財產案件審理法第16條及智慧財產案件審理細則第28條第1項亦有規定。本件被上訴人既於本件審理中抗辯上訴人系爭專利有應撤銷之原因存在，揆諸上開說明本院即應自行認定系爭專利有應撤銷之原因存在。又依系爭專利核准公告（90年6月23日）時之專利法（民國83年1月21日修正公布之專利法）第20條第1項規定：「凡可供產業上利用之發明，無下列情事之一者，得依本法申請取得發明專利：一、申請前已見於刊物或已公開使用者。…」同條第2項規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術所能輕易完成且未能增進功效時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。」，若有上開事由存在，即構成專利權撤銷之事由。
㈡、系爭專利之技術內容：
1.系爭專利之先前技術：系爭專利說明書圖2解說習知電漿處理反應器，描述具有處理室壁102的平行板反應器100，處理室壁12具有連接至接地或浮接之選擇，上電極104是連接至具有第一射頻頻率之第一射頻電力源106，上電極104包含有數個氣體分配通孔
105。然而，這些氣體分配通孔可選擇性地或另外配置在例如處理室側壁的其它位置，氣體分配通孔105容許處理氣體通過進入處理室中。上電極104是由上罩108所圍繞，然而上罩108是可選擇且可省略的，下電極110是連接至具有第二射頻頻率之第二射頻電力源112。集中環116圍繞著下電極110，且是由例如氧化鋁的陶瓷材料製成。集中環116傾向於朝向基板特別地在基板的周圍使電漿集中，以改善蝕刻的均勻性。矽環防止基板114受到集中環116的氧化鋁或陶瓷材料之污染。鐵氟龍罩120刻畫出處理室壁102的內部，包含有同心環124與空間126的密封環122圍繞者鐵氟龍罩20內的處理室，密封環122容許氣體漏出並自通口128排出，密封環122是浮接且以絕緣材料製成。電漿130是藉由上電極104、基板114、集中環116、矽環118、及密封環12
2產生於處理過程中且受限於處理室內。距離132可藉由上下移動上電極104有所改變，上電極向上移動以使基板114配置在下電極110上，而向下移動以處理基板114，距離13
2在處理過程中保持預設距離。高度調整是藉由使用螺栓直線致動器(未顯示)予以達成，其使處理室的上部向上或向下移動（其圖式如附圖一所示）。
2.系爭專利技術分析：系爭專利是關於一種用以處理基板之半導體用電漿處理反應器裝置，此裝置包含處理室。此裝置另包含上電極與下電極，上電極是架構以連接至具有第一射頻頻率的第一射頻電力源，下電極是架構以連接至具有第二射頻頻率的第二射頻電力源，而第二射頻頻率是低於第一射頻頻率。此裝置另包含絕緣罩，其標示出處理室的內部，絕緣罩是架構以便在處理過程中電浮接。此裝置另包含多孔的電漿密封環，其配置在下電極的外周圍的外側，此多孔的電漿密封環是配置在基板上表面的下方，並在處理過程中電接地。系爭專利之主要技術特徵為絕緣罩是架構為電浮接，以防止電漿免於經由處理室而接地（說明書第18頁第2至3行），多孔的電漿密封環係接地使電子自處理室中移除，因此降低電漿的密度（說明書第15頁第3至5行）。系爭專利說明書第15頁第18行起有描述「多孔的電漿密封環內側的穿孔最好具有使副產品氣體通過之尺寸，而不需將過度的要求寄託在泵裝置上。同時，穿孔必須具有使電漿受限於前述容積的尺寸。此降低了可造成污染與射頻的不協調之未受限可能性，然而，卻使蝕刻率與蝕刻均勻性最大化。較佳地，多孔的電漿密封環應具有效數量的穿孔以使副產品氣體排出，並實質地使電漿受限。穿孔是未受限於任何特別的形狀，且可以是圓形、溝槽、同中心或類似的圖案。」（其圖式如付圖二所示）。
㈢、系爭專利申請專利範圍（原告主張受侵害之請求項）：
1.一種用以處理基板之半導體用電漿處理反應器，包含：處理室；上電極，架構以連接至具有第一射頻頻率的第一射頻電力源；下電極，架構以連接至具有第二射頻頻率的第二射頻電力源，而第二射頻頻率是低於第一射頻頻率；絕緣罩，刻畫出該處理室的內部，該絕緣罩是架構以電浮接於處理過程中；及多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並架構以電接地於該處理過程中。
2.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，另包含集中環，其配置在該下電極的該外周圍，並鄰接該多孔的電漿密封環。
3.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該上與下電極之間的距離是可調整的。
4.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該上電極包含有數個氣體分配通孔。
6.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該下電極代表靜電夾頭。
7.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該第二頻率約為2MHz。
8.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該上與下電極之間的距離是可調整在0.5與2吋之間。
9.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該絕緣罩是在該處理過程中以藉由存在於該處理室內的電漿實質抗蝕之材料形成。
11.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環的外直徑是大於該絕緣罩的內直徑。
12.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環具有約1/4至2吋之間的厚度。
14.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產品氣體通過，同時使電漿實質地受限於至少由該絕緣罩、該基板及該多孔的電漿密封環所界定的容積。
19.如申請專利範圍第14項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環的穿孔是同心環穿孔。
20.如申請專利範圍第19項之電漿處理反應器，其中數個鄰接的該同心環穿孔之間的空隙分隔有約1/32至1/8吋。
21.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環上表面是配置在該基板上表面的下方小於4吋的位置。
23.如申請專利範圍第1項之電漿處理反應器，其中該多孔的電漿密封環的開口區域百分比約為50%。
㈣、被告抗辯證據之分析：
1.被證13即西元1996年1月23日公開之日本公開第特開平8-20
879號「電漿處理裝置」專利之技術分析：參閱被證27（被告所提被證13之中譯文）說明書第【0001】段揭示本發明係關於一種電漿處理裝置，其將兩個高頻電力施加於兩種電極使電漿產生，以對基板進行蝕刻處理或形成薄膜等。說明書第【0002】段揭示這裡所謂的電漿處理裝置包含：能夠吸真空的真空室、設於真空室之上方的複數枚上部電極、設於真空式的下方的下部電極、將第一高頻電力供給至上部電極的第一高頻電源、將第二高頻電力給予下部電極的第二高頻電源、將待製程電漿的氣體導入此腔室的氣體導入機構、將待處理晶圓（基板）運入及運出此腔室的班搬送裝置、將真空室吸成真空的真空的排氣裝置，及設於腔室之開口部的閘極閥。說明書第【0003】段揭示真空室1接地。腔室因為是金屬製，因此必須與電漿是電絕緣。是故，藉由溶射於腔室內壁可全面性地形成氧化鋁的絕緣層。說明書第【0004】段第5至6行揭示第一高頻是10MHz~120MHz，例如使用54.24MHz。說明書第【0006】段第4至6行揭示第二高頻是1MHz~50MHz，例如使用13.56MHz。說明書第【0016】段揭示「與圖1相同…。於於下部電極21大致同樣高度處係設置有接地的衝切金屬件（punchingmetal）26。因在該金屬件26的下方有真空排氣裝置的抽出口，所以將有孔的金屬板安裝於此處以使氣體通過。因為這是接地電位，所以電漿被封存於這上方的空間。」（其圖式如附圖三所示）。
2.被證14即西元1993年5月11日公開之美國公告第0000000號「VHF/UHFreactorsystem」專利之技術分析：
被證14第1圖揭示一種電漿處理系統，第2圖揭示圖1反應室中具傳輸線結構，其中該岐管屏蔽配置在陰極32C的外圍之外側且岐管屏蔽24上表面是配置在晶圓15上表面之下方，說明書第6欄第1至5行記載「岐管屏蔽24介於真空岐管23及電漿腔室33之間並且提供一導電路徑於腔室壁12及傳輸線結構32的外部導體320之間」。說明書第10欄第15至19行揭示「介於反應腔室外殼12底部與匹配網路箱間35頂部之間之環狀電極64係耦合至匹配網路31及外部導體320至相同電位，例如系統接地。」（其圖式如附圖四所示）。
3.被證15即西元1998年6月30日公開之美國公告第0000000號「Plasmaetchingapparatus」專利專利之技術分析：
被證15揭示一種電漿蝕刻裝置，說明書第6欄第7至10行揭示「複數個穿孔構成環構件17整個周邊」，圖1顯示該環構件之電性係為接地。（其圖式如附圖五所示）。
4.被證16即西元1998年6月26日公開之日本公開第特開平00-000000號「電漿處理裝置」專利之技術分析：
被證16之圖1揭示一種電漿處理裝置100，係用以處理晶圓
W，該電漿蝕刻裝置包含處理室04，說明書第[0041]段記載「因此，當從第二高頻電源154經由第二匹配器152、給電棒16及給電部材126對上部電極124施加規定的電漿產生用高頻電力，該高頻電力例如是0.5至4KW，而且為13.56至100MHz，較佳為27.12MHz」Hz（該第二高頻電源154即為系專利之「第一射頻的第一射頻電力源」），被證16之圖1以及說明書第[0034]段揭示「於載台106上，經由兼作給電路徑的升降軸116及第一匹配器120而連接著第一高頻電源
122，及由從第一高頻電源及升降軸116對載台106施加1至5KW之功率，頻率為380至2MHz，較佳為800KHz之偏壓」（該第一高頻電源122即為系專利之「第二射頻的第二射頻電力源」），其中第一高頻電源122之頻率係低於第二高頻電源154之頻率。被證16圖1及證據7說明書第[0081]段揭示「暴露於電漿處理室104側壁部，亦即從伸出部102a遍及上部電極124外周部的面係由第一屏蔽部材160所覆蓋。該第一屏蔽部材160是由介電材料例如石英所組合，縱方向上的傑面略成反L字形，並且以上述規定面密接的方式配製程略環形」（可知石英為絕緣材料，其係可絕緣電漿以防止電漿免於經由處理室壁而接地可導出第一屏蔽部材160是架構為電浮接）。（其圖式如附圖六所示）。
5.被證17即西元1997年1月21日公開之美國公告第0000000號「Plasmaetchingmethod」專利之技術分析：
被證17揭示一種電漿蝕刻裝置包含一排氣環25，其係由鋁構成，被置在載台24周圍。說明書第4欄第5至8行揭示「多數孔洞25a以相同間格構成排氣環25使得放電室14a連接輔助室」。說明書第4欄第49至50行揭示「上部電極40、處理腔室16之邊壁以及排氣環25接地」。（其圖式如附圖七所示）。
6.被證33即西元1998年9月30日公開之歐洲公告第867913A1號「Plasmaprocessingsystemandplasmaprocessingmethod」專利之技術分析：
被證33揭示一種電漿處理裝置，其說明書第12欄第23至25行揭示「第一圖為一處理室其為一真空室」，第14欄第43至50行揭示「上電極20藉由一匹配盒2（自動阻抗匹配裝置）連接至提供一高頻源之高頻電源供應器28。再者，上電極20藉由濾波器29接地。此濾波器29設定對於高頻電源供應器28之頻率具有一高阻抗之頻率特性，高頻電源供應器28係供應至上電極20」，說明書第15欄第18-23行揭示「用於產生電漿的一高頻電源之頻率施予至上電極20設定在20-300MHz，且較佳地在40-150MHz之範圍。再者，選擇頻率在工業用頻率
13.56MHz的整數倍較有幫助。」其中，高頻電源供應器28即為「具有第一射頻頻率的第一射頻電力源」。說明書第14欄第52行至第15欄第3行記載「另一方面，下電極30（30A，30B）藉由一匹配盒37（自動阻抗匹配裝置）連接至提供偏壓電源之偏壓電源供應器38，再者，下電極30藉由濾波器39接地。此濾波器對於下電極30的偏壓電源供應器38具有一高阻抗之頻率特性，以及對於上電極30的高頻電源供應器28之頻率具有一低阻抗之頻率特性」，說明書第15欄第23-26行記載「施予至下電極的偏壓電源之頻率較佳地為300KHz或高於或低於該上電極頻率的1/4」，其中，偏壓電源供應器38即為「具有第二射頻頻率的第二射頻電力源」。被證33圖
1所揭示電漿處理裝置及說明書第14欄第5-8行揭示記載「處理腔室內腔壁覆蓋13、上電極覆蓋26以及下電極覆蓋34係由對於電漿具有高阻值之材料構成」。被證33說明書第13欄第55行至第14欄第5行記載「處理室10之內部牆表面係藉由處理室內腔覆蓋13覆蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在電漿中。上電極20、上電極絕緣罩21、下電極30以及下電極絕緣罩31（應為誤繕成81）之個別表面藉由一上電極覆蓋26及下電極覆蓋34而覆蓋，個別防止其暴露於電漿中」，熟習該項技術者可直接且無歧異知悉「藉由處理室內腔覆蓋13覆蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在電漿中」可導出「內腔覆蓋13是架構為電浮接」之特徵。被證33號之圖1所揭示電漿處理裝置以及「被證33號」說明書第14欄第22-36行記載「進一步，處理室10提供一電漿散佈防止構件16，其係設置在該腔室內之下電極周圍。此電漿散佈防止構件16具有一結構以防止電漿散佈，同時維持其傳導性夠小至真空排氣。藉由此結構之防備，因此防止電漿散佈至處理室10之下部分或進入真空排氣系統12（此已揭示系爭專利將店漿密封環並接地之技術特徵），於腔室中之兩電極間之電漿密度可增加，因此改善例如蝕刻率之蝕刻特性。再者，由於其真空排氣導通程度保證夠小，低的處理壓力維持在處理室10內。」（其圖式如附圖八所示）。
7.被證36即西元1996年12月24日公開之日本公開特開平0-000000號「電漿處理裝置」專利之技術分析：
被證36說明書[目的]揭示「將在處理容器內所產生的電漿封入在預定場所，使得為了引起高密度的電漿而設在處理容器內的石英構件受到保護，免於因電漿而起之侵蝕，達成石英構件之耐用期間的提升，並且可進行穩定的電漿處理。」。被證36之圖3所示之電漿處理裝置以及說明書[構成]記載「在上部電極2的外周部係被嵌入有石英製環狀遮蔽環25，在下部電極3上之晶圓W的周邊部設有石英製環狀聚焦環19。在該等石英製環之面對電漿的面設置氧化鋁系陶瓷層20、26，係相較於石英，對電漿具有更高耐蝕性之構件。」。
被證3說明書第[0007]段揭示「該電漿蝕刻裝置係由：由鋁等成形為圓筒狀的腔室（處理容器）1、在該腔室1內面對面配設的上部電極（第一電極）2與下部電極（第二電極）
3所構成。」。被證36說明書第[0013]段揭示「此外，前述上部電極2係與用以阻止被施加至下部電極3之高頻成分侵入的低通濾波器23相連接。該低通濾波器23係與高頻電源24相連接。其中，高頻電源24即為「具有第一射頻頻率的第一射頻電力源」。被證36說明書第[0011]段揭示「前述下部電極3係與用以阻止被施加至上部電極2之高頻成分侵入的高通濾波器10相連接。該高通濾波器10係與用以供給具有例如800KHz之頻率的電壓的高頻電源11相連接。」，說明書第[0013]段揭示「該高頻電源24係具有比與前述下部電極3相連接之高頻電源1更高的頻率，例如27.12MHz的頻率。」，其中，高頻電源11即為「具有第二射頻頻率的第二射頻電力源」，且由該揭示可知高頻電源11之頻率係低於高頻電源24之頻率。被證3之圖3所揭示電漿處理裝置及說明書第[0022]段揭示「本實施例係在如第3圖所示在第1實施例的腔室1設有石英製之可裝設卸除之圓筒30之處有所不同。」。被證36之圖3所揭示電漿處理裝置以及被證36說明書第[0011]段揭示「在前述下部電極3的周圍與腔室1之內壁面之間配設有環狀擋板(baffle)14。在該擋板14係穿設有多數個排氣口15，用以由前述下部電極3的周圍均一地進行排氣。在該排氣口的下方設有將前述腔室1內的處理氣體進行排氣的排氣管16，該排氣管16係與真空泵17相連接。（其圖式如附圖九所示）。
8.被證37即西元1997年2月25日公開之美國公告第0000000號「AdjustableDCbiascontrolinaplasmareactor」專利之技術分析：
被證37圖1揭示一漿反應室，其圖2及說明書第4欄第65-6
7行揭示「如圖2所示，電漿隔板30可由具環狀元素之拱形狹縫40所構成，大體上如圖所示」（其圖式如附圖十所示）。
9.被證38即西元1995年8月29日公開之美國公告第0000000號「Anisotropicetchingmethod」專利之技術分析：
被證38之圖1揭示一電漿蝕刻裝置，其說明書第5欄第10-1
1行記載「排氣環66係構成以具有10-20mm之厚度」。（其圖式如附圖十一所示）。
㈤、被告抗辯系爭專利申請專利範圍具有撤銷原因之比對分析：被告抗辯系爭專利具有無效性原因之證據組合如附表一所示。
1.系爭專利請求項第1項不具新穎性：附表一爭點1之分析：
①經查被證13之說明書第【0001】段揭示一種電漿處理裝置力
其將兩個高頻電力施加於兩種電極使電漿產生，以對基板進行蝕刻處理或形成薄膜等。說明書第【0002】段揭示該電漿處理裝置包含：能夠吸真空的真空室、設於真空室之上方的複數枚上部電極、設於真空式的下方的下部電極、將第一高頻電力供給至上部電極的第一高頻電源、將第二高頻電力給予下部電極的第二高頻電源。說明書第【0003】段揭示該真空室1係接地，腔室因為是金屬製，因此必須與電漿是電絕緣。是故，藉由溶射於腔室內壁可全面性地形成氧化鋁的絕緣層，故發明所屬技術領域中具通常知識者可以推導出該絕緣層係電浮接的狀態以電性絕緣電漿與真空室以使電漿免於經由真空室而接地。說明書第【0004】段第5至6行揭示第一高頻是10MHz~120MHz，例如使用54.24MHz。說明書第【0006】段第4至6行揭示第二高頻是1MHz~50MHz，例如使用13.56MHz，其已揭示第一高頻高於第二高頻之技術特徵。說明書第【0016】段揭示「與圖1相同…。於下部電極1大致同樣高度處係設置有接地的衝切金屬件（punchingmetal）26。因在該金屬件26的下方有真空排氣裝置的抽出口（圖式未標示），所以將有孔的金屬板安裝於此處以使氣體通過。因為這是接地電位，所以電漿被封存於這上方的空間」。比較被證13其第3圖已揭示於真空室之內側壁設置絕緣體的板(19，20)，說明書第【0013】段揭示固定絕緣板20與可動絕緣板能夠與固定絕緣板一同不遺漏地覆蓋腔室的內壁，故被證13之絕緣板已揭示系爭專利之絕緣罩其刻畫出反應室之結構特徵，且該絕緣板係以電性絕緣電漿與真空室以防止電漿免於經由處理室而接地，故被證13揭示了系爭專利請求項第1項之絕緣罩相同功能之構件。再者，被證13揭示之衝切金屬件26，其說明書第[0016]段揭示「於與下部電極2大致同樣高度係設置有接地的衝切金屬件26，因再將有孔的金屬板安裝於此處以使氣體通過。因為這是接地電位，所以電漿被封存於這上方的空間」，其已揭示該金屬件為具有孔的金屬板，而可以氣體通過，並且因為該金屬件係接地，所以可以防止電漿進入多孔的電漿密封環的下方區域，該衝切金屬件具有如系爭專利請求項1之電漿密封環之功效之構件。原告於民事準備（四）狀答辯「由系爭專利之說明書第15頁第二段至第17頁第2行指出多孔密封環具有相當厚度，並於一實施例中例示為『約1/4至2吋之間的厚度。此厚度是依據所適用的材料及其他製造的考量而定』，同時，說明書亦敘明密封環之穿孔尺吋、數量、形狀及開口區域百分比係經選定以使副產品氣體排出，並同時實質以限縮至電漿於多孔電漿密封環上游側，…由此可知，系爭專利之多孔電漿密封環係一具有相當厚度之環，且藉由環之厚度、接地、材料及穿孔之尺寸、數量、形狀、開口區域百分比等之技術手段（技術內容詳參原證3系爭專利說明書第15頁至第18頁）而能同時達到排氣效率及密封環兩功效，並有將電子自處理室中被移除，進而降低了電漿的密度，使得電漿中離子的能量增加之功效，而被證13僅在圖3中簡單地以側視圖、虛線表示以外，並未揭露衝切金屬件26之孔洞形狀、配置等重要技術內容，自未揭露如何達成系爭專利之『排出副產品氣體』與『電漿密封』二者之平衡的效果」等云云，惟原告所稱該密封環具有一定之環之厚度、接地、材料及穿孔之尺寸、數量、形狀、開口區域百分比等之技術手段而能同時達到排氣效率及密封環兩功效，該技術特徵並未記載於系爭專利請求項第1項中，由請求項第1項之記載該多孔的電漿密封環之技術特徵為「該密封環係配置於下電極之外周圍的外側，該多孔的電漿密封環222上表面是配置在基板214上表面的下方，並架構以電漿接地於該處理過程」，解釋申請專利範圍時自不應該將記載於發明說明但未記載於申請專利範圍之技術特徵列入申請專利範圍中以限縮申請專利範圍。
②再者，原告於98年7月17日民事陳報狀第13頁第[30]段略
稱「由JP8-20879號專利案（被證13）圖3顯示接地的金屬件確實時接觸到下電極，該引證對於確保接地的衝切金屬件與下電極絕緣的重要性毫無揭示」等云云。惟查被證13於圖式僅顯示該衝切金屬件係被置於下電極之外周圍，該引證之圖式及說明書並未教示該衝切金屬件與下電極之間為電性接觸，原告於民事陳報狀第13頁中亦自承「系爭專利教示『多孔的電漿密封環與下電極之間的接觸表面應該是電絕緣的，如此項技藝中所周知（參酌系爭專利說明書第7欄第36至39行）』」，故對於發明所述技術領域中具通常知識者而言，在參酌被證13之揭示下應該會直接且無歧異推知該衝切金屬件與下電極間應該為電絕緣，故原告所述實不足採。
③由被證13說明書第[0016]段揭示及第1圖顯示之衝切金屬件
可知該衝切金屬件揭露了系爭專利專利請求項第1項之密封環之等效之結構特徵。被證27（被證13之中譯本）第【0007】段揭示有「下部電極亦常呈回轉對稱的形狀，晶圓亦常呈圓形。諸如下部電極21成角形、晶圓亦成角形」，由該揭示可直接且無歧異推知當晶圓呈圓形則下電極係呈圓形，被證27（被證13之中譯本）第【0017】段揭示有「腔室可以是圓筒狀」，由上揭示再配合第1至3圖所揭示該衝切金屬件係配置在下部電極之外側，則可直接推導該衝切金屬件為一環射於下部電極與圓筒狀腔室壁之間之環狀構件。
④綜上，被證13已明確揭露系爭專利請求項第1項實質相同結
構或雖未明確揭露但由被證13說明書及圖式揭示可直接且無歧異推知之發明，故由被證13可證明系爭專利請求項第1項不具新穎性。
2.系爭專利請求項第1項不具進步性：①附表一爭點2及爭點3之分析：
系爭專利自承之先前技術(系爭專利圖式第2圖)揭示一處理室壁102的平行板反應器100。處理室壁102具有連接至接地或浮接之選擇。上電極104是連接至具有第一射頻頻率之第一射頻電力源106。上電極104包含有數個氣體分配通孔105。然而，這些氣體分配通孔可選擇性地或另外配置在例如處理室側壁的其它位置。氣體分配通孔105容許處理氣體通過進入處理室中。上電極104是由上罩108所圍繞，下電極110是連接至具有第二射頻頻率之第二射頻電力源112。鐵氟龍罩120刻畫出處理室壁102的內部。系爭專利請求項第1項與該習知技術之改良在於「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並架構以電接地於該處理過程」。經查被證14（舉發證據4）第1圖揭示一種電漿處理系統，第2圖揭示圖1之反應室中具傳輸線結構，其中該岐管屏蔽配置在陰極32C的外圍之外側且岐管屏蔽24上表面是配置在晶圓15上表面之下方，說明書第6欄第1至5行揭示「岐管屏蔽24介於真空岐管23及電漿腔室33之間並且提供一導電路徑於腔室壁12及傳輸線結構32的外部導體320之間」。說明書第10欄第15至19行揭示「介於反應腔室外殼12底部與匹配網路箱間35頂部之間之環狀電極64係耦合至匹配網路31及外部導體320至相同電位，例如系統接地。」。或由被證15揭示一種電漿蝕刻裝置，其圖1及說明書第6欄第7至10行揭示「複數個穿孔構成環構件17整個周邊」，圖1顯示該環構件之電性係為接地。故被證14或被證15已揭示「多孔的電漿封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並架構以電接地」之技術特徵，比較系爭專利自承之先前技術及被證14、被證15均為電漿反應室之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯，再者，被證14及被證1均揭示接地之環構件，其亦可達成系爭專利之電漿密封環之相同功效，故組合後之發明並未產生無法預期之功效，故系爭專利請求項第1項為系爭專利自承之先前技術及被證14之簡單組合或系爭專利自承之先前技術與被證15之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
②附表一爭點4及爭點5之分析：
被證16之圖1揭示一種電漿處理裝置100，係用以處理晶圓
W，該電漿蝕刻裝置包含處理室104，說明書第[0041]段揭示「當從第二高頻電源154經由第二匹配器152、給電棒14及給電部材126對上部電極124施加規定的電漿產生用高頻電力，該高頻電力例如是0.5至4KW，而且為13.56至100MHz，較佳為27.12MHz」（該第二高頻電源154即為系專利之「第一射頻的第一射頻電力源」），被證16之圖1以及說明書第[0034]段揭示「於載台106上，經由兼作給電路徑的升降軸116及第一匹配器120而連接著第一高頻電源122，及由從第一高頻電源及升降軸116對載台106施加1至5KW之功率，頻率為380至2MHz，較佳為800KHz之偏壓」（該第一高頻電源122即為系專利之「第二射頻的第二射頻電力源」），其中第一高頻電源122之頻率係低於第二高頻電源15
4之頻率。被證16圖1及說明書第[0081]段揭示「暴露於電漿處理室104側壁部，亦即從伸出部102a遍及上部電極124外周部的面係由第一屏蔽部材160所覆蓋。該第一屏蔽部材
160是由介電材料例如石英所組合，縱方向上的截面略成反
L字形，並且以上述規定面密接的方式配製程略環形」（可知石英為絕緣材料，其係可絕緣電漿以防止電漿免於經由處理室壁而接地可導出第一屏蔽部材160是架構為電浮接）。
被證16未揭示系爭專利之「多孔的電漿密封環，配置在下電極的外周圍的外側，該多孔的電漿密封環上表面是配置在基板上表面的下方，並架構以電接地於該處理過程中。」，惟該技術特徵已見於於被證14或被證15（如前述理由），比較被證16、被證14或被證1均為均為電漿反應室之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯，再者，被證14及被證15均揭示接地之環構件，其亦可達成系爭專利之電漿密封環之相同功效，故組合後之發明並未產生無法預期之功效，故系爭專利請求項第1項為被證16與被證14之簡單組合或被證16與被證15之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
③附表一爭點6之分析：
⑴被證33揭示一種電漿處理裝置，其說明書第12欄第23至25行
揭示「第一圖為一處理室其為一真空室，其包含上電極20藉由一匹配盒2（自動阻抗匹配裝置）連接至提供一高頻源之高頻電源供應器28，說明書第15欄第18-23行揭示「用於產生電漿的一高頻電源之頻率施予至上電極20設定在20-300
MHz，且較佳地在40-150MHz之範圍。再者，選擇頻率在工業用頻率13.56MHz的整數倍較有幫助。」，其中，高頻電源供應器28即為「具有第一射頻頻率的第一射頻電力源」。
說明書第14欄第52行至第15欄第3行揭示「下電極30（30，30B）藉由一匹配盒37（自動阻抗匹配裝置）連接至提供偏壓電源之偏壓電源供應器38」，說明書第15欄第23-26行揭示「施予至下電極的偏壓電源之頻率較佳地為300KHz或高於或低於該上電極頻率的1/4」，其中，偏壓電源供應器38即為「具有第二射頻頻率的第二射頻電力源」。被證33說明書第13欄第55行至第14欄第5行揭示「處理室10之內部牆表面係藉由處理室內腔覆蓋13覆蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在電漿中」。熟習該項技術者可直接且無歧異知悉「藉由處理室內腔覆蓋13覆蓋以防止處理室之內部金屬部分暴露在電漿中」可導出「內腔覆蓋13是架構為電浮接」之特徵。
被證33號之圖1及說明書第4欄第22-36行揭示「處理室10提供一電漿散佈防止構件16，其係設置在該腔室內之下電極周圍。此電漿散佈防止構件16具有一結構以防止電漿散佈，同時維持其傳導性夠小至真空排氣。藉由此結構之防備，因此防止電漿散佈至處理室10之下部份或進入真空排氣系統1」，再者，參酌被證33說明書第14欄第30至33行揭示「該電漿散佈防止構件16中之兩電極間之電漿密度可增加，因此改善例如蝕刻率之蝕刻特性」。
⑵被證17揭示一種電漿蝕刻裝置包含一排氣環25，其係由鋁構
成，被置在載台24周圍。說明書第4欄第5至8行揭示「多數孔洞25a以相同間隔構成排氣環25使得放電室14a連接輔助室」。說明書第4欄第49至50行揭示「上部電極40、處理腔室16之邊壁以及排氣環25係接地」。比較被證33及被證17均為電漿反應室之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯，再者，被證17揭示接地之環構件，其亦可達成系爭專利之電漿密封環之相同功效，故組合後之發明並未產生無法預期之功效，故系爭專利請求項第1項為被證33與被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
④附表一爭點7之分析：
被證36之圖3揭示一電漿處理裝置其包含，上部電極2，下部電極3，及其上之晶圓W的周邊部設有石英製環狀聚焦環19。說明書第[0013]段揭示「前述上部電極2係與用以阻止被施加至下部電極3之高頻成分侵入的低通濾波器23相連接。該低通濾波器23係與高頻電源24相連接。」其中，高頻電源24即為「具有第一射頻頻率的第一射頻電力源」，說明書第[0011]段揭示「前述下部電極3係與用以阻止被施加至上部電極2之高頻成分侵入的高通濾波器10相連接。該高通濾波器10係與用以供給具有例如800KHz之頻率的電壓的高頻電源11相連接。」，說明書第[0013]段揭示「該高頻電源24係具有比與前述下部電極3相連接之高頻電源11更高的頻率，例如27.12MHz的頻率。」，其中，高頻電源11即為「具有第二射頻頻率的第二射頻電力源」，且由該揭示可知高頻電源11之頻率係低於高頻電源24之頻率。被證36之圖3所揭示腔室1設有石英製之可裝設卸除之圓筒30，其圓筒內部周面設有氧化鋁系陶磁層31以保護石英製圓統免於因電漿之侵蝕，其對應系爭專利之絕緣罩，被證36之圖3所揭示電漿處理裝置以及被證36說明書第[0011]段揭示「在前述下部電極
3的周圍與腔室1之內壁面之間配設有環狀擋板(baffle)14。在該擋板14係穿設有多數個排氣口15，用以由前述下部電極3的周圍均一地進行排氣。在該排氣口的下方設有將前述腔室1內的處理氣體進行排氣的排氣管16，該排氣管16係與真空泵17相連接。被證36未明確揭露該環形檔板係為接地之技術特徵。查被證17揭示一種電漿蝕刻裝置包含一排氣環25，其係由鋁構成，被置在載台24周圍。說明書第4欄第5至8行揭示「多數孔洞25a以相同間格構成排氣環25使得放電室14a連接輔助室」。說明書第4欄第49至50行揭示「上部電極40、處理腔室16之邊壁以及排氣環25係接地」。比較被證36及被證17均為電漿反應室之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯，再者，被證17揭示接地之環構件，其亦可達成系爭專利之電漿密封環之相同功效，故組合後之發明並未產生無法預期之功效，故系爭專利請求項第1項為被證36與被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
3.系爭專利請求項第2項不具進步性：①附表一爭點9之分析：
⑴被證13未揭示「包含集中環，其配置在該下電極之外周圍，
並鄰接該多孔的電漿密封環」之技術特徵，經查被證17之圖
1揭示一電漿蝕刻裝置其說明書第4欄第30-32行揭示「一集中環（focusring）17係由導體或絕緣材料構成配置在載台24上以包圍作為目標之晶圓W」；被證17說明書第3欄第65-67行揭示「配置在支撐基部22之上且由如鋁組成一載台24係視為一下電極」，並可由被證17之圖1得知集中環17係鄰接一排氣環25，其中排氣環可對應系爭專利之電漿密封環構造，參照系爭專利說明書第13頁第5至6行揭示「集中環26傾向朝向基板特別地在基板的周圍使電漿集中，以改善蝕刻的均勻性」係為設置集中環所欲達成之功效，被證17說明書第4欄第33至35行揭示該集中環17可達成晶圓每部分之蝕刻均勻性，比較被證13及被證17均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其組合對於發明所屬技術領中具通常知識者而言應認為明顯，被證17亦教示該集中環17之設置可達成蝕刻均勻性，故組合被證13與被證17後之發明並未產生無法預期之功效，整體觀之，本項發明為依據被證13及被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
⑵再者，被證36之圖1已揭示電漿處理裝置中碳化矽製聚焦環
18、下部電極3及環狀擋板4，參酌被證36說明書第[0012]段揭示「在前述下部電極3上之晶圓W的周圍，係配置有環狀碳化矽製聚焦環18，其將晶圓W上的電漿朝晶圓W的外向擴展，藉此形成連晶圓W的周緣部都均一的電漿」，比較被證13及被證36均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其組合對於發明所屬技術領中具通常知識者而言應認為明顯，被證36亦教示該聚焦環18之設置可達成均一的電漿，其即可達蝕刻均勻性，故請求項第2項相較於被證13與被證36之組合並未產生無法預期之功效，其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
②附表一爭點8之分析：
由前述技術分析可知被證33與被證17之組合可證明系爭專利請求項第1項不具進步性，參酌本項理由1，被證17揭示系爭專利請求項第2項之附屬技術特徵，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證33及被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
4.系爭專利請求項第3項不具進步性：附表一爭點10至12之分析：
經查被證13未揭示上、下電極間之距離可調整的技術特徵。
經查被證33之圖1揭示電漿蝕刻裝置，其說明書第13欄第26-35行揭示「介於該上電極與下電極之間之一間隙距離，介於上電極20之上電極板22的下表面與下電極30之靜電吸盤40的上表面係樣本底座表面41之一距離，該距離設定在15mm至100mm之一範圍，較佳為20mm至50mm。再者，系爭專利之先前技術（系爭專利之圖2）顯示習知電漿處理反應器，系爭專利說明書第12頁第6行至第7行揭示「距離132可藉由上下移動上電極104有所改變」。其揭示了如系爭專利上下電極間之距離是可調整的技術特徵。比較被證33、系爭專利所自承之先前技術與被證13及被證1均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，再者，本項發明所界定上下電極間之距離是可調整，該技術特徵已為被證33及系爭專利自承之先前技術所揭示，整體觀之，本項發明係電漿蝕刻機台製造設計業者具有通常知識者依據被證13及被證33之簡單組合或被證13及系爭專利先前技術之簡單組合或被證33與被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
5.系爭專利請求項第4項不具進步性：附表一爭點13至15之分析：
被證13未揭示「上電極包含有數個氣體分配通孔」，經查被證17號之圖1所揭示電漿處理裝置，其說明書第4欄第57-6
1行揭示「上部電極40具有一噴頭結構。特別是，上部電極40具有一內空且大數量之氣體擴散孔洞42構成在本身相對於晶圓W之整個表面」之技術特徵。再者，被證33之圖1所揭示電漿處理裝置，及其說明書第12欄第43-47行揭示「當引入氣體至處理腔室10內，其藉由上電極20與上電極板22所提供之孔洞以及氣體分散板23內之開口，以具有一預設氣體分佈」，其亦揭示有如系爭專利之電極板包含有數個氣體分配孔之技術特徵。又被證16之圖1所揭示電漿處理裝置，其圖
1及說明書第[0037]揭示「構成為在上部電極124，設有複數個氣體導入孔124a，經由該氣體導入孔124a，與給電部材
126之間所形成之中空部126a及處理室104相互連通」，其亦揭示有如系爭專利之電極板包含有數個氣體分配孔之技術特徵。被證20之圖1所揭示電漿處理裝置，其說明書第5欄第4-9行揭示「處理腔室101之一頂板102係構成以運作視為一上電極及用於提供一處理氣體之一噴頭。為此，許多氣體供給孔洞104係構成於該頂板102之中間部位（相對於目標之表面）」，其亦揭示有如系爭專利之電極板包含有數個氣體分配孔之技術特徵。被證36之圖1所揭示電漿處理裝置，其說明書第[0013]段揭示「在該上部電極2的下側部分穿設有多數個氣體擴散孔22」，其亦揭示有如系爭專利之電極板包含有數個氣體分配孔之技術特徵。再者，系爭專利之圖
2顯示習知電漿處理反應器，而關於圖2之先前技術於說明書第11頁第12行至第13行揭示「上電極104包含有數個氣體分配通孔105」，比較被證13、被證16、被證1、被證20、被證33、被證36及系爭專利所自承之先前技術均為電漿蝕刻裝置相同技術領域，其組合對於電漿蝕刻機台製作設計領域中具通常知識者而言應認為是明顯，再者，本項發明所進一步限定之「上電極板包含有數個氣體分配孔」技術特徵已見於被證16、被證1、被證20、被證33、被證36及系爭專利所自承之先前技術，整體觀之，本項發明僅為被證13與被證16之簡單組合、被證13與被證17之簡單組合、被證13與被證20之簡單組合、被證13與被證33之簡單組合、被證13與被證36之簡單組合、被證13與系爭專利所自承之先前技術之簡單組合或被證17與被證33之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
6.系爭專利請求項第6項不具進步性：附表一爭點16至17之分析：
被證13未揭示下電極為靜電夾頭，被證17之圖1顯示電漿蝕刻裝置其說明書第4欄第2-23行揭示「用以吸住及夾住當作目標的半導體晶圓W之一靜電吸盤36係配置在載台24之上表面」。被證33之圖揭示電漿蝕刻裝置，其說明書第13欄第3-
4行記載「下電極30是一雙極靜電吸盤」。被證16之圖1顯示電漿處理裝置，其說明書第[0030]段揭示「在載置晶圓之載台106的載置面，設有與晶圓W大致同型的靜電夾盤112。」。被證20之圖1顯示電漿蝕刻裝置，其說明書第7欄第5-8行揭示「用以固定在載台104上目標W之一靜電吸盤（未顯示）或一機械夾機構（未顯示）配置在載台104之支撐表面上」。被證36之圖1揭示電漿蝕刻裝置，其說明書第[0010]段揭示「在該下部電極3的上面設有將晶圓W暫時固定的靜電吸盤」。比較被證13、被證16、被證17、被證20、被證33、被證36均為電漿蝕刻裝置相同技術領域，其組合對於電漿蝕刻機台製作設計領域中具通常知識者而言應認為是明顯，再者，本項發明所進一步限定之「下電極為靜電夾頭」技術特徵已見於被證16、被證17、被證2、被證33、被證36，本項發明僅為被證13與被證16之簡單組合、被證13與被證17之簡單組合、被證13與被證20之簡單組合、被證13與被證33之簡單組合、被證13與被證36之簡單組合、或被證17與被證33之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
7.系爭專利請求項第7項不具新穎性、進步性：附表一爭點18至20之分析：
①被證13之說明書第[0006]段已揭示第二高頻是1MHz~50MHz
，系爭專利申請專利範圍第7項所請頻率範圍為2MHz，該選擇數值係在可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍，而該選擇為發明所屬技術領域中具通常知識者經由例行工作之普通手段即能無歧異得知者，整體觀之，單獨由被證13即可證明系爭專利申請專利範圍第7項不具新穎性。②由前述技術分析可知被證33與被證17之組合可證明系爭專利
請求項第1項不具進步性，本項發明為請求項第1項之之附屬項，由被證33說明書第1欄第38至40行揭示「施予至放置樣本晶圓之偏壓側上的電極一電源頻率設定在數個MHz或更小」，其雖未明確揭示如本項之2MHz，惟由被證33之教示，發明所屬技術領域中具通常知識者，在經由普通例行之工作手段即能完成系爭專利之操作頻率，故本項發明係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
8.系爭專利請求項第8項不具進步性：附表一爭點21之分析：
經查被證13未揭示上、下電極間之距離可調整在0.5與2吋（12.7至50.8mm）之間，經查被證33之圖1揭示電漿蝕刻裝置，其說明書第13欄第26-35行記載「介於該上電極與下電極之間之一間隙距離，介於上電極20之上電極板22的下表面與下電極30之靜電吸盤40的上表面係樣本底座表面41之一距離，該距離設定在15mm至100mm之一範圍，較佳為20mm至50mm」。比較被證33與被證13均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其組合應被認為明顯，再者，本項發明所界定上下電極間之距離是可調整在0.5至2吋（12.7至50.8mm）之間，該數值範圍係在參酌被證33所揭示之可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍，而該選擇為發明所屬技術領域中具通常知識者經由例行工作之普通手段即能得知者，並未產生無法預期之功效，整體觀之，本項發明為被證13及被證33之簡單組合或被證17與被證33之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
9.系爭專利請求項第9項不具新穎性、進步性：①附表一爭點22之分析：
經查被證13說明書第[0018]段揭示利用石英作為絕緣物以接觸於真空室內壁，以電性絕緣電漿與真空室。參酌系爭專利說明書第18頁第一段實施例有列舉絕緣罩之材料運用石英，亦可運用碳化矽、石墨或杜邦化學公司品的Vespel。故被證13已揭示了本項發明之絕緣罩材料，故由被證13可證明系爭專利請求項第9項不具新穎性。
②附表一爭點23至25之分析：
由前述分析可知被證33與被證17之組合或系爭專利所自承之先前技術與被證14之組合或系爭專利所自承之先前技術與被證15之組合或被證16與被證14組合或被證16與被證15之組合可證明系爭專利請求項第1項不具進步性，本項發明係依附於第1項之附屬項，查被證3之說明書第14欄第5至8行揭示「處理腔室內腔壁覆蓋13係由對電漿具有高阻質之材料構成」或由系爭利自承之先前技術（說明書第11頁第12行）揭示「鐵氟龍罩」120之材料，被證16說明書第[0081]段揭示第一屏蔽部材料160為介電材料例如石英所組成，其已揭示本項發明之附屬技術特徵，故本項發明為被證33與被證17之簡單組合或系爭專利先前技術與被證14之簡單組合或系爭專利先前技術與被證15之簡單組合，或被證16與被證14之簡單組合或被證16與被證15之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
10.系爭專利請求項第11項不具新穎性、進步性：①附表一爭點26之分析：
經查被證13圖1至圖3顯示衝切金屬件26之外徑係大於溶射絕緣層2或屏蔽環19（B環）之內直徑，故被證13可證明系爭專利請求項第11項不具新穎性。
②附表一爭點27之分析：
由前述分析可知被證36與被證17之組合可證明系爭專利請求項第1項不具進步性，本項發明係依附於第1項之附屬項，查被證36之圖3顯示環狀檔板14之外徑大於石英圓筒30，其已揭示本項發明之附屬特徵，故整體觀之，系爭專利請求項第11項為被證36與被證17之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
11.系爭專利請求項第12項不具進步性：①附表一爭點28及爭點29之分析：
⑴本項係關於獨立項第1項之多孔的電漿密封環具有約1/4至
2吋（6.35mm至50.8mm）之間的厚度限定，經查被證38之圖
1所揭示電漿蝕刻裝置，其說明書第5欄第10-11行揭示記載「排氣環66係構成以具有10-20mm之厚度」。比較被證38與被證13均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，再者，本項發明所界定電漿密封之厚度之數值範圍約1/
4至2吋（6.35mm至50.8mm）之間，該數值範圍係在參酌被證38所揭示之可能的、有限的範圍內選擇具體的尺寸、溫度範圍，而該選擇為發明所屬技術領域中具通常知識者經由例行工作之普通手段即能得知者，並未產生無法預期之功效，故本項發明為被證13及被證38之簡單組合，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
⑵再者被證33之圖1所揭示電漿蝕刻裝置及被證33說明書第48
欄第22-26行揭示「本發明電漿散佈防止構件之特徵及優點將以一例子於之後概述，該例子使用5mm厚、狹縫開口3mm寬、圓周方向長度30mm之一薄板。」，又被證33說明書第47欄第53-56行揭示了「此外，由複數個孔洞構成之薄板，其厚度較佳地設定3mm或更厚以防止本體（bulk）電漿流入。
」，其已教示防止本體電漿流入之效果取決於薄板之厚度，比較被證33與被證13均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，本項發明之密封環厚度之數值範圍係發明所屬技術領域中具通常知識者經由例行工作之普通手段即能得知者，並未產生無法預期之功效，整體觀之，其係運用申請前既有之技術或知識，為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。
12.系爭專利請求項第14項不具新穎性、進步性：附表一爭點30至32之分析：
①被證13說明書第[0016]段揭示「於與下部電極21大致同樣高
度係設置有接地的衝切金屬件26。因再將有孔的金屬板安裝於此除以使氣體通過。因為這是接地電位，所以電漿被封存於這上方的空間」，參酌系爭專利請求項第1項之理由，故由被證13可證明系爭專利請求項第14項不具新穎性。
②再者，被證33說明書第14欄第22-36行揭示「處理室10提供
一電漿散佈防止構件16，其係設置在該腔室內之下電極周圍。此電漿散佈防止構件16具有一結構以防止電漿散佈，同時維持其傳導性夠小至真空排氣。藉由此結構之防備，因此防止電漿散佈至處理室10之下部份或進入真空排氣系統12，於腔室中之兩電極間之電漿密度可增加，因此改善例如蝕刻率之蝕刻特性。再者，由於其真空排氣導通程度保證夠小，低的處理壓力維持在處理室10內」，再者，被證17說明書第4欄第49至50行揭示「上部電極40、處理腔室16之邊壁以及排氣環25接地」。故組合被證33及被證17後之發明應具有請求項第14項之「該多孔的電漿密封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產品氣體通過，同時使電漿實質地受限於至少由該絕緣罩、該基板及該多孔的電漿密封環之功效，比較被證33及被證17均為電漿反應室之相同技術領域，其組合對於發明所屬技術領域中具通常知識者而言應為明顯，組合後之發明並未產生無法預期之功效，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由被證33及被證17之組合可證明系爭專利請求項第14項不具進步性。
③由被證14之圖2顯示歧管屏蔽24係具有多孔，被證14號說明
書第6欄第10-16行揭示「整個氣體流係沿著路徑19進入進氣歧管27，然後沿著從進氣歧管至晶圓15之路徑20，然後外表放射狀地沿著從晶圓周圍邊緣穿過屏蔽24進入氣體歧管之路徑21，且沿著從排氣歧管22至排氣系統16之路徑16」，其已揭示系爭專利第14項之「多孔的電漿密封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產品氣體通過」之技術特徵，再者，被證14說明書第10欄第15至19行揭示「介於反應腔室外殼12底部與匹配網路箱間35頂部之間之環狀電極64係耦合至匹配網路31及外部導體320至相同電位，例如系統接地。」，故因為這是接地電位，所以電漿被封存於由絕緣罩、基板及多孔歧管屏蔽24上方的空間」，整體觀之，本項發明為被證14與系爭專利自承之先前技術之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由系爭專利自承之先前技術及被證14之組合可證明系爭專利請求項第14項不具進步性。
④或由被證15說明書第6欄第7-10行揭示「複數個穿孔18構成
環構件17整個周邊」，被證15號說明書第8欄第28-33行記載「非等向性蝕刻產生之揮發性反應產品例如SiCl4係經由裝載台12之氧化鋁環構件17中多孔18從處理腔室3引至傳送段5，再從排氣口8排向傳送段5之外」其已揭示系爭專利第14項之「多孔的電漿密封環具有數個穿孔，其架構以使來自該處理過程的副產品氣體通過」之技術特徵，再者，圖1顯示該環構件之電性係為接地，所以電漿被封存於由絕緣罩、基板及多孔環構件17上方的空間，整體觀之，本項發明為被證15與系爭專利自承之先前技術之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由系爭專利自承之先前技術及被證15之組合可證明系爭專利請求項第14項不具進步性。
13.系爭專利請求項第19項不具進步性：①附表一爭點33及34之分析：
⑴被證13僅揭示衝切金屬件具有孔，其並未教示該穿孔為同心
環穿孔，經查被證33號說明書第48欄第45-47行揭示「根據本發明此實施例，複數個狹縫開口由同心環構成」。被證33說明書第47欄第13-17行揭示「圖47指出本發明此電漿散佈防止構件之一結構。此電漿散佈防止構件包含一環形薄板，其由複數個同心環狹縫開口27構成」，再者，被證37號說明書第4欄第65-67行揭示「如圖2所示，電漿隔板30可由具環狀元素之拱形狹縫40所構成，大體上如圖所示」。本項發明之穿孔形狀已為被證33或被證37所揭示，比較被證33、被證37與被證13均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，且組合後之發明並未產生無法預期之功效，整體觀之，本項發明為依據被證13及被證33之簡單組合或被證13與被證37之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由被證33及被證17之組合可證明系爭專利請求項第19項不具進步性。
⑵由前述分析可知被證33及被證17之組合可證明系爭專利第14
項不具進步性，參酌本項理由1，被證33揭示系爭專利請求項第19項之附屬技術特徵，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證33及被證17之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由被證33及被證17之組合可證明系爭專利請求項第19項不具進步性。
14.系爭專利請求項第20項不具進步性：①附表一爭點35之分析：
⑴被證13未揭示相鄰同心環穿孔之間的空隙分隔約有1/32至1/
8吋（0.79mm至3.175mm），但被證33圖47顯示及說明書第48欄第2-6行揭示「複數個開口中每一者具一3mm寬及20mm長之狹縫為同心環形構成且一節（pitch）為4mm於其間」，其中一節的寬度4mm係包含一開口的寬度及狹縫之空隙分隔。由該描述可得知狹縫之空隙分隔即為4-3=1mm，故被證33已揭示本項發明之部分數值範圍，本項發明之數值範圍係發明所屬技術領域中具通常知識者經由例行工作之普通手段即能得知者，比較被證33與被證13均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，且組合後之發明並未產生無法預期之功效，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證13及被證33之組合所能輕易完成而不具進步性。
⑵由前述分析可知被證33及被證17之組合可證明系爭專利第19
項不具進步性，參酌本項理由1，被證33揭示系爭專利請求項第20項之附屬技術特徵，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證33及被證17之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由被證33及被證17之組合可證明系爭專利請求項第20項不具進步性。
15.系爭專利請求項第21項不具新穎性：附表一爭點36之分析：
由被證13之圖1至圖3可知衝壓金屬件26之上面係與晶圓25之下表面同高，而一般晶圓之厚度係小於4吋，故由被證13可直接且無歧異推知衝切金屬件26之上表面是配置在晶圓25上表面下方小於4吋之位置，故由被證13可證明系爭專利請求項第21項不具新穎性。
16.系爭專利請求項第23項不具進步性：①附表一爭點37之分析：
⑴被證13未教示多孔的電漿密封環之開口區域比分比為50％，
惟被證33號說明書第48欄第7-10行揭示「複數個孔洞係由圓形直徑3mm構成、配置一節（pitch）為4mm，其開口率適合至多不超過50%」，比較被證33均屬電漿蝕刻裝置之相同領域，其結合應被認為明顯，再者，被證33已揭示系爭專利之開口比例，組合後之發明並未產生無法預期之功效，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證1及被證33之組合所能輕易完成而不具進步性。
⑵由前述分析可知被證33及被證17之組合可證明系爭專利第1
項不具進步性，參酌本項理由1，被證33揭示系爭專利請求項第23項之附屬技術特徵，整體觀之，本項發明對於電漿蝕刻裝置之設計製造領域中具通常知識者依據被證33及被證17之簡單組合，故其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，故由被證33及被證1之組合可證明系爭專利請求項第20項不具進步性。
㈥、被告抗辯所提出之國立臺灣大學光電工程研究所客座教授林瑞騰教授與財團法人工業技術研究院研究員 張家豪 博士之專家意見書（見本院卷三第258至297頁被證34號），及國立清華大學工程與系統科學系 柳克強 教授、 林滄浪 教授之專家意見書（見本院卷五第35至213頁被證43號）均同本院上開認定。至原告雖爭執上開系爭專利申請專利範圍有新穎性、進步性云云，並提出JosephL.Cecchi教授之專家意見書為據（見本院卷四第128至197頁原證44號）。惟查，專利權之保護係採屬地主義，專利權僅在獲准之國家或地區內有效，而不及於其他國家或地區，故必須在各國個別申請、接受審查後，分別取得專利權。即使針對相同發明，專利申請權人亦必須在不同國家分別申請專利，始能受到保護，而專利在各該國家受保護之權利範圍，則以該國審查核准之申請專利範圍為準。原告系爭專利為我國發明第136706號專利，針對系爭專利有效與否之判斷，應以系爭專利各請求項之具體內容、我國專利法、我國專利審查基準、及我國專利審查實務為據。原告所提原證44號專家意見書，係美籍教授Joseph
L.Cecchi針對美國第0000000號「Lipatent」的權利範圍進行分析（原證44號第3頁），其引用「Lipatent」內容超過30次，然而其文中所引用的「Lipatent」各該段落內容，均非我國系爭專利，而顯屬美國第0000000號專利說明書之段落（見原證44號第5、6、7、8、9、10、11、
13、15、16、18、19、20、21頁所引用「Lipatent」的括弧內容）。另原證44號之意見書引用「Lipatent」的圖示數次，用以與先前技術加以比較說明，惟其引用的圖示均非我國系爭專利之圖示，而係美國第0000000號專利說明書之圖示（見原證44號第9、11、12頁之圖示）。且依原證44號內檢附之「附件C」，即我國系爭專利與該美國第0000000號專利請求項比較表，二者之請求項內容並非完全相同，故該意見書尚不得直接作為認定系爭我國專利之有效性之依據。因此原告以該意見書為憑認上開系爭專利申請專利範圍有新穎性、進步性云云，尚非可採。
㈦、系爭專利請求項第12項未違反系爭專利核准審定時第71條第
1項第3款之規定：
1.被告於民事答辯(十四)狀主張請求項12項「無法據以實施」，違反專利法第26條第2項之規定，惟查系爭專利係於90年6月23日公告，有關專利有效性之適用法條，應以系爭專利審定核准時之專利法為斷，故應以83年1月21日修正公布之專利法為準，經查該版專利法對於說明書記載是否可據以實施係規定於第22條第3項，惟由該版專利法第71條規定，關於第22條第3項並非可舉發之條款，其相關規定係規定於第71條第1項第3款「說明書或圖式不載明實施必要之事項，或記載不必要之事項，使實施為不可能或困難者」，故有關於被告主張系爭專利有違反專利法第26條第2項之規定，應指系爭專利審定公告時專利法第71條第1項第3款，合先敘明。
2.經查系爭專利請求項第12項係依附於第1項之附屬項，其更進一步界定獨立項第1項中之電漿密封環之厚度為1/4至2吋之數值範圍，由請求項第1項記載該電漿處理反應室之一構件為一多孔的電漿密封環，該密封環之一特徵為其在處理過程中下架構以電接地，該獨立項中並未界定該多孔性電漿密封環的材質，參酌系爭專利說明書第15頁第8至14行揭示「最好使用於多孔的電漿密封環的碳化矽。然而，多孔的電漿密封環可以任何導體製成」，而說明書並例舉該密封環之厚度為1/4至2吋，故系爭專利請求項第12項之範圍應涵蓋系爭專利說明書所接示之碳化矽或其他金屬材料而密封環之厚度為1/4至2吋之範圍，故發明所屬技術領域中具通常知識者，在參酌系爭專利說明書所揭示之內容應可完成系爭專利之電漿反應室之發明，故系爭專利並未違反審定公告時專利法第71條第1項第3款之規定，被告此部分之抗辯尚不足採。
六、綜上所述，原告系爭專利請求項第1、2、3、4、6、7、8、9、11、12、14、19、20、21、23等項不具新穎性、進步性，有違系爭專利核准審定時之專利法第98條第1項第
1款、第2項規定，應認系爭專利上開請求項有應撤銷之原因存在，依智慧財產案件審理法第16條第2項規定，原告於本案訴訟中即不得對被告主張專利權利，是原告依專利法第84條第1項中段及後段之規定請求排除及防止侵害如訴之聲明所示，即無理由，應予駁回。其假執行之聲請已失所依附，應併予駁回。
七、本件為判決之基礎已臻明確，兩造其餘爭點、陳述及所提其他證據，經本院斟酌後，認為均於判決之結果無影響，自無庸逐一論述，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。
中華民國98年9月8日
智慧財產法院第二庭
法官陳忠行以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國98年9月8日
書記官陳士軒