裁判字號：智慧財產法院98年民專訴字第99號民事判決
裁判日期：民國99年06月30日
裁判案由：侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院民事判決
98年度民專訴字第99號原告甲0000000訴訟代理人 陳芳 俞律師
饒桂綾 律師複代理人 劉汗曦 律師訴訟代理人戊○○被告新世紀光電股份有限公司兼法定代理人乙○○上二人共同訴訟代理人 周延鵬 律師
徐嘉男 律師 張淑貞 律師複代理人丁○○被告旭明光電股份有限公司兼法定代理人丙0000000上二人共同訴訟代理人 金蘭芳 律師
陳啟桐 律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於99年6月9日言詞辯論終結，判決如下：
主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序方面：依智慧財產案件審理法第7條規定，智慧財產法院組織法第
3條第1款、第4款所定之民事事件，由智慧財產法院管轄。本案既屬因專利法所保護之智慧財產權益所生之第一審民事案件，符合智慧財產法院組織法第3條第1款規定，本院依法自有管轄權。
貳、實體方面：
一、原告主張：㈠原告甲00000000000000000000000000乃美國籍人，為中華
民國發明專利第141136號「寬帶隙半導體的晶體摻雜方法」（下稱系爭專利）之專利權人，專利期間自西元1990年9月
1日起至2009年8月15日止。系爭專利申請專利範圍第1項係「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法，包括步驟為，在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部份晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部份晶體內留下較不具活動性摻雜之非平衡濃度者。」。而系爭專利係說明一種寬帶隙半導體內添加摻雜劑之方法，其中該寬隙帶半導體晶體進行摻雜時易於被補償，且該摻雜劑之濃度超過該半導體在缺乏次要摻雜劑之下該摻雜劑之平衡濃度，該方法係將主要摻雜劑連同次要摻雜劑（作為補償劑）共同引入一半導體晶體，再利用次要摻雜劑具有較高的活動能力的特點，將次要摻雜劑移除。而摻入適當高濃度之摻雜劑乃製造傳導性佳之LEDs或LDs之必要條件。
㈡有關系爭專利申請專利範圍部分：系爭專利申請專利範圍第
1項所謂之「活動性」係指摻入物質之原子在材料內之移動性或移動能力；所謂「第一和第二補償摻雜劑」、「二摻雜劑」僅在表達第一及第二（主要及次要）摻雜劑此二成對之補償摻雜劑之意；所謂「實質上等量」係指摻雜劑之濃度近乎相同或大致相符，彼此差距約在一次方內；所謂「存在內處理晶體」係指將互為補償之二摻雜劑幾近同時加入該半導體晶體內；所謂「使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二參雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」係指「於晶體內添加成對相輔之摻雜劑，第一（主要）摻雜劑之目的在提供半導體材料帶電裁體，第二（次要）摻雜劑在提高第一（主要）摻雜劑之溶解度，使得相較於第二（次要）補償摻雜劑不存在時，能有更多第一（主要）摻雜劑之原子加入晶體中。」。又系爭專利申請專利範圍第1項所稱之「寬帶隙半導體」並不限於「二六族化合物」、「四族化合物」之寬帶隙半導體。且系爭專利申請專利範圍第一項之「摻雜劑」是否在有意識下添加，並非所問。再者，系爭專利內容並未限制晶體成長方式，如LPE液相磊晶成長法、MOCVD有機金屬化學汽相沉積法、或MBE分子束磊晶生長法等均屬之。且系爭專利之申請專利範圍並未提及或區別刻意或非刻意添加，被告自不得不當限縮系爭專利申請專利範圍。
㈢有關專利法第87條規定部分：專利法第87條所稱「所製造之
物品」不限於消費市場上之終端產品，而原告依系爭專利製造方法所製成之物為「寬帶隙半導體晶體」，其在原告將該製造方法申請專利前為國內外未見，已符合專利法第87條規定。另由原告委請美籍舒克立．久瑞斯． 蘇立 博士所出具如原證15所示之專家聲明書及我國國立交通大學光電研究所所長 郭浩中 教授所出具如原證47所示之專家證人意見書可知，原告已說明專利法第87條規定之各項要件。然被告新世紀光電股份有限公司（下稱新世紀公司）及旭明光電股份有限公司（下稱旭明公司）所生產之LEDs及（或）LDs，係實施系爭專利之方法而製造，或其方法可能經特定製造商作細微之調整。且被告所製造之物為「屬於寬帶隙半導體種類之一之應用於LED之GaN」，依被告網站等公開可取得之資料及一般公眾所知之材料及方法推知，被告有實施系爭專利之範圍而侵害原告系爭專利。
㈣有關系爭專利之新穎性及進步性部分：
⒈系爭專利之發明目的係於難以摻雜之寬帶隙半導體材料（即
容易在摻雜時受補償之材料，例如p型GaN、p型ZnSe、n型ZnTe或p型AlGaInP等）內達到主要摻雜劑之非平衡濃度，其技術特徵主要有四，包括：⑴將成對補償之二摻雜劑引入半導體晶體（於長成期間或之後）內，使半導體材料中主要摻雜劑之溶解度，高於其在次要摻雜劑不存在時之溶解度，而形成主要摻雜劑之非平衡濃度。⑵使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中。⑶兩種摻雜劑中，次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑（在晶體之內及散至晶體之外）。⑷在晶體內留下主要摻雜劑非平衡濃度的條件下，將次要摻雜劑自晶體內移除。亦即，爭專利利用此前所未見之摻雜技術加上移除步驟，主要摻雜劑將可提供較從前更具活性之導電載體（例如Ｐ型材料中之受體），進而增加材料之導電性。
⒉就被告新世紀公司部分：被告新世紀公司提出被證12係針對
「易於摻雜」之Ｐ型碲化鋅（P-typeZnTe），與系爭專利所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體（包括ｎ型碲化鋅）顯有不同。且被證12並未揭示系爭專利之「次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」、「將次要摻雜劑自晶體內移除」、「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而增加」之技術特徵。又被證13之技術並未揭示系爭專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」、「將次要摻雜劑自晶體內移除」等技術特徵。而被證14與被證12、被證13之組合及被證16與被證12、被證13之組合，無從證明系爭專利欠缺進步性，而被證15與被證12、被證13之組合，無從證明系爭專利欠缺進步性。
⒊就被告旭明公司部分：被告旭明公司所提出被證1之技術乃
針對「易於摻雜」之Ｐ型碲化鋅（P-typeZnTe），與系爭專利所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體（包括ｎ型碲化鋅）顯有不同。被證1並未揭示系爭專利之「次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」、「將次要摻雜劑自晶體內移除」、「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而增加」等技術特徵。被證2並未揭示系爭專利之「將次要摻雜劑自晶體內移除」、「將成對補償之二摻雜劑引入半導體晶體（於長成期間或之後）內，使半導體材料中主要摻雜劑之溶解度，高於其在次要摻雜劑不存在時之溶解度，而形成主要摻雜劑之非平衡濃度」等技術特徵。被證3並未揭示系爭專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」、「將次要摻雜劑自晶體內移除」等技術特徵。是以，被證1至被證3均無法證明系爭專利欠缺新穎性與進步性。至被證
4因其為研究、實驗而發表或使用，並於發表或使用之日起六個月內申請專利，而非屬先前技術之規範範圍，自無從證明系爭專利欠缺新穎性與進步性，且被證4之實質內容而言，被告雖已承認被證4並未揭露系爭專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體」之技術特徵，惟仍辯稱該部分已被被證1、被證2及被證3所揭露，故系爭專利不具進步性。
㈤被告旭明公司於98年12月9日向鈞院陳述系爭專利之美國對
應案US0000000專利案（見被證39）曾繫屬在美國國際貿易委員會（USITC），後因該委員會之委員之聽證前陳述不利於該US0000000專利案之可專利性及侵權主張（見被證40：
USITCInv.No.337-TA-674,OrderNo.23），故原告於聽證前即無條件撤回控訴，以避免該委員會之行政法官作出對原告不利之決定。惟原告係因被控廠商已承認侵權或經和解，於權益已獲得保障之情況下而撤回該案，是被告旭明公司顯係扭曲事實。
㈥至被告稱原告逾時提出攻擊防禦方法及證據資料，而生失權
之效果。惟原告提出之民事補充理由四、五、六狀，係於98年12月9日開庭後45日內所提出，且僅爰用先前證據為補充說明，且無任何重大過失或妨礙訴訟進行之情狀。原告爰依專利法第56條第2項、第84條第1項規定，請求被告負損害賠償責任。並聲明：⒈被告等不得使用為中華民國第141136號發明專利及使用、為販賣之要約、販賣及出口侵害原告系爭專利之產品。⒉被告新世紀公司及其法定代表人乙○○應連帶給付原告新台幣（下同）3,300萬元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。⒊被告旭明公司及其法定代表人丙00000000000應連帶給付原告3,300萬元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息。⒋訴訟費用由被告負擔。⒌原告願供擔保，請准宣告假執行。
二、被告則以：㈠被告新世紀公司部分：
⒈原告主張本件適用專利法第87條第1項規定，應對系爭專利
所製成物品為何、被告製造何等物品與系爭專利所製成之物品相同及系爭專利製成之物品，在該製造方法申請專利前是否為國內外所未見等要件負舉證責任，否則即無專利法第87條第1項規定之適用。又系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵所製成之物，係以系爭專利所述製造方法所製成之硒化鋅（ZnSe）、碲化鋅（ZnTe）、硫化鋅（ZnS）、硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）、氧化鋅（ZnO）等二六族化合物半導體及金剛鑽（SiC）四族化合物半導體，除此之外其他化合物半導體，非屬系爭專利所製成之物，然原告主張被告新世紀公司之產品「GaN（氮化鎵）藍綠光LED磊晶片」，係屬三五族化合物，與系爭專利權申請專利範圍第1項不同，且非系爭專利所製成之物。另系爭專利申請範圍第1項所涵蓋之技術手段，僅能使用液相磊晶之製法達成，而無法使用MOCVD之氣相磊晶法達成，蓋MOCVD之氣相磊晶法其摻雜過程乃以氣體中之原子或離子從氣態環境直接被吸附累積在固態晶圓表面，並無任何液體，亦無需考量摻雜劑溶解度之情形，是系爭專利並不包括MOCVD製程。另原告提出原證15之蘇立博士專家聲明，其內容乃屬無據臆測，並不足採。
而原告提出原證47之郭浩中教授專家證人意見書，顯係抄襲蘇立博士意見書，亦為無據之臆測，自不足採。至原告提出其他相關書證，例如原證10、原證11、原證13、原證14、原證37、原證38、原證39、原證42、原證43等，均與原告主張專利法第87條第1項規定之適用並無任何關聯，且無法證明專利法第87條第1項規定之各項要件，自不具任何證據價值。
⒉有關系爭專利有效性部分：
⑴程序部分：原告就系爭專利有效性如有新證據資料提出，應
於99年1月10日前履行並通知被告。詎原告於99年1月25日始提出系爭專利有效性之新證據，其中包括原證61之美國康乃爾大學電資學院教授JamesRichardShealy博士之專家聲明㈠、原證62之美國專利號第0000000號專利、原證63之G.
F.Neumark,Achievementoflow-resistivityp-typeZnSeandtheroleoftwinnimg,J.Appl.Phys,65（1989）4589及原證64之美國康乃爾大學電資學院教授JamesRichardShealy博士之專家聲明㈡等新證據資料，則原告已不得於本件訴訟執此新證據資料進行相關主張。
⑵實體部分：
①被證12係於西元1969年間，由IBMWalsonResearchCenter
之BillyL.Crowder,R.S.Title與G.DPettit所提出EPR
andLuminescenceStudiesofEr+3inAcceptor-DopedZnTe論文，而系爭專利申請日為1989年8月16日，足見系爭專利於申請前已見於刊物。又被證12已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法」、「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度。」等技術特徵，且係運用申請前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
②被證13係於西元1987年間，由日本ImagingScienceandEn
gineeringLaboratory之T.Yasuda,IMitsuishi及H.Kukimoto提出之Metalorganicvaporphaseepitaxyoflow-resistivityp-typeZnSe論文，足見系爭專利於申請前即已見於刊物。又被證13已揭露系爭專利範圍第1項之「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法」、「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度」及「然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」等技術特徵，且係運用申請前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
③被證14係西元1975年間，由ZenithRadioCorporation之
RobertJ.Robinson及ZoltanK.Kun所提出之p-njuncti
onzincsulfo-selenideandzincselenidelight-emitti
ngdiodes論文。又被證14係揭露一種使用摻雜與擴散的方式製造Ｐ型寬帶隙半導體（ZnSe）之方法。被證14與被證12、被證13之結合，可知系爭專利係運用申請前此等習知技術、知識顯而易知未能增進功效，已違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
④被證15係西元1983年間，由英國RoyalSignalsandRadar
Establishment之P.JDean,W.Stutius,G.F.Neumark,
B.J.Fitzpatrick及R.NBhargava提出Ionizationenergy
oftheshallownitrogenacceptorinzincselenide論文。由被證15與被證12、被證13之結合，可知系爭專利申請專利範圍第1項之「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度。」技術特徵，係運用申請前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
⑤被證16係西元1981年間，由WestinghouseR&DCenter之Zo
ltanK.Kun提出Thevariationofresidualimpurities
inZnSecrystalsusedinlight-emittingdiodefabrications論文。由被證16與被證12、被證13之結合，可知系爭專利申請專利範圍第1項之「然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」技術特徵，係運用申請前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第
2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。⑥被證18係於西元1989年7月25日公告，專利權人為Nakagawa
etal.，專利號為第4,851,302號之「FunctionalZnSe：Hdepositedfilms」專利。又被證18已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之「一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法」、「在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度。」之技術特徵，足見系爭專利於申請前即已見於刊物，且係運用申請前之習知技術、知識顯而易知未能增進功效，是系爭專利已違反專利法第2條第1項及第5項規定，故不具新穎性。
⒊原告以原證61專家聲明第5-9點，主張被證12所教示之技術
乃針對「易於摻雜」之P型碲化鋅（P-typeZnTe），與系爭專利所揭露者為申請時「難以摻雜」之寬帶隙半導體顯有不同，惟該「易於摻雜」或「難以摻雜」，並非系爭專利申請專利範圍第1項所載之內容。原告以原證61專家聲明第13點，主張被證12與系爭專利所欲解決之技術課題毫不相關，惟被證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之全部技術手段，且審查新穎性之判斷基準，與系爭專利及引證文件是否為解決相同技術課題無關。原告引用原證61專家聲明第18點，主張被證12並非將鉺（Er）作為系爭專利定義下之主要摻雜劑，惟系爭專利申請專利範圍並未界定寬帶隙半導體為Ｐ型或ｎ型半導體，亦未界定何種元素為主要摻雜，且被證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之全部技術手段。原告引用原證61專家聲明第21點，主張被證12未揭示系爭專利「次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」之技術特徵，惟請求項所載之發明與引證文件中所載之先前技術，若其差異僅在於文字之記載形式，或能直接且無歧異得知之技術特徵，專利即不具新穎性。原告援引原證61專家聲明第20點，主張被證12並未揭示系爭專利「將次要摻雜劑自晶體內移除」之技術特徵，惟被證12所使用「Remove」即移除之意，即指將摻雜自晶體內任何位置加以移動或移出晶體外。原告援引原證61專家聲明第15、16點，主張被證12未揭示系爭專利「第一摻雜劑之溶解度因為第二摻雜劑之存在而增加」之技術特徵，惟被證12已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之全部技術手段。是原告上述所言，均不足為採。
⒋原告援引原證61專家聲明第25點，主張被證13並未揭示系爭
專利「使用實質等量之二種互相補償之摻雜劑於晶體中」、「使半導體晶體中第一摻雜劑達到非平衡濃度」、「第二摻雜劑之活動性大於第一摻雜劑」之技術特徵，惟被證13所摻雜劑來源包括從一氮化三鋰（Li3N）分解之鋰離子與氮離子，鋰與氮分解後濃度為「3:1」，屬實質等量，足見被證13已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術手段。原告引用原證61專家聲明第31點，主張被證13並未揭示系爭專利「將次要摻雜劑自晶體內移除」之技術特徵，並主張被證13揭露「藉由退火處理達到電極與半導體晶體歐姆接觸」，並非「藉由退火處理移除鋰」等內容，惟被證13已揭露寬帶隙半導體製程之退火程序，而退火程序即有將次要摻雜劑自晶體內移除之效果，足見被證13已完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術手段。原告援引原證61專家聲明第26-30點及第33-35點，主張被證13不具備判斷系爭專利有無新穎性、進步性之先前技術適格，惟依當時專利法第2條規定，符合在發明申請前已見於刊物或已公開使用之文獻，即得作為先前技術引證文獻。至被證14-16乃結合被證12及被證13以證明系爭專利不具進步性，原告將被證14-16各自單獨與系爭專利比對，顯無理由。並答辯聲明：⑴原告之訴駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利判決，被告願供擔保，請准免為假執行。
㈡被告旭明公司部分：
⒈程序部分：
⑴兩造於98年12月9日與鈞院約定，原告就系爭專利之有效性
若有新證據資料，應於一個月內，即於99年1月9日前提出並通知對造，逾時提出即生失權之效果。然原告卻遲至99年
1月26日，始以民事訴訟補充理由六狀提出攻擊防禦方法及原證59至原證74之證據，已超出約定期限17日，顯有重大過失，且剝奪被告旭明公司之訴訟權益及程序正義，而有礙訴訟之終結，依智慧財產案件審理細則第33條及民事訴訟法第
196條第2項規定，民事訴訟補充理由六狀及原證59至原證74之證據，應不予審酌。
⑵鈞院於98年10月14日指示先就專利有效性進行審理，則已不
涉及被告等之方法、技術、製程、設計等許多營業上之秘密，詎原告以涉及營業秘密為由，未將討論系爭專利之有效性之民事補充理由二狀、四狀、五狀、七狀副知被告旭明公司，致被告旭明公司無法對上開民事補充理由狀之內容為實體辯論，且被告旭明公司縱可經由閱卷取得上開民事補充理由狀，然其取得之日期亦已逾鈞院所訂之一個月期限，則上開民事補充理由狀對被告旭明公司而言，已生失權效果。自不能對被告旭明公司有所主張。
⒉實體部分：
⑴有關申請專利範圍之解釋原則部分：
①系爭專利核准時所適用之75年12月26日起施行之專利法及其
施行細則雖未明確規定申請專利範圍之解釋原則，且當時亦尚未制定專利審查基準及專利侵害鑑定要點，惟現行專利法及其施行細則關於申請專利範圍之記載方式事實上與系爭專利核准時所適用之75年12月26日起施行之專利法及其施行細則相同，是關於系爭專利申請專利範圍第1項之解釋，應參酌現行專利法、專利法施行細則、專利審查基準及專利侵害鑑定要點之相關規定。系爭專利核准時所適用之專利法及其施行細則與現行專利法及其施行細則關於申請專利範圍之記載方式實質上為相同。專利法第56條第3項規定所揭櫫之「發明說明及圖式雖可解釋申請專利範圍，但不得將其讀入申請專利範圍而增加或減少申請專利範圍所載的限定條件」之基本解釋原則亦明確記載於專利審查基準、專利侵害鑑定要點，且最高行政法院歷年來均維持此一貫之法律見解。
②系爭專利申請專利範圍第1項係「一種寬帶隙半導體晶體內
非平衡添加摻雜劑之方法，包括步驟為，在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部分內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部份晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者。」，依系爭專利申請專利範圍第1項之記載，以其所載之文字意義及發明所屬技術領域中具有通常知識者所認知或瞭解該文字在相關技術及在發明說明或圖式中通常所總括的範圍予以解釋。
⑵有關系爭專利之有效性部分：
①原告係於78年8月16日提出系爭專利申請，而於79年9月1
日公告，是系爭專利應適用核准審定時（即75年12月26日公布施行）之專利法。則系爭專利是否具有得撤銷之原因，應以其核准審定時所適用之75年12月26日起施行之專利法為斷。
②系爭專利申請專利範圍第1項之「在晶體至少一部分內引進
實質上等量」技術特徵，並未明確定義「實質上等量」之意義。然依系爭專利說明書第5頁倒數第2行至第1行之記載「應充分提供實質上相等濃度的鋰和氮，範圍宜在10之17次方和10之18次方/cc3」之間。」，似認為二摻雜劑之範圍在10之17次方和10之18次方/cc3之間均為「實質上等量」，惟二摻雜劑之濃度將差異達10倍，實難認定係「實質上等量」，故系爭專利說明書之記載與系爭專利申請專利範圍第1項之記載相抵觸。
③系爭專利申請專利範圍第1項之「第一和第二補償摻雜劑存
在內處理晶體」技術特徵，並未明確定義「補償摻雜劑」之意義，且系爭專利說明書中亦無此兩種補償摻雜劑之記載。惟由系爭專利說明書第7頁第6行記載「以氯為主要摻雜劑，鋰為補償或次要摻雜劑」可知，「補償摻雜劑」係指「次要摻雜劑」，其與「主要摻雜劑」不同且相對應，即有第一次要摻雜劑及第二次要摻雜劑，然系爭專利說明書並無兩種補償摻雜劑同時存在之記載。系爭專利申請專利範圍第1項除記載「第一和第二補償摻雜劑」外，尚記載「二摻雜劑」之技術特徵，解釋上與上開「第一和第二補償摻雜劑」不同，足見系爭專利申請專利範圍第1項解釋上共有「第一和第二補償摻雜劑」及「二摻雜劑」共四種摻雜劑，然系爭專利說明書卻無此記載。是系爭專利說明書顯有故意不載明如何實施申請專利範圍第1項「第一和第二補償摻雜劑」及「二摻雜劑」之必要事項之情事，使發明所屬技術領域中具有通常知識者無法實施申請專利範圍第1項「第一和第二補償摻雜劑」及「二摻雜劑」之技術特徵。
④系爭專利申請專利範圍第1項之「使二摻雜劑當中較不具活
動性者在該部分晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度。」技術特徵中有「非平衡添加摻雜劑」之用語。然系爭專利說明書未記載應藉由何種技術手段始能達成系爭專利申請專利範圍第1項最重要之技術特徵，則發明所屬技術領域中具有通常知識者無法實施系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵。
⑶有關系爭專利之新穎性及進步性部分：
①被告所提出之被證1係於1969年5月10日公開於「Physical
Review」第181卷第2號之「EPRandLuminescenceStud
iesofEr+3inAcceptor-DopedZnTe」論文。被證1已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，是系爭專利申請專利範圍第1項在被證1之先前技術之基礎下並不具新穎性。且縱認為被證1未完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，然在被證1之基礎下，系爭專利申請專利範圍第1項亦應為運用申請前之被證1之習用技術、知識顯而易知未能增進功效者，已違反系爭專利核准時之專利法第2條第5款規定，故不具進步性。
②被告所提出之被證2係於1989年7月25日公告之美國專利第
0000000號「FunctionalZnSe:Hdepositedfilms」。被證
2已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，是系爭專利申請專利範圍第1項在被證1之先前技術之基礎下並不具新穎性。且縱認為被證1未完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，然在被證2或被證2結合被證1之基礎下，系爭專利申請專利範圍第1項亦應為運用申請前之被證2之習用技術、知識顯而易知未能增進功效者，已違反系爭專利核准時所適用之專利法第2條第5款規定，故不具進步性。
③被告所提出之被證3係於1988年1月4日公開於「Applied
PhysicalLetters」第52卷第1號之「Metalorganicvaporphaseepitaxyoflow-resistivityp-typeZnSe」論文。
被證3已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，是系爭專利申請專利範圍第1項在被證1之先前技術之基礎下並不具新穎性。且縱認為被證3並未完全揭露系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，然在被證3之基礎下或在被證3結合被證1或被證2之基礎下，系爭專利申請專利範圍第1項亦應為運用申請前之習用技術、知識顯而易知未能增進功效者，已違反系爭專利核准時所適用之專利法第
2條第5款規定，故不具進步性。④被告所提出之被證4係於1989年4月10日公開於「Physical
ReviewLetters」第62卷第15號之「AchievementofWellConductingWide-Band-GapSemiconductors:RoleofSolubilityandNonequilibriumImpurityIncorporation」論文。被證4已揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵，然未揭露引進之二摻雜劑為「實質上等量」之技術特徵，惟此一技術特徵已為被證1、被證2或被證3揭露，是系爭專利申請專利範圍在被證1或被證2或被證3及被證4結合之基礎下不具進步性。
⑤由上開被證1至被證4可知，系爭專利申請專利範圍第1項
已違反專利核准審定時之專利法第2條第1款關於新穎性之規定或第5款關於進步性之規定，應依同法第60條第1款規定，撤銷其專利權。
⑥原告認為以MOCVD方法成長GaN（或AlGaInP）等半導體進
行摻雜時，係以氫氣作為運載氣體，故氫與所需摻雜劑形成例如「Mg-H」綜合物，使得Mg被鈍化，而藉由退火可移除氫，使得Mg被活性化，並認為系爭專利申請專利範圍第1項所需摻雜劑（例如鎂）為較不具活動性之摻雜劑（即第一摻雜劑），而運載氣體（例如氫）為較具活動性之摻雜劑（即第二摻雜劑），是以MOCVD方法成長GaN（或AlGaInP）等半導體即屬侵害系爭專利第1項。然由被證6至被證28之技術可知，以MOCVD方法成長半導體進行摻雜時以氫作為運載氣體為系爭專利申請前發明所屬技術領域具有通常知識者所廣為周知之先前技術。另由被證29至被證30之技術可知，氫之加入將導致主要摻雜劑鈍化，因此移除氫可使主要摻雜劑活性化而提高導電性為發明所屬技術領域具有通常知識者所廣為周知之先前技術。復由被證31至被證32之技術可知，藉由退火可移除氫，而使被鈍化的主要摻雜劑活性化為發明所屬技術領域具有通常知識者所廣為周知之先前技術。且系爭專利申請專利範圍第1項之所有技術特徵，已被前述或被證34至被證36之先前技術之任何組合所揭露時，是系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。再者，被告所提出上開證據亦足以證明系爭專利申請專利範圍第2項至第7項不具新穎性及（或）進步性。
⑷被告旭明公司於98年12月9日已向鈞院陳述系爭專利之美國
對應案US0000000專利案（見被證39）曾繫屬在美國國際貿易委員會（USITC），後因該委員會之委員之聽證前陳述不利於該US0000000專利案之可專利性及侵權主張（見被證40：USITCInv.No.337-TA-674,OrderNo.23），故原告於聽證前即無條件撤回控訴，以避免該委員會之行政法官作出對原告不利之決定。並答辯聲明：①原告之訴及假執行均駁回。②訴訟費用由原告負擔。③如受不利判決，被告願供擔保，請准免為假執行。
三、兩造不爭執之事實：原告甲00000000000000000000000000乃美國籍人，為中華民國發明專利第141136號「寬帶隙半導體的晶體摻雜方法」之專利權人，專利期間自西元1990年9月1日起至2009年8月15日止。
四、本件兩造之主要爭點：㈠被告新世紀公司所提出之下列證據資料可否證明系爭專利具有無效事由：
⒈被證十二（即旭明公司被證1）是否可證明系爭專利請求項
第1項不具新穎性及進步性?⒉被證十三（即旭明公司被證3）是否可證明系爭專利請求項
第1項不具新穎性及進步性?⒊被證十二、被證十三及被證十四之組合否可證明系爭專利請
求項第1項不具進步性?⒋被證十二、被證十三及被證十五之組合否可證明系爭專利請
求項第1項不具進步性?⒌被證十二、被證十三及被證十六之組合否可證明系爭專利請
求項第1項不具進步性?㈡被告旭明公司所提出之下列證據資料可否證明系爭專利具有無效事由：
⒈被證1（即新世紀公司被證十二）是否可證明系爭專利請求
項第1項不具新穎性及進步性?⒉被證2是否可證明系爭專利請求項第1項不具新穎性及進步
性?⒊被證3（即新世紀公司被證十三）是否可證明系爭專利請求
項第1項不具新穎性及進步性?⒋被證1及被證2之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?⒌被證1及被證3之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?⒍被證2及被證3之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?⒎被證1及被證4之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?⒏被證2及被證4之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?⒐被證3及被證2之組合是否可證明系爭專利請求項第1項不
具進步性?
五、得心證之理由：㈠按民事訴訟當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之
原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、商標法、專利法、植物品種及種苗法或其他法律有關停止訴訟程序之規定；前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條定有明文；次按關於智慧財產權侵害之民事訴訟，其損害額之審理，應於辯論是否成立侵害後行之，但法院認為就損害之內容，有先行或同時辯論之必要者，不在此限，智慧財產案件審理細則第35條亦設有規定。依上開規定意旨，於專利侵權損害賠償訴訟程序中，倘當事人就專利之有效性有所主張或抗辯時，則應先就該專利是否具有應撤銷、廢止之原因為調查，若該專利具有應撤銷、廢止之原因，縱然認為遭指控物之技術確有落入該專利範圍之情形，該專利權人亦不得對他造主張權利，亦即不得請求損害賠償。是以，在當事人就專利有效性為主張或抗辯之情形，法院自應先就專利之有效性先為判斷，唯有專利有效性經確認後，始須再就侵權事實之有無再為判斷，合先敘明。本件原告提起本件訴訟，主張被告所生產或銷售之產品落入原告系爭專利申請專利範圍內，業已侵害原告專利，為此訴請被告賠償損害云云。由於被告就原告系爭專利之有效性業已提出爭執，依上開說明，本院自應先就原告系爭專利之有效性進行調查，合先敘明。
㈡查本件原告系爭專利主要係揭示一種使用非平衡雜質添加之
方法，主要以摻雜寬帶隙半導體難以摻雜之晶體，諸如硒化鋅和碲化鋅，在晶體內添加成對相補之主要和次要摻雜劑，因而提高晶體內任一摻雜劑單獨的溶解度，嗣後再優先除去較具活動性之次要摻雜劑，以留下主要摻雜劑。此項技術用以摻雜硒化鋅Ｐ型，使用氮為主要摻雜劑，鋰為次要摻雜劑，而技術上可用氮為主要摻雜劑，氫為次要摻雜劑，以獲得低電阻係數之Ｐ型硒化鋅。就上開技術方法，原告系爭專利申請專利範圍第1項所揭露之技術特徵：「1.一種寬帶隙半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法，包括步驟為，在不同活動性的第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部份晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部份晶體內留下較不具活動性摻雜之非平衡濃度者。」（參附件圖示），就原告系爭專利上開內容，本院曾要求原告就其中部分不確定之文義概念提出說明（參本院原告卷一第
512頁），而上開文義之內容涉及本件原告系爭專利申請專利範圍之解釋，以及其所揭露之技術特徵，對於系爭專利有效性之比對，以及被告是否確有侵害原告系爭專利此一疑慮之分析極屬重要，是本院認為就上開名詞之定義確有先予釐清之必要，茲先說明如下：
⒈由於原告系爭專利申請專利範圍第1項之記載並未限定「寬
帶隙半導體」為「二六族化合物」、「四族化合物」，且未具體定義「寬帶隙半導體」之材料為何，是必須參酌系爭專利說明書之內容，而系爭專利說明書於第2頁第4行對「寬帶隙半導體」一詞指稱為「寬帶隙半導體(帶隙至少1.4電子伏特)」等語，可知帶隙大於1.4伏特之半導體材料均為系爭專利之寬帶隙半導體之文義範圍。雖被告新世紀公司辯稱系爭專利申請專利範圍第1項所指之「寬帶隙半導體」為一「上位概念」，此用語應僅包括「有限下位概念事項」，且依系爭專利說明書之發明說明及實施例之記載，以及審查意見表理由解釋寬帶隙半導體應僅包括硒化鋅（ZnSe）、碲化鋅（ZnTe）、硫化鋅（ZnS）、硫化鎘（CdSe）、氧化鋅（ZnO）等二六族化合物半導體及金剛鑽（SiC）四族化合物半導體，並不包含到三五族化合物云云。惟系爭專利說明書之實施例僅為單純提供例示，並非用以限定系爭專利僅以二六族化合物為範圍，況系爭專利說明書並未排除該方法不適用於P型三五族化合物半導體材料，是系爭專利申請專利範圍所載「寬帶隙半導體」應包含帶隙為1.4以上之半導體材料，至於是否為二六族或四族或三五族則非所問，始為的論。
⒉原告系爭專利申請專利範圍第1項中述及「在不同活動性的
第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶片，在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，使二摻雜劑中較不具或動性者在該部分經體內之濃度超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者」等語，由此部分文字主要係在描述「一種寬帶係半導體經體內非平衡添加摻雜劑」之非平衡添加摻雜劑方法，被告新世紀公司遂因此主張系爭專利說明書既未解釋何謂「非平衡添加」，是以應認為「非平衡添加」指「以液相晶膜（LPE）製法在特定溫度和補償品種濃度環境下，添加多於其平衡溶解度所能溶解的量的雜質（摻雜劑），並需在疵作溫度堅持合理時間，使所需摻雜劑的活動性低至足夠使摻雜劑在初期非平衡添加後，仍封閉在晶格中…」云云。惟查，系爭專利申請專利範圍既未明示將其方法限定為某種磊晶方法，則被告將非平衡添加限定為液相晶膜（LPE）製法，顯然係將說明書之實施例讀入申請專利範圍而進一步限縮原告系爭專利申請專利範圍第
1項之文義範圍，並非可採。⒊系爭專利說明書第9頁倒數第7行言及「由於氫的高活動性
可以擴散，而容許較不具活動性的主要摻雜劑留在半導體內」等語，第4頁復敘明「以教規的方式，優先除去更具活動性的補償品種」、第7頁第6行說明「氯為碲化鋅內在碲取代位置的施體，而鋰做為鋅取代位置的受體。此外，由於其較大離子尺寸，氯較鋰少活動性」，其中所謂「活動性」一詞究何所指？由於上開文詞觸及擴散、除去、取代等，可知此處所指活動性係指摻質（摻雜劑）在半導體晶體內之移動性或移動能力而言。況依系爭專利申請時所檢附之英文版本
（原證50），其就「移動性」一詞所使用之原文為「mobility」，佐以原告所提之外部證據關於「mobility」一詞分別有下列解釋：「活動性：泛指無規或在場（或力）的作用下運動粒子的移動性。該名詞通常用於描述一帶電體，例如離子、電子或電洞，在電場中的運動。（Mobility:anquantitythatgivesameasureofhowreadilyaparticlemoves.Thetermisfrequentlyusedtocharacterize
themotionofachargedentity,suchasanion,elect
ronorhole,inanelectricfield）」（參見原證51）、「活動性（離子的）：離子在由場力區分的場域終端速度（Mobility(ofanion):theterminalspeedofanion
inanelectricfielddividedbythefieldstrength）」（參見原證52）。「Mobility,ionic(流動性，離子)，在溶液中以電位差量測離子移動能力，即影響單位電位差的移動速率。流動性定義為電遷移率，同時也受擴散性影響」等語（參見原證53），足見所謂「活動性」可指一物質（例如：離子）在一特定領域範圍（例如一容易或一半導體晶體）中之移動能力，於本件系爭專利中所謂「活動性」一詞則指摻入物質之原子（摻雜劑）在材料（被摻雜物，此指系爭專利之半導體晶體）之移動性或移動能力而言。
⒋另系爭專利申請專利範圍第1項明載為一種寬帶隙半導體晶
體內非平衡添加摻雜劑之方法，包括步驟為在不同活動性之第一和第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部份內引進實質上等量之二摻雜劑，使二摻雜劑當中較不具活動性者在該部份晶體內之濃度，超過較不具活動性的摻雜劑在二摻雜劑當中較具活動性者不存在下，於其內之溶解度，然後由此優先除去二摻雜劑中較具活動性者，因而在該部份晶體內留下較不具活動性摻雜之非平衡濃度者。由於兩造對於「第一和第二補償摻雜劑指在晶體內添加成對相輔助之主要及次要摻雜劑，而提高晶體內任一摻雜劑單獨的溶解度」並不爭執，而依上揭請求項第1項所載內容可知其係指請求項半導體晶體內非平衡添加摻雜劑之方法及條件，而「在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑」等語，所指即為在晶體至少一部份內引進實質上等量之第一及第二補償摻雜劑之二摻雜劑。再者，參酌系爭專利說明書第1頁記載「系爭專利揭示一種使用非平衡雜質添加，以摻雜寬帶隙半導體難以摻雜之晶體，諸如硒化鋅和碲化鋅。此涉及在晶體內添加成對相補之主要和次要摻雜劑，因而提高晶體內任一摻雜劑單獨的溶解度。然後，優先除去較具活動性的次要摻雜劑，留下主要摻雜劑呈優勢。此項技術用以摻雜硒化鋅Ｐ型，使用氮為主要摻雜劑，鋰為次要摻雜劑。另外，技術上可用氮為主要摻雜劑，氫為次要摻雜劑，以獲得低電阻係數之Ｐ型硒化鋅。」等語，可知，系爭專利請求項第1項所謂第一及第二補償摻雜劑乃指「在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑」，是以第1項之摻雜劑應僅指兩種摻雜劑（即主要及次要摻雜劑），而非有四種摻雜劑。
⒌再者，系爭專利請求項第1項所載「實質上等量」係指第一
及第二摻雜劑之濃度「實質上相同」。原告主張「實質上等量」係指成對相補的摻雜劑濃度「近乎相同」、「大致相符」或「近乎相同」，至於何種濃度於系爭申請專利申請範圍中並未限制，並引專家證詞謂「系爭專利所述之『實質上等量』可以被一熟習此技藝之人所理解係指『近似符合』（closingmatching）或『大致相符』（rouglycomparable）。半導體的摻雜可以被控制在一範圍內，該範圍係為5或
6次方（以10為基數），一次方（以10為基數）的差異不會造成物質上的差異。此外，在所討論的摻雜背景下，原子數目是非常大的，例如1018、1019或1020次方；在此大的數量下，相對的差異即使達到1次方，通常被視為『近似地或近乎相等』。…『實質上等量』表示近似符合或大致相符，而所謂的大致相符在此背景下係指『彼此的差距在約一次方內』」云云（原證54第5頁）。惟按，所謂之實質上相同應指兩個摻雜量大致相同或約略相同，一般乃指兩個摻雜濃度之數值接近，就半導體製程領域而言，半導體之摻雜濃度通常均為10之15至20次方，甚至更大之摻雜量，對於如此大之數量下，倘兩者之差異在1次方之內，則兩摻雜劑數量之差異應該被視為很大，而非很小，原告上開引述並不足採。依一般通常知識者之認知，「實質上等量」之文義乃代表差異量很小幾近可以被忽略，或最多僅能涵蓋測量誤差範圍內而言。
⒍另系爭專利中亦觸及「溶解度」一詞，被告新世紀公司認為
所謂溶解度乃指「在一定溫度、壓力等等外在環境條件下，溶質在溶劑中所能溶解的最大濃度」；原告則主張溶解度一詞在系爭專利係指摻雜劑在被摻雜物（寬帶隙半導體晶體）內達到之飽和濃度，因此無論寬帶係半導體晶體係以LPE、MOCVD或MBE方式形成，在形成中提供摻雜劑擴散至被摻雜物（寬帶隙半導體晶體）之過程，皆可用溶解度來解釋摻雜劑擴散至被摻雜物中以達到飽和濃度之情形，並舉原證52（VLSI製造技術， 莊達仁 著）、原證53（半導體製成設備，張勁燕著）之「固態溶解度」用以說明摻質或雜質摻質元素於矽之固態溶解度，並以原證54（化學化工百科辭典）所示之 亨利 定律，即「液體與氣體相互接觸時，氣體相互接觸時，氣體容於一定量的液體內的重量與液體上氣體壓力成正比」來說明氣體對於液體同樣具有溶解度之關係。由上述證據可知，就溶解度之廣義解釋，所謂之溶質並不限於固體或液體或氣體，而所謂之溶劑亦不止限定於液體，因所謂固態溶解度即為溶質溶解於固態物質之關係。是被告新世紀公司固主張「溶解度之概念，除存在於『液體溶於液體』情況外，在「固體溶於液體」或氣體溶於液體兩種情況下，亦會有溶解度之存在，但不論如何是以何種情況，溶解度存在之環境與要件必須是在有液體情況下才會具備，如果製程中無有任何液體存在，當不會有溶解度存在問題…MOCVD之製程，純係氣體及氣體間之反應，製程環境中不會存在任何液體，顯不會有溶解度的概念」等云云，惟就熟習該項技術者而言，所謂MOCVD製程係指成長磊晶層以氣體源方式反應，其最終磊晶層仍為固體，被告上述所稱MOCVD製程不會有溶解度之概念，顯然並不足採。
㈢由於本件原告主張被告侵害其系爭專利部分僅限於申請專利
範圍第1項（本院原告卷二第383頁），是就本件原告系爭專利之有效性分析部分，亦僅以此範圍為限。其次，本件被告所提出之引證案中，其中新世紀公司所提出之被證十二與旭明公司所提出之被證1相同，被證十三與旭明公司所提出之被證3相同，是以在比對原告系爭專利申請專利範圍第1項之有效性時，爰先以新世紀公司所提之被證十二、十三為比對依據，合先敘明。
㈣經查，被證十二乃1969年公開之「EPRandLuminescence
StudiesofEr+3inAcceptor-DopedZnTe」論文，其在第
567頁Abstract第1-2行揭示「Er+3canbeincorporated
intheZnTelatticeinsignificantconcentrationsbyco-dopingwithanacceptorspecies.（鉺+3離子得藉與一受體品種聯合摻雜之方式而以顯著濃度包含於碲化鋅晶格當中）」，而由系爭專利說明書第6頁倒數第2行所列示之實施例顯示，其係採用碲化鋅，而碲化鋅亦為系爭專利之寬帶隙半導體之一種，是上揭被證十二顯然已經揭示系爭專利利用鉺+3離子藉與一受體品種聯合摻雜之方式等兩者摻質共同摻雜之方法。另在被證十二第569頁左欄第7-11行復揭示「
ThesinglecrystalsofZnTeusedinthesestudiesweregrownbyKucza.Theyweregrownfromameltcontaininganexcessof25mole%Te,0.1mole%of
thedesiredrare-earthmetal,and0.1mole%ofeitherLiorP,orwithnointentionallyaddedco-dopant.（單一晶體的碲化鋅是利用Kucza成長，試片是從一個包含超過25莫耳％的碲、0.1莫耳％的稀土元素和0.1莫耳％的鋰或磷，或是和非意圖加入之共同摻雜熔溶物中成長）」等語，此一說明顯然亦已揭示系爭專利在不同活動性之第一與第二補償摻雜劑存在內處理晶體，在晶體至少一部分內引進實質上等量之二摻雜劑之技術特徵。另由被證十二第570頁左欄第8-15行揭示「WhenthesampleofZnTe(Er,Li)wassubjectedtotreatmentswhichareknowntoremoveLifromelectricallyactivesitesinZnTe〔annealingat250℃for8d(Ref.11)orextractingLiwithabathofliquidZn(Ref.12)〕,theonlyERPspectraobsercedforEr+3werethecubicspectrumwithg=5.95andaspectrumduetoanexcitedstate
ofEr+3onthissiteofcubicsymmetry.（當碲化鋅（鉺,鋰）試片接受一個移除碲化鋅中電子活性中心之鋰原子〈即在250℃退火或是在液態鋅中淬取鋰原子〉程序時，唯一觀察到之鉺＋3離子ERP頻譜係g=5.95之立方體頻譜，以及一鉺＋3離子在此對稱立方體之激發態下之頻譜，成長前（asgrown）碲化鋅（鉺,鋰）在室溫下顯現電洞濃度約1X1017cm-3）」，另證據十二於第573頁左欄第1-10行復揭示「TheabsenceofdetectableresonancesduetoEr+3
inZnTe(Er)samplesimpliesthattheEr+3concentrat
ionwhichissolubleintheZnTelatticeisconsiderablylowerthanthatpresentineitherZnTe(Er,P)orZnTe(Er,Li).Thetrivalentrare-earthion,mostlike
lytobefoundeitheronasubstitutionalcationsiteorinaninterstitialposition,shouldactasadonorspeciesinⅡ-Ⅵcompounds(byanalogywiththebehaviorofgroupⅢbatrons).Increasedsolubility
inacceptor-dopedZnTeis,therefore,notsurprising.（在碲化鋅（鉺）缺少可偵測到的鉺＋3離子共振，意味著鉺＋3離子濃度融入碲化鋅的濃度低於碲化鋅（鉺,磷）或碲化鋅（鉺,鋰）。三價之稀土元素離子因為很可能被發現在代理陽離子之位置或是在有空隙之位置，是三價之稀土元素在二六半導體化合物中就像施體品種〈類似於IIIb族原子之行為〉。因此能夠在有受體摻雜碲化鋅中增加溶解度是不意外的）」；又被證十二於第567頁Abstract第4-6行揭示「ThermaltreatmentswhichareknowntoremoveLifromelectricallyactivecentersinZnTegreatlyincreasethestrengthofthecubicspectrumandgrea
tlyreducethestrengthofthetrigonalspectrum.（一般認知裡，熱處理被用來去除碲化鋅中電子之活性中心之鋰原子，可以大幅度增強立方晶系之頻譜強度，並大幅度減弱三方晶系之頻譜強度）」，依上述被證十二所陳述之內容，可知其已揭示系爭專利所揭示之優先去除二摻雜劑中較具活動性者（鋰原子），留下較不具活動性摻雜劑（鉺＋3離子），以增加受體摻雜劑ZnTe之溶解度之方法。原告雖主張上開被證十二所教示之技術係針對「易於摻雜」之Ｐ型碲化鋅（Ｐ-type），與系爭專利所揭示者為申請時「難以摻雜
」之寬帶隙半導體（包括n型碲化鋅）顯有不同云云，惟由系爭專利申請專利範圍第1項之記載內容觀察，顯然系爭專利並未記載「難以摻雜」此一限制條件，解釋申請專利範圍時自不得將原說明書有記載而於系爭專利請求項中未記載之條件讀入請求項中，進而限定原申請專利範圍之文義範圍，是原告所稱系爭專利係針對「難以摻雜」之寬帶隙半導體云云，並不足採。原告復主張被證十二非將鉺（Ｅr）為系爭專利之主要摻雜劑，其目的係將一雜質加入Ｐ型ZnTe晶體，藉以在雜質位置上取得輻射（發光重組），被證十二所加入之雜質Er+3主要係在「間隙位置」，反之，系爭專利中Ｅ
r會在「取代位置」作為製造n型ＺnTe所需之淺層施體，是被證十二所揭示在Ｐ型ＺnTe中增加Ｅr濃度之方法與系爭專利方法完全無關云云。惟被證十二第567頁Abstract第1-2行已揭示「Er+3canbeincorporatedintheZnTelatticeinsignificantconcentrationsbyco-dopingwithanacceptorspecies.（鉺+3離子藉與一受體品種聯合摻雜的方式而可以顯著濃度包含於碲化鋅晶格當中）」等語，足見被證十二已教示系爭專利中所謂之第一及第二摻雜之共同摻雜以增加其中一摻雜劑（Ｅr+3）濃度此一技術特徵，況系爭專利並未界定為Ｎ型或Ｐ型半導體材料，且摻質為施體或受體亦未於系爭專利中作限定，是原告上開主張顯不足採。原告又主張被證十二並未揭示Ｅr和Ｌi二摻雜劑具不同活動性，而「次要摻雜劑之活動性大於主要摻雜劑」為系爭專利技術特徵，摻雜劑之移動能力受「離子尺寸」及「摻雜劑在半導體經體內所在位置」影響，故在比較活動性時，摻雜劑需要位於相同位置，而不能僅以離子尺寸決定移動能力大小云云，惟因原告系爭專利請求項並未界定其所稱活動性比較之條件，且由被證十二第570頁左欄第8-15行揭示「WhenthesampleofZnTe(Er,Li)wassubjectedtotreatmentswhichareknowntoremoveLifromelectricallyactivesitesinZnTe〔annealingat250℃for8d(Ref.11)orextractingLiwithabathofliquid
Zn(Ref.12)〕,theonlyERPspectraobsercedforEr+3werethecubicspectrumwithg=5.95andaspec-trumduetoanexcitedstateofEr+3onthissiteofcubicsymmetry.（當碲化鋅〈鉺,鋰〉試片接受一個處理程序，此程序是為了移除碲化鋅中的電子活性中心的鋰原子〈即在250℃退火或是在液態鋅中淬取鋰原子〉」等語，顯然證據十二已揭示利用一退火程序將鋰原子移除而留下Ｅr+
3之方法，是熟習該項技術者依上開資料之說明，應可直接得知鋰原子應較鉺離子具活動性，原告前述理由顯不足採。原告另主張系爭專利申請專利範圍第1項揭露「由此優先除去二摻雜劑中較具活動者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度」之技術特徵，而被證十二並未揭示系爭專利「將次要摻雜劑自晶體內移除」之特徵云云。惟查，系爭專利申請專利範圍第1項僅言及「在晶體至少一部份內引進實質上等量的二摻雜劑，…然後優先除去二摻雜劑較具活動性者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度者」，其並未記載「將較具活動性之摻雜劑移除至整個晶體之外」之限制，且因二摻雜劑是被摻雜至晶體至少一部份內，因此較具活動性之摻雜劑只要由晶體至少一部分優先去除即可，系爭專利請求項記載既未限定較具活動性之摻雜劑需移除至整個晶體之外，則「較具活動性之摻雜劑移除至整個晶體之外」及「較具活動性之摻雜劑從晶體之至少一部份移除至晶體之另外一部份」自均屬於系爭專利申請專利範圍之文義範圍，自無疑義。綜觀前述，被證十二顯然已經揭露系爭專利申請專利範圍第1項之技術特徵，被證十二已足以證明系爭專利申請專利範圍第1項不具新穎性。而系爭專利申請專利範圍第1項記載：「由此優先除去二摻雜劑中較具活動者，因而在該部分晶體內留下較不具活動性摻雜劑之非平衡濃度」之意義縱如原告所述係將「較具活動性之摻雜劑移除至整個晶體之外」，惟系爭專利之主要技術特徵即利用兩摻質共摻雜而達成增加其中一摻質於晶體內濃度之技術特徵既已於被證十二中揭示，而將較具活動性之摻質從晶體中完全移除之步驟（利用退火方式）為發明所屬技術領域中具通常知識者在參酌被證十二之先前技術所能輕易完成，是被證十二亦可證明系爭專利請求項第1項不具進步性。
㈤新世紀公司所提被證十三（即旭明公司被證3）乃1988年1
月4日公開於「AppliedPhysicalLetters」第52卷第1號之「Metalorganicvaporphaseepitaxyoflow-resistiv
ityp-typeZnSe」論文，該論文第57頁左欄倒數第13行至右欄第10行揭示「Thisletterisconcernedwiththefirstsuccessfulgrowthofhigh-conductivityp-typeZnSeepitaxiallayersonGaAssubstrates,whichwasachievedbyMOVPEwiththeuseofdimethylzinc(DMZn)anddiethylselenide(DESe)assourcematerialsandlithiumnitride(Li3N)asthedopant.Theelectrical
andluminescentpropertiesofthegrownlayersaredescribed.TheblueemissionfromaZnSep-ndiodefabricatedbythistechniqueisalsodemonstrated.（第一次於砷化鎵〈GaAs〉基板上成長高導電率之P型硒化鋅〈ZnSe〉磊晶層，此研究之執行係利用有機金屬氣相沉積法〈MOVPE〉以DMZn(dimethyzinc)及DESe(diethylselenide)作為成長源，並以一氮化三鋰〈Li3N〉當作摻雜物。成長層之電性和光性在此文中將被述及。利用這個技術所製作之錫化鋅(ZnSe)P-N藍光二極體也會被說明）」，另於第57頁左欄倒數第13行至右欄第10行揭示「Thegrowthwascarri
edoutinahorizontalMOVPEreactor.Theflowrates
ofDMZnandDESewerekeptat1×10-5and1×10-4mol/min,respectively.ThesubstrateswereCr-dopedsemi-insulatingGaAs(100)andZn-dopedp-typeGaAs
(100).Theywereetchedinasolutionof4H2SO4:1H2O2:1H2Ofor1minat40℃.Thegrowthtemperatur
ewasmaintainedat450℃.Thereactorpressureduringgrowthwas300or760Torr.Thedopantsource
ofLi3Nheatedat400℃wascarriedbyhydrogengasontothesubstrates.（整個成長之行為係在水平式之有機金屬氣相沉積(MOVPE)反應爐內執行。DMZn(dimethyzinc)和DESe(diethylselenide)之氣流速率分別被維持在1x10-5莫耳/分鐘與1x10-4莫耳/分鐘。基板為鉻(Cr)摻雜之半絕緣（100）面之砷化鎵(GaAs)與鋅(Zn)摻雜之P型（100）面之砷化鎵(GaAs)。上述基板於40℃下被蝕刻液4H2SO4:1H2O2:1H2O蝕刻1分鐘。成長溫渡維持在450℃。成長過程中反應爐之壓力為300torr或是760torr。成長源Li3N被加熱至400℃，且被氫氣帶至基板上）」、「Hallmeasurement
sweremadeattemperaturesrangingfrom77KtoroomtemperatureinaVanderPauwconfiguration.OhimccontactstotheZnSelayersweremadebyevaporatingAuorInfollowedbyannealinginanitrogenatmosphereforseveralminutesat300℃.（在VanderPauw結構中， 霍爾 量測(Hallmeasurement)從77
K量到室溫。硒化鋅(ZnSe)之歐姆接觸係以蒸鍍金(Au)或銦
(In)之方式製作後，在300℃氮氣環境下進行退火(annealing)）」，緊接其後之第57頁右欄倒數第10行至倒數第7行復揭示「ItwouldbereasonabletoconsiderthatanappreciablenumberofcompensatedacceptorswaspresentmainlybecauseoftheinterstitiallyincorporatedLidonors.（所以一個合理想法乃被補償之受體其數目會相當可觀，係因為與鋰(Li)施體之空缺合併）」。基於以上之記載，可知被證十三係揭露一種ZnSe(硒化鋅)晶體內添加摻雜劑之方法，而依系爭專利說明書記載，ZnSe為一種寬帶隙半導體材料，被證十三揭示以Li3N為摻雜劑，其中可觀數量之補償受體出現之主要原因，乃空隙導入之Li摻雜劑，是被證十三揭示了於ZnSe（硒化鋅）晶體內共同添加（co-doping）Li摻雜劑及氮摻雜劑之方法，在添加Li摻雜劑後可出現可觀數量之補償受體。原告主張被證十三未揭示氮及鋰在晶體內之相對數量，被告則主張被證十三之摻雜劑來源包括從一氮化三鋰（Li3N）分解之鋰離子與氮離子濃度為
3：1，倘依據原告對該實質等量之解釋（相差在10倍以內均屬實質等量之文義範圍），則上開差距仍屬實質等量，惟依據本判決前述對於申請專利範圍之解釋，所謂「實質上等量」之文義代表差異量很小幾近可以被忽略，或最多僅能涵蓋測量誤差範圍，則鋰離子與氮離子濃度為3：1，此一差距尚難認為屬實質等量之範圍。原告又主張被證十三所揭露之「藉由退火處達到電極與半導體晶體歐姆接觸」技術，主要目的並非「藉由退火處理移除鋰」，被告則主張熱退火具有將次要摻雜劑自晶體移除之效果，惟若審酌被證十三所揭示之內容，其退火步驟顯然係為形成半導體層與金電極間之歐姆接觸，至於在該條件下是否可將鋰離子移除並不得而知，是以此而言，被證十三顯然尚無法證明系爭專利請求項第
1項不具新穎性及進步性。㈥有關本件原告系爭專利之有效性，業經比對新世紀公司所提
出之被證十二、十三，其中被證十二已足以證明系爭專利不具新穎性及進步性，就其他證據部分，已無比對之實益，爰不再加以比對說明。至有關侵權行為部分，本件原告系爭專利乃方法專利，而依專利法第87條第1項規定，製造方法專利所製成之物品在該製造方法申請專利前為國內外未見者，他人製造相同之物品，推定為以該專利方法所製造。準此，方法專利權人於主張他人侵害其專利時，首需證明依其方法專利所製成之「物品」於專利申請前為國內外所未見，其次須證明侵權人有製造相同於前述物品之「物品」，上開前後物品並不相同，不可混為一談。本件原告系爭專利既屬方法專利，則依其方法專利所製成之物品為何，即須先予說明，並證明此一物品在系爭方法專利申請前未曾出現於國內外，惟原告迄今均未提出任何依其方法專利所製成之物品供本院佐參，遑論其技術方法是否為國內外所未見。又本件原告既主張被告之產品侵害系爭專利，則被告之侵權產品為何，原告亦負有舉證責任，惟原告自起訴迄今，對於被告何種產品侵害其專利一節，均未提出產品實物供本院佐參，遑論比對被告之「產品」製程如何落入原告系爭專利申請專利範圍。據原告訴訟代理人所述，原告係依被告網站得知被告有銷售
LED產品資料（參本院原告卷三第111頁），倘此情為真，則被告之產品既係公開銷售之產品，何以原告於起訴前均未曾在市場上先行取得被告產品進行比對，抑或向法院為證據保全之聲請？原告訴訟代理人復稱原告係從被告網站上對產品功能之描述而合理懷疑被告產品有使用到系爭專利之技術方法（參同上資料），則顯然原告對於被告產品之製程方法均屬單方臆測，毫無任何證據資料足供證明，其遽而主張被告之「產品」侵害其系爭專利云云，自屬無據，從而，其訴請被告等不得使用為中華民國第141136號發明專利及使用、為販賣之要約、販賣及出口侵害原告系爭專利之產品；被告新世紀公司及其法定代表人乙○○應連帶給付3,300萬元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息；被告旭明公司及其法定代表人丙00000000000應連帶給付3,300萬元，並自起訴狀繕本送達之翌日起至清償日止，按週年利率5%計算之利息云云，即無理由，應予駁回。
六、假執行部分：本件原告之訴既經駁回，其願供擔保為假執行之聲請即失所附麗，應併予駁回，附此敘明。
七、本件事證已臻明確，兩造其餘主張陳述及所提之證據，均毋庸再予審酌，附此敘明。
八、據上論結，本件原告之訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條、民事訴訟法第78條，判決如主文。
中華民國99年6月30日
智慧財產法院第一庭
法官汪漢卿以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中華民國99年6月30日
書記官邱于婷