裁判字號：臺北高等行政法院92年訴字第1802號判決
裁判日期：民國93年11月04日
裁判案由：發明專利異議
臺北高等行政法院判決九十二年度訴字第一八○二號
原告甲○○送達代收人乙○○訴訟代理人 鍾亦琳 律師
丁○○專利代被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）住同右訴訟代理人戊○○
參加人日月光半導體製造股份有限公司代表人丙○○訴訟代理人 陳森豐 律師（即 陳智超 律師）（兼送達代收人）複代理人 連炎昌 律師右當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十二年三月四日經訴字第０九二０六二０四九三０號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟。本院判決如左：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實
一、事實概要：緣參加人於民國（下同）八十九年一月二十日以「球格陣列半導體封裝構造及其基板」（下稱系爭案）向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，原告以系爭案違反核准審定時專利法第二十條第二項，不符發明專利要件，檢據異議證據一係西元一九九八年四月二十一日公開之美國第0000000號專利案（以下稱引證一），異議證據二係西元一九九八年三月十日公開之美國第0000000號專利案（以下稱引證二），異議證據三係西元一九九七年九月三十日公開之美國第0000000專利案（以下稱引證三），異議證據四係西元一九九八年五月十九日公開之美國第0000000號專利案（下稱引證四），對之提起異議，案經被告審查，於九十一年十一月二十一日以（九一）智專三（二）○四○六○字第○九一八九○○二五四四號專利異議審定書為「異議不成立」之處分，原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂提起本件行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明求為判決：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉被告應為異議成立之處分。
㈡被告及參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。
三、兩造之爭點：諸引證案是否足以證明系爭案不具進步性？
甲、原告主張之理由：
一、按前揭專利法第十九條規定「稱發明者，謂利用自法然則之技術思想之高度創作」及第二十條第二項規定「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」，申請專利之發明應係指具有高度之創作精神者，且該創作精神係熟習該項技術者所無法由既有之技術輕易推論而完成，始符合前揭專利法第二十條第二項進步性之規定；若僅係習用技術之組合與轉換，且屬一般業者所容易想出者，自難謂具有高度創作之精神，顯然不符前揭專利法第十九條發明專利之定義。
二、行政程序法第八條後段宣示行政行為應保護人民正當合理之信賴。且大法官解釋字五二五號亦明確指出：「信賴保護原則攸關憲法上人民權利之保障，公權力行使涉及人民信賴利益而有保護之必要者，不限於授益行政處分之撤銷或廢止（行政程序法第一百十九條、第一百二十條及第一百二十六條參照）」。如行政機關頒布之現行有效且該機關公開對社會大眾販售，人民已奉為圭臬、準則之行政規則，行政機關依據此項行政規則為行政處分時，當然有信賴保護原則之適用。再者，行政機關為行政處分之理由，縱使與裁量（學說上亦有稱之為判斷餘地者）有關，行政機關亦不得任意改變向來之行為方式，致有損人民之信任感，此與誠信原則、平等原則、比例原則等，同屬裁量處分應遵守之基本法律原則。再者，專利審查基準乃被告機關之行政規則，被告機關均係依該基準之認定與判斷標準作為專利申請之準則，原告信賴依此準則所為之申請必能獲得被告機關之肯認；是以，被告機關明顯違反此項準則之標準所為之處分，則必然傷害人民之信賴而違反信賴保護原則。是以，就專利要件之新穎性與進步性的審查而言，雖係有關科技法律之適用，可謂為行政機關行使職權時得自由判斷之裁量，惟該種裁量並非完全之放任，其所為之個別判斷，仍應避免違背誠信原則、平等原則、比例原則等一般法的規範。故被告機關未按其行政規則，依一貫的標準進行審查，實已違背誠信原則，顯然有裁量權濫用之虞。
三、根據被告機關所發布之專利審查基準第1-2-20頁，有關判斷進步性之基本原則３，已敘明：「判斷發明有無進步性時，應確實依據發明所屬之技術領域，以及申請專利當時之技術水準(thestateoftheart)，檢索申請當日之前之既有技術及或知識作為引證資料，以研判發明之技術手段之選擇與結合，如其選擇與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完成者，即具有進步性；反之，如為熟習該項技術者基於引證資料所能輕易完成者，則不具進步性」；因此，申請專利之發明若為習知技術之結合或選用，且該等習知技術之組合與選用並無待克服之困難點，則應視為熟習該項技術所能輕易完成而不具專利要件之進步性，絕非係僅以系爭案與引證案之異同，作為審究專利要件進步性之依據。
四、系爭案經修正之申請專利範圍，明顯不具專利要件之進步性。㈠系爭案之技術特徵係在於「接地環或電源環上形成有鋸齒狀凸出部分，並使相鄰
之一組鋸齒狀凸出部分凸出於另一組鋸齒狀凸出部分間，俾使該相鄰二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合」之技術特點上，而餘者則俱為習見之封裝步驟及結構，此一部分亦早已為被告機關於異議審定書中所自承，故在此不另為贅述。
㈡被告機關於異議審定書中已認可：「引證二係於一九九八年三月十日公告之美國
第0000000號專利案，其揭示銲接平台（即半導體之電路板）具有一第一導電環帶及一第二導電環帶，第一導電環帶具有多數相連但為不導電開槽所分隔之凸部而成鋸齒排列，該第二導電環帶具有多數相連之凸部，該凸部係位於該不導電開槽以對應第一導電環帶之鋸齒狀形態，而令該二環帶成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀．．．該第一導電環帶通常係做為接地環，而該第二導電環帶則做為電源環。及縮小焊線長度得以減少封裝件中之自感應及其它電子雜音，縮小焊線長度亦得減少線垂直的問題，而交錯之鋸齒狀形態則縮小焊接平台之寬度而不致減少導線環帶之焊接面積」，同時認可「引證三係於一九九七年九月三十公告之美國第0000000號專利案，其揭示有第一環帶之凸出部係位於該第二環帶之凸出部間並與之交錯」。因此，系爭案之技術特徵所在：「接地環或電源環上形成有鋸齒狀凸出部分，並使相鄰之一組鋸齒狀凸出部分凸出於另一組鋸齒狀凸出部分間，俾使該相鄰二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合」，俱早已為引證案所充分揭示，同時亦為被告機關於異議審定書中所認同。故而，系爭案之封裝構造及其基板結構不具專利要件之事實，無庸置疑。
㈢引證二之第三圖及第四圖與其說明書第二欄第十七行至第二十九行中早已具體揭
示：「於第一導電環中形成有第一鋸齒狀凸出部分，並於第二導電環上形成有第二鋸齒狀凸出部分，以使該第二導電環上之第二鋸齒狀凸出部分位置對應至該第一導電環上之第一鋸齒狀凸出部分，而令該兩導電環成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀」，以及其第四圖中清楚繪示出：「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」，同時，於引證三之第二圖及第四圖亦早已具體揭示有：「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」，因此，即如前所述，系爭案之技術特徵俱早已為引證案所充分揭示，此一部分亦早已為被告機關所認同。
㈣於系爭案之專利說明書第四頁第十一至十七行「先前技術」所述「第1及2圖所示
係為目前習用球格陣列(BGA)半導體封裝構造100，其包含一晶片101設於一基板102。該基板102上表面具有一接地環面103，兩電源環104及複數個手指105，該基板101表面之晶片銲墊106係以導線107a、107b、107c、107d分別連接至接地面
103，兩電源環104及複數個手指105」，係已明確指出，在一表面上設置有一接地環、第一電源環及第二電源環乃習知之基板結構，因此，對於任一熟習該項技藝者而言，即可輕易結合該基板習知結構中之一接地環與第一、第二電源環，以及早已公開之引證案技術中相關在接地環或電源環上形成有鋸齒狀凸出部分，並使該相鄰二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合之特徵，輕易達成被告機關所誤認系爭案之技術特徵所在：「第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合」。故而，再次說明系爭案之封裝構造及其基板不具專利要件之事實。
㈤然而，被告機關於訴願答辯理由中持續辯稱：「引證案並未揭示被異議案第一電
源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分。」因此，被告機關不僅誤解系爭案不具專利性之事實，再者，更未依照所頒行之審查基準，除確認系爭案修正未變更實質外，未經進一步審慎論究其新穎性、進步性等專利要件，即草率准予系爭案之不當修正並為異議不成立之審定，顯有違誤。
㈥另系爭案中申請專利範圍第五項所界定之封裝構造特徵相較於第一項所界定者，
第五項不同處係在於其接地環上無鋸齒狀凸出部分之形成，但仍在其第一電源環與第二電源環間形成鋸齒狀凸出部以相互嵌合。惟此一在二導電環間設置鋸齒狀凸部相互嵌合之結構設計已為引證案所完全揭示，亦為被告機關於異議審定書中所認可，然被告機關亦漠視之，僅選擇性地就系爭案之申請專利範圍第一項作為與引證案之比較依據，而未依專利審查基準中所述必須同時就系爭案申請專利範圍之全部請求項逐項判斷其是否具專利性，明顯有失其處分之公平性與完整性。㈦此外，至於系爭案中申請專利範圍第二項所界定之封裝結構特徵係僅較第一項所
界定者多一接地環，形成雙接地環與雙電源環之結構，而此一基板結構亦早已揭示於系爭案之專利說明書第十四頁第十九至二十二行述：「請參照第3及4圖，所示係為另一習用球格陣列(BGA)半導體封裝構造200．．．該基板202上表面具有兩接地環203,203’，兩電源環204,204’．．．」且系爭案申請專利範圍第三及四項所界定之基板結構係為其第一及二項封裝構造中所敘及之基板。因此，於系爭案之申請專利範圍中所有請求項俱為熟悉此項技藝者可藉由引證案所揭示之具有相互嵌合之鋸齒狀凸出部之接地環及或電源環加以選擇性實施於不同數量之接地環與電源環上，惟是種數量上之單純改變與組合並非實施上之必要技術條件，亦即該接地環或電源環數量上之變化與組合不僅如同系爭案之專利說明書中所述為習用之結構，同時亦非專利實務上允符規定之創新。再者，依前揭專利法第十九條之規定：「稱發明者，謂利用自然法則之技術思想之高度創作」，然若如同被告機關於異議審定書中所述，系爭案之技術特徵僅在於將習知已彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二接地（或電源）環，擴充至多數之接地（或電源）環上，然而，該種接地（或電源）環間具彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之結構特徵，早已為引證案所具體揭示（此部分早已為被告機關所認同，且詳細敘述於被告機關之異議審定書中），因此，系爭案之申請專利範圍實為引證案所揭示之技術內容之單純組合與運用，其使用接地（或電源）環數量增加之功效為所當然預期，亦為熟習此項技藝者所能輕易推及者，是以，系爭案實難謂技術思想之高度創作，亦不具有發明之進步性，故自有違專利法規與專利審查基準之規定。
㈧況且，若依被告機關審定異議不成立之理由觀之，若他人僅將該習知已彼此呈鋸
齒狀凸部且相互嵌合之接地（或電源）環，擴充至不同於系爭案數量之接地（或電源）環數目，以形成有第五組鋸齒狀凸出部分，甚或第六組以上之鋸齒狀凸出部分而提出專利申請，即可依被告機關審定異議不成立之理由推及該專利申請仍具進步性而得准予專利，如此不僅無法依專利法規給予專利申請人保障，甚者，嚴重影響專利法旨與社會公益甚鉅。
五、訴願機關所為之判斷，其認事用法，多所違誤，應予撤銷。㈠按行政程序法第四十三條之規定：「行政機關為處分或其他行政行為，應斟酌全
部陳述與調查事實及證據之結果，依論理及經驗法則判斷事實之真偽．．．」㈡訴願機關駁回原告訴願，其理由係完全承襲被告機關於異議審定書之內容，依舊
指稱，系爭案之技術特徵在於第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出．．．云云。惟如同先前所述，系爭案之多接地環與多電源環之基板結構特徵不僅具體描述於被異議案之專利說明書內容之習知技術中，同時，各接地環及或電源環間形成有相互嵌合之鋸齒狀凸出部，亦早已為引證案所充分揭示，是以，經上述分析比較可知，系爭案之技術特徵均為該領域之習用技術，是以，系爭案不具專利要件之進步性，顯然可見，而訴願機關未斟酌全部陳述與調查事實及證據之結果，亦不予原告至訴願機關說明機會，即為訴願駁回之決定，實至為不當。
六、被告機關係以：「證據一、二、三及四並未揭示系爭案第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分；複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環電源環及複數個手指電性連接之技術特徵」而稱引證案不能證明系爭案之封裝結構不具進步性。
七、惟查，如前所述被告機關所認定之系爭案特徵，實已為引證二第三、四圖與其說明書第二欄第十七行至第二十九行中具體揭示，同時於系爭案第一、二圖及其專利說明書第四頁第十一行至第二十四行之「先前技術」中即提及：「第1及2圖為所示係為目前習用球格陣列(BGA)半導體封裝構造100，．．．。該基板102下表面具有複數個陣列排列之錫球108，分別經由通孔(via)103v，104v，105v與基板102上表面之接地環(groundring)103，電源環(powerring)104，複數個手指(finger)105，接地面103g及電源面104p電性連接。每一錫球108用以與外界電性溝通」。亦即，系爭案之技術即為利用引證案在接地環及電源環形成鋸齒狀凸出部之習知技術之簡單應用，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，實未見系爭案可專利之技術特徵何在。亦即，被告機關並未審究系爭案係屬熟習該項技術者所能輕易完成而不具有進步性之事實，即為異議不成立之審定，實有違誤，應予以撤銷。
八、被告機關於行政訴訟答辯書中仍持續辯稱，單由包含引證案等習知技術之「於第一導電環中形成有第一鋸齒狀凸出部分，並於第二導電環上形成有第二鋸齒狀凸出部分，以使該第二導電環上之第二鋸齒狀凸出部分位置對應至該第一導電環上之第一鋸齒狀凸出部分，而令該兩導電環成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀」、「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」、以及「基板下表面具有複數個陣列排列之錫球，分別經由通孔(via)與基板上表面之接地環(groundring)，電源環(powerring)，複數個手指(finger)，接地面及電源面電性連接。每一錫球108用以與外界電性溝通」等技術手段，無法由熟悉該項技術者所輕易推及完成或簡單組合所完成，明顯違反審查基準與熟習該項技術者之認知標準。
㈠被告機關所發布之專利審查基準第1-2-19頁第十四至十九行已載明：「『熟習該
項技術者』，係指虛擬一具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），並發揮一般創作能力，例如：選擇材料或變更設計，使當時該發明所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識的人而言。」㈡按被告機關之異議審定書理由五、六，均已明白指出「例如接地環及電源環之相
鄰導電環上設有相互嵌合之鋸齒狀凸部」、「縮小焊線長度」之結構特徵，已為引證二、三所揭露；另一方面，「複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環電源環及複數個手指電性連接之技術特徵」係申請前既有之習知技術，而為系爭案之說明書內容之「習知技術」所自承。
㈢再者「系爭案第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出
，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分」之技術，本身即為在接地環及電源環形成鋸齒狀凸出部之習知技術之簡單應用，且被告機關亦未能明確指出熟習該項技術者利用引證案「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」及「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」之技術手段，形成系爭案「多組鋸齒狀電源環結構」及「多組路徑型態相同之導線」之技術內容究竟需克服何種困難，亦即，被告機關並未能明確指出系爭案之顯然進步何在。
㈣被告機關仍完全忽視熟習該項技術者由引證案所揭示之習知技術達成系爭案之容
易性，強稱由習知技術之「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」及「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」無法推導或認定形成如系爭案之「多組鋸齒狀電源環結構」及「多組路徑型態相同之導線」為習知或「簡單之技術結合」，顯然有違專利審查基準之判斷標準，實難謂其審定係以熟習該項技術者之技術水準作為判斷、衡量之依據。
九、為使鈞院確實了解，系爭案之技術手段及目的功效均已為引證案所揭示，明顯為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性之事實，茲進一步分析說明如下：
㈠就技術特徵而論：
⒈參閱系爭案之專利說明書及其圖式內容可知，比對其第一、二圖所示習知技術之
具複數接地環與電源環之半導體封裝構造，及其第五、六圖所揭示之系爭案發明之具複數接地環與電源環之半導體封裝構造差異，系爭案主要技術特徵即在該接地環及電源環上設有相互嵌合之鋸齒狀凸部，進而提供晶片與接地環及電源環之相似導線路徑。
⒉惟在引證二之第三圖及第四圖與其說明書第二欄第十七行至第二十九行中早已具
體揭示：「於第一導電環中形成有第一鋸齒狀凸出部分，並於第二導電環上形成有第二鋸齒狀凸出部分，以使該第二導電環上之第二鋸齒狀凸出部分位置對應至該第一導電環上之第一鋸齒狀凸出部分，而令該兩導電環成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀」，以及其第四圖中清楚繪示出：「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」，同時，於引證三之第二圖及第四圖亦早已具體揭示有：「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」。
⒊同時此一部分亦早已為被告機關於其異議審定書第四頁理由（五）中所自承：「
異議證據二係於一九九八年三月十日公告之美國第0000000號專利案，其揭示銲接平台具有一第一導電環帶及一第二導電環帶，第一導電環帶具有多數相連但為不導電開槽所分隔之凸部而成鋸齒排列，該第二導電環帶具有多數相連之凸部，該凸部係位於該不導電開槽以對應第一導電環帶之鋸齒狀形態，而令該二環帶成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀．．．該第一導電環帶通常係做為接地環，而該第二導電環帶則做為電源環。及縮小焊線長度得以減少封裝件中之自感應及其它電子雜音，縮小焊線長度亦得減少線垂直的問題，而交錯之鋸齒狀形態則縮小焊接平台之寬度而不致減少導線環帶之焊接面積」；以及異議審定書第五頁理由
（六）中所述：「異議證據三係於一九九七年九月三十公告之美國第0000000號專利案，其揭示有第一環帶之凸出部係位於該第二環帶之凸出部間並與之交錯」。
⒋因此，對於任一熟習該項技術者而言，即可輕易結合引證二、三所揭示之形成「
彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」與系爭案專利說明書第一、二圖所示之習知具複數接地環與導電環之半導體結構，而輕易完成系爭案專利說明書第五、六圖所揭示之系爭案發明之封裝結構，並無任何技術上困難及待克服之處，亦即，系爭案不具進步性之事實至為明確。
㈡雖參加人於其修正之申請專利範圍及異議答辯書中指稱系爭案之技術特徵在「第
一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分」，而⒈探究該系爭案所述之技術特徵與引證二及三之差異，僅在於多出所謂第三、四組
鋸齒狀之凸出部分及第三組路徑型態之導線，惟之所以會有其所謂異於引證案之第三、四組鋸齒狀之凸出部分及第三組路徑型態之導線差異，在於系爭案之技術內容中較引證案多出一組導電環所致，然該複數導電環甚或接地環之設置不僅非系爭案之技術特徵所在，同時亦為習知技術之應用，此一部分亦為系爭案於其說明書之「習知技術」部分與其圖式之第一、二、三、四圖中所自承。
⒉因此，系爭案僅為在接地環及電源環形成鋸齒狀凸出部之習知技術中作數量變化
之簡單應用，同時，亦未能明確指出熟習該項技術者利用習知技術中「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」及「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」形成系爭案「多組鋸齒狀電源環結構」及「多組路徑型態相同之導線」需克服之何種困難，亦即，就系爭案申請專利範圍所界定之結構而言，其並無技術特徵，亦無顯然的進步，系爭案不具專利要件之事實，應已無庸置疑。
㈢再就目的與功效而論：
⒈於系爭案專利說明書第十八頁第二段以及參加人於其異議答辯書中第九點後段所
述，系爭案主要功效就電性而言，在於「縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感及雜訊，增強球格陣列半導體封裝構造之電性效能」以及「縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容，獲得一較佳之頻率響應。改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能」。
⒉惟探究系爭案所謂可達電性增進功效之因素，主要係藉由「縮短接地面與電源環
之導線長度」以及「縮短接地環與電源環之距離」等技術手段，而該技術手段既為引證案中所充分揭示，當然系爭案所強調可達成之目的與功效自為引證案所早已具有。
⒊即如引證二於其專利說明書第二欄第四十七行至第五十四行中所述：「縮小銲線
長度得減少封裝件中之自電感及其它電子雜音，縮小銲線長度亦得減少線垂的問題」等電性與銲線相關品質上之改良，以及引證三於其專利說明書第三欄第十五行至二十行中所述：「當交叉排列導電環取代直導電環時，將可縮短電性連接之長度以及減小相關之電感、耦合電子遷移及接地跳動」，換言之，系爭案所欲解決之課題與所得產生之功效，俱皆可由引證案之揭示所能輕易推及與導出。
十、被告機關係完全忽視熟習該項技術者由引證案所揭示之習知技術達成系爭案之容易性，強稱由習知技術之「彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之二導電環」及「用以電性導接晶片上之銲墊與第一導電及第二導電環之導線長度大致相同」無法推導或認定形成如系爭案之「多組鋸齒狀電源環結構」及「多組路徑型態相同之導線」為習知或「簡單之技術結合」，顯然有違專利審查基準之判斷標準，實難謂其審定係以熟習該項技術者之技術水準作為判斷、衡量之依據。況且，若依被告機關審定異議不成立之理由觀之，若他人僅將該習知已彼此呈鋸齒狀凸部且相互嵌合之接地（或電源）環，擴充至不同於系爭案數量之接地（或電源）環數目，以形成有第五組鋸齒狀凸出部分，甚或第六組以上之鋸齒狀凸出部分而提出專利申請，即可依被告機關審定異議不成立之理由推及該專利申請仍具進步性而得准予專利，如此不僅無法依專利法規給予專利申請人保障，甚者，嚴重影響專利法意旨與社會公益甚鉅。
、綜上所述，系爭案之技術即為利用引證案在接地環及電源環形成鋸齒狀凸出部之習知技術之簡單應用，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，實未見系爭案可專利之技術特徵何在，且系爭案所達之功效，均非熟習該項技術者所無法預期。亦即，被告機關並未審究系爭案係屬熟習該項技術者所能輕易完成而不具有進步性之事實，即為異議不成立之審定，實有違誤，應予以撤銷。
乙、被告主張之理由：引證一、二、三及四並未揭示系爭案第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分；複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環電源環及複數個手指電性連接之技術特徵；再者功效上就電性而言，系爭案除明顯縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感及雜訊，增強球格陣列(BGA)半導體封裝構造之電性效能外，亦明顯縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容，可獲得一較佳之頻率響應，改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能，可知各引證案不足以證明系案有違新穎性及進步性，故原告之理由完全係個人主觀之認定，有違事實，不足採信。
丙、參加人主張之理由：
一、原告對系爭案具備新穎性專利要件已無所爭執，至系爭案是否具備進步性要件，其申請專利範圍之判斷應以整體而觀之，殊不得將之割裂肢解而為過低之評價：㈠原告對系爭案之新穎性專利要件並無疑義，至系爭案之進步性判斷，依世界各國
所肯認之專利審查原則，進步性專利要件之判斷應以申請專利範圍整體觀之（asawhole），不得將其申請專利之發明所載之技術內容加以片段、肢解來加以分析（參HybritechInc.v.MoloclonalAntibodies,Inc.,802F.2d1367,231USPQ81（Fed.Cir.1986）；InrePaulsen,30F.3d1475,1482,31USPQ2d1671（Fed.Cir.1994）），蓋如得將一發明之技術內容予以拆解分析，則因審查委員在了解技術內容後，容易對申請專利之發明為過低之評價，致常有事後諸葛之後見之明（hindsight），故而，八十九年十月版專利審查基準第1-2-28頁亦明文，進行專利審查時應依熟習該項技術者之觀點、申請當時之技術水平作客觀判斷，而不得基於因知悉申請專利發明中既有之內容或說明，而對申請專利之發明有後見之明的過低評價。
㈡惟查，原告於訴願理由及行政訴訟理由中卻一再斷章取義、以偏蓋全，指稱系爭
案之技術特徵端在於「接地環或電源環上形成有鋸齒狀凸出部分，並使相鄰之一組鋸齒狀凸出部分凸出於另一組鋸齒狀凸出部分間，俾使該相鄰二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合」之技術特點上，而餘者則俱為習見之封裝步驟及結構云云，其等指稱不僅未依世界各國在專利審查判斷上應依「整體觀之」之原則，更且斷章取義，指鹿為馬誤解系爭案之技術特徵所在，其主張實不可採，敬請鈞院明鑑。
㈢按判斷申請專利範圍是否符合專利要件應整體觀之，如前所述。而系爭案之技術
特徵，所概括者亦非如原告所指稱之部分，單以被告機關原審定理由中所指陳為例，系爭案中申請專利範圍第一項中「第一電源環具有一組第三鋸齒狀突出部份朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分」，即為系爭案申請專利前之所有先前技藝（PriorArt）所未揭示、揭露之獨特技術特徵，如何能認系爭案乃參酌先前技藝所可輕易完成，此等事實亦為被告機關審定原告異議不成立之原因所在。
㈣按被告機關八十九年十月頒布之專利審查基準第1-2-20頁雖明言判斷發明是否能
輕易完成時，⑴准予將二件或二件以上之不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合；⑵或將先前技藝（priorart）之各片段部分相互組合，惟其組合仍須以熟習該項技術者於申請當時是否能輕易完成為斷，並非謂申請專利範圍中某一部份似與某文獻相近，而其另一部份似又見諸於某一文獻，而將申請專利範圍之技術內容割裂肢解，即可論斷其屬熟習該項技術者所能輕易完成，而仍應視其組合是否具有「突出的技術特徵」或「顯然的進步」而定。查系爭案藉由其上述之技術特徵，除明顯縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感（Inductance）及雜訊（Noise），增強球格陣列
（BGA）半導體封裝構造之電性效能（ElectricPerformance）外，系爭案亦明顯縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容（Capacitance），可獲得一較佳之頻率響應，改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能，可知系爭案確實並非運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該技術者所能輕易完成。
二、判斷申請專利之發明是否符合專利進步性要件，應以申請當時既有之技術水準為斷，以判斷基於先前技藝是否可輕易獲得申請專利之發明。按判斷發明專利之進步性時，應以申請當時既有之技術水準，參酌當時之先前技藝，以判斷申請專利發明是否乃基於先前技藝所能輕易思及；詳言之，進行申請專利之發明進步性判斷時，應假設尚無申請專利發明之存在，而視先前技藝是否對申請專利發明之技術內容有任何教示（teaching）或提議（suggestion），使熟習該項技術之人士得依此教示或提議，而改變或組合申請前之先前技藝或知識以得到申請專利之發明之技術內容，倘申請前之先前技藝或知識中未有此等教示或提議，即不得推認此申請專利之發明係屬可輕易完成而不具進步性。因此在進行「進步性」之評價時，雖然可組合許多不同之申請前先前技藝，以認定申請專利之發明是否由此等申請前之先前技藝輕易組合可得，然由於多數發明所賴以創新的基礎，為已存的申請前之先前技藝與知識；故發明的技術特徵散見於先前已知的技術文獻之中乃屬常態，因此，「組合前案技術」來衡量申請專利發明之「進步性」時，應著重於其組合之過程，而非組合之事實，不能僅僅於不同之申請前先前技藝中分別發現有申請專利之發明或創作所載之部分技術內容，即以後見之明（hindsight）認定其不符進步性要件。今系爭案之技術特徵與原告所引證據中之技術特徵乃全然不同，而參酌既有之先前技藝實無法經由簡單之邏輯分析以組合系爭案之發明。原告未察此點，單以不相干之先前技藝之組合事實，以主張系爭案不具進步性，其謬誤不當實為至明。
三、引證二之設計僅可減少習知技藝「不同導線長度需求不同打線參數」所引發之製造問題，並無法縮短導線之長度，降低電容及雜訊之干擾，以獲得較佳之電性效能；反之，系爭案之設計不僅涵蓋引證二之技術優點，同時可減少導線之長度，而獲得較佳的電性效能：
㈠習知技藝之問題點：
按習知技藝，如系爭案說明書第一、二圖所示（詳參加人附件一），晶片周圍環繞不同打線距離的電源環與接地環，以該圖為例，其即至少需要四種不同路徑型態之導線，107a，107b，107c及107d分別將晶片銲墊106連接至接地環103，兩電源環104及複數個手指105；當利用打線機進行打線時，每種路徑型態之導線皆須分別設定打線機之操作參數，再進行打線作業，而愈多的參數，即代表著打線機的操作複雜度，其製造上的變異性亦將較大，而不利於產品良率的維持。另一方面，就電性而言，導線愈長，其阻抗愈大，因而影響球格陣列（BGA）半導體封裝構造之電性效能；此外，接地環103與電源環104之導線距離愈長，其間之電感及雜訊愈大，較大之電感值將使半導體封裝構造消耗較多之電能，且使晶片內部之積體電路與導線易感受電源滾涌（powersurges），而使電性效能降低。
㈡引證二之技術特徵及其可解決之問題點：
按引證二之技術特徵（詳參加人附件二），如原告於其訴願理由書第五頁倒數第四行所承，其乃係「於第一導電環中形成有第一鋸齒狀凸出部分，並於第二導電環上形成有第二鋸齒狀凸出部分，以使該第二導電環上之第二鋸齒狀凸出部分位置對應至該第一導電環上之第一鋸齒狀凸出部分，而令該兩導電環成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀」；就其第一導電環與第二導電環而論，其至多僅使第一導電環、第二導電環二者與晶片上銲墊連接之導線長度距離相同，從而減少不同導線長度所需求之不同打線機作業參數，但引證二卻無法有效縮短接地環或電源環與晶片連接所需導線的長度，自亦無法有效降低其間的電感與雜訊，以獲得較佳之電性效能，尤其是對位於晶片外層的電源環或接地環而言更是如此。以一晶片外圍具有計四層之接地環與電源環為例（詳參加人附件三），引證二雖可使其第一環與第二環以及第三環與第四環二者至晶片之距離相等，而減少打線機之操作參數，但對第三、第四環而言，由於引證二之凸出設計是呈單向設計，因此欲重現第
一、二環之凸出型態於第三、四環時，其必須於第一、二環外再包繞一層單純平滑無凸出的環狀空間，故而加長了所需的導線長度。
㈢系爭案技術特徵及其所獲致之功效：
按系爭案之技術特徵，如其申請專利範圍所載，係「第一電源環具有一組第三鋸齒狀突出部份朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同」，及「一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分」，此皆為先前技藝及引證二所未揭示、揭露之獨特技術特徵；更進一步言，系爭案藉由其上述之技術特徵，除明顯縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感及雜訊，增強球格陣列
（BGA）半導體封裝構造之電性效能外，系爭案亦明顯縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容，可獲得一較佳之頻率響應，改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能。
四、綜上所陳，引證案不具有系爭案之技術特徵，二者使用之技術結構並不相同；另就所達成之功效言之，引證案亦不似系爭案能藉由導線長度之縮短，以降低電容及雜訊之干擾而獲得較佳之電性效能。由是觀之，系爭案之技術特徵及其獲致之功效，均未為引證案所揭示，其確非熟習該項技術者運用申請前既有之技術或知識所能輕易完成，原告所執之理由實無法證明系爭案有違專利法之規定。
理由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，為系爭案核准審定時專利法第十九條暨第二十條第一項所規定。而公告中之發明，任何人認有違反前揭專利法第十九條至第二十一條規定者，依法得自公告之日起三個月內備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起。從而，系爭案有無違反專利法情事而應不予專利，依法應由異議人附具證據供專利專責機關即被告審查，如異議人所主張之事實及證據，經專利專責機關調查結果認不足以證明系爭專利有違專利法之規定，又無依職權補充調查之必要時，自應為異議不成立之處分。
二、本件被告以系爭第00000000號「球格陣列半導體封裝構造及其基板」發明專利案，一基板，具有一上表面，一下表面，一接地面設於該上表面下方及至少一電源面設於該接地面及下表面間；一晶片連接於該基板上表面，該晶片表面設有晶片銲墊；一接地環位於該基板上表面之該晶片外圍，該接地環與該接地面電性連接，且具有一組第一鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向凸出；一第一電源環圍繞於該接地環外圍，具有一組第二鋸齒狀凸出部分凸出於該接地面之第一組鋸齒狀凸出部分間，使接地環之第一組鋸齒狀凸出部分與電源環之第二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第一組鋸齒狀凸出部分及第二組鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊間之打線距離大致相同；一第二電源環圍繞於該第一電源環外圍，該第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四組鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同；複數個電源鍍通孔位於該電源環上，以將該電源環與該電源面電性連接，至少兩電源鍍通孔係為相互毗連；複數個手指圍繞於該電源環外圍；第一組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該接地環之第一組鋸齒狀凸出部分及電源環之第二組鋸齒狀凸出部分；第二組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該複數個手指；一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分；一封膠體包覆該晶片、導線以及該基板上表面；及複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環，電源環及複數個手指電性連接。原告所舉異議證據一係西元一九九八年四月二十一日公開之美國第0000000號專利案（即引證一），異議證據二係西元一九九八年三月十日公開之美國第0000000號專利案（即引證二），異議證據三係西元一九九七年九月三十日公開之美國公開之美國第0000000專利案（即引證三），異議證據四係西元一九九八年五月十九日公開之美國公開之美國第0000000號專利案（即引證四）。經被告機關審查認為，引證一、二、三及四並無法證明系爭案係運用申請前既有之技術或知識而為熟悉該技術者所能輕易推及完成或簡單組合所能完成，系爭案應具進步性，乃為異議不成立之處分。原告不服，循序提起訴願及行政訴訟，主張系爭案之特徵及構成乃其申請專利前即已公開之引證一至引證四所揭示之技術內容的單純組合與運用，而為熟習該項技藝者所能輕易完成，故已違反首揭專利法第二十條第二項之規定，不具進步性云云。
三、本院查：㈠參加人於九十一年一月十八日所提系爭案申請專利範圍修正本，係將原申請專利
範圍第二及第三附屬項併入原第一項主項中，原第六項附屬項併入原第五項主項中，與九十年五月二十五日之審定公告本比較，並未變更實質，且係屬於申請專利範圍縮減，被告乃准予修正，原告於本院審理時對此亦不再爭執，並只爭執系爭案之進步性問題，合先敘明。
㈡系爭案係一種「球格陣列（BGA）半導體封裝構造」，依其申請專利範圍，包含
一基板，具有一上表面，一下表面，一接地面設於該上表面下方及至少一電源面設於該接地面及下表面間；一晶片連接於該基板上表面，該晶片表面設有晶片銲墊；一接地環位於該基板上表面之該晶片外圍，該接地環與該接地面電性連接，且具有一組第一鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向凸出；一第一電源環圍繞於該接地環外圍，具有一組第二鋸齒狀凸出部分凸出於該接地面之第一組鋸齒狀凸出部分間，使接地環之第一組鋸齒狀凸出部分與電源環之第二組鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第一組鋸齒狀凸出部分及第二組鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊間之打線距離大致相同；一第二電源環圍繞於該第一電源環外圍，該第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四組鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同；複數個電源鍍通孔位於該電源環上，以將該電源環與該電源面電性連接，至少兩電源鍍通孔係為相互毗連；複數個手指圍繞於該電源環外圍；第一組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該接地環之第一組鋸齒狀凸出部分及電源環之第二組鋸齒狀凸出部分；第二組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該複數個手指；一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分；一封膠體包覆該晶片、導線以及該基板上表面；及複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環，電源環及複數個手指電性連接（原處分卷第一一七、一一八頁）。引證一係一種將晶片封裝於一球柵陣列（BGA）封裝件中之製法，揭示於BGA封裝件之上層跡線及下層跡線間設置一BGAVss平面，並與該Vss貫孔電性接觸，及設置一BGAVdd平面於該BGAVss平面與BGA封裝件下層跡線之間，並與該Vdd貫孔電性接觸。引證二，係揭示銲接平台（即半導體之電路板）具有一第一導電環帶及一第二導電環帶，第一導電環帶具有多數相連但為不導電開槽所分隔之凸部而成鋸齒排列，該第二導電環帶具有多數相連之凸部，該凸部係位於該不導電開槽以對應第一導電環帶之鋸齒狀形態，而令該二環帶成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀，該第一導電環帶通常係做為接地環（Vss），而該第二導電環帶則做為電源環（Vcc），及縮小焊線長度得以減少封裝件中之自電感及其它電子雜音，縮小焊線長度亦得減少線垂直的問題，而交錯之鋸齒狀形態則縮小焊接平台之寬度而不致減少導線環帶之焊接面積。引證三揭示有第一環帶之凸出部係位於該第二環帶之凸出部間並與之交錯。引證四揭示經選定之多數毗鄰相接之貫孔係設於該第一及第二導電元件間，且含有導電材料以作為該第一及第二導電元件之導電通道者。（以上見原處分卷第十七、二十七、四十五、四十九、六十一頁）。各引證案均未揭示系爭案第一電源環具有一組第三鋸齒狀凸出部分朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三組鋸齒狀凸出部分及第四組鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同，及一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分；複數個陣列排列之錫球，位於該基板下表面，分別與基板上表面之接地環電源環及複數個手指電性連接之技術特徵。
㈢又引證二之技術特徵，如原告主張係「於第一導電環中形成有第一鋸齒狀凸出部
分，並於第二導電環上形成有第二鋸齒狀凸出部分，以使該第二導電環上之第二鋸齒狀凸出部分位置對應至該第一導電環上之第一鋸齒狀凸出部分，而令該兩導電環成一對接齒輪之鋸齒相嵌之狀」，就其第一導電環與第二導電環而論，其至多僅使第一導電環、第二導電環二者與晶片上銲墊連接之導線長度距離相同，從而減少不同導線長度所需求之不同打線機作業參數，卻無法有效縮短接地環或電源環與晶片連接所需導線的長度，自亦無法有效降低其間的電感與雜訊，以獲得較佳之電性效能，尤其是對位於晶片外層的電源環或接地環而言更是如此。以一晶片外圍具有計四層之接地環與電源環為例（見參加人所提引證二示意圖），引證二雖可使其第一環與第二環以及第三環與第四環二者至晶片之距離相等，而減少打線機之操作參數，但對第三、第四環而言，由於引證二之凸出設計是呈單向設計，因此欲重現第一、二環之凸出型態於第三、四環時，其必須於第一、二環外再包繞一層單純平滑無凸出的環狀空間，故而加長了所需的導線長度。反觀系爭案之技術特徵，如其申請專利範圍所載，係「第一電源環具有一組第三鋸齒狀突出部份朝該晶片相反方向外凸出，該第二電源環具有一組第四鋸齒狀凸出部分凸出於該第三鋸齒狀凸出部分間，使第三鋸齒狀凸出部分與第四鋸齒狀凸出部分相互嵌合，且第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分與晶片表面之晶片銲墊之打線距離大致相同」，及「一第三組路徑型態之導線，將晶片銲墊電性連接至該第三鋸齒狀凸出部分及第四鋸齒狀凸出部分」，此皆為先前技藝及引證二所未揭示、揭露之獨特技術特徵。系爭案藉由其上述之技術特徵，除明顯縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感及雜訊，增強球格陣列（BGA）半導體封裝構造之電性效能外，系爭案亦明顯縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容，可獲得一較佳之頻率響應，改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能。
㈣被告機關於本件審定時適用之專利審查基準第1-2-20頁雖明言判斷發明是否能輕
易完成時，⑴准予將二件或二件以上之不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合；⑵或將先前技藝（priorart）之各片段部分相互組合，惟其組合仍須以熟習該項技術者於申請當時是否能輕易完成為斷，並非謂申請專利範圍中某一部份似與某文獻相近，而其另一部份似又見諸於某一文獻，而將申請專利範圍之技術內容割裂肢解，即可論斷其屬熟習該項技術者所能輕易完成，而仍應視其組合是否具有「突出的技術特徵」或「顯然的進步」而定。查系爭案藉由其上述之技術特徵，除明顯縮短接地面與電源環之導線長度，減少其間之電感（Inductance）及雜訊（Noise），增強球格陣列
（BGA）半導體封裝構造之電性效能（ElectricPerformance）外，系爭案亦明顯縮短接地環與電源環之距離，減少接地環與電源環之導線電感，及增加其電容（Capacitance），可獲得一較佳之頻率響應，改善之頻率響應可使該半導體封裝構造以更快之速度操作，具較佳之電性效能，及消耗較少之電能，足見系爭案並非引證一、二、三、四之簡單組合所能完成，自難謂其係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該技術者所能輕易思及。
四、綜上所述，諸引證案不足以證明系爭案不具進步性，原告所訴不足採信，從而被告機關所為本件異議不成立之處分，認事用法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告起訴意旨，仍執前詞及個人主觀之見解，請求撤銷訴願決定及原處分，並命被告應為異議成立之處分，為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如
主文。中華民國九十三年十一月四日
臺北高等行政法院第二庭
審判長法官姜素娥
法官吳東都法官林文舟右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國九十三年十一月四日
書記官呂美玲