裁判字號：智慧財產法院103年民專訴字第50號民事判決
裁判日期：民國104年09月22日
裁判案由：侵害專利權有關財產權爭議等
智慧財產法院民事判決
103年度民專訴字第50號原告ToshibaCorporation（東芝股份有限公司；株式
會社東芝）法定代理人HideoKumagai（ 熊谷英夫 ）訴訟代理人 黃章典 律師
簡秀如 律師 湯舒涵 律師 游象敏 被告華上光電股份有限公司兼法定代理人 李森田 共同訴訟代理人 徐念懷 律師
彭國洋 律師 李世章 律師鄭資頡複代理人 劉晏慈 律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於104年
8月17日言詞辯論終結，判決如下：
主文原告之訴及其假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
一、原告主張：原告為發明第I315588號「半導體發光元件及其製造方法，以及半導體發光裝置」專利之專利權人，專利權期間自民國98年10月1日起至115年10月2日（下稱系爭專利）。系爭專利共計20個請求項，其中請求項1、12及17項為獨立項，其餘均為附屬項。原告就系爭專利曾提出更正，經經濟部智慧財產局（下稱智慧局）於102年11月11日核准公告（下稱
102年更正公告本），嗣原告再於103年9月1日提出更正本，並於智慧局尚未審定時，又於同年11月21日再提另一更正本（103年11月21日所提之更正本下稱103年更正本），現於智慧局審查中，103年更正本符合專利法第67條規定，顯應准許。被告華上光電科技股份有限公司（下稱被告華上公司）未經原告同意或授權，其所製造並販售之附表1所示產品（下稱系爭產品），落入系爭專利103年更正本請求項
1、3至7而侵害系爭專利權。原告曾於101年5月14日、
102年10月21日及同年12月30日致函予被告公司，惟被告公司至今仍繼續製造、販賣系爭產品，顯有侵權故意，爰分別依各侵權行為時之專利法及公司法第23條第2項規定，就被告之故意侵權行為請求損害賠償額之3倍，並暫依民事訴訟法第244條第4項請求被告等連帶賠償最低金額新台幣（下同）48,000,000元，及請求命被告公司排除侵害並銷毀侵權物品。並聲明：⑴被告等應連帶給付原告48,000,000元，及自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5％計算之利息。⑵被告華上公司不得製造、販賣、為販賣之要約、使用或為上述目的而進口如附表1所示各型號系列之發光二極體（LED）產品及其他一切侵害中華民國證書號第I315588號發明專利之產品。⑶被告華上公司應回收並銷毀侵害上開專利權之產品。⑷訴訟費用由被告等連帶負擔。⑸就第一項及第二項之聲明，原告願以現金或同額之兆豐商業銀行安和分行可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。
二、被告等則以下列等語置辯：系爭專利103年更正本及102年更正公告本，均違反現行專利法第67條第1、2項之規定，不應准許更正。再者，系爭產品之反射層的材質為「包含Ga、P原子與Au金屬之合金」，不該當系爭專利103年更正本請求項1所述「反射層」，故系爭產品不落入系爭專利103年更正本請求項1、3至7之範圍，又系爭產品於系爭專利優先權日前已有銷售之事實，而不為系爭專利權效力所及，且有先前技術阻卻之適用，故系爭產品並未侵害系爭專利。此外，被告所提之證據分別可證明系爭專利各請求項不具新穎性或不具進步性，且系爭專利說明書亦違反充分揭露並可據以實施之規定，故系爭專利有撤銷事由存在，原告不得對被告主張權利。並聲明：⑴原告之訴駁回。⑵訴訟費用由原告負擔。⑶如受不利判決，被告願供擔保請准宣告免為假執行。
三、經查下列事實，有各該證據附卷可稽，且為兩造所不爭執，自堪信為真實：
㈠原告於95年10月3日向智慧局申請「半導體發光元件及其製
造方法，以及半導體發光裝置」號之發明專利專利，經該局審查核准後，發給第I315588號專利證書（即系爭專利），專利權期間自98年10月1日起至115年10月2日止（見本院卷一第16至17頁）。
㈡系爭專利申請專利範圍共計20項，其中第1、12及17項為獨
立項，其餘均為附屬項。原告曾提出更正，經智慧局核准更正並於102年11月11日公告（即102年更正公告本），嗣原告於103年9月1日提出更正本，並於智慧局尚未審定時，又於同年11月21日再提另一更正本（即103年更正本），現於智慧局審查中（見本院卷二第208至216頁、卷三第9至
12頁)。㈢附表1產品（即系爭產品）為被告華上公司所製造、銷售（見本院卷二第254至255頁）。
㈣原告曾於101年5月14日發函予被告公司，並於101年6月
11日與被告公司人員進行會談，會後被告公司雖曾指派特定人員為聯絡人，惟並無共識，原告復於102年10月21日及同年12月30日再次致函予被告公司（見本院卷一第233至240頁），惟被告公司至今仍繼續製造、販賣系爭產品（見本院卷一第233至240頁）。
四、本件爭點如下：㈠系爭專利103年更正本是否有顯然不應准許或依更正後之請
求範圍不構成權利之侵害或有應撤銷事由存在之情形？㈡倘系爭專利103年更正本不予更正，而應適用102年更正公告本：
⒈系爭專利102年更正公告本請求項3、4、5是否有現行
專利法第67條第2項不應准許更正之情形？⒉系爭專利102年更正公告本請求項1「半導體層積體」、
「凹凸」、「電極對向」，請求項7之「設於GaAs層或Ga
p層之上」，應如何解釋？⒊侵權部分：
⑴系爭產品是否落入系爭專利102年更正公告本請求項1
至7?⑵系爭產品於系爭專利優先權日前是否已有銷售之事實，
而不為系爭專利權效力所及？⑶本件是否有先前技術阻卻之適用?⒋有效性部分：
⑴下列證據可否證明系爭專利102年更正公告本各請求項
不具新穎性？①第1項：被證4；被證7；被證10。
②第2項：被證4；被證7；被證10。
③第3項：被證4。
④第4項：被證4。
⑤第5項：被證4。
⑵下列證據組合可否證明系爭專利102年更正公告本各請
求項不具進步性？①第1至2項：被證4、1；被證5、1；被證7、1；被證10、1之組合。
②第3至5項：被證4、1；被證5、1、4；被證7、1、4；被證10、1、4之組合。
③第6項：被證4、1；被證5、1；被證7、1；被證10、1之組合。
④第7項：被證5、1；被證4、1、5；被證7、1、5；被證10、1、5之組合。
⑶系爭專利說明書是否違反核准時專利法第26條第2項規
定？㈢倘系爭專利103年更正本准予更正，而應適用103年更正本：
⒈系爭專利103年更正本請求項1「半導體層積體」、「凹
凸」、「電極對向」、「可遮光之金屬」，請求項7之「設於GaAs層或Gap層之上」，應如何解釋？⒉侵權部分：
⑴系爭產品是否落入系爭專利103年更正本請求項1、3
至7?⑵系爭產品於系爭專利優先權日前是否已有銷售之事實，
而不為系爭專利權效力所及？⑶本件是否有先前技術阻卻之適用?⒊有效性部分：
⑴被證7或被證10可否證明系爭專利103年更正本請求項
1不具新穎性？⑵下列證據或證據組合可否證明系爭專利103年更正本各
項請求項不具進步性？①第1項：被證4、1；被證5、1；被證7、1；被證10、1之組合。
②第2項：刪除。
③第3至5項：被證4；或被證4、1；被證5、1、
4；被證7、1、4；被證10、1、4之組合。④第6項：被證4、1；被證5、1；被證7、1；被證10、1之組合。
⑤第7項：被證5、1；被證4、1、5；被證7、1、5；被證10、1、5之組合。
⑶系爭專利說明書是否違反核准時專利法第26條第2項規
定？㈣被告有無侵害系爭專利之故意、過失存在？㈤本件損害賠償金額應如何計算？㈥原告請求命被告公司排除、防止侵害並回收、銷毀侵害專利
權物品，是否有據？
五、本院之判斷：㈠申請專利範圍更正部分：
⒈系爭專利103年更正本應准予更正：
⑴按同一舉發案審查期間，有二以上之更正案者，申請在
先之更正案，視為撤回，103年3月24日施行之專利法（下稱現行專利法）第77條第2項定有明文。查系爭專利雖於102年間曾更正並經智慧局核准於102年11月11日公告（即102年更正公告本），然原告於系爭專利00000000N01舉發案審查期間（該舉發案於103年5月28日提起），先於103年9月1日提出更正，並於智慧局尚未審定時，又於同年11月21日再提更正，揆諸上開規定，103年9月1日之更正案視為撤回，是本件僅審酌
103年11月21日所提之更正（即103年更正本）是否應予准許，合先敘明。
⑵又按「發明專利權人申請更正專利說明書、申請專利範圍或圖式，僅得就下列事項為之：一、請求項之刪除。
二、申請專利範圍之減縮。三、誤記或誤譯之訂正。四、不明瞭記載之釋明。」、「更正，除誤譯之訂正外，不得超出申請時說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍。」、「更正，不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。」現行專利法第67條第1、2、4項定有明文。又申請專利範圍有過廣之情形時，得予以減縮，但仍不得超出申請時說明書或圖式所揭露之範圍，且不得實質擴大或變更公告時之申請專利範圍。另所謂「誤記事項」，指該發明所屬技術領域中具有通常知識者依據其申請時的通常知識，不必依賴外部文件即可直接由說明書、申請專利範圍或圖式的整體內容及上下文，立即察覺有明顯錯誤的內容，且不須多加思考即知應予訂正及如何訂正而回復原意，該原意必須是說明書、申請專利範圍或圖式已明顯記載，於解讀時不致影響原來實質內容者；所謂「不明瞭記載」，指公告專利之說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之內容因為敘述不充分而導致文意仍不明確，但該發明所屬技術領域中具有通常知識者自說明書、申請專利範圍或圖式所記載之內容能明顯瞭解其固有的涵義，允許對該不明瞭之記載作釋明，藉更正該不明確的事項，使其原意明確，俾能更清楚瞭解原發明之內容而不生誤解者。
⑶本件原告主張系爭產品侵害系爭專利請求項1至7，經
對應系爭專利103年更正本請求項1至7與系爭專利10
2年更正公告本請求項1至7，其更正之處在於請求項
1、2，請求項3至7並未更正。其中103年更正本請求項1係將「設於前述半導體層積體之前述第一主面上的電極」更正為「設於前述半導體層積體之前述第一主面上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成」，將「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層」更正為「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成，前述第二金屬層係提供於導電基板之上；提供於前述導電基板內面之第二電極」，並刪除請求項2。其中，將請求項1進一步界定「設於前述...第一電極，其係由可遮光之金屬所構成」技術特徵部分，依系爭專利之說明書第10頁第23行、第12頁第8行、第17頁第15行及圖式第1、16、23、27圖可知，其皆有揭露第一電極22係由可遮光之金屬所構成，因此上開更正乃使申請專利範圍更加清楚明確，且未超出申請時原說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，該更正進一步界定電極的構成，亦未改變申請專利之發明所欲解決的問題，而未實質擴大或變更申請專利範圍，應認符合專利法第67條第2、4項之規定。再者，將請求項1進一步界定「其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成」技術特徵，係將原請求項2之「前述反射層係由2個金屬層經層積並接合所構成」併入於請求項1中，「其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積所構成」技術特徵確屬「申請專利範圍之減縮」，而「擴散接合」可使
2個金屬層的接合方式更加清楚明瞭，符合專利法第67條第1項第2、4款規定，又系爭專利之說明書第15頁第7行至第10行、第20頁第3行至第6行及圖式第1、
16、23、27圖皆有揭露反射層25包含第一金屬層14以及第二金屬層18，且兩金屬層係以擴散接合接合，因此未超出申請時原說明書、申請專利範圍或圖式所揭露之範圍，其更進一步界定反射層的構成，未改變申請專利之發明所欲解決的問題，而未實質擴大或變更申請專利範圍，亦符合專利法第67條第2、4項之規定，另刪除請求項2之部分，符合現行專利法第67條第1項第1款規定，且未實質擴大或變更公告時之申請專利範圍，應予准許。因此，系爭專利103年更正本之更正符合現行專利法第67條第1項第2、4款以及第2、4項之規定，應准予更正。
⒉被告雖辯稱：依系爭專利說明書第10頁倒數第2行記載「
電極22係由金屬（亦含合金）所構成」、第12頁倒數第8行以及第17頁第15行記載「遮光體之電極」，可知「金屬」應為完全不透光，「遮光體」亦為完全不透光，因此系爭專利103年更正本請求項1更正為「可遮光金屬」，應指「完全不透光」，但「可遮光」之文義卻可能包含「部分透光」，因此該更正已超出申請時說明書或圖示所揭露之範圍云云。惟查，系爭專利103年更正本請求項1之「可遮光之金屬」，其可見於系爭專利說明書第12頁第8行至第9行、第17頁第15行至第16行以及第10頁第23行中，其前後文義尚無將「可遮光」限制為「完全遮光」之意，再者，系爭專利之目的在於「減少多重全反射」以提高光的取出率，其電極並無須達到「完全遮光」之程度，且當其金屬材料厚度小於一定厚度時（例如：100埃），亦會透光，是系爭專利有關「可遮光之金屬」依系爭專利說明書之記載，實無從理解為完全不透光之意，被告據此主張系爭專利103年更正本超出申請時說明書或圖示所揭露之範圍云云，並不足採。
⒊按關於專利權侵害之民事訴訟，當事人主張或抗辯專利權
有應撤銷之事由，且專利權人已向智慧財產專責機關申請更正專利範圍者，除其更正之申請顯然不應被准許，或依准許更正後之請求範圍，不構成權利之侵害等，得即為本案審理裁判之情形外，應斟酌其更正程序之進行程度，並徵詢兩造之意見後，指定適當之期日，智慧財產案件審理細則第32條定有明文。上開有關得即為本案審理裁判之情形，屬例示規定，倘依准許更正後之申請範圍，系爭專利仍有應撤銷之事由，則法院亦無須斟酌更正程序之進行程度而可為本案裁判。查系爭專利103年更正本符合專利法之規定而應予准許更正，已如前述，惟本院認為本件訴訟結果，系爭專利103年更正本有應撤銷事由存在（詳後述），揆諸上開說明，本院即無須斟酌智慧局更正程序進行程度而得為本案裁判，又原告於本件訴訟係以系爭專利10
3年更正本作為其專利權範圍主張被告侵權，基於處分權主義，本院以下即依103年更正本為系爭專利之申請專利範圍而審理，合先敘明。
㈡申請專利範圍解釋部分：
⒈按發明專利權範圍，以說明書所載之申請專利範圍為準，
於解釋申請專利範圍時，並得審酌發明說明及圖式，系爭專利審定時專利法第56條第3項定有明文。解釋申請專利範圍固得參考發明說明及圖式，但應就專利說明書整體觀察，以瞭解該發明之目的、作用及效果。專利說明書所載之實施例僅該專利案所載實施方式之例示，不能據以增加或限制該專利之申請專利範圍，否則無異將申請專利範圍未記載之事項或限制條件，依據實施例之內容予以增加或減少，致變動申請專利範圍對外所表現的客觀專利範圍（最高行政法院103年度判字第533號判決參照）。又對於申請專利範圍之解讀，應將據以主張權利之該項申請專利範圍文字，原原本本地列述（recite），不可讀入（readinto）詳細說明書或摘要之內容，亦不可將任何部分之內容予以移除。如有含混或未臻明確之用語，可參酌發明說明、圖式，以求其所屬技術領域中具有通常知識者得以理解及認定之意涵（100台上字第986號參照）。再者，申請專利範圍一經公告，即具有對外公示之功能及效果，為使公眾有一致之信賴，因此解釋申請專利範圍應以「客觀合理方式」解釋其文字的客觀意義，非探求申請人之主觀意圖。又解釋申請專利範圍既在探知申請人於申請當時記載於申請專利範圍之客觀意義，自應以該發明所屬技術領域中具有通常知識者就該文字於系爭專利申請時於相關技術領域中所被認知或了解之範圍予以解釋，以該虛擬之人之角度出發，始不會流於主觀，除非申請人於說明書中賦予該文字特定之定義，否則應以該發明領域中之通常知識者通常習慣之意義作為申請專利範圍中之文字意義。又解釋申請專利範圍時，故得參酌發明說明及圖式，然應避免將發明說明及圖式所揭露之實施方式或限制條件不當讀入請求項，而限縮其範圍，藉以正確解釋請求項記載之的文字用語義涵，方可合理界定申請專利範圍。
⒉兩造就系爭專利103年更正本請求項1「半導體層積體」
、「凹凸」、「電極對向」、「可遮光之金屬」，請求項
7之「設於GaAs層或Gap層之上」等用語應如何解釋有所爭執，而申請專利範圍用語應如何解釋，涉及系爭專利權之範圍為何，亦即原告所得向他人主張之權利範圍，是在進行專利侵權及有效性判斷前，自應先就申請專利範圍解釋部分為認定。又系爭專利申請專利範圍之用語應如何解釋，乃法院應依職權認定之事項，無辯論主義之適用，故本院不受兩造主張之拘束，茲就上開用語應如何解釋，分述如下：
⑴請求項1「半導體層積體」用語應解釋為「複數半導體
層層積而成之物體，其包含發光層、第一主面及第二主面，且不排除其他半導體層存在之可能，而可包含接觸層」：
就系爭專利103年更正本請求項1「半導體層積體」之用語，原告主張應解釋為「由複數半導體層層積而成之物體，其包含發光層、第一主面及第二主面，且不排除其他半導體層存在之可能，而可包含接觸層」（見本院卷五第197頁），被告主張應解釋為「即半導體層6」（見本院卷五第112頁背面）。經查，由字面意義觀之，「半導體層積體」已有「複數半導體層的層積體」之意，自然不能排除其他半導體層存在之可能。再參酌系爭專利說明書及圖式，系爭專利說明書第7頁第10行雖記載：「半導體層6，如圖3所示般，係包含例如包覆層7、發光層（活性層）8、包覆層9、以及電流擴散層10之半導體層積體」，然該段敘述僅為對於圖3之半導體層6之描述，目的係為說明半導體層6之一種具體例示情況（即圖3所示之結構），並非對於「半導體層積體」下定義，自難以此即認「半導體層積體」應解釋為「半導體層6」。再者，若將「半導體層積體」解釋為「半導體層6」，則反射層需設於半導體層上且此二層間不能含有其他任何層狀結構，然如此一來會與系爭專利說明書及圖式之敘述或例示之絕大部分態樣矛盾，例如系爭專利說明書圖式第1、15、16、22、27圖，已揭示半導體層6與凹凸面間有其它的層狀結構（如接觸層12），且亦會使得系爭專利請求項6之「前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化」以及系爭專利請求項7之「粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上」有不合理之結果，以上，均可認被告所稱「半導體層積體應解釋為半導體層6」為不可採，本院認應解釋為「複數半導體層層積而成之物體，其包含發光層、第一主面及第二主面，且不排除其他半導體層存在之可能，而可包含接觸層」。
⑵請求項1「凹凸」用語應解釋為「凹陷和凸起」：
①就系爭專利103年更正本請求項1「凹凸」之用語，
原告主張應解釋為「反射層與電極對向之表面（上表面）之部分表面或整面上的凹陷與凸起，其能造成有效散射」（見本院卷五第196頁），被告主張應解釋為「具有規則或不規則形狀的離散分佈凹陷或凸起」，並限定其應具有「高度、間距具有整體性」、「高度、間距清楚可區分」、「凹凸可具有多種形狀」三大特性（見本院卷四第95頁、卷五第113頁）。
②查系爭專利說明書第11頁第22行至第12頁第11行揭露
「藉由接觸層12之粗糙面化，反射層25（第一金屬層14）中半導體層6之第二主面側之面與接觸層12的界面，由於形成有凹凸，因此從發光層8朝第二主面側所釋出之光，即於接觸層12與反射層25之界面散亂並反射（散亂反射）」、系爭專利說明書第17頁第5行至第18行揭露「於反射層25（第一金屬層14）中透明電極層33側之面與透明電極層33之界面，由於形成有凹凸，因此從發光層8釋出至第二主面之光，即於透明電極層33與反射層25之界面，散亂並反射（散亂反射）」以及系爭專利說明書第22頁第1行至第3行揭露「此種接觸層12與絕緣膜80之界面中，從發光層8朝接觸層12側所釋放之光的反射率較高，與粗糙面之散亂反射相輔相成，即可更提升往元件外部之光取出效率。」由上可知，系爭專利藉由接觸層12與反射層25間形成凹凸（參系爭專利圖式1、5至7、23、27）或透明電極層33與反射層25間形成凹凸（參系爭專利圖式16），當光經過接觸層12（或透明電極層33）與反射層25的界面時，由於該界面設有凹凸而可使光達到散亂並反射之目的，因此，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者於系爭專利申請時之相關技術領域中所得認知或了解之客觀意義，系爭專利103年更正本請求項1之「凹凸」應解釋為「凹陷及凸起」。
③原告雖謂：「凹凸」應解釋為「反射層與電極對向之
表面（上表面）之部分表面或整面上的凹陷與凸起，其能造成有效散射」，蓋因發明所屬技術領域中具有通常知識者於參酌系爭專利說明書之內容後，均可理解無效散射的凹凸並不在系爭專利範圍內，如此解釋並無不明確之疑慮云云。惟查，由系爭專利之說明書內容可知，系爭專利透過在接觸層與反射層間形成有凹凸，亦即表示在不同的介質間形成凹凸而使光散亂並反射，該發明所屬技術領域中具有通常知識者均知若將散射波長和粒子直徑大小區分，散射作用可為瑞利散射、米氏散射以及幾何散射，在不同的範圍中有不同的散射作用，所以當光在不同界面的傳遞時，一定會發生散射作用，原告欲以「有效」二字排除「無效散射」，實難可採。再者，系爭專利說明書第9頁第4至7行、第11頁倒數第1行至第12頁第5行以及第12頁倒數第5行至第13頁第3行僅說明接觸層12與第一金屬層14（即反射層25）之界面設有凹凸可使光散亂並反射，系爭專利無關於凹凸必須為「其可造成『有效的』光線散射」之描述。再者，系爭專利之「凹凸」用語，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者之角度，已能明確瞭解其為「凹陷和凸起」，而系爭專利說明書第8頁第19至23行之記載僅能得知粗糙面化後的凹凸可以有各種的形狀、高度以及間距，但無關於當改變凹凸的形狀、高度以及間距時究竟光散亂並反射的強度增加多少，而該領域中具有通常知識者均知當光經過不同的介質間時，光會產生散射，至於散射的強度多寡則與入射的波長、界面的粒子直徑大小有關，原告欲以「有效的」光線散射解釋以凹凸，此種解釋將會使該發明所屬技術領域中具有通常知識者無法瞭解何謂有效？何謂無效？此解釋將使申請專利範圍有不明確之疑慮，亦有違客觀解釋原則，因此原告上開所述，並不足採。
④至被告雖謂：「凹凸」應解釋為「具有規則或不規則
形狀的離散分佈凹陷或凸起」，並限定其應具有「高度、間距具有整體性」、「高度、間距清楚可區分」、「凹凸可具有多種形狀」三大特性云云。惟查，系爭專利第一實施型態以及第三實施型態之凹凸係設置於接觸層12與第一金屬層14間（參系爭專利圖式1、23），系爭專利第二實施型態之凹凸係設置於透明電極33與第一金屬層14間（參系爭專利圖式16），系爭專利第四實施型態之凹凸係設置於接觸層12與絕緣膜80以及部分的第一金屬層14間（參系爭專利圖式27），由系爭發明專利說明書內容僅說明接觸層12與第一金屬層1之界面設有凹凸可使光散亂並反射，並未揭示凹凸必須為「具有規則或不規則形狀的離散分佈」，況所謂「離散分佈」為何並不明確，系爭專利之內部證據既未揭示「凹凸」須「離散分佈」，被告上開解釋方式有違客觀解釋原則，自不足採。
⑶請求項1「電極對向」用語應解釋為「面對電極之面」：
①就系爭專利103年更正本請求項1「電極對向」之用
語，原告主張應解釋為「與電極對向（之表面）」（見本院卷五第196頁背面），被告主張應解釋為「至少包含電極正下方之部分」（見本院卷三第132頁背面）。
②查依系爭專利說明書第21頁第14至18行揭露之「於接觸層12與第一金屬層14之間，選擇性設有絕緣膜80。
絕緣膜80係形成於接觸層12之經粗糙面化之面的整面，此後即選擇性除去。第一金屬層14係以覆蓋絕緣膜80之方式形成於接觸層12之經粗糙面化的面。」可知，絕緣膜80係部分的設置於反射層25與接觸層12之間，當有絕緣膜80時，絕緣膜80與反射層25間則不具有凹凸（參系爭專利圖式27），反射層25與電極22對向係單純指反射層25與電極22對向之面，故系爭專利「電極對向」用語應解釋為「面對電極之面」。
③被告雖稱：「電極對向」應解釋為「至少包含電極正
下方之部分」云云。惟無論就該用語客觀字面解釋、系利專利之內部證據或外部證據，均無法導出「電極對向」須「至少包含電極正下方」之結論，況系爭專利「於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形成有凹凸」，其目的在於減少在半導體層積體之全反射以增加光的取出效率，因此只需反射層上至少部分形成凹凸，如此光經過反射層的凹凸介面時即可改變光的行進角度以增加光的取出效率，而非一定要在電極的「正」下方形成凹凸不可，再者，系爭專利說明書第21頁第14至18行說明絕緣膜80係部分的設置於反射層25與接觸層12之間，絕緣膜80與反射層25間則不具有凹凸（參系爭專利圖式27），由於絕緣膜80僅載於第四實施型態中，若依被告之解釋，此時絕緣膜80將無法被系爭專利請求項3所涵蓋，此益證反射層25與電極22對向僅單純指反射層25與電極22對向之面，而無電極正下方之意，故被告上開所述並不足採。
④被告又稱：請求項每一特徵均有作用，若解釋為「面
對電極之面」，則請求項1只要載明「於前述反射層之一部分形成有凹凸」即可，無須記載「至少與前述電極對向」之文字云云。惟查，反射層具有接近第一電極的面以及遠離第一電極的面（即接近基板16之面），惟系爭專利欲形成凹凸之位置係接近第一電極之反射層面，而非接近基板之反射層面，是系爭專利有關「至少與前述電極對向」之技術特徵有界定反射層形成凹凸之位置作用在內，是被告上開所述亦不足採。
⑷請求項1「可遮光之金屬」用語應解釋為「部分或完全遮光之金屬」：
①就系爭專利103年更正本請求項1「可遮光之金屬」
之用語，原告主張應解釋為「可以遮光之金屬」（見本院卷五第197頁背面），被告主張應解釋為「完全不透光之金屬」（見本院卷三第132頁背面）。
②查依系爭專利說明書第12頁第5行至第9行揭露之「
例如於發光層8之中使從電極22之下側部分朝下方(基板16之方向)所釋出之光，於接觸層12與反射層25之界面的凹凸，朝橫或斜方向散亂，藉此可降低朝成為遮光體之電極22之方向反射的比例，亦可增加往外部取出的比例」，系爭專利說明書第17頁第12行至第16行揭露之「例如於發光層8之中使從電極22之下側部分朝下方（基板16之方向）所釋出之光，於透明電極層33與反射層25之界面的凹凸，朝橫或斜方向散亂，亦可藉此可降低朝成為遮光體之電極22之方向反射的比例，而增加取出至外部的比例」，以及系爭專利說明書第10頁第23行揭露之「第一電極22係由金屬（亦含合金）所構成」可知，第一電極22係為遮光的金屬所構成，然並未界定為完全透光，是由上開說明書所揭露之內容，應理解為「部分透光」以及「完全不透光」之態樣，且系爭專利之主要目的在於降低朝遮光體之電極22之方向反射的比例，增加取出至外部的比例，與電極是否遮光無涉。又系爭專利說明書之電極為「遮光體之電極22」，並未說明是「完全遮光體之電極22」，因此系爭專利「可遮光之金屬」用語應解釋為「部分或完全遮光之金屬」，被告認為應解釋為「完全不透光之金屬」，並不足採。
②又原告雖曾稱：系爭專利「可遮光之金屬」應「不含
透明電極」云云（見本院卷三第129頁背面）。惟查，由系爭專利說明書第12頁第5行至第9行、第17頁第12行至第16行、第10頁第23行可知第一電極22為遮光體，且第一電極22之材質為金屬。一般常見的電極材料有氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、ZnO、SnO2、In2O3等材料形成的透明電極，以及鉑、金、鈀、銦、鋁、鎂、銀等材料形成的金屬電極，且原告亦自承「透明電極之透光率極高（接近100%）」（見本院卷三第130頁），足認透明電極仍有部分光線無法穿透而形成遮光狀態，況且，由被告所提之「ITO透明導電薄膜：從發展與應用到製備與分析」之圖十所示（見本院卷三第173頁背面），可知一般氧化銦錫所形成的透明電極其穿透率為75％至90％左右，顯見透明電極亦非均為百分之百透光，而有部分透光之態樣，是透明電極自為系爭專利「可遮光之金屬」（指部分或完全遮光之金屬）之用語所涵蓋，是以原告上開所述，要無足採。
⑸請求項7「設於GaAs層或GaP層之上」用語應解釋為「
（經粗糙面化之第二主面係）設於GaAs層或GaP層之表面上」：
①就系爭專利103年更正本請求項7「設於GaAs層或Ga
P層之上」之用語，原告主張應解釋為「（經粗糙面化之第二主面係）設於GaAs層或GaP層之表面上」（見本院卷三第129頁背面），被告主張應解釋為「半導體層積體（之經粗糙面化之面）下方設有GaAs層或
GaP層（見本院卷三第118頁）。②查依系爭專利說明書第8頁第4行至第19行揭露之「
若使半導體層6與由金屬構成之反射層25作直接接觸時，由於無法獲得良好的歐母接觸，因此於半導體層
6與反射層25之間設有以降低此兩者間之阻抗為目的之接觸層12。亦即，接觸層12係接鄰於設在半導體層
6之第一主面（光取出面）之相反側的第二主面。……接觸層12與反射層25之界面中至少與第一電極22對向之一部分係經此粗糙面化處理」，系爭專利說明書第9頁第4行至第12行揭露之「於接觸層12之經粗糙面化的面，形成有第一金屬層14」，系爭專利說明書第19頁第12行至第17行揭露之「透明電極層33經粗糙面化後…透明電極層33之粗糙面形狀，透明電極層33與第一金屬層14之界面係具有凹凸之界面」，以及搭配圖式第1、5至7、16、23、27圖可知，半導體層
6與金屬層直接接觸時，因為晶格匹配較差，而無法有較佳的歐姆接觸，所以一般會在半導體層6與金屬層間設有接觸層12、32（即GaAs層或GaP層），為達到系爭專利之散亂反射目的，則在反射層25之第一金屬層14界面係具有凹凸之界面，由此可知系爭專利請求項7之「…..之上」僅是單純的描述在GaAs層或
GaP層的表面上經粗糙化，故系爭專利請求項7之「前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上」用語應解釋為「（經粗糙面化之第二主面係）設於GaAs層或GaP層之表面上」。
③被告雖稱：依系爭專利說明書圖7實施例，可知「設
於GaAs層或GaP層之上」應解釋為「前述經粗糙化之面下方設有GaAs層或GaP層」（見本院卷三第118頁）。惟查，系爭專利請求項7為請求項6之附屬項，故其所載「前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上」中「前述經粗糙面化之面」自應為請求項6所稱之「半導體層積體之（前述）第二主面」，復依系爭專利說明書之揭示，半導體層積體之第二主面係指位於發光層與第一主面（光取出面）相對之另一面的表面（亦即：若光取出面為半導體層積體之上表面，第二主面即為半導體層積體之下表面），換言之，申請專利請求項7項僅係進一步界定「半導體層積體之第二主面所位於之層為GaAs層或GaP層」（另根據說明書之揭示，可知所指GaAs層或GaP層可為接觸層），因此其僅指「設於GaAs層或GaP層之表面」，並非如被告所稱僅限於系爭專利說明書圖7之態樣，是被告上開所述並不足採。
㈢系爭專利與系爭產品之技術內容：
⒈系爭專利之技術內容：
⑴系爭專利創作之主要目的，在「本發明之半導體發光元
件11係具備：包含發光層8、用來取出從發光層8所釋出之光之第一主面，以及設於第一主面之另一側之第二主面的半導體層積體6；設於半導體層積體6之前述第一主面之上的電極22；具導電性及對發光層8所釋出之光之反射性，並設於半導體層積體6之第二主面側的反射層25；於反射層25之半導體層積體6的第二主面側至少與電極22對向之部分形成有凹凸。」（見本院卷一第29頁系爭專利說明書中文摘要）其主要示意圖如附圖一所示。
⑵原告主張系爭產品侵害系爭專利103年更正本請求項1、3至7，上開請求項內容如下：
①第1項：一種半導體發光元件，其特徵為具備：包含
發光層、用來取出從前述發光層所釋出之光之第一主面、以及設於前述第一主面之另一側之第二主面的半導體層積體；設於前述半導體層積體之前述第一主面上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成；具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成；於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形成有凹凸。
②第2項：（刪除）。
③第3項：如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光
元件，其中，進一步具備選擇性設於前述半導體層積體之前述第二主面與前述反射層之間的絕緣膜，其中前述絕緣膜係選擇性設於前述反射層之該一部分外的其它部分。
④第4項：如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光
元件，其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小。
⑤第5項：如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光
元件，其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個。
⑥第6項：如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光
元件，其中，前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化。
⑦第7項：如申請專利範圍第6項所記載之半導體發光
元件，其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或Ga
P層之上。⒉系爭產品之技術內容：
⑴原告主張附表1所示產品侵害系爭專利，而被告並不否
認附表1所示之產品間，涉及本件系爭專利有關之技術特徵，該等產品均相同，因此僅以一項產品與系爭專利進行侵權比對即可（見本院卷三第4頁），是本件以T14RMM產品（下稱系爭產品1）作為系爭產品之代表與系爭專利進行侵權比對分析。
⑵原證10為原告對系爭產品1進行檢測之檢驗報告（見本
院卷一第111至144頁），惟被告否認原證10之真實性，經查：
①被告雖辯稱：原證10第18圖之驗證方法無法確認金屬
反射層係由金材料所形成，亦或是反向工程過程中之污染物云云。惟查，原證10圖14係未經過機械層移除電極以及化學蝕刻移除半導體層的SEM影像，其僅是針對系爭產品1的縱向切割，在切割過程中，由於半導體層尚未被移除，金屬層不可能向上污染半導體層以形成凹凸；再者，由原證10圖29之系爭產品剖面
SEM影像可知，反射層(Au)與磊晶層（Epitaxiallayers）間具有凹凸，而在其它處並無凹凸的結構，更可以證明凹凸結構為製程過程中形成的而非反向工程過程中之污染物；末者，由原證10圖17或18之EDS圖可知，在反射層的位置測到金成份，再由原告針對不同位置所做的原證73圖17至22之TEM檢測更可以進一步證明系爭產品1凹凸的成份為金、鋅、鎵、磷（見本院卷四第165至167背面），足見在不同的凹凸或反射層的位置處均量測到金成份，若如被告所稱金材料係污染物，應僅會限於一處，顯見被告所謂系爭產品檢驗到的金成分係遭汙染所致云云，並不足採。②被告又稱：原證10圖20中央圓形電極上方有暈狀色塊
，而原證10圖12則無此暈狀色塊，原證10圖20之真偽不明云云。惟查，原證10圖14之剖面為原證10圖12虛線處，亦即表示原證10圖12是未經過機械層移除（移除電極）以及化學蝕刻（移除半導體層）的上視圖，而原證10圖20則為經過前述還原工程後的上視圖，但由於中央的電極有殘存的情事而有暈狀色塊，且原證10圖20之目的於檢視接觸孔是否有凹凸，中央的電極是否有殘存則不影響接觸孔位置有凹凸的結果，是以，被告上開所指要無足採。
③被告又謂：原證10圖4與圖14之中央圓形電極前後尺
寸不一，中央圓形電極之外部粗糙部份為外物污染云云。惟查，原證10圖14係為圖12黃色虛線之剖面圖，除了中央圓形電極外還跨越中央電極向外延伸的指狀電極（如附圖二所示），超過100um之粗糙部分應為指狀電極而非外物污染，是以，被告上開所述亦不可採。
綜上，被告所稱原證10所揭露之資訊係於檢測期間遭外來物污染所致云云並不足採，是本件自得以原證10所示之照片、圖片作為系爭產品1之技術內容與系爭專利進行侵權比對，又系爭產品1與附表1所示之其他43項產品間之技術特徵均相同，已如前述，本件既以系爭產品1代表所有系爭產品，則以下有關侵權之比對，即以系爭產品稱之，而不再特別指為系爭產品1。
⑶系爭產品為LED產品，該LED具有半導體層積層A、n
電極(Au)以及反射層（Reflectingmetal-layer），其中半導體層積層A包含n型接觸層（n-contactlayer）、主動層（Activelayer）以及p型接觸層（p-contactlayer），該半導體層積層A之上側有第一主面，以及該半導體層積層A之下側有第二主面，第一主面上有n電極(Au)，第二主面側有反射層（Reflectingmetal-layer），且在反射層（Reflectingmetal-layer）表面有凹凸（其照片如附圖三所示）。
㈣侵權比對分析：
⒈按除法規有特別規定外，程序從新實體從舊為適用法規之
原則，亦即權利義務本體之發生及其內容如何，均應適用行為時或事實發生時所施行法律之規定（91年度台上字第1411號判決參照）。又按專利法分別曾於99年8月25日修正公布、99年9月12日施行（下稱99年專利法）；100年12月21日修正公布、102年1月1日施行（下稱100年專利法）；102年6月11日修正公布、自公布日施行（下稱
102年專利法）；103年1月22日修正、103年3月24日施行（即現行專利法）。本件原告主張被告等侵害其專利權之行為係自98年10月1日起至今（見本院卷一第6背面至7頁），是本件被告是否侵害原告專利權，自應依其各次侵權行為時間分別適用該時期之法律，合先敘明。
⒉系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1之範圍：
⑴系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1之文義範圍：
①經解析系爭專利103年更正本請求項1與系爭產品，可分別解析為5個要件，均如附表2所示。
②經比對系爭專利103年更正本請求項1與系爭產品之各要件：
要件1A特徵：由原證10之相關圖式可知，系爭產品
係為LED，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103年更正本請求項1之要件1A特徵。
要件1B特徵：由原證10之圖14至16可知（見本院卷
一第125至126頁），系爭產品為LED具有半導體層積層A，該半導體層積層A包含n型接觸層（n-contactlayer）、主動層（Activelayer）以及p型接觸層（p-contactlayer），該半導體層積層A之上側有取出主動層所釋出之光的第一主面，半導體層積層A之下側有第二主面，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103年更正本請求項1之要件1B特徵。
要件1C特徵：由原證10之圖16可知（見本院卷一第
126頁），系爭產品半導體層積層A的第一主面上有n電極(Au)，n電極之材質為不透明的Au，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103年更正本請求項
1之要件1C特徵。要件1D特徵：由原證10之圖17可知（見本院卷一第
127頁），系爭產品半導體層積層A的第二主面側有反射層（Reflectingmetal-layer），由SEM
EDS光譜可知該反射層之材質為金(Au)，該反射層具導電性且可反射由主動層所釋出的光，由原證10之圖23可知（見本院卷一第133頁），反射層（Reflectingmetal-layer）係經高倍率TEM後，由TEM截面可觀察到孔隙（void）而可知反射層（Reflectingmetal-layer）係由2個金屬層接合構成，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103年更正本請求項1之要件1D特徵。
要件1E特徵：系爭專利請求項1有關「電極對向」
、「凹凸」用語應解釋為「面對電極之面」、「凹陷和凸起」，先予敘明。由原證10之圖19、20可知（見本院卷一第129至130頁），系爭產品一部分的反射層（Reflectingmetal-layer）表面形成有凹凸，該反射層（Reflectingmetal-layer）設置於n電極的另一側，故從系爭產品可以讀取到系爭專利103年更正本請求項1之要件1E特徵。
③綜上，系爭專利103年更正本請求項1之要件A至E
可被系爭產品所讀取，故系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1之文義範圍。
④被告雖辯稱：原證10之圖17、19所示之凹凸實際上位
於與n電極正對向n電極遮蔽之反射層部分以外的其他部分，其並未文義讀取系爭專利請求項1要件E之文義，且原證10圖10b之剖面示意圖與實際以掃描電子顯微鏡SEM拍攝之圖14、16、17、19明顯不符云云。惟查，系爭專利請求項1之「電極對向」係指「面對電極之面」，並不限於電極正下方，業如前述，是被告以系爭產品之反射層非位於電極正下方而主張不為系爭專利要件E之文義所讀取，顯不足採。再者，原證10圖10b僅為示意圖（見本院卷一第122頁），係在說明半導體層積層A、n型接觸層（n-contactlayer）、主動層（Activelayer)、p型接觸層、
n電極以及反射層（Reflectingmetal-layer）等相對位置關係，原證10之圖14至17、19、20、23至25、28、29、31等圖始為系爭產品以SEM所觀察到的實際照片，而使用SEM所觀察到實際產品的照片可文義讀取到系爭專利請求項1所有要件，已如前述，被告以示意圖作為系爭產品不為系爭專利請求項1文義讀取之證據，顯不足採。
⑤被告復辯稱：系爭產品之反射層之材質為包含Ga、P
（磷）原子與Au金屬之合金，因磷為非金屬且具吸光性，且合金層會增加吸光率，自不落入系爭專利103年更正本請求項1「反射層」之文義範圍云云。惟查，系爭專利103年更正本請求項1「反射層」僅界定為「反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成」，並未限定「金屬層」須「百分之百」由金屬所構成，被告既不否認系爭產品之反射層上有Au金屬，自應落入系爭專利請求項1「反射層」之文義。再者，縱使系爭產品之反射層如被告所指係由合金所構成，然發明所屬技術領域中具有通常知識者均知光經過界面則會穿透與反射，其中穿透包含被原子所吸收等現象，反射包含散射等現象，既然在半導體層與反射層間具有界面，則所謂「合金會增加吸光率」不代表「合金不能造成光反射」，自難以此認為系爭產品反射層係由合金組合，即無法達到系爭專利103年更正本請求項1反射層欲造成光反射之功效。再由原告所提之原證79第21頁之AFM'SEM及
NFP等分析結果可知（見本院卷五第157頁背面），凹凸上方具有較強的光亮度，而沒有凹凸則呈現較弱的光強度，是以系爭產品並無關於被告所述之光被吸收導致光變弱之情事，因此，被告上開所辯均無足取。
⑥本件無逆均等論之適用：
被告雖辯稱：系爭產品反射層上之凹凸係因熱製程造成之擴散形成，且係為形成歐姆接觸層之用，就手段、功能或結果上，均實質不同於系爭專利之凹凸，故本件有逆均等論之適用云云。惟查，依被告所提之SE
M影像圖（見本院卷四第227頁背面上圖、第231頁背面中圖，即被告答辯八狀第6頁上圖、第14頁中圖），兩者均有擴散現象，然而兩圖之量測位置一者為「凹凸處」，另一者為「無凹凸處」，惟兩處擴散現象一致，此足證系爭產品上之凹凸與擴散現象兩者間不具直接或相當因果關係。再者，若系爭產品上之凹凸係製造過程中自然形成之「擴散現象」，其凹凸的形狀應為平滑起伏，且依熱力學第三定律：「當一系統達到穩定平衡時，熵（其物理意義為亂度）趨向最大值」，簡言之，其亂度會趨向最大，擴散會無規則的朝四面八方進行，然觀之附圖四所示被告所提之
SEM檢測圖（見本院卷四第231頁背面，即被告答辯八狀第14頁），系爭產品之凹凸高度變化大，且其形狀為尖銳山峰狀，此與「擴散現象」所形成的凹凸形狀不同，足見系爭產品之「凹凸」非為元件製程中所伴隨之自然現象，而係刻意製作所形成之產物，是被告以此主張兩者技術手段不同而有逆均等論之適用云云，要無足取。
⒊系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項3之範圍：
⑴系爭專利103年更正本請求項3依附於請求項1，進一
步限定：「其中，進一步具備選擇性設於前述半導體層積體之前述第二主面與前述反射層之間的絕緣膜」（編為要件G）、「其中前述絕緣膜係選擇性設於前述反射層之該一部份外的其它部分」（編為要件H）。經查，由原證10圖24可知（見本院卷一第134頁），絕緣層設置於半導體層積層A與反射層（Reflectingmetal-layer）間，且該絕緣層係設置於部分反射層（Reflectingmetal-layer）上，因此，系爭產品可分別讀取到系爭專利103年更正本請求項3要件G、H之技術特徵。
⑵系爭專利103年更正本請求項3既為依附於請求項1之
附屬項而包含請求項1要件A至E技術特徵，而系爭產品可文義讀取系爭專利103年更正本請求項1要件A至
E技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭專利103年更正本請求項3要件G、H之技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103年更正本請求項3之文義範圍。
⒋系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項4之範圍：
⑴系爭專利103年更正本請求項4依附於請求項3，進一
步限定：「其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小」（編為要件I）。經查，由原證10圖31可知，接觸層之材料為GaP，由原證10圖28可知（見本院卷一第139頁），絕緣膜之材料為氧化矽，由原證10圖25c可知（見本院卷一第137頁），SiO之折射率比氧化矽GaP之折射率低，因此系爭產品可讀取到系爭專利103年更正本請求項4要件I之「其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小」技術特徵。
⑵系爭專利103年更正本請求項4既為依附於請求項3之
附屬項而包含請求項3要件A至E、G至H技術特徵，而系爭產品可文義讀取系爭專利103年更正本請求項3要件A至E、G至H技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭專利103年更正本請求項4要件I之技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103年更正本請求項4之文義範圍。
⒌系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項5之範圍：
⑴系爭專利103年更正本請求項5依附於請求項3，進一
步限定：「其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個」（編為要件
J）。經查，由原證10圖28可知（見本院卷一第139頁），絕緣膜之材料為氧化矽，因此系爭產品可讀取到系爭專利103年更正本請求項5要件J之「其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個」技術特徵。
⑵系爭專利103年更正本請求項5既為依附於請求項3之
附屬項而包含請求項3要件A至E、G至H技術特徵，而系爭產品可文義讀取系爭專利103年更正本請求項3要件A至E、G至H技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭專利103年更正本請求項5要件J之技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103年更正本請求項5之文義範圍。
⒍系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項6之範圍：
⑴系爭專利103年更正本請求項6依附於請求項1，進一
步限定：「其中，前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化」（編為要件K）。經查，由原證10圖29可知（見本院卷一第140頁），半導體層積層A之下側的第二主面有粗糙面，因此系爭產品可讀取到系爭專利10
3年更正本請求項6要件K之「其中，前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化」技術特徵。
⑵系爭專利103年更正本請求項6既為依附於請求項1之
附屬項而包含請求項1要件A至E技術特徵，而系爭產品可文義讀取系爭專利103年更正本請求項1要件A至
E技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭專利103年更正本請求項6要件K之技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103年更正本請求項6之文義範圍。
⒎系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項7之範圍：
⑴系爭專利103年更正本請求項7依附於請求項6，進一
步限定：「其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或
GaP層之上」（編為要件L）。經查，由原證10圖31可知（見本院卷一第142頁），半導體層積層A之下側的第二主面2的粗糙面之材料為GaP，因此，系爭產品可讀取到系爭專利103年更正本請求項7要件L「其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上」技術特徵。
⑵系爭專利103年更正本請求項7既為依附於請求項6之
附屬項而包含請求項6要件A至E、K技術特徵，而系爭產品可文義讀取系爭專利103年更正本請求項6要件A至E、K技術特徵已如前述，復參以系爭產品亦可讀取到系爭專利103年更正本請求項7要件L之技術特徵，準此，系爭產品自落入系爭專利103年更正本請求項7之文義範圍。
⒏本件並無先前技術阻卻之適用：
被告辯稱本件有先前技術阻卻之適用，無非係以「TheMorphologyandMicrostructureofThin-FilmGaAson
MoSubstrates」（中譯：GaAs（砷化鎵）薄膜於Mo（鉬）基板之型態學與微結構）一文為據。經查，先前技術阻卻係指待鑑定對象與某一先前技術相同，或雖不完全相同，但為該先前技術與所屬技術領域中之通常知識的簡單組合，因此先前技術阻卻抗辯應以「單一先前技術」或「單一先前技術與所屬技術領域中之通常知識的簡單組合」為之，尚不得以多份先前技術文件之組合為依據。本件觀之上開文章（見本院卷三第105至107頁），內容僅為探討以有機金屬化學氣相沈積（MOCVD），在不同溫度下將砷化鎵材料沈積於鉬基板上，砷化鎵生長之型態與微結構，其中根本無任何關於系爭專利所請之半導體發光元件中諸如「半導體層積體（含其中之發光層）」、「反射層（含由二金屬擴散接合所構成，以及其上之凹凸）」、「第一電極」等構件之揭示，換言之，被證17只是探討以特定方式（MOCVD），於不同溫度下，將砷化鎵材料沈積於鉬基板上，砷化鎵生長之型態及微結構，與系爭專利所請半導體發光元件之發明整體無實質關聯，準此，單憑該先前技術文獻，並不足以證明系爭專利103年更正本請求項1、
3至7有先前技術阻卻之適用。⒐本件無法證明有先使用之事實：
被告主張系爭產品於系爭專利申請前已有先使用之事實，固據提出被證13至15之電子郵件影本、PO、收據、收貨單等為證（見本院卷三第99至104頁）。惟查，被告已於其2008年年報第51頁第2個表格中，揭露其已於2008年完成「改善AlInGaPMSLED晶粒亮度及信賴」，且於2009年截至3月底，已將「AlInGaPMSLED晶粒亮度提升到400mcd以上」，並於第70頁中述及「將再投入新台幣共500萬元整，以持續進行『MS紅/黃光產品持續改善』之研發」（見本院卷三第51至53頁），是縱如被告所稱其於2005年已有型號為MS系列之產品，且縱該等產品與2008年後之MS系列產品型號相同，然上開年報已可認兩者之技術特徵有異，被告空言辯稱僅採用之基板不同云云，顯不足採。況且，相同型號未必可證明即有相同之技術特徵，被告所提上開資料僅有型號而無任何有關產品技術特徵之記載，實無從比對該等資料上所載之產品技術特徵與本件系爭專利技術特徵是否相同，自難以此即認本件有先使用之事實，被告上開置辯，顯不足採。
⒑小結：系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1、3
至7之專利權範圍，而侵害系爭專利，惟被告抗辯系爭專利有應撤銷事由存在，是以下續為系爭專利有效性之判斷。
㈤有效性分析：
⒈查系爭專利係於95年10月3日申請，經審定核准專利後，
於98年10月1日公告等情，有系爭專利專利公報附卷可參（見本院卷一第17頁），因此，系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時即92年2月6日修正公布、93年7月1日施行之專利法為斷（下稱93年專利法）。
⒉按利用自然法則之技術思想之創作，且可供產業上利用之
發明，得依93年專利法第21條、第22條第1項規定申請取得發明專利。復按發明為申請前已見於刊物或已公開使用者，或為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，不得依同法申請取得發明專利，同法第22條第1項第1款、第4項定有明文。
⒊本件引證案之說明：
⑴被證1之技術內容（見本院卷二第56至97頁）：
①被證1為92年4月11日公告之我國第527848號「發光
元件及使用該發光元件之顯示裝置與照明裝置」專利案，其公告日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭專利之先前技術。
②被證1係一種發光元件，其至少具備有發光領域之發
光層，以及反射前述發光領域發出之光的反射層的積層構造，從與前述發光領域隔離之光抽出面抽出前述發光領域發出的光，而前述反射層之一部分存在著光散射部。其主要示意圖如附圖五所示。
⑵被證4之技術內容（見本院卷二第141至155頁）：
①被證4為94年1月1日公開之我國第000000000A號「
具平面式全方位反射器之發光二極體」專利案，其公開日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭專利之先前技術。
②被證4係一種高萃光效率之發光二極體(LED)，係其
有一反射之子裝置，以及形成該發光二極體之一方法。其中一發光區被設置於一頂接觸點與一導體支撐座之間，並延展出該頂接觸點下方之一區域之外。還有一全方位反射器被設置於該發光區與該導體支撐座之間。在一實施例中，該反射器具有一或多個導電接觸點，係設置於對應於該頂接觸點下方之外之一區域。在一實施例中，該反射器包括具有一折射係數介於約
1.10到2.25間之一介電層、延展過該反射器之接觸點、以及一反射導電膜。絕緣低折射率區383，可包括一電性絕緣物質，例如說二氧化矽(SiO2)或氮化矽(Si3N4)，具有一折射係數介於約1.10到2.25間。其主要示意圖如附圖六所示。
⑶被證5之技術內容（見本院卷一第156至170頁）：
①被證5為94年6月16日公開之我國第000000000A號「
半導體發光元件及其製造方法」專利案，其公開日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭專利之先前技術。
②被證5係一種半導體發光元件(1)具有半導體區域(2
)，而該半導體區域(2)包括：n型半導體層(15)、和活性層(16)、和p型半導體層(17)、和第1、第2及第3輔助層(13)、(14)(18)、和歐姆接觸層(19)。
在半導體區域(2)具有光取出面功能之一邊主面(11)的中央，連接陰極電極(8)。在半導體區域(2)的另一邊主面(12)，介著具有導電性的光透過膜(3)與金屬光反射膜(4)結合。在金屬光反射膜(4)上，介著第1及第2接合金屬層(5)(6)，與矽支持基板(7)結合。矽支持基板(7)上連接有陽極電極(9)。光透過膜(3)得以抑制金屬光反射膜(4)和半導體區域(2)之間的合金化。藉此構成，金屬光反射膜(4)的反射率可保持優良，且陰極電極(8)和陽極電極(9)之間的順向電壓可降低。其主要示意圖如附圖七所示。
⑷被證7之技術內容（見本院卷二第279至293頁）：
①被證7為93年9月16日公開之我國第000000000A號「
發光元件及發光元件之製造方法」專利案，其公開日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭專利之先前技術。
②被證7揭示發光元件100中，係以具有發光層部24之
化合物半導體層的第一主表面作為光取出面，在該化合物半導體的第二主表面側，透過具有反射面之主金屬層10結合元件基板7而構成；該反射面係使來自該發光層部24之光往該光取出面側反射，其特徵在於：
該元件基板7係以導電型為p型之Si基板所構成，且在該元件基板7之主金屬層側10之主表面正上方形成以Al為主成分之接觸層31。藉此提供：在具有透過金屬層使發光層部與元件基板貼合之構造之發光元件中，具有良好之導電性之發光元件及其製造方法。其主要示意圖如附圖八所示。
⑸被證10之技術內容（見本院卷三第75至92頁）：
①被證10為94年4月1日公告之我國第I230472號「半
導體發光元件及其製造方法」專利案，其公告日係早於系爭專利優先權日（94年10月28日），可為系爭專利之先前技術。
②被證10揭示在發光半導體基板2之由AlGaInP所構成之n型半導體層11的表面經由過渡金屬層設有Au層。
藉由較Ga與Au的共晶點為低的溫度的熱處理而讓Au經由過渡金屬層17擴散到n型半導體層11，而形成具有20－1000的厚度，且光吸收率小的歐阻接點(ohmiccontact)領域4。除去過渡金屬層以及Au層，而在n型半導體層11以及歐阻接點(ohmiccontact)領域4的表面形成由Al所形成之具有導電性的光反射層5。
經由第1以及第2的接合金屬層6，7將由被摻雜了雜質之Si所構成的導電性支撐基板8與光反射層5貼在一起。其主要示意圖如附圖九所示。
⒋系爭專利103年更正本請求項1不具新穎性：
⑴被證7足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具新穎性：
①比對系爭專利103年更正本請求項1與被證7，經查
，被證7說明書第15頁第11行至第17頁第13行、圖式第1圖已揭示發光元件具有p-Si基板7、主金屬層10、發光層部24、電流擴散層20以及金屬電極9。其中被證7之「發光元件」可對應至系爭專利103年更正本請求項1之「半導體發光元件」，故被證7已揭示系爭專利請求項1之「一種半導體發光元件，其特徵為具備：」之技術特徵。
②被證7圖式第1圖已揭示金屬電極9與電流擴散層20之
介面為第一主面，「發光層部24、AuGeNi接合金屬層32」與「第一Au系層10a」之介面為第二主面，第一主面可取出由發光層部24之活性層5所釋放出的光。
其中被證7之「電流擴散層20、發光層部24、AuGeNi接合金屬層32」、「活性層5」、「第一主面」、「第二主面」可分別對應至系爭專利103年更正本請求項1之「半導體層積體」、「發光層」、「第一主面」、「第二主面」，故被證7已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「包含發光層、用來取出從前述發光層所釋出之光之第一主面、以及設於前述第一主面之另一側之第二主面的半導體層積體；」之技術特徵。
③被證7圖式第1圖已揭示電流擴散層20之第一主面設有
金屬電極9，且該金屬電極9可選用Au電極，為可遮光，因此被證7之「金屬電極9」可對應至系爭專利
103年更正本請求項1之「電極」，故被證7已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「設於前述半導體層積體之前述第一主面上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成；」之技術特徵。
④被證7說明書第17頁第8至9行、圖式第1圖已揭示
發光層部24之光可藉由主金屬層10而反射取出，被證
7說明書第18頁第17行至第18行已揭示第一Au系層10a及第二Au系層10b藉由接合熱處理形成一體化之主金屬層10，接合熱處理係指將兩金屬施予熱的固態擴散反應，使兩介面的原子交互擴散進行接合，由被證7之接合熱處理可無歧異得知系爭專利之擴散接合。因此被證7之「第一Au系層10a、第二Au系層10b」、「第一Au系層10a」、「第二Au系層10b」可分別對應至系爭專利103年更正本請求項1之「反射層」、「第一金屬層」、「第二金屬層」，故被證7已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成；」之技術特徵。
⑤系爭專利請求項1之「電極對向」、「凹凸」用語應
解釋為「面對電極之面」、「凹陷和凸起」，先予敘明。經查被證7說明書第16頁第14行至第18行、圖式第1圖揭示在發光層部24與主金屬層10間形成AuGeNi接合金屬層32而具有凹凸，且其形成面積率為1%－25%，故被證7已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「被證7之於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形成有凹凸。」之技術特徵。
⑥綜上，被證7已揭示系爭專利103年更正本請求項1
之所有技術特徵，故被證7足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具新穎性。
⑦原告雖稱：對於朝反射層入射之光線而言，被證7反
射層之反射面為反射層10整體（含主金屬層10與AuGeNi接合金屬層32或132）之上表面，而該表面為完全平坦之「主金屬層表面」，且被證7未提及「重複全反射」問題，自無法對應於系爭專利之具凹凸表面反射層云云。惟查，系爭專利103年更正本請求項1僅界定「反射層與電極對向之一部分形成有凹凸」，而被證7之圖式第1圖已揭露「第一Au系層10a與第二Au系層10b所形成的凹凸表面」，當光經過「發光層部24或AuGeNi接合金屬層32」與第一Au系層10a的界面間時自然產生散亂並反射，即已揭露系爭專利10
3年更正本請求項1「凹凸」之技術特徵；至被證7雖未提及「重複全反射」之問題，惟，系爭專利與被證7均是欲提高光的取出率（見系爭專利說明書第5頁之發明欲解決之課題以及被證7說明書第6頁倒數第1至2頁），再者，原告亦自承該發明所屬技術領域中具有通常知識者無須過度實驗之情況下足以完成「凹凸」之設計，例如根據被證8之數學模型公式以計算之方式，而在完全不需進行實驗之情況下，推知凹凸尺寸之合理範圍（見本院卷五第141頁背面），足見通常知識者可設計合適的「凹凸尺寸」即可達到系爭專利所稱「降低重複全反射」之目的，是以，原告上開所述並不可採。
⑷被證10足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具新穎性：
①比對系爭專利103年更正本請求項1與被證10，被證
10說明書第13頁第13行至第14頁第2行、圖式第1圖已揭示半導體發光元件1具有發光半導體基板2、陽極3、歐阻接點領域4、光反射層5、第1的接合金屬層6、第2的接合金屬層7、矽支撐基板8、陰極
9以及電流阻擋層10。其中被證10之「半導體發光元件1」係可對應至系爭專利103年更正本請求項1之「反射子裝置之發光二極體」，故被證10已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「一種半導體發光元件，其特徵為具備：」之技術特徵。
②被證10說明書第13頁第22行至第14頁第2行已揭示發
光半導體基板2具有位在光取出側的其中一個主面15與和此呈相反側的另一個主面16，在活性層12所產生的光則經由p型半導體層13與電流擴散層14而從其中一個主面15被取出。其中被證10之「發光半導體基板
2」、「活性層12」、「主面15」、「另一個的主面16」係可分別對應至系爭專利103年更正本請求項1之「半導體層積體」、「發光層」、「第一主面」、「第二主面」，故被證10已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「包含發光層、用來取出從前述發光層所釋出之光之第一主面、以及設於前述第一主面之另一側之第二主面的半導體層積體；」之技術特徵。
③被證10圖式第1圖已揭示發光半導體基板2之主面15
上設有陽極3，再查被證10說明書第15頁末行已揭示陽極3之材質可以為Cr層與Au層的複合層所構成，Cr與Au為可遮光的金屬材質。其中被證10之「陽極3」係可對應至系爭專利請求項1之「電極」，故被證10已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「設於前述半導體層積體之前述第一主面上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成；」之技術特徵。
④被證10說明書第17頁第8行至第17行、圖式第1圖已
揭示從活性層12被放射到發光半導體基板2之另一主面16側的光的一部分則在歐阻接點領域4之相互間的
n型半導體層11與光反射層5的界面產生反射而回到發光半導體基板2的另一主面15側，而第1的接合金屬層6、第2的接合金屬層7之材質可以為Au；再查被證10說明書第18頁第7行至第8行已揭示第1的接合金屬層6、第2的接合金屬層7可藉由熱壓著法而相互被結合。其中被證10之「歐阻接點領域4、光反射層5、第1的接合金屬層6、第2的接合金屬層7」、「歐阻接點領域4、光反射層5、第1的接合金屬層6」、「第2的接合金屬層7」係可分別對應至系爭專利103年更正本請求項1之「反射層」、「第一金屬層」、「第二金屬層」，故被證10已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成；」之技術特徵。
⑤系爭專利請求項1之「電極對向」、「凹凸」用語應
解釋為「面對電極之面」、「凹陷和凸起」，先予敘明。經查被證10圖式第1圖揭示歐阻接點領域4、光反射層5、第1的接合金屬層6以及第2的接合金屬層7之層狀結構可反射活性層12所釋放出的光，歐阻接點領域4與光反射層5形成凹凸之結構設置於陽極
3之另一側，故被證10已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形成有凹凸。」之技術特徵。
⑥綜上所述，被證10已揭示系爭專利103年更正本請求
項1之所有技術特徵，故被證10足以證明系爭專利10
3年更正本請求項1不具新穎性。⑦原告雖稱：被證10係在改良日本特開0000-000000公
報所教示之AuGeGa合金層之表面平坦性惡劣，因此無法容易且良好地將導電性基板貼合，故被證10似已揭露合金層之表面需越平坦越好，且其揭露之結構中歐阻接點領域4之表面雖亦有反射，惟其厚度極薄，光線仍可穿透，故主要反射仍係由光反射面5貢獻，此外被證10亦未提及重複全反射之問題云云。然查，被證10之先前技術揭露在基板與半導體層間形成Bragg反射膜以高光的反射率，但因為Bragg反射膜僅能針對特定的波長，而並無法提供較寬廣的頻寬反射率，為了提高光反射率可以在基板下形成反射電極，但此有順項電壓變大的問題，為了解決前述之問題，日本特開0000-000000公報提供AuGeGa合金層分散形成於半導體層下，但由於AuGeGa合金層係分散形成於半導體層下，此表示半導體層下並非所有的位置均有AuGeGa合金層而形成「凹凸」的結構，此與AuGeGa合金層之表面是否平坦無關，原告所稱「被證10似已揭露合金層之表面需越平坦越好」云云，似有斷章取義之嫌，自不可採。再者，系爭專利103年更正本請求項1僅界定「凹凸」，而被證10已揭示歐阻接點領域4與光反射層5形成凹凸之結構設置於陽極3之另一側，當光經過此凹凸之結構界面自然為產生散射，此僅為散射強度的多寡並非一定不會發生。此外，被證10雖未明確提及「重複全反射」之問題，惟，系爭專利之所欲解決之課題為提高光的取出率（參系爭專利說明書第5頁之發明欲解決之課題），而被證10亦有提高半導體發光元件之發光效率的說明，足見系爭專利所欲解決之「提高光取出率」實為被證10「提高發光效率」之方法之一，而已為被證10所揭示，應認被證10所欲解決之問題與系爭專利相同，是原告上開所指，均不足採。
⒌系爭專利103年更正本請求項1不具進步性：
⑴被證5、1之組合足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具進步性：
①比對系爭專利請求項1與被證5之「半導體發光元件1
」技術特徵，被證5圖式第1圖已揭示半導體發光元件1具有矽支持基板7、半導體區域2、光透過膜3、金屬反射層4、第一接合金屬5、第二接合金屬6、陰極電極8以及陽極電極9。其中被證5之「半導體發光元件1」係可對應至系爭專利103年更正本請求項1之「半導體發光元件」，故被證5已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「一種半導體發光元件，其特徵為具備：
」之技術特徵。
②被證5圖式第1圖已揭示陰極電極8與半導體區域2之介
面為一邊主面11，半導體區域2與光透過膜3之介面為另一邊主面12，一邊主面11可取出由半導體區域2之活性層15釋放出的光。其中被證5之「活性層15」、「一邊主面11」、「另一邊主面12」、「半導體區域
2」係可分別對應至系爭專利103年更正本請求項1之「發光層」、「第一主面」、「第二主面」、「半導體層積體」，故被證5已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「包含發光層、用來取出從前述發光層所釋出之光之第一主面、以及設於前述第一主面之另一側之第二主面的半導體層積體；」之技術特徵。
③被證5圖式第1圖已揭示半導體區域2之一邊主面11
設有陰極電極8，且陰極電極8可以為金屬材質。故被證5已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「設於前述半導體層積體之前述第一主面上的第一電極，其係由可遮光之金屬所構成；」之技術特徵。
④被證5圖式第1圖已揭示金屬反射層4、第一接合金
屬5、第二接合金屬6係設於另一邊主面12下，金屬反射層4之材質可以為鋁、銀、金、銅或其合金，第一接合金屬5及第二接合金屬6之材質可以為金，金屬反射層4、第一接合金屬5、第二接合金屬6而具有導電性，第一接合金屬5及第二接合金屬6可透過熱加壓處理接合，熱處理係指將兩金屬施予熱的固態擴散反應，使兩介面的原子交互擴散進行接合，被證
5之熱加壓處理即為系爭專利之擴散接合，因此被證
5之「金屬反射層4、第一接合金屬5、第二接合金屬6」係可對應至系爭專利103年更正本請求項1之「反射層」，故被證5已揭示系爭專利103年更正本請求項1之「具導電性及對前述發光層所釋出之光之反射性，且設於前述半導體層積體之前述第二主面側的反射層，其中前述反射層係由第一金屬層及第二金屬層經層積並藉由擴散接合接合所構成；」之技術特徵。
⑤系爭專利103年更正本請求項1之「電極對向」、「凹
凸」用語應解釋為「面對電極之面」、「凹陷和凸起」，先予敘明。經查，被證5圖式第1圖已揭示系爭專利103年更正本請求項1「電極」之技術特徵，業如前述，被證5雖未明確揭示系爭專利103年更正本請求項1之「於前述反射層之至少與前述電極對向之一部分形成有凹凸」。然查，被證1說明書第25頁第
7行至第11行、第25頁第13行至第22行、圖式第3圖已揭示該反射電極2設置於透明電極5之另外一側，且在該反射電極2具有光散射面11，透過該光散射面11表面之粗糙而達到散射的效果。其中被證1之「反射電極12」係可對應至系爭專利103年更正本請求項
1之「反射層」，因此，被證1與被證5已分別揭示系爭專利103年更正本請求項1之「於前述反射層（對應被證1之反射電極12）之至少與前述電極（對應被證5之陰極電極8）對向之一部分形成有凹凸。」之技術特徵。
⑥系爭專利103年更正本請求項1之技術特徵已分別為被
證5及被證1所揭露，而被證5與被證1均同屬半導體發光元件之技術領域，是該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何增加半導體發光元件的光取出率之相關問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合，其組合係屬明顯。整體觀之，系爭專利103年更正本請求項1為其所屬技術領域具通常知識者依被證5、1之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項1不具進步性。
⑦原告雖稱：被證5與被證1之組合並非明顯，且由被
證1僅能得知「可能(could)可於垂直接合型LED之反射層上形成凹凸」之改良，但仍需大量、漫長之試驗，系爭專利解決長期存在之問題、克服技術偏見，具有無法預期之功效，系爭專利具進步性云云。惟查，被證5與被證1均同屬半導體發光元件之技術領域，被證5與被證1之發光材料雖不相同，但都是透過電子、電洞複合而產生光的原理，以及在半導體材料的一端或兩端設有電極提供能量的結構，兩者的原理與結構相似，該發明所屬技術領域中具有通常知識者應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合；再查，原告所稱之「具有無法預期之功效」、「解決長期存在的問題」及「克服技術偏見」等，雖可作為判斷專利是否具進步性之輔助因素，但，被證5已揭露半導體發光元件1具有矽支持基板7、半導體區域2、光透過膜3、金屬反射層4、第一接合金屬
5、第二接合金屬6、陰極電極8以及陽極電極9等結構，且被證1已揭露在該反射電極2具有光散射面11，透過該光散射面11表面之粗糙而達到散射的效果，系爭專利實無所謂「解決長期存在的問題」及「克服技術偏見」之情形，此外，被證5與被證1之組合亦可達到類似系爭專利之散射功效，故原告主張系爭專利產生無法預期之功效，亦無可採。是以，原告上開所述，並不足取。
⑵被證7與被證1之組合或被證10與被證1之組合足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具進步性：
①單獨被證7或被證10足以證明系爭專利請求項1不具新
穎性，已如前所述，而被證1之第3圖已揭示發光元件具有基板1、反射電極12、發光層4以及透明電極
5，且反射電極12上設有光散射面11，故被證7與被證1之組合或被證10與被證1之組合當亦足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具進步性。
②原告雖謂：被證7與被證1之組合或被證10與被證1
之組合並非明顯云云。惟查，被證7、被證10與被證
1均同屬半導體發光元件之技術領域，渠等發光材料雖不相同，但都是透過電子、電洞複合而產生光的原理，以及在半導體材料的一端或兩端設有電極提供能量的結構，兩者的原理與結構相似，該發明所屬技術領域中具有通常知識者應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合，是原告稱上開組合無組合之動機云云，並不足採。
⒍系爭專利103年更正本請求項3不具進步性：
⑴系爭專利103年更正本請求項3係依附於請求項1之附
屬項，其內容為「如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光元件，其中，進一步具備選擇性設於前述半導體層積體之前述第二主面與前述反射層之間的絕緣膜，其中前述絕緣膜係選擇性設於前述反射層之該一部份外的其它部分。」⑵系爭專利請求項3之「電極對向」用語應解釋為「面對
電極之面」，先予敘明。被證4說明書第11頁第18行至第20行、圖式第8圖已揭示反射子裝置之發光二極體具有導體支撐座190、反射器180、底視窗161、工作區
120頂視窗160以及頂接觸點109，其中反射器180包含歐姆接觸點182、反射膜184以及透明膜183，且透明膜183設置於歐姆接觸點182、反射膜184與底視窗
161間，且透明膜183包括低折射率絕緣物質，例如二氧化矽、氮化矽或氟化鎂。足見被證4之「透明膜183」係可對應至系爭專利103年更正本請求項3之「絕緣膜」，故被證4已揭示系爭專利103年更正本請求項3之「進一步具備選擇性設於前述半導體層積體（對應被證4之頂視窗160、工作區120、底視窗161）之前述第二主面（對應被證4之第二主面）與前述反射層（對應被證4之歐姆接觸點182、反射膜184）之間的絕緣膜（對應被證4之透明膜183），其中前述絕緣膜（對應被證4之透明膜183）係選擇性設於前述反射層（對應被證4之歐姆接觸點182、反射膜184）之該一部份外的其它部分。」之技術特徵。
⑶被證5、1之組合或被證7、1之組合或被證10、1之
組合，足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具進步性已如前所述，且依附於請求項1之請求項3的絕緣膜等技術特徵亦見諸於被證4，而該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何改善電流堵塞(currentblocking)之相關問題時，應有其動機參考渠等證據之技術內容並予以應用或組合，整體觀之，系爭專利103年更正本請求項3為所屬技術領域中具有通常知識者依被證5、1、4之組合或被證7、1、4之組合或被證
10、1、4之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項3不具進步性。
⒎系爭專利103年更正本請求項4不具進步性：
⑴系爭專利103年更正本請求項4係依附於請求項3之附
屬項，其內容為「如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光元件，其中，前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小。」⑵被證4說明書第11頁第16行至第20行已揭示透明層183
之材料可以為二氧化矽（SiO2）、氮化矽（Si3N4）或氟化鎂（MgF），該等材料之折射率介於1.10到2.25間，被證4說明書第11頁第5行已揭示工作區120之材料可選擇磷化鎵（GaP），該發明所屬技術領域中具有通常知識者均知該材料之折射率均大於3，故證據4已揭示系爭專利103年更正本請求項4之「前述絕緣膜之折射率係比前述半導體層積體之折射率小。」之技術特徵。
⑶被證5、1、4之組合或被證7、1、4之組合或被證
10、1、4之組合，均足以證明系爭專利103年更正本請求項3不具進步性，已如前述，且依附於請求項3之請求項4的絕緣膜以及半導體層積體之折射率等技術特徵亦為被證4所揭露，又上開證據有組合動機已如前述，是整體觀之，系爭專利103年更正本請求項4為所屬技術領域中具有通常知識者依被證5、1、4之組合或被證7、1、4之組合或被證10、1、4之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項4不具進步性。
⒏系爭專利103年更正本請求項5不具進步性：
⑴系爭專利103年更正本請求項5係依附於請求項3之附屬
項，其內容為「如申請專利範圍第3項所記載之半導體發光元件，其中，前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個。」⑵被證4說明書第11頁第18行至第20行已揭示透明層183之
材料可以為二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)或氟化鎂
(MgF)，故證據4已揭示系爭專利103年更正本請求項5之「前述絕緣膜係從由氧化矽、氮化矽、以及氮氧化矽構成之群中所選擇的任一個。」之技術特徵。
⑶被證5、1、4之組合或被證7、1、4之組合或被證10、1
、4之組合，均足以證明系爭專利103年更正本請求項3不具進步性，已如前述，且依附於請求項3之請求項5的絕緣膜材質之選擇等技術特徵亦為被證4所揭露，又上開證據有組合動機已如前述，是整體觀之，系爭專利10
3年更正本請求項5為所屬技術領域中具有通常知識者依被證5、1、4之組合或被證7、1、4之組合或被證10、1、4之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項5不具進步性。
⒐系爭專利103年更正本請求項6不具進步性：
⑴系爭專利103年更正本請求項6係依附於請求項1之附屬項
，其內容為「如申請專利範圍第1項所記載之半導體發光元件，其中，前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化。」⑵被證1說明書第25頁第16行至第22行已揭示反射電極之
光散射面11的形成方法有：直接附上凹凸、使用噴砂法而以機械性地將表面粗糙化、離子束等所造成之物理上的蝕刻法、酸、鹼等所造成的化學上的蝕刻法將表面粗糙化等形成方式。故證據1已揭示系爭專利103年更正本請求項6之「前述半導體層積體之前述第二主面係經粗糙面化。」之技術特徵。
⑶被證5、1之組合或被證7、1之組合或被證10、1之組合
，足以證明系爭專利103年更正本請求項1不具進步性，已如前所述，且依附於請求項1之請求項6的粗糙面化等技術特徵亦為被證1所揭露，整體觀之，系爭專利
103年更正本請求項6為所屬技術領域具通常知識者依被證5、1之組合或被證7、1之組合或被證10、1之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項6不具進步性。
⒑系爭專利103年更正本請求項7不具進步性：
⑴系爭專利103年更正本請求項7係依附於請求項6之附屬
項，其內容為「如申請專利範圍第6項所記載之半導體發光元件，其中，前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上。」⑵被證5說明書第15頁第6行至第19行已揭示輔助層18之材
質可以為GaP或GaN，接觸層19之材質可以為GaAs，且被證1說明書第25頁第16行至第22行已揭示反射電極之光散射面11的形成方法有：直接附上凹凸、使用噴砂法而以機械性地將表面粗糙化、離子束等所造成之物理上的蝕刻法、酸、鹼等所造成的化學上的蝕刻法將表面粗糙化等形成方式，故證據5與證據1已分別揭示系爭專利
103年更正本請求項7之「前述經粗糙面化之面係設於GaAs層或GaP層之上」。
⑶被證5、1之組合或被證7、1之組合或被證10、1之組合
，足以證明系爭專利103年更正本請求項6不具進步性已如前所述，且依附於系爭專利請求項6之請求項7的粗糙面化之面設於GaAs層或GaP層等技術特徵亦見諸於被證5、1，而被證5、7、1、10同屬半導體發光元件之技術領域，渠等相互間有組合動機，已如前述，整體觀之，系爭專利103年更正本請求項7為所屬技術領域中具有通常知識者依被證5、1之組合或被證7、1、
5之組合或被證10、1、5之組合所能輕易完成，是系爭專利103年更正本請求項7不具進步性。
⒒原告雖稱：系爭專利發明之整體於技術上，係解決諸多技
術困難、技術偏見始能完成，並引 李亞儒 教授之專家意見書（即原證77）佐證系爭專利之發明非輕易完成，系爭專利具可專利性云云。惟查，系爭專利之先前技術已說明，在半導體發光元件之光取出面相反側設置金屬材料的反射層，以提高光的取出效率，而上開專家意見書第3頁倒數第3行至第7行亦說明，為了增進LED光取出效率，最直覺且常見的技術係屬於LED出光面上直接製作具微奈米等級的表面結構，包含利用乾濕式蝕刻隨機表面粗糙化以及利用微影製程技術製作具週期性圖案如光子晶體等相關技術（見本院卷四第246頁），足見該發明所屬技術領域中具有通常知識者當面臨如何提昇光的取出效率等相關問題時，自有動機在反射層上形成粗糙化或光子晶體，系爭專利並未產生無法預期之功效；再查，上開專家意見書第5頁至第7頁（見本院卷四第248至250頁），說明其著手進行雙層漫射反射器發光元件結構的研究與開發，其設計在頂面形成散（漫）射表面（transmitteddiffusesurface）以及在底面形成全方位散（漫）射反射表面（diffuseomnidirectionalreflectorsurface）等等，此更可以證明該發明所屬技術領域中具有通常知識者在參酌光取出面上製作微結構以及利用金屬材料的反射層提高光的取出效率後，而有合理的動機在半導體發光元件中形成粗糙化表面；另查，上開專家意見書所引之參考文獻7之REFERENCE30（見本院卷五第290頁）「30%externalquantumefficiencyfromsurfacetextured,thin-filmlight-emittingdiodes」文獻（見本院卷五第5至6頁），係在系爭專利申請日之前，該等文獻提及為了提昇半導體發光元件的光取出效率，會在半導體發光元件之出光面上形成粗糙化表面，足見系爭專利並無原告所稱克服技術偏見始能完成系爭發明之情事。準此，原告上開所述均不足採。
⒓系爭專利說明書並未違反核准審定時專利法第26條第2項規定：
被告辯稱系爭專利說明書違反核准審定時專利法第26條第
2項規定，無非係以：「系爭專利說明書第8頁第15至23行所揭露之反射層上形成的凹凸尺寸：高度為10至1000nm且間距為10至1000nm，其中即有一部分具有較小數值的凹凸高度對於從發光層所釋出之特定光線而言及非屬粗糙，而無法產生散射；此外有一部分具有較大數值的凹凸的間距對於凹凸的特定高低起伏均方根值而言，而無法令所有從發光層所釋出之光線產生散射效果…發明說明雖然載有解決問題之技術手段，但採用該技術手段不能解決問題…」云云。惟查，由系爭專利說明書第11頁第22行至第12頁第11行揭露之「藉由接觸層12之粗糙面化，反射層25（第一金屬層14）中半導體層6之第二主面側之面與接觸層12的界面，由於形成有凹凸，因此從發光層8朝第二主面側所釋出之光，即於接觸層12與反射層25之界面散亂並反射（散亂反射）」、系爭專利說明書第17頁第5行至第18行揭露之「於反射層25（第一金屬層14）中透明電極層33側之面與透明電極層33之界面，由於形成有凹凸，因此從發光層8釋出至第二主面之光，即於透明電極層33與反射層25之界面，散亂並反射（散亂反射）」以及系爭專利說明書第22頁第1行至第3行行揭露之「此種接觸層12與絕緣膜80之界面中，從發光層8朝接觸層12側所釋放之光的反射率較高，與粗糙面之散亂反射相輔相成，即可更提升往元件外部之光取出效率。」可知，接觸層12與反射層25間形成凹凸（參系爭專利圖式1、5至7、23、27）或透明電極層33與反射層25間形成凹凸（參系爭專利圖式16），當光經過接觸層12（或透明電極層33）與反射層25的界面時，由於該界面設有凹凸即可使光達到散亂並反射之目的，又本院認為系爭專利「凹凸」用語應解釋為「凹陷與凸起」，已如前述，並不以有一定的高度、間距為必要，系爭專利說明書上開對於凹凸之記載，已明確且充分揭露而可據以實施，並未違反專利法第26條第2項之規定，被告上開所辯並不足取。
六、綜上所述，系爭專利103年更正本雖應准許更正，且系爭產品落入系爭專利103年更正本請求項1、3至7之申請專利範圍、系爭專利說明書並未違反核准時專利法第26條第2項規定，然系爭專利103年更正本請求項1、3至7不具新穎性，亦不具進步性，縱原告依系爭專利103年更正本請求項1、3至7項為其專利權範圍主張本件請求，然依系爭專利核准時
93年專利法第67條第1項第1款規定，仍應撤銷其註冊，是依智慧財產案件審理法第16條第2項規定，原告於本件民事訴訟中不得基於系爭專利權對被告主張權利，從而，原告依公司法第23條第2項及專利法相關規定，請求被告連帶給付原告48,000,000元本息，並請求命被告公司不得製造、販賣、為販賣之要約、使用或為上述目的而進口如附表1所示各型號系列之發光二極體（LED）產品及其他一切侵害系爭專利之產品，被告公司並應回收並銷毀侵害上開專利權之產品等，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請亦失所附麗，應並予駁回。
七、本件事證已臻明確，本件其餘爭點、兩造其餘攻擊防禦方法及所提之證據，經本院斟酌後，認與判決結果不生影響，自無逐一詳予論駁之必要。
八、訴訟費用負擔之依據：智慧財產案件審理法第1條、民事訴訟法第78條。
中華民國104年9月22日
智慧財產法院第二庭
法官蔡如琪以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費（均須按他造當事人之人數附繕本）。
中華民國104年10月2日
書記官邱于婷