裁判字號：臺北高等行政法院91年訴字第2222號判決
裁判日期：民國92年07月22日
裁判案由：發明專利異議
臺北高等行政法院判決九十一年度訴字第二二二二號
原告甲○○訴訟代理人 鍾亦琳 律師
丙○○被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）訴訟代理人丁○○
戊○○
參加人日月光半導體製造股份有限公司代表人乙○○董事長右當事人間因發明專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十一年年四月十二日經訴字第○九一○六一○七六九○號訴願決定，提起行政訴訟，本院判決如左：
主文訴願決定及原處分均撤銷。
被告應就第00000000號發明專利異議案為異議成立之處分。
訴訟費用由被告負擔。
事實
一、事實概要：參加人於民國（下同）八十八年二月三日以「將具有坍塌控制焊料塊之翻面晶片製作於聚合物基板上之封裝結構與方法」向被告申請發明專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，原告以其不符發明專利要件，對之提起異議，案經被告審查，於九十年十一月五日以（九十）智專三
（二）○四○八五字第○九○八九○○二○九三號專利異議審定書為「異議不成立」之處分。原告不服，提起訴願，遭決定駁回，遂提起行政訴訟。本院因認本件撤銷訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，爰依職權裁定命獨立參加被告之訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明：
訴願決定與原處分均撤銷，並命被告重為本件專利異議案成立之處分。
㈡被告聲明：
⒈原告之訴駁回。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：系爭專利是否有違核准時專利法第十九條及第二十條第二項之規定，而不得取得發明專利？㈠原告主張：
⒈按專利法第十九條：「稱發明者，謂利用自法然則之技術思想之高度創作」
及第二十條第二項：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利」規定，申請專利之發明應係指具有高度之創作精神者，且該創作精神係熟習該項技術者所無法由既有之技術輕易推論而完成，始符合專利法第二十條第二項進步性之規定；若僅係習用技術之組合與轉換，且屬一般業者所容易想出者，自難謂具有高度創作之精神，顯然不符專利法第十九條發明專利之定義。
⒉根據鈞院八十九年度訴字第二二一八號判決理由，有關發明專利之進步性
的相關見解已明確指出：「因不具進步性而不予發明專利之消極構成要件要素僅有二項，一為『運用申請前既有之技術或知識』，一為『熟習該項技術者所能輕易完成』，而在新型案件，要認定新型不具進步性，必須同時滿足三項構成要件要素，即『運用申請前既有之技術或知識』，『熟習該項技術者所能輕易完成』，『未能增進功效』；因此相對於新型專利，發明專利之進步性要獲得肯認顯然比較困難的。換言之，申請專利之發明，即使能『產生某一新功效』或具有『增進某種功效』之特徵，但若其為『熟習該項技術者所能輕易完成』時，仍然不能認為具有進步性」；此已明確說明，申請專利之發明是否具有專利要件之進步性，絕非僅以所達之功效作為判斷標準。
換句話說，申請專利之發明，其創作精神是否係熟習該項技術者依申請當時之既有技術藉由簡單的推論即可輕易完成，方為論究發明專利之進步性之依據。
⒊被告未依專利審查基準，准予被異議案之不當修正，而為異議不成立之審定，實有違誤。
⑴按行政程序法第八條後段宣示行政行為應保護人民正當合理之信賴。且大
法官解釋字五二五號亦明確指出：「信賴保護原則攸關憲法上人民權利之保障，公權力行使涉及人民信賴利益而有保護之必要者，不限於授益行政處分之撤銷或廢止（行政程序法第一百十九條、第一百二十條及第一百二十六條參照）」。如行政機關頒布之現行有效且該機關公開對社會大眾販售，人民已奉為圭臬、準則之行政規則，行政機關依據此項行政規則為行政處分時，當然有信賴保護原則之適用。再者，行政機關為行政處分之理由，縱使與裁量（學說上亦有稱之為判斷餘地者）有關，行政機關亦不得任意改變向來之行為方式，致有損人民之信任感(GrundsatzdesVerbotseinesvenirecontrafactumpropium)，此與誠信原則、平等原則、比例原則等，同屬裁量處分應遵守之基本法律原則。再者，專利審查基準乃被告之行政規則，被告均係依該基準之認定與判斷標準作為專利申請之準則，申請人信賴依此準則所為之申請必能獲得被告機關之肯認；是以，被告機關明顯違反此項準則之標準所為之處分，則必然傷害人民之信賴而違反信賴保護原則。是以，就專利要件之新穎性與進步性的審查而言，雖係有關科技法律之適用，可謂為行政機關行使職權時得自由判斷之裁量，惟該種裁量並非完全之放任，其所為之個別判斷，仍應避免違背誠信原則、平等原則、比例原則等一般法的規範。故被告未按其行政規則，依一貫的標準進行審查，實已違背誠信原則，顯然有裁量權濫用之虞。
⑵根據被告所發布之專利審查基準第1-2-20頁，有關判斷進步性之基本原則
3，已敘明：「判斷發明有無進步性時，應確實依據發明所屬之技術領域，以及申請專利當時之技術水準(thestateoftheart)，檢索申請當日之前之既有技術及/或知識作為引證資料，以研判發明之技術手段之選擇與結合，如其選擇與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完成者，即具有進步性；反之，如為熟習該項技術者基於引證資料所能輕易完成者，則不具進步性」；因此，申請專利之發明若為習知技術之結合或選用，且該等習知技術之組合與選用並無待克服之困難點，則應視為熟習該項技術者所能輕易完成而不具專利要件之進步性，絕非係僅以系爭案與引證案之異同，作為審究專利要件進步性之依據。
⑶經查，被告係以：「引證一、二皆未如系爭案在（高熔點）C4焊料塊上，
藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成(低熔點)第二焊料塊」而稱引證案不能證明系爭案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性（參見異議審定書第三頁理由(三)）。惟系爭案之說明書第九頁第二三至二四行已明確指出「將熔融之第二焊料塊32以微液滴之方式噴射，係封裝領域中習知之技術」；換言之，系爭案「藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊」之技術手段顯然係屬習知技術之轉用，且該技術手段本身即係用於形成焊料塊，係屬相同領域之技術手段，對熟習該項技術者而言，該種習知技術之轉用顯然並無任何有待克服之困難點，絕非無法輕易完成者。⑷另一方面，系爭案「將具有C4焊料塊之晶片鍍上一第二焊料以形成第二焊
料塊，利用第二焊料之較低熔點及C4焊料塊不易坍塌之特性，而得到兼具有可在聚合物基板可承受之較低溫度下進行熱處理、有較佳鍵結特性及有較佳坍塌控制特性之焊料塊」之創作精神（參見系爭案說明書第五頁第十八至二二行之發明目的），亦已為引證一、二所揭示（將於後文中詳述），實未見系爭案可專利之技術特徵何在。綜上，被告並未審究系爭案係屬熟習該項技術者所能輕易完成而不具有進步性之事實，僅以該第二焊料塊之形成方式不同，即為異議不成立之審定，實有違誤，應予以撤銷。
⑸根據被告於八十九年十月所頒行之專利審查基準第1-9-28頁關於修正、更
正之限制(2)申請專利範圍過廣「申請專利範圍過廣情事，通常係因原核准公告專利範圍之新穎性、進步性受到質疑，被異議人、被舉發人乃藉修正、更正縮減該範圍，以期系爭案經縮減後可有效存在。次頁之【例二】明確指出「原申請專利範圍為一組包含獨立項與附屬項之多項請求項，若其獨立項有申請專利範圍過廣之情事，因而將原來的獨立項與其中之一或二附屬項合併，使獨立項增加限制條件者，即屬範圍縮減」；又，同頁之【注意事項】亦載明「若原審定公告之申請專利範圍過廣，經修正、更正，其範圍已符合上述縮減範圍之規定後，即需進一步審慎論究新穎性、進步性等專利要件」。
⑹被告於異議審定理由(1)指稱被異議案於九十年五月十八日申請修正申請
專利範圍，與八十九年十二月十一日之審定公告本比較，係將原第十四項併入第十三項，未變更實質內容且為申請專利範圍過廣之修正，符合專利法第四十四條第一款之規定准予修正云云。
⑺然查，被異議案於原告提出異議後，旋將原申請專利範圍第14項「其中形
成該第二焊料塊之方式係在該C4焊料塊上噴射熔融之第二焊料微液滴而形成」併入原第13項封裝結構之獨立項中，屬上述將獨立項與附屬項合併，形成一新的獨立項，以縮減其範圍之修正形式。惟查，被異議案經修正之申請專利範圍中，該封裝結構之特徵型態已為異議引證一、二所明確揭露，欲進一步用以限制被異議案之封裝結構之技術手段「以噴射熔融之第二焊料微液滴形成第二焊料塊」，亦於被異議案之專利說明書第九頁中明確指出為習知技術（其比較將詳予說明如後），被告並未依照所頒行之審查基準，除確認該項修正未變更實質外，更需進一步審慎論究新穎性、進步性等專利要件，未慎究該項經修正之申請專利範圍的新穎性及進步性，即草率准予被異議案之不當修正並為異議不成立之審定，顯有違誤。
⒋被異議案經修正之申請專利範圍，明顯不具專利要件之新穎性及進步性。
⑴經查，被異議案於九十年五月十八日於原告提起異議後旋修改之申請專利
範圍，其修正後第13項所界定之封裝結構特徵為：一種於聚合物基板上形成具有坍塌控制焊料塊之翻面晶片封裝結構，係包含：一鍍有複數個C4焊料塊之晶片，該C4焊料塊之外側另形成有第二焊料塊且該第二焊料塊與C4焊料塊結合為一整體焊料塊，該晶片含有焊料塊之一面朝下，其中形成該第二焊料塊之方式係藉在該C4焊料塊上噴射熔融之第二焊料微液滴而形成；及一聚合物基板，設有複數個焊墊，其含有焊墊之一面朝上且各焊墊之位置與各整體焊料塊之位置相對應，該聚合物基板係藉焊墊與整體焊料塊之結合而與該晶片結合成一翻面晶片封裝。綜上，被異議案之技術特徵可分為(1)第二焊料塊形成於一C4焊料塊上且與該C4焊料塊結合為一整體焊料塊，以及(2)以噴射熔融之第二焊料微液滴形成第二焊料塊等二技術特點上，而餘者則俱為習見之封裝步驟及結構，故在此不另為文贅述。
⑵被告於異議審定書指稱：引證一、二未如被異議案在（高熔點）C4焊料塊
上，藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊，以其不同之（低熔點）第二焊料塊的形成方式，引證案不能證明被異議案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性。
⑶經查，被異議案之專利說明書第九頁第二三至二四行所述「‧‧‧將熔融
之第二焊料32以微液滴之方式噴射，係封裝領域中習知之技術，‧‧‧」，已明確指出，被異議案中用以形成第二焊料塊之熔融噴射方式（亦即，被異議案之技術特徵(2)），為該項領域中習知之技術手段，熟悉該項技術者必然可直接推導。是以，被異議案之封裝結構與其製法不具專利要件之新穎性及進步性，無庸置疑。
⑷被告於訴願答辯理由(2)中指出：於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊，
已為異議引證一、二所揭露‧‧‧惟異議引證案及被異議案所揭示之習用技術未如被異議案係藉噴射熔融之第二焊料微液滴31形成（低熔點）第二焊料塊3，進而指稱異議引證案不能證明被異議案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性。
⑸綜上可知，被異議案之技術特徵(1)第二焊料塊形成於一C4焊料塊上且與
該C4焊料塊結合為一整體焊料塊，為異議引證一、二所揭露，已敘明於被告之訴願答辯理由(2)中，被異議案之技術特徵(1)屬習知之技術手段，不具新穎性及進步性，當無疑義。
⑹又根據被告於八十九年十月所頒行之專利審查基準第1-2-6頁，新穎性判
斷之基本原則(3)判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容直接比對是否相同（含能由熟悉該項技術者直接推導）為準，不相同即具有新穎性，相同即不具新穎性；綜上，被異議案之說明書第九頁已載明，其用以形成第二焊料塊之熔融噴射法，為該項領域中之習知技術，熟悉該項技術者當然可由其直接推導，藉由該種熔融噴射法形成第二焊料塊，故被異議案之技術特徵(2)不具新穎性及進步性，亦無疑義。
⑺被告雖於訴願答辯理由(1)中辯稱：被異議案之專利說明書第九頁第二三
至二四行所述：「將熔融之第二焊料32以微液滴之方式噴射」為習知技術，並未指出「以該第二焊料微液滴31形成第二焊料塊3」為習知技術；惟此一事實認定明顯違反該領域一般技術者之認知，據此判定被異議案具有新穎性及進步性，實有重大違誤。
⑻有鑒於被告對於系爭案所屬之技術領域的認知，明顯與事實不符，茲提出
補強證據，俾使鈞院得以了解被告機關所謂「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」無法推導或認定以第二焊料微液滴形成如系爭案之第二焊料塊為習知或「簡單之技術結合」，實為嚴重曲解之誤謬。經查，美國專利第5,597,110號（下稱為引證三），即揭露一種藉由熔融噴射之方式形成焊料塊的方法，該項專利主要係於第一焊料16上噴射熔融之第二焊料微液滴14以形成焊料塊24（如其第一、二圖所示），其說明書第三欄第二二至二八行，亦指出可進一步使其他之微液滴再形成於所形成之焊料塊24上，並使其結合至先前之微液滴所形成之焊料塊上（即如被異議案中形成於C4焊料塊上之第二焊料塊）。綜上已明確可知由系爭案之專利說明書第九頁第二三至二四行：「將熔融之第二焊料32以微液滴之方式噴射」推導「以該第二焊料微滴液31形成第二焊料塊3」，確為熟習該項技術者所能直接推知並輕易完成。被告以系爭案未明確指出「以該第二焊料微滴液31形成第二焊料塊3」為習知技術，辯稱系爭案具有專利要件之新穎性及進步性，顯然已違背該項技術者對此一事實之客觀認定，明顯違反經驗法則之判斷。承前所述，系爭案之主要技術特徵(1)第二焊料塊形成於一C4焊料塊上且與該C4焊料塊結合為一整體焊料塊，已明確揭露於引證一、二，而技術特徵(2)以噴射熔融之第二焊料微液滴形成第二焊料塊，亦可由習知熔融噴射技術直接推導；換言之，被異議案之封裝結構與形成該結構之方法，確屬已揭露之習知技術手段，僅需藉由簡單之技術結合即可完成系爭案前揭特徵。故系爭案經修正之申請專利範圍，仍不具有專利要件之新穎性及進步性。
⒌訴願決定機關所為之判斷，其認事用法，多所違誤，應予撤銷。
⑴按行政程序法第四十三條之規定：「行政機關為處分或其他行政行為，應
斟酌全部陳述與調查事實及證據之結果，依論理及經驗法則判斷事實之真偽，‧‧‧」。
⑵訴願機關駁回原告訴願決定，其理由如下：「被異議案於高熔點焊料塊上
形成低熔點焊料塊之技術，固為引證一及二中所揭露，惟引證一係利用蒸鍍法或利用電解電鍍浸漬於焊料電鍍液中形成；而引證二係利用浸漬法形成，與被異議案係藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊之形成方式不同，‧‧‧」，從而認定引證一及二尚難證明系爭案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性。
⑶惟被告於訴願答辯理由(1)已指出：被異議案之專利說明書第九頁第二三
至二四行所述：「將熔融之第二焊料32以微液滴之方式噴射」為習知技術，換言之，被異議案用以形成第二焊料塊之熔融噴射法，係該項領域中用以形成焊料塊之眾多習知技術手段之一，亦即，被異議案係藉由習知之技術手段（即被異議案之技術特徵(2)）形成與引證一、二相同之結果（即被異議案之技術特徵(1)），是以，被異議案之技術特徵(2)雖未載明於異議引證一、二中，惟經上述分析比較可知，被異議案之技術特徵均為該項領域之習用技術，是以，被異議案不具專利要件之新穎性及進步性，顯然可見，而訴願決定機關未斟酌全部陳述與調查事實及證據之結果，即為訴願駁回之決定，實至為不當。
⑷再者，訴願決定機關為訴願駁回之決定的理由包括：(1)引證一係利用蒸
鍍法或利用電解電鍍浸漬於焊料電鍍液中形成，引證二係利用浸漬法形成，皆與系爭案係藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成(低熔點)第二焊料塊之形成方式不同；以及(2)引證一及二亦未如系爭案有不會產生污染等功效。惟，如上述，系爭案「藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊」之技術手段單純為習知技術之轉用，並非熟習該項技術無法輕易完成；又，系爭案是否具有引證一及引證二未揭示之功效，亦非為用以審究專利要件進步性之依據，訴願機關所為訴願駁回之決定，顯然有誤。
⒍為使鈞院確實了解，系爭案之目的、功效、及技術手段均已為引證一、二
所揭示，明顯為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性之事實，茲進一步分析說明如下：
⑴首先，就目的與功效而論，系爭案之封裝結構係以在晶片上設置不同熔點
範圍之焊料塊，防止焊接塊之坍塌為目的，其與引證一所揭示藉由具有高熔點焊料凸塊及低熔點焊料凸塊兩種組成的焊料凸塊，可同時解決習知問題中因為焊料流出以致無法確保IC晶片與電路基板之間隔的可靠性方面的問題，以及為了防止焊料流出而塗布焊料抗蝕劑等生產方面的問題，實質上相同。再者，系爭案防止焊接塊坍塌之目的，係為使晶片與基板間維持適當之站立距離，該站立距離對翻面晶片封裝之壽命有絕對之影響，如其專利說明書第四頁第一二行至第五頁第三行所述：「‧‧‧該站立距離對翻面晶片封裝之壽命有絕對之影響，‧‧‧，較小之站立距離會使晶片與基板間因熱膨脹差所產生之應力更大，而使該晶片封裝之壽命降低」。此項欲解決之習知問題，亦與引證二所揭示在LSI晶片上形成凸塊，而充分的凸塊高度，在接合時可在LSI晶片與基板之間保持預定間隙相同，兩案之功效與目的實未見有何相異處。
⑵再者，就系爭案所界定之焊料塊（即引證一、二之焊料凸塊）的結構型態
而論，系爭案與引證案所揭示者，均係將低熔點之第二焊料塊形成於高熔點之焊料塊上。參加人雖於異議答辯中指稱，系爭案藉由噴射熔融第二焊料產生微液滴所形成之第二料塊，係形成於高熔點C4焊料塊之頂面，並未完全包覆C4焊料塊，與引證案之結構形態並不相同，惟：
①綜觀系爭案說明書全文，隻字未提該第二焊料塊是否係將該C4焊料塊完
全包覆，該項結構形態之界定亦未載明於申請專利範圍中，且該第二焊料塊是否係將該C4焊料塊完全包覆對於系爭案欲達之目的與功效「將具有C4焊料塊之晶片鍍上一第二焊料以形成第二焊料塊，利用第二焊料之較低熔點及C4焊料塊不易坍塌之特性，而得到兼具有可在聚合物基板可承受之較低溫度下進行熱處理、有較佳鍵結特性及有較佳坍塌控制特性之焊料塊」並無任何影響，顯然並非系爭案之技術特徵所在。
②被告所頒行之專利審查基準中，已明確指出申請專利範圍之獨立項中應
記載「構成之必要技術內容、特點」，而獨立項亦為專利性之判斷的基本單位，而圖式說明僅為表現創作精神之具體實施方式之一，並非用以與習知技術比對異同與否之唯一依據。換言之，參加人於異議答辯中辯稱「系爭案之第二焊料塊並未完全包覆該C4焊料」之結構形態，並未揭示於系爭案之說明書中，亦未界定於系爭案之申請專利範圍，因此，該第二焊料塊是否完全包覆該C4焊料塊，顯然並非系爭案之必要技術內容，亦非用以與引證案進行專利要件之新穎性與進步判斷的依據。
③被異議案雖於原告提起異議後，即將原申請專利範圍第15項併入第14項
中，進一步將該第二焊料塊界定為係藉由在C4焊料塊上噴射熔融之第二焊料微液滴而形成者。惟，如上述，該噴射熔融第二焊料微液滴之方法本身係屬習知技術；而該第二焊料塊未完全包覆該C4焊料塊，亦非在C4焊料塊上藉由噴射熔融之第二焊料微液滴形成第二料塊必然可達之結果。依簡單常理即可知，當該第二焊料塊之體積大至一定程度時，或該第二焊料塊具有高流動特性時，即便是藉由噴射熔融第二焊料產生微液滴的方式在C4焊料塊上形成該第二料塊，該第二焊料塊亦可能將該C4焊料塊完全包覆於其中。綜上所述，系爭案申請專利範圍第十三至十八項所界定之晶片封裝結構，相較於引證一、二所揭示者，並無任何實質差異；被異議人於答辯時辯稱，系爭案之結構特徵在於「第二焊料塊係以上述之噴射的方式所形成，故第二焊料塊並未完全包圍C4焊料塊之外周面，而是位於C4焊料塊之頂面」顯然與事實不符；依系爭案申請專利範圍所界定之內容，並非必然會形成「第二焊料塊並未完全包圍C4焊料塊之外周面，而是位於C4焊料塊之頂面」之結構特徵。因此，就系爭案申請專利範圍所界定之結構而言，其並無技術特徵，亦無顯然的進步，系爭案不具專利要件新穎性與進步性之事實，應已無庸置疑。
⑶又就系爭案所界定之方法而言，引證一、二雖未明確揭示利用噴射法形成
第二焊料塊，亦如前述，利用噴射法形成凸塊係屬該項領域所習知之技術已無爭議；換句話說，由該噴射法本身所產生之功效，例如縮短凸塊形成的時間而增加生產效率（異議答辯第五頁）、不會產生污染等（訴願答辯理由二），均非熟習該項技術者所無法預期。再者，異議答辯所指稱：「本案係以噴射法形成第二焊料塊，‧‧‧，因此在形成第二焊料塊(低熔點焊料塊)的方法上差異甚大，其分別所對應之製程設備亦對應不同」亦非事實。根據系爭案之說明書第九至十頁所揭示之內容，系爭案之第二焊料塊係利用多種已商業化之設備而形成；故該等製程設備之異同，顯然非為用以論究系爭案之專利要件之依據。綜上所述，系爭案申請專利範圍所界定之方法，僅為習知技術之簡單運用，並無熟習該項技術者無法輕易完成之技術特徵或顯然進步，且系爭案所達之功效，均非熟習該項技術者所無法預期，亦難用作為論究發明專利進步性之依據。
⒎又被告於行政訴訟答辯書中辯稱，由習知技術「將熔融之焊料以微液滴方式
噴射」無法推導或認定以第二焊料微液滴形成如系爭案之第二焊料塊為習知或「簡單之技術結合」，明顯違反審查基準與熟習該項技術者之認知標準。
⑴被告所發布之專利審查基準第1-2-19頁第14至19行已載明：「『熟習該項
技術者』，係指虛擬一具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），並發揮一般創作能力，例如：選擇材料或變更設計，使當時該發明所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識的人而言」。
⑵如前述，被告之訴願答辯理由二與訴願決定之理由（訴願決定書第三頁第
8至9行），均已明白指出「系爭案於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊」之結構特徵，已為引證一、二所揭露；另一方面，被告亦於行政訴訟之答辯書中承認，系爭案用以形成該第二焊料塊之技術手段「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」係申請前既有之習知技術。再者，「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」之技術，本身即為用以形成焊料塊的多種習知技術之一，並非係將不同領域之技術轉用於半導體封裝之技術領域，且被告亦未能明確指出熟習該項技術者利用「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」之技術形成第二焊料塊需克服之何種困難（即系爭案的顯然進步何在）；換言之，系爭案僅為利用多種形成焊料塊的習知技術手段之一，將該第二焊料塊形成於(高熔點)焊料塊上，而形成引證一、二所揭示「於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊」之相同結構型態。故，系爭案單純係運用另一種形成焊料塊的習知技術手段形成已為引證一、二所揭示之既有封裝結構；被告完全忽視熟習該項技術者由引證案所揭示之習知技術達成系爭案之容易性，強稱由習知技術「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」無法推導或認定以第二焊料微液滴形成如系爭案之第二焊料塊為習知或「簡單之技術結合」，顯然有違專利審查基準之判斷標準，實難謂其審定係以熟習該項技術者之技術水準作為判斷、衡量之依據。
⒏為此狀請鈞院明鑒，賜判決如訴之聲明，以彰專利法旨，並維社會公益。
㈡被告主張：
⒈系爭案九十年五月十八日之申請專利範圍修正本，其符合專利法第四十四條
第四項第一款規定，自應准予修正，並按該修正後之內容審查其新穎性及進步性，並無違誤。
⒉系爭案專利說明書第九頁第二十三、二十四行所述之習知技術僅為「將熔融
之第二焊料32以微液滴之方式噴射」，而異議引證一、二所揭露者僅係於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊（利用蒸鍍法或浸漬法等），皆未如系爭案係藉噴射熔融之第二焊料微液滴31形成（低熔點）第二焊料塊，且並不能因將熔融之焊料以微液滴方式噴射為習知，而可推導或認定以第二焊料微液滴形成如系爭案之第二焊料塊為習知或「簡單之技術結合」。另所附之美國專利第0000000號案乃一新證據，其未於異議階段提出，應不予論究。
⒊系爭案在目的及功效上，不僅可防止焊接塊之坍塌，且可有不會產生污染等
之功效，確可較異議引證案進一步的增進功效，該引證一、二不能證明系爭案不具新穎性或進步性。
綜上所述，被告原處分並無違法，敬請駁回原告之訴。
㈢參加人經合法通知未曾到場，亦未提出書狀作何陳述。
理由本件系爭第00000000號「將具有坍塌控制焊料塊之翻面晶片製作於聚合物基板上之封裝結構與方法」發明專利案，係①提供一有C4焊料塊之晶片；②提供一具有金屬焊墊之基板；③在該C4焊料塊上，噴射熔融之第二焊料微液滴以形成第二焊料塊；④將該鍍有第二焊料塊之晶片加以迴焊處理，而使第二焊料塊與該C4焊料塊鍵結結合為一整體焊料塊；⑤將該晶片翻面並將該整體焊料塊與該金屬焊墊黏合；⑥將該黏合之晶片與基板進行熱處理，使該整體焊料塊與金屬焊墊鍵結結合（詳見申請專利範圍）。原告所提異議證據一為七十一年七月一日公開之日本昭五七─一○六○五七號專利案（即引證一）。異議證據二為七十三年四月四日公開之日本昭五九─五八八四三號專利案（即引證二）。案經被告審查，認引證一焊料凸塊6包括高熔點焊料組成的凸塊6a及低熔點焊料組成的凸塊6b，該焊料凸塊6b係利用電阻加熱之蒸鍍法，或利用電解電鍍浸漬於Pb：Sn=38：62（熔點約攝氏一八三度)的焊料電鍍液中形成；而引證二係利用浸漬法使高熔點焊料3附著於金屬層2上，同樣利用浸漬法再使低熔點焊料4附著於高熔點焊料，是引證一、二皆未如系爭案在（高熔點）C4焊料塊上，藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊，以其不同之（低熔點）第二焊料塊的形成方式，引證案一、二自不能證明系爭案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性，乃為異議不成立之處分。原告不服，提起訴願，訴稱：由系爭案專利說明書第九頁第二三至第二四行可知系爭案在高熔點焊料塊上形成有低熔點焊料塊之技術為習知，且第九頁第二至第四行亦表示C4焊料塊及具有焊料塊之晶片的使用不具新穎性，況系爭案之封裝結構在晶片上設置不同熔點之焊料塊以防止焊料塊坍塌之目的與功效亦與引證案一、二相同，故系爭案不具新穎性及進步性等語；訴願決定機關經濟部則以：系爭案於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊之技術，固為引證一及二中所揭露，惟引證一係利用蒸鍍法或利用電解電鍍浸漬於焊料電鍍液中形成；而引證二係利用浸漬法形成，皆與系爭案係藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊之形成方式不同；且引證一及二亦未如系爭案有不會產生污染等功效，故引證一及二尚難證明系爭案之封裝結構與方法不具新穎性或進步性，因認被告所為異議不成立之處分，並無違誤，而為駁回訴願之決定，固非無見。惟查：
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利，固為系爭專利核准審定時專利法第十九條暨第二十條第一項所規定；惟「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。」復為同法第二十條第二項所規定。
二、本件系爭專利之創作精神，主要係「將具有C4焊料塊之晶片鍍上一第二焊料以形成第二焊料塊，利用第二焊料之較低熔點及C4焊料塊不易坍塌之特性，而得到兼具有可在聚合物基板可承受之較低溫度下進行熱處理、有較佳鍵結特性及有較佳坍塌控制特性之焊料塊」（參見系爭案說明書第五頁第一八至二二行之發明目的），簡言之，即係於高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊，此項技術，已為引證一及二所揭露，被告及訴願決定機關對此均不爭執。而系爭案與引證一、二之差異，僅在於用何種方式形成低熔點焊料塊而已；引證一係利用蒸鍍法或浸漬法，引證二係利用浸漬法；系爭案則係藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成；被告及訴願決定機關即執此逕認引證一、二不能證明系爭案不具新穎性或進步性。
三、惟查，系爭案之專利說明書第九頁第二三至二四行已明確指出：「‧‧‧將熔融之第二焊料32以微液滴之方式噴射，係封裝領域中習知之技術，‧‧‧」，再者，「將熔融之焊料以微液滴方式噴射」之技術，本身即為用以形成焊料塊的多種習知技術之一，是系爭案「藉噴射熔融之第二焊料微液滴形成（低熔點）第二焊料塊」之技術手段，顯然係屬習知技術之轉用，且該技術手段本身即係用於形成焊料塊，亦屬相同領域之技術手段，對熟習該項技術者而言，自能輕易完成。是被告於本件訴訟中主張「不能因將熔融之（第二）焊料以微液滴方式噴射為習知，而可推導或認定以第二焊料微液滴形成如系爭案之第二焊料塊為習知或簡單之技術結合。」云云，顯與事實不符，其論理自非可採。
四、基上說明，系爭案係運用申請前既有之技術或知識（即①引證一、二揭露之高熔點焊料塊上形成低熔點焊料塊；②系爭專利說明書中所述將熔融第二焊料以微液滴方式噴射之習知技術），而為熟習該項技術者所能輕易完成者，依首揭專利法第二十條第二項之規定，自不得取得發明專利。茲原告於系爭專利公告期間內提起異議，被告竟為「異議不成立」之審定，顯有未洽，訴願決定未加糾正而予維持，亦有可議。原告起訴意旨執此指摘，為有理由，應將訴願決定及原處分均予撤銷，由被告就系爭專利異議案另為異議成立之處分，以昭公允。
五、另被告主張系爭案較引證一、二有不會產生污染之功效乙節，因本件係發明專利案，適用專利法第二十條第二項並不以「未能增進功效」為要件，故被告上開主張無庸審究，附此敘明。
據上論結，本件原告之訴為有理由，依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中華民國九十二年七月二十二日
臺北高等行政法院第二庭
審判長法官徐瑞晃
法官吳慧娟法官李得灶右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國九十二年七月二十五日
書記官陳清容