裁判字號：最高行政法院102年裁字第572號裁定
裁判日期：民國102年05月02日
裁判案由：發明專利舉發
最高行政法院裁定
102年度裁字第572號再審原告美商柯林研發公司LamResearchCorporation代表人GeorgeM.SchislerJr.訴訟代理人 陳博建 律師
陳世杰 律師再審被告經濟部智慧財產局代表人 王美花
參加人新加坡商中微半導體設備有限公司代表人 朱新萍 上列當事人間發明專利舉發事件，再審原告對於中華民國100年12月29日智慧財產法院100年度行專訴字第70號行政判決及中華民國101年6月21日本院101年度判字第556號判決，本於行政訴訟法第273條第1項第1款提起再審之訴部分，本院裁定如下：
主文再審之訴駁回。
再審訴訟費用由再審原告負擔。
理由
一、緣再審原告之前身美商泛林股份有限公司於民國88年6月23日以「於電漿處理室中大量消除未侷限電漿之聚焦環配置」向再審被告申請發明專利，並聲明其已於西元1998年6月26日向美國提出第09/105,547號申請案，以該案主張優先權。
經編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，核發發明第126873號專利證書（下稱系爭專利）。參加人嗣於98年2月13日以系爭專利違反核准時83年1月21日修正公布之專利法第20條第1項第1款及第2項規定，對之提起舉發，再審原告旋於98年5月14日申准變更專利權人公司名稱為美商科林研發公司，並於99年1月4日之舉發答辯時提出系爭專利申請專利範圍更正本。參加人主張系爭專利更正申請專利範圍後，仍有違核准時專利法第20條第1項第1款及第2項規定。案經再審被告審查結果，認再審原告於99年1月4日提出之系爭專利申請專利範圍更正本，符合現行專利法第64條第1項第1款及第2項之規定，應准予更正，並依該更正本審查，以系爭專利違反核准時專利法第20條第1項第1款及第2項之規定，並於100年1月20日以智專三㈡04128字第10020051640號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。再審原告不服原處分，循序提起行政訴訟，經原審法院裁定命參加人獨立參加本件再審被告之訴訟後，經原審100年度行專訴字第70號行政判決（下稱前程序原審行政判決）駁回，上訴人仍不服，乃提起上訴，經本院101年度判字第556號判決（下稱前程序本院判決）駁回再審原告之上訴，再審原告以前程序原審行政判決及前程序本院判決（以下合稱原確定判決）具有行政訴訟法第273條第1項第1款之再審事由，提起再審。
二、再審原告起訴主張：㈠前程序原審行政判決未察參加人就證據3日本專利所為翻譯係片段誤導，且未參酌證據3之完整內容，輕率認定「熟習系爭專利技術者可由證據3直接得知SiO2或SiN完全覆蓋於接地罩延長部表面」及「證據3已揭露系爭專利請求項中聚焦環組件之技術特徵該凸緣部內藏於環形介電體內」云云，顯與卷證所呈現之客觀內容不符，已違背行政訴訟法第189條第1項規定，且上開違法直接影響到前程序原審對系爭專利請求項新穎性與進步性之判斷，而影響判決結果。另再審原告於上訴理由狀中已明確比較前程序原審行政判決所認定證據3之錯誤解讀，與證據3完整正確解讀之差異，前程序本院判決仍認「上訴人（即再審原告）行政上訴理由㈡狀所附上證七即原審證據3之中文翻譯與參加人翻譯及原審之認定並無不相符合之處」云云，顯與經驗法則與論理法則未符，依本院92年度判字第258號判決意旨，即屬適用法規顯有錯誤。㈡前程序本院判決對於系爭專利請求項中關於介電體係記載環形而非盤型，二者解釋顯不相同，竟仍未否定前程序原審行政判決錯誤解釋申請專利範圍中環形介電體之內涵，及錯誤論斷證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之結構等同系爭專利請求項1，顯然對環型介電體之技術特徵解釋錯誤，違背專利法第56條第3項規定，適用法規顯有錯誤。㈢前程序本院判決未否定前程序原審行政判決之錯誤解釋，認為應將相鄰解釋為具有共同的邊界，惟論斷證據3之絕緣構件9與於覆蓋接地罩延長部10a表面之SiO2或SiN之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體云云，顯然對於相鄰之技術特徵解釋錯誤，違背專利法第56條第3項規定，適用法規顯有錯誤。另再審原告已於上訴理由狀敘述前程序原審判決就系爭專利請求項技術特徵之環形介電體及相鄰之解釋有何違誤，前程序本院判決未有任何理由說明，即率認前程序原審判決並無違誤，顯與經驗法則及論理法則未符，依本院92年度判字第258號判決意旨，亦屬適用法規顯有錯誤等語。
三、本院查：
（一）按「有下列各款情形之一者，得以再審之訴對於確定終局判決聲明不服。但當事人已依上訴主張其事由或知其事由而不為主張者，不在此限：適用法規顯有錯誤。」行政訴訟法第273條第1項第1款定有明文。本條立法理由載明：「再審為對於確定判決聲明不服之方法。為免輕易動搖確定判決之效力，對於再審之理由，自應明文加以限制。．．．原確定判決雖有第1項所列各款情形之一，惟如當事人已依上訴主張其事由者，因其事由已受法院之審酌，自不許復以再審之方式更為主張；至於當事人知其事由而不為主張者，顯係可歸責於自己之過怠，自亦無許以再審之訴為救濟之必要。」又「再審之訴不合法者，行政法院應以裁定駁回之。」為行政訴訟法第278條第1項所明定。
（二）經查，再審原告前揭再審事由，已經再審原告對前程序原審行政判決不服，向本院提起上訴時，主張其事由【即前程序上訴理由㈡及㈢】，經前程序本院審酌後，以：【．．．㈢次查，上訴人（按即再審原告-下同）101年3月23日所提行政上訴理由㈡狀所附上證七即審證據3之中文翻譯第7頁已載明：「當電漿處理過程中金屬例如鋁的曝露致問題時，接地罩延長部10a表面可覆蓋例如SiO2或SiN等。」與原審認定：由證據3之圖4、說明書第1頁之目的段記載：有關於一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，目的在於能使平行平板之間隔充分大，且能均勻而有效率地進行處理，能防止污染物質之產生。說明書第1頁之構成段記載：一種平行平板型之高頻電漿處理裝置，係RF電極即高頻施加電極(1)與對向電極(2)以形成平行平板之方式面對面，將RF電極之周圍用接地罩(10)隔著絕緣物(9)包圍。此外，在接地罩設置有比形成RF電極之平行平板之面
(12)朝對向電極側更突出之延長部(10a)。說明書第4頁第0026段記載：圖4及圖3之絕緣物延長部(9a)上方所設置之接地罩延長部或圖2之接地罩延長部等係高純度之鋁板，倘因鋁等金屬露出而使製程發生不妥當之情形時，亦可用SiO2或SiN等以覆蓋接地罩延長部之表面之事實，經核並無不合，亦無衝突或矛盾之處。原審執此審認證據3之高頻電漿處理裝置，等同系爭專利請求項1之電漿處理室，由絕緣物、接地罩、接地罩延長部及SiO2或SiN等，以覆蓋接地罩延長部之表面所形成之結構，等同系爭專利請求項1之聚焦環組件，係包圍其高頻電漿處理裝置之靜電吸盤(3)，等同系爭專利請求項1之吸盤，且結構係可提供被處理部材(4)均勻而有效率地進行電漿處理，即提供處理部材表面均勻之電位場線以進行電漿蝕刻處理，故系爭專利請求項1「一種聚焦環組件，架構以實際包圍一電漿處理室之吸盤」技術特徵，已為證據3所揭露，核屬有據。上訴人指原判決依據參加人片斷誤導翻譯之原審證據3日本專利部分內容之中文譯文，率予認定證據3足以揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，顯與原審證據3之客觀卷證內容不符，有違行政訴訟法第189條第1項之規定一節，非為可採。又證據3係以日本文字記載各請求項及技術特徵之日本專利，參加人於專利舉發理由書已就證據3所揭露系爭專利技術特徵部分，以中文加以記載說明。且上訴人行政上訴理由㈡狀所附上證七即原審證據3之中文翻譯與參加人翻譯及原審之認定並無不相符合之處。上訴人指參加人未提出證據3與待證事實有關部分中文譯本，致錯誤解讀證據3揭露系爭專利請求項中「聚焦環組件」之「環形介電體內藏凸緣部」之技術特徵，於法有違部分，亦非可採。．．．㈤至於上訴人指原審法院疏未斟酌上訴人提出之訴願審查意見書及專家意見書之整體內容，又未表明不足採取之所得心證理由；系爭專利請求項技術特徵之「環形」介電體與證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之「盤狀構件」顯不相同，原判決卻論斷證據2之絕緣構件11與覆蓋環13所構成之結構等同系爭專利請求項1，顯然對「環形」介電體之技術特徵解釋錯誤；原判決論斷證據3之絕緣構件9與於覆蓋接地罩延長部10a表面之SiO2或SiN之結構等同系爭專利請求項3之環形介電體云云，顯然對於「相鄰」之技術特徵解釋錯誤；證據3揭露在接地罩延長部10a表面覆蓋Si02或SiN的目的是避免在電漿處理過程中曝露由金屬製成的接地罩延長部10a，然證據3之Si02或SiN並無「完全」覆蓋於接地罩延長部10a，是證據3並未揭露系爭專利的「內藏」之技術特徵，原判決關於此部分之判決理由顯有不備；證據3並未揭露系爭專利的「管形部之上邊緣係定位於環形介電體之上表面及環形介電體之下表面之間」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決不備理由之違法；原審證據3所有圖式中均未顯示接地罩延長部10a之表面有任何覆蓋物，證據3並未揭露系爭專利的「環形」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法；證據3亦未說明覆蓋於接地罩延長部表面之Si02或SiN是否與絕緣物9接觸，證據3顯未揭露系爭專利關於「體」之技術特徵，原判決此部分之論斷顯有判決理由不備之違法等等。經核無非係就原審取捨證據、認定事實之職權行使事項，或係就原審所已為論斷或駁斥其主張之理由再為爭執，指其論斷違誤或理由不備，核屬法律上見解之歧異。且所謂判決不備理由係指判決全然未記載理由，或雖有判決理由，但其理由不明瞭或不完備，不足使人知其主文所由成立之依據，上訴人所指原審法院疏未斟酌上訴人提出之訴願審查意見書及專家意見書之整體內容，又未表明不足採取之所得心證理由，以及其餘上述未採上訴人主張而未予論明，即有判決不備理由部分，係就原審證據取捨與當事人所希冀者不同，致其事實之認定異於該當事人之主張部分予以爭執，縱令有就上訴人主張未加以論述者，惟尚不影響前揭原審依其得心證理由所為結論之判斷，仍與判決不備理由之違法情形並不相當，亦不能執此指為原判決有違背法令之情形】等語論述甚詳。再審原告就上開已於前程序依上訴主張其事由且經前程序本院判決審酌事項，復以再審之方式更為主張，揆諸前揭規定，於法即有未合，應以裁定駁回其訴。
（三）再審原告依據行政訴訟法第273條第1項第13款對原確定判決提起再審之訴部分，另以裁定移送於管轄法院，併予敘明。
四、據上論結，本件再審之訴為不合法，依智慧財產案件審理法第1條、行政訴訟法第278條第1項、第104條、民事訴訟法第95條、第78條，裁定如主文。
中華民國102年5月2日
最高行政法院第三庭
審判長法官藍獻林
法官林文舟法官陳秀媖法官林玫君法官胡國棟以上正本證明與原本無異中華民國102年5月2日
書記官阮思瑩