智慧財產法院108年度民專上字第24號民事判決

裁判字號：智慧財產法院108年民專上字第24號民事判決

裁判日期：民國109年05月21日

裁判案由：侵害專利權有關財產權爭議等

智慧財產法院民事判決
108年度民專上字第24號上訴人兼追加之訴原告ALMECOGMBH（艾爾美科公司）法定代理人GianpaoloVisigalli訴訟代理人 張哲倫 律師（兼送達代收人）
莊郁沁 律師 吳俐瑩 律師 李協書 古乃任 被上訴人 安森 科技材料股份有限公司法定代理人兼追加之訴被告 鄭憲松 被上訴人OliverStorbeck上三人共同訴訟代理人 桂齊恒 律師（兼送達代收人）
林景郁複代理人 何娜瑩 律師
江郁仁 律師 任政宏 被上訴人富鹿貿易股份有限公司兼法定代理人 楊國夫 上二人共同訴訟代理人 楊智峰
林曉龍
參加人經濟部智慧財產局法定代理人 洪淑敏 （局長）訴訟代理人 吳韶淳 上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，上訴人對於中華民國108年3月26日本院107年度民專訴字第20號第一審判決提起上訴，並追加鄭憲松為被告，本院於109年4月23日言詞辯論終結，判決如下：
主文上訴及追加之訴均駁回。
第二審及追加之訴訴訟費用均由上訴人負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
一、按依專利法、商標法、著作權法、光碟管理條例、營業秘密法、積體電路電路布局保護法、植物品種及種苗法或公平交易法所保護之智慧財產權益所生之第一審及第二審民事訴訟事件，暨其他依法律規定或經司法院指定由智慧財產法院管轄之民事事件，均由智慧財產法院管轄。智慧財產法院組織法第3條第1款、第4款及智慧財產案件審理法第7條分別定有明文。本件係依專利法所保護之智慧財產權益所生之第二審民事事件，符合智慧財產法院組織法第3條第1款規定，本院依法自有管轄權。
二、次按，被上訴人安森科技材料股份有限公司（下稱安森公司）之法定代理人原為OliverStorbeck，於訴訟繫屬中變更為鄭憲松，且其具狀聲明承受訴訟（見本院卷一第288頁），有卷附經濟部公司登記查詢資料及委任狀各1件在卷可稽（見本院卷一第290至294頁），亦無不合，應予准許。另上訴人法定代理人原為GiorgioGabrieleLocci，於本件審理中變更為GianpaoloVisigalli，且其具狀聲明承受訴訟（見本院卷三第177至179頁），有卷附商業登記資料節影本及英譯文及委任狀在卷可稽（見本院卷三第183至191頁），亦無不合，應予准許。
三、又按，民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理。次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法）。我國涉外民事法律適用法乃係對於涉外事件，就內國之法律，決定其應適用何國法律之法，至法院管轄部分，並無明文規定，故就具體事件受訴法院是否有管轄權，得以民事訴訟法關於管轄之規定及國際規範等為法理，本於當事人訴訟程序公平性、裁判正當與迅速等國際民事訴訟法基本原則，以定國際裁判管轄。查本件上訴人ALMECOGMBH（艾爾美科公司）為外國公司，本件為涉外民事事件，而被上訴人安森公司、OliverStorbeck、富鹿貿易股份有限公司（下稱富鹿公司）、楊國夫、追加之訴被告鄭憲松等之營業所所在地、住所地皆設（住）於我國，上訴人主張之侵權行為地亦在我國，經類推民事訴訟法第1條第1項、第
2條第2項、第15條第1項規定，我國法院自有國際管轄權。以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律，涉外民事法律適用法第27條、第42條第1項分別定有明文。
上訴人主張其專利權被侵害，依我國專利法所保護之智慧財產權益，是本件自應以市場之所在地、權利應受保護地之我國法為準據法。
四、再按，訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴。但經被告同意者，或請求之基礎事實同一，或減縮應受判決事項之聲明者，或不甚礙被告之防禦及訴訟之終結者，不在此限，民事訴訟法第255條第1項第1至3、7款、第2項及同法第446條第1項定有明文。查上訴人於本院審理時追加請求鄭憲松自其就任被上訴人安森公司法定代理人時期，對於被上訴人安森公司侵害系爭專利致上訴人所受之損害負連帶賠償責任，經核上開追加部分，與原主張之基礎事實同一，相關證據及資料具有共通性，可於本院審理程序中加以利用，且無害於他造當事人程序權之保障，揆諸首揭規定，應予准許。
五、另按，我國民事訴訟係以辯論主義為原則，因此，除法律別有規定外，法院不得斟酌當事人未提出之事實及主張，針對當事人所未聲明之利益，亦不得歸之於當事人，此乃辯論主義之精神，各級民事法院均應遵循之，倘有法院就當事人未主張之事實為斟酌，即有任作主張之違法。上訴人主張本件原審判決係基於被證40、41及7之組合認定系爭專利不具進步性，然該證據組合不僅係自爭點整理完成後遲延長達9個月始提出之證據，原審更遲至最後一次言詞辯論庭始將其納為爭執系爭專利有效性之證據組合，上訴人僅能在極短的時間內準備相關答辯，對上訴人而言已極不公平，又上訴人曾於原審最後一次言詞辯論庭請求原審依智慧財產案件審理法第8條「適時表明其法律上見解及適度開示心證」，俾上訴人得為進一步之說明及答辯，然原審不僅未就被證40、41及
7之組合表明其法律上見解及適度開示心證，更逕於判決中採認被上訴人安森公司未曾引述之證據、攻擊方法及理由，認定系爭專利無效，原審判決顯違反辯論主義，有任作主張之違法等語。惟查，原審法官於民國108年2月15日言詞辯論期日進行中，曾就上訴人主張被上訴人的被證40、41因遲誤時間提出應無證據能力，詢問被上訴人意見，並當庭將「如被告安森科技材料股份有限公司答辯㈡狀第2至5頁表格所示各請求項之證據組合，『及被證40（40-1至40-5）、41之組合、被證40（40-1至40-5）、41、7之組合、被證40（
40-1至40-5）、41、9之組合』，是否足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性？（各「系爭專利自承先前技術」之範圍詳如上開答辯㈡狀第6至14頁表格所示）」列入爭點，經詢問兩造意見，上訴人訴訟代理人張哲倫律師回稱尊重法官的意見，被上訴人等均稱沒有意見（見原審卷五第145、146頁），之後兩造為言詞辯論，並於原審判決就是否可以採用被證40、41及7之組合作為論述系爭專利請求項1至3、8至16及30進步性之理由，敘明「有關被證40，其係屬於系爭專利相應歐洲專利案的異議理由（被證40-1及40-2）及證據（被證40-3至被證40-5），由於各國專利審查制度及基準未盡相同，原則上不宜直接採用他國對應案之申請歷史檔案(即被證40-1及40-2)。然而，被告係於民事答辯狀㈧已指摘出該等異議證據與系爭專利之間的關係，並另於本案中附上該等證據，即被證40-3至被證40-5，而該等證據係為原告有關Vega98110產品的相關資料。被告亦提出被證41(其為102年有關Vega產品的目錄)，被證40-3至被證40-5係可用於佐證被證41所指之Vega98110產品的層系統結構。因此，本案尚可依據被證40-3至被證40-5與被告於本案陳述之理由予以比對等語（原審判決第53頁第9至19行，見原審卷五第257頁），雖時間上或許讓上訴人有窘迫的感覺，但已於原審辯論終結前踐行程序。又本件民事第二審為事實審兼法律審，亦即得就第一審為續審，而上開「被證40（40-1至40-5）、41、7之組合是否足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性？」，已經兩造同意列為本件第二審之爭點，兩造並就此進行攻擊防禦及行言詞辯論，本院因認上訴人所主張原審之上開瑕疪，已經第二審之程序上正當進行而為補正。
六、末按，當事人不得提出新攻擊或防禦方法。但有下列情形之一者，不在此限：三、對於在第一審已提出之攻擊或防禦方法為補充者。六、如不許其提出顯失公平者，民事訴訟法第
447條第1項第3款、第6款定有明文。經查：⒈被上訴人安森公司於第二審提出上證3之上訴人twitter貼
文資料、被上證4之英文期刊節錄影本（Spectroscopicellipsometrymeasurementsofthinmetalfilms）以證明上訴人早於西元2014年4月已將Vega98系列產品用於LED之MC-COM上等情，而上訴人認被上訴人安森公司逾時提出被上證3、被上證4之新證據，意圖延滯訴訟，依法應有失權效等語。但查，被上證3、4之提出並未變更爭點，僅是被上訴人安森公司為了回應上訴人之主張所提出之補強證據，並非新證據，至多僅為原已提出攻擊防禦方法之補充，若不許被上訴人安森公司就此部分提出補充說明與回應，對被上訴人安森公司顯失公平，因此，依民事訴訟法第447條第1項但書第3款、第6款之規定，被上訴人安森公司公司得於本院審理中提出被上證3及4號等補強證據。
⒉次查，本院業於109年3月2日之庭期諭示：⑴「希望於今
日準備程序終結後，進入言詞辯論是否就不再提出其他新的證據，兩造是否同意？如再就系爭專利有效性及先使用抗辯再提出其他新證據，就產生失權效。」（參本院卷三第17頁的該期日準備程序筆錄第4頁18至22行）、⑵「被上訴人就被上證3之證據能力於庭後一個月內提出補強證據…若逾期即產生失權效」（參本院卷三第19頁的該期日準備程序筆錄第5頁倒數第9行至倒數第7行），準此，除補強被上證3證據能力之證據外，被上訴人不得提出新證據，否則應受失權效制裁。又查，被上證8係CristinaBuzea等人於2005年所發表，題目為「Stateoftheartinthinfilmthickn
essanddepositionratemonitoringsensors（薄膜厚度及 沈積 速率監測感測器之最新技術）」之論文；被上證9係PaulJ.D.Whiteside等人於2016年8月17日所發表，題目為「TechniquesandChallengesforCharacterizingMetalThinFilmswithApplicationsinPhotonics（分析應用於光子學中之金屬薄膜的技術及挑戰）」之論文；被上證10係橢圓偏振光譜儀製造商「FilmSense」就其產品之應用的網頁內容。由其標題、內容及被上訴人安森公司之主張可知，三者均與被上證3Twitter貼文之證據能力全然無關，而是被上訴人安森公司為有效性主張之新證據，因此，被上證8至被上證10之內容與被上證3之證據能力補強完全無關，當不得提出，而應受失權效制裁，本院依上開109年
3月2日庭期之諭示駁回該等證據及相關主張。此外，被上證9之論文發表日係2016年8月17日，為系爭專利之優先權日（2014年10月27日及2015年2月20日）後始公開之證據，因此，被上證9顯然並非得用以評斷系爭專利之可專利性的適格證據；被上證10之公開日不明確，經詳細審酌被上證10之內容，最多僅能由末頁之「CopyrightⒸ2020FilmSens
e」推知，該網頁係FilmSense於2020年公開之版本，故應推定被上證10之公開日晚於系爭專利之優先權日，被上證10亦非得用以評斷系爭專利之可專利性的適格證據。因此，被上證9及被上證10之公開日晚於系爭專利之優先權日，並非適格之先前技術證據。末查，被上訴人安森公司雖主張上證12有失權效等語（見本院卷四第4頁），惟上訴人於109年
4月23日言詞辯論時提出上證12是做為反駁上證3證據能力之證據，並未失權，具有證據能力，至於被上訴人安森公司主張上證12不是只有說明證據能力，還有許多其他內容等語（亦見本院卷四第4頁），但上證12的其他內容，涉及實質判斷，係實體問題，若進入實體判斷，有必要由本院審酌並加以論述的問題，併此敘明。
貳、實體事項：
一、上訴人主張：㈠上訴人係世界領先之照明（包括LED科技）、太陽能應用等
高科技產品所使用之關鍵產品之製造商暨供應商。上訴人發明名稱為「溫度及腐蝕穩定的表面反射器」之專利（中華民國專利公告號第I589448號，下稱系爭專利），專利權利期間自106年7月1日起至124年10月26日止，此有系爭專利之經濟部智慧財產局（下稱智慧局）專利資料查詢系統查詢資料（原證1號）可稽。被上訴人安森公司製造、販賣，富鹿公司販賣之MIROⓇ98AX17（M98AX17）型號產品（下稱系爭產品），均侵害上訴人系爭專利權，至少侵害系爭專利申請專利範圍第1至3、8至16及30項。為釐清系爭產品是否侵害系爭專利，上訴人乃委由其臺灣經銷商臺灣津聖企業有限公司（下稱臺灣聖津公司）於市場上透過第三人間接取得系爭產品（原證3號：系爭產品照片）及系爭產品規格書（原證4號）（另臺灣津聖公司之員工之聲明書如原證5號），並由專業分析鑑定機構（FraunhoferIMWS）加以實驗、分析（原證6號：FraunhoferIMWS分析報告），合理認定被上訴人安森公司所產製之系爭產品具有系爭專利申請專利範圍第1至3、8至16及30項之技術特徵，落入系爭專利之文義範圍。亦即，系爭產品已文義讀取系爭專利申請專利範圍第1至3、8至16及30項之技術特徵。準此，上訴人自市場上間接取得之系爭產品侵害系爭專利乙節，已臻明確。本件前經本院以106年度民聲字第39號民事裁定准予就被上訴人安森公司所製造之系爭產品予以取樣保存並拍照，系爭產品上載有「M98AX17」之文字，且被上訴人安森公司之製造經理○○○先生亦於本院執行保全證據時表示系爭產品確為被上訴人安森公司生產、製造之產品。被上訴人安森公司是由德國安鋁（AlanodGmbH；下稱德國安鋁）及臺灣森鉅科技材料股份有限公司（下稱森鉅公司）合資成立之公司（參原證13號），其與德國安鋁及臺灣森鉅同為LED、照明、太陽能應用等材料製造專業領域之業者，與上訴人間為競爭同業。而系爭專利已於105年9月1日公開，並於106年7月1日公告在案，被上訴人安森公司絕無可能不知系爭專利及系爭產品業已侵害系爭專利等情。再者，被上訴人富鹿公司既具多年貿易實務經驗，且德國安鋁之產品為其主要營業項目，自應熟稔、掌握相關產品之市場實務消息，包括相關專利之公開、公告等。基於上述，被上訴人安森公司及富鹿公司即便明知系爭專利之公開、公告及系爭產品業已侵害系爭專利等情，其等仍續為製造、經銷、販售侵害系爭專利之系爭產品等行為，顯見被上訴人等均具有侵害系爭專利權之故意。因為被上訴人OliverStorbeck前曾擔任被上訴人安森公司之法定代理人、鄭憲松、楊國夫現分別為被上訴人安森公司、富鹿公司之法定代理人，自應依公司法第23條第2項規定，就其擔任法定代理人期間，分別就被上訴人安森公司、富鹿公司之侵權行為對上訴人負連帶賠償責任。爰依專利法第41條、第96條第1、2、3項、民法第177條第2項、第
179條、第184條第1項前段、第185條、公司法第23條第
2項提起本件訴訟等語。㈡被上訴人安森公司所提之證據完全無從支持其先使用抗辯：
⒈被證4除形式上不具證據能力外，其實質內容亦無從證明被
上訴人所主張之先使用之事實，被上訴人安森公司所提出之被證4屬私文書之影本，上訴人否認其真正。即便被證4具形式證據力（上訴人仍否認之），被證4顯無從勾稽系爭產品之技術特徵，被證4並未明確揭露其層系統中各層之堆疊關係，縱如被上訴人安森公司所稱，被證4中所製得的層系統為「TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum」的層狀結構；此層系統亦不同於系爭專利請求項1所界定，「減少銀用量」之技術核心以及被證4第22頁之測試結果可知，被證4號之Ag層不可能為光密反射層，其所製得之層系統不可能與系爭專利之層系統相同。
⒉系爭專利請求項1已明確界定層6係「由高純度金屬構成的
光密反射層」，按系爭專利說明書第14頁第2段之定義，系爭專利之光密係指「不會或者基本上不會（小於1%為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」。系爭專利之「光密」確實涵蓋「絕對沒有入射光穿透光密反射層6」之範圍，亦即系爭專利說明書所揭露「不會有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」之情況。在此情形，系爭專利之層5a不可能貢獻反射。關於系爭專利說明書所記載「小於1%為佳」之情況，係系爭專利之光密反射層可容許的光穿透率。由於在系爭專利層5a上之層6是光密反射層（「實質上不具備光穿透率」之反射層），系爭專利層5a之目的及功能就不是作為一功能反射層；對比之下，被證4之銅層目的及功能就是為了節省銀用量而作為另一反射層，故被證4之銀層必然為非光密（「實質上具備光穿透率」），且對所屬技術領域中具有通常知識者而言，若某材料之目的及功能係為了反射光線而作為「反射層」，則表示該層必須實質上反射具有一定數量之光線，不會是為了反射「可能」有顯屬微小的光線。被上訴人僅因系爭專利之光密反射層6「可能」會有約1％的光穿透率而導致層5a「可能」反射該1％之光線，而辯稱層5a必然貢獻反射而作為「反射層」，與被證4目的及功能就是為了節省銀用量而作為反射層之銅層相同，此推論顯將「特例」當作等同「通例」。然被證4的銀層是否為光密反射層才是先使用是否成立的重點，被證4銀層的光穿透率已遠超出1％，顯未落入系爭專利之「光密反射層6」之範圍之內。是以，被上訴人安森公司主張由於系爭專利之層5a會貢獻反射，可推得被證4之層系統與系爭專利之層系統相同，毫無理由，被證4第22頁之揭示內容實已證明被證4之Ag層不可能為光密反射層，因此，被證4之層系統不可能與系爭專利之層系統相同。
⒊先使用抗辯之認定必須基於客觀上可被認定之事實，而非主
觀上宣稱有能力製造即可成立；況且，被上訴人從未證明被證4係「為了製造（與系爭專利）『相同』之物品」。由於被證4之技術核心為「減少銀用量」，因此，縱然有被上訴人安森公司所謂之「發明思想」且縱然被證4中之鉻基層為亞化學計量的CrOx，被上訴人安森公司所提被證4之「發明思想」亦應為「TiO2/SiO2/CrOx/非光密Ag/反射層Cu/TiOx/anodizedaluminium」之層堆疊結構，絕非被上訴人安森公司刻意混淆所得之「TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodiz
edaluminium」層堆疊結構。況且，該「TiO2/SiO2/CrOx/非光密Ag/反射層Cu/TiOx/anodizedaluminium」之層堆疊結構與系爭專利之層結構不同，實屬灼然，經過兩層假設所得之被證4層結構仍未落入系爭專利之範圍，當與系爭專利不同。而被上訴人安森公司於原審提出所有為證明其先使用抗辯之證據，除財政部關務署高雄關回覆本院之進口報單（單號：BD/02/V09/83006、BD/03/UN6/56022及BD/03/UT5/56014）以外，上訴人否認其他證據之形式真正（包括被證
4），至於被上訴人進一步就被證1至被證3之部分文件進行公證，或請VonArdenne出具LetterofConfirmation，請被上訴人之員工出具聲明書等，然而該等公證書節影本、LetterofConfirmation及聲明書影本仍不具形式真正。姑不論被上訴人安森公司之先使用證據是否為形式真正，自該等證據之實質內容即可確知，被上訴人安森公司在系爭專利優先權日前已有先使用之事實根本無從證明，且先使用抗辯不得架空專利制度，更不應侵蝕專利權人依法應享有之權利，針對專利法第59條第1項第3款先使用抗辯之適用要件與限制，我國法院透過判決確立適用要件與限制。反觀被上訴人安森公司，其僅在無任何憑據之情況下，空言泛稱所謂製造「相同」物品或使用「相同」之方法，非僵化侷限在實施形式，係採發明思想說，只要先使用權人在申請日前已占有發明概念，即應認符合先使用權之主張云云。被上訴人安森公司於原審所提用以證明其先使用抗辯之證據無非係採購發票、進口報單、出貨單、領料單暨入庫單、鍍膜生產課生產日報表、託外加工單、驗收入庫單、電子郵件、庫存表、被證4等，然該等證據無一足以證明系爭產品於系爭專利申請前已在國內實施，或已在國內完成必須之準備，無從證明系爭產品之技術特徵與系爭專利相同，更無可能勾稽至該特定產品，自無從證明被上訴人安森公司所主張之先使用事實。
㈢系爭專利具明確性，且說明書已充分揭露：
⒈系爭專利說明書所載之「光密」一詞係所屬技術領域中慣用
之用語，該發明所屬技術領域中具有通常知識者當能瞭解「光密」之意義及其範圍，亦具備實現「光密」效果之普通技術能力。被上訴人安森公司雖援用被證8及系爭專利說明書之內容辯稱「材料厚度（即自變數）與光密（應變數）關連性」云云，然該主張所本之假設前提並不成立。惟該等文件僅顯示被證8及系爭專利所使用之反射層材料均為銀（即上述〈A〉）而已，被上訴人安森公司未證明且無法證明該二份文件中之銀材料的純度及型態（即上述〈B〉及〈C〉）相同；由是可知，被上訴人安森公司關於「材料厚度與光密關連性」主張所本之前提，並不成立。被上訴人安森公司既無法證明被證8與系爭專利中所有會影響反射層光密性質之變數（如「純度」及「型態」）均相同，基於該不存在之假設前提而推論出「材料厚度與光密關連性」之主張，自亦無法成立！基於該錯誤假設所衍生之推論，均無可採信。
⒉系爭專利請求項1所界定之「由高純度金屬構成的光密反射
層（6）」至為明確，上訴人所多次強調，系爭專利說明書第14頁第2段亦已明確定義系爭專利說明書中所載之「光密反射層」，係指實質上不具備光穿透率-「不會或者基本上不會（小於1%為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方」之層。被上訴人安森公司顯刻意忽略系爭專利說明書中所載有關「光密」特徵的明確定義。
⒊被證8並無任何關於銀層型態及純度之揭示，被上訴人安森
公司不僅未證明系爭專利說明書第【0081】段所使用之銀反射層與被證8者均具有相同的純度，亦未證明二者係使用相同的沈積方式、使用相同的沈積機台型號且以相同的沈積參數鍍覆，致使銀反射層具有相同的型態。於此情況下，被上訴人安森公司驟稱系爭專利說明書第【0081】段所例示之厚度為80nm之光密銀反射層（由高純度銀〈99.99%〉構成且藉由電子束蒸發而被沈積）與被證8所揭露之銀層（銀的純度、沈積方式與沈積參數等均不明）有相互矛盾處，自無可採。
⒋在金屬基板上鍍覆光密反射層實屬所屬技術領域之普通技能
，所屬技術領域中具有通常知識者經參酌系爭專利說明書所載「不會或者基本上不會（小於1％為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」及「使用橢圓偏光計對該等各層之層厚進行量測及調節」等相關內容後，即得以經由簡單試驗而獲致系爭專利之「由高純度金屬構成的光密反射層（6）」。被上訴人安森公司稱系爭專利「由高純度金屬構成的光密反射層（6）」無法據以實現，其主張顯無理由，並不足採。
⒌被上訴人安森公司稱層（6）與層（5b）之間不具有明顯界
線，不易量測、區辨，故主張系爭專利不明確且無法據以實現云云，然而其所援用之被上證4恰好證明其主張並非事實。至於被上訴人稱若第三人進行迴避設計，恐因層（5b）與層（6）之區辨困難而有被控侵權之風險云云，實則被上訴人安森公司之主張顯與是否受說明書支持無關，而僅為無理辯詞。又系爭專利請求項1是「物」的請求項，並非方法請求項，故只要一產品之層結構特徵落入請求項1所界定之範圍，即可判斷為侵權產品，至於其他細節，例如各層係以何種方法所形成，則非所問。因此，縱然該被控侵權產品之銀層係以兩步驟或兩個方法所形成，只要該銀層符合系爭專利請求項1所界定之「由高純度金屬構成的光密反射層（6）」，即可認定落入該項特徵之範圍。第三人若有意迴避系爭專利，當應製造出一種「與請求項1所界定範圍不同」的層系統進行迴避設計，被上訴人安森公司無端指控系爭專利有不當妨礙第三人進行迴避設計等詞，顯無可採信。況且，專利有效性之判斷有其原則及步驟，其中並未包含以侵權判斷難易程度作為認定專利有效性之標準，因此，若被上訴人安森公司以「系爭專利侵權判斷之難易程度」而斷定系爭專利請求項不具有效性，此標準顯然為被上訴人安森公司自創之標準，毫無所憑，並無審酌之意義。
㈣系爭專利有效：
⒈系爭專利請求項1至3、8至16及30相較於被證40、被證41及被證7之組合具有進步性：
⑴被證40-5未揭露Vega產品任何關於高溫穩定性的性質及應用
；被證41產品目錄封面及第2頁下方僅揭示Vega產品可用在一般反射器之應用，同樣未揭露Vega產品任何關於高溫穩定性的性質及應用。且被上訴人從未指明原審被證40、41、7何處揭露高溫應用。再者，被證7是關於節省成本的研究，亦未揭示其層系統的高溫穩定性質及應用。另外，上訴人需強調，被證7所提及之「抗腐蝕」或「化學穩定性」之用語，其係指在一般環境下獲得與一般習知層系統相同的穩定性！被證7所謂具有「抗腐蝕」或「穩定性」之內涵以及相對應的測試方式，本質上完全不同於（且遠不及於）系爭專利說明書所揭露者，二者不得相提並論之。由系爭專利所欲解決的技術問題及所產生之功效觀之，系爭專利之發明顯然無法為被證40、41及7之組合所得以預期或建議。
⑵又被證7之技術內容並未提供技藝人士有修改Vega98110產
品之動機，原審判決及被上訴人對於被證7之解讀有嚴重錯誤，即便所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證40、41及
7之組合而有將Vega98110產品之非光密銀層修飾為光密銀反射層的可能性（上訴人仍否認之），其勢必會移除作為反射層之銅層，而遠離系爭專利之發明，另外，被證40、41及
7之組合亦無法獲致系爭專利之層（7）及層（4），故系爭專利發明之「技術手段」無法經由被證40、41及7所輕易完成，系爭專利具備進步性。另外，如前述，由系爭專利所欲解決的「技術問題」及所產生之「功效」觀之，系爭專利之反射層系統解決了高操作溫度之技術問題，其「溫度或腐蝕穩定性」之功效並非被證40、41及7之內容所得以預期，故系爭專利具有無法預期之功效，系爭專利請求項1相較於被證40、41及7之組合並非顯而易知，具有進步性。鑑於上述，基於判斷進步性之「整體審查」原則，系爭專利請求項
1至3、8至16及30，相較於被證40、被證41及被證7之組合，確具進步性。
⒉系爭專利請求項1至3、8至16及30相較於被證8、被證8與被證9之組合、或被證8與被證10之組合具有進步性：
⑴系爭專利相較於被證8具有進步性：
被證8從未提及將反射層系統應用於高操作溫度下所面臨之穩定性問題。亦即，被證8並未教示或建議系爭專利「所欲解決之技術問題」及「技術功效」。被上訴人安森公司主張被證8之揭露內容，均未見於被證8。實則，由系爭專利之「技術手段」可確知，系爭專利之發明亦無法經由被證8輕易完成。
⑵系爭專利相較於被證8及被證9之組合具有進步性：
被證9所欲解決之技術問題與被證8及系爭專利所關注者實不相同，對發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，並無結合被證9與被證8之動機。被證9並非涉及沈積於「金屬基板」上之層系統。由系爭專利「所欲解決之技術問題」及「技術功效」觀之，即使發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證9，被證9之教示亦無法彌補被證8之不足。綜上，被證8及被證9「所欲解決之技術問題」及「其技術手段之功能或作用」明顯迥異於系爭專利，且被證8及被證9「所提供的教示或建議」亦無法引導該發明所屬技術領域中具有通常知識者輕易達成系爭專利之發明。因此，被證8及被證9之結合並非明顯；縱然結合，所得結果亦無法獲致系爭專利請求項1之發明。是以，相較於被證8及被證9之組合，系爭專利請求項1所請之層系統確具進步性無誤。被上訴人安森公司宣稱系爭專利請求項1所請之層系統可藉由參酌被證8及被證9之組合而得以輕易完成之主張，根本是立於後見之明而為，毫無根據，並不足採。
⑶系爭專利相較於被證8及被證10之組合具進步性：
系爭專利欲解決於高操作溫度下，層系統之反射層產生氧化、黏聚（結塊）、及擴散至其他層之問題；被證8則欲降低第二功能反射層之厚度（即，減少反射層中貴金屬銀之使用量）。對比之下，被證10則欲改善功能性金屬層與塑料載體（即，塑膠基板）之間的黏著性，爰此，被證10所欲解決之技術問題與被證8及系爭專利所關注者實不相同，對發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，被證10與被證8之結合實非明顯。且被證10並非涉及沈積於「金屬基板」上之層系統。且由系爭專利「所欲解決之技術問題」及「技術功效」觀之，即使發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證10，被證10之教示亦無法彌補被證8之不足。綜上，被證8及被證10「所欲解決之技術問題」及「其技術手段之功能或作用」明顯不同於系爭專利，且被證8及被證10「所提供的教示或建議」亦無法引導該發明所屬技術領域中具有通常知識者輕易達成系爭專利之發明。因此，被證8及被證10之結合並非明顯；縱然結合，所得結果亦無法獲致系爭專利請求項
1之發明，是以，相較於被證8及被證10之組合，系爭專利請求項1所請之層系統確具進步性無誤。被上訴人安森公司宣稱系爭專利請求項1所請之層系統可藉由參酌被證8及被證10之組合而得以輕易完成之主張，毫無根據，並不足採。
⒊系爭專利請求項1至3、8至16及30相較於被證12、或被證12及被證9之組合具有進步性：
⑴系爭專利相較於被證12具有進步性：
被證12第[0038]段清楚揭示實施例2所用之基板為「玻璃」，被證12第[0042]段並非實施例2，該段僅揭露應用於背射型鏡面層系統（被證12圖1）之黏附促進及擴散阻擋層（HS）的材料可選自ZnOx、SiOx、SnOx、TiOx及ZrOx，該段落與系爭專利之正射型鏡面層系統完全無關，且被證12從未教示或建議黏附促進及擴散阻擋層（HS）可佈置於正射型鏡面反射層之基板S及第一反射層R1之間！明顯地，被上訴人安森公司基於被證12第[0038]及[0042]段之內容所描繪之上述層結構，毫無根據，並不可採。再者，被證12並未揭露、教示或建議其背射型鏡面層系統之HS層與正射型鏡面層系統之BS層二者之材料可以共通。被證12甚至於第[0040]段中明文記載，BS層必須與HS層「清楚區隔」。被證12圖2之正射型鏡面層系統中之高折射率介電層係與自由表面接觸，並不具有黏附促進或擴散阻擋層之功能，該發明所屬技術領域中具有通常知識者如欲尋求合適作為黏附促進及擴散阻擋層之材料時，不可能產生欲參考供高折射率介電層選用之材料的合理動機。被上訴人安森公司僅因被證12之高折射率介電層的材料可為TiO2之理由，即辯稱高折射率介電層的材料可作為黏附促進及擴散阻擋層HS之材料，顯不足採。即便通常知識者果真參考被證12所建議供高折射率介電層使用之材料，由於被證12第[0038]段已具體揭露作為高折射率介電層之材料為化學計量的「TiO2」，此教示更不可能指引通常知識者選用「亞化學計量」之氧化鈦作為HS層的材料。
⑵系爭專利相較於被證12及被證9之組合具進步性：
被證9並未明確揭示「亞化學計量的氧化鈦」。被證12及被證9所例示之正射型鏡面層系統之實例，彼等均使用「氧化鋅」作為黏附促進及擴散阻擋層之材料。因此，通常知識者經參酌被證12及9之後理當會使用「氧化鋅」作為黏附促進及擴散阻擋層之材料，而非被上訴人安森公司所主張之氧化鈦，亦即，通常知識者經參酌被證12及9之後，勢必會更加確定被證12實施例2中所使用之「鋁摻雜氧化鋅」係最佳之選擇，而不會產生置換鋁摻雜氧化鋅為其他材料之合理動機。被上訴人安森公司之主張必然係基於閱讀系爭專利內容所生之後見之明，無可採信。又即便結合被證12及被證9，由於系爭專利請求項1並未界定層（7）之材料可選自氧化鋅或鋁摻雜氧化鋅，仍無法獲致系爭專利請求項1所界定之範圍內的層系統，故該組合無可能揭露系爭專利。
⒋系爭專利請求項1至3、8至16及30相較於被證40與被證41
之組合或被證40、被證41與被證9之組合具進步性：原審判決已審認被證40與被證41之組合無法證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性。被上訴人安森公司宣稱，使用單一銀層作為反射層達到光密及調整銀量等技術手段為系爭專利優先權日之前之通常知識等語，然本發明所屬技術領域中具有通常知識者並無修改Vega98110產品之動機之理由；退步言之，縱使通常知識者修改Vega98110產品，亦無將非光密銀層修改為光密反射層之動機，故其仍無法輕易獲致系爭專利之層系統。如前述，由於被證40-5所示之CrOx並非亞化學計量，且被證40-5揭示在Cu與Al2O3之間的層為「非亞化學計量（超化學計量）」之氧化鈦層，通常知識者於參酌被證40及41後僅會繼續沿用該「非亞化學計量（超化學計量）」之氧化鈦層及氧化鉻層。在未經任何先前技術具體指引之情況下，將商用產品Vega98110之「（超）化學計量的氧化鈦」層修飾為「亞化學計量的氧化鈦」，以及將「非亞化學計量（或超化學計量）的氧化鉻」層修飾為「亞化學計量的氧化鉻」非屬顯而易知之修飾。被上訴人安森公司並未清楚說明修改該等氧化鈦及氧化鉻層之理由，其舉證顯未達清楚且令人信服之程度。更何況，Vega98110之該等氧化鈦及氧化鉻層之形成未必是使用「濺鍍」製程，且使用「濺鍍」法形成氧化物並非一定形成「亞化學計量」之氧化物。
⒌系爭專利相較於被證40、41及9之組合具進步性：
原審判決已審認被證40、被證41與被證9之組合無法證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性。又被證9並非關於沈積在「金屬基板」上之層系統，被證9與Vega9811
0產品及被證41之結合並非明顯，通常知識者並無動機將被證9之教示與Vega98110產品及被證41結合。縱然參酌被證
9之內容，被證9仍無法促使通常知識者產生欲修改Vega98
110產品之反射層結構的合理動機。且如前述，在未經任何先前技術具體指引之情況下，將商用產品Vega98110之「（超）化學計量的氧化鈦」層修飾為「亞化學計量的氧化鈦」，以及將「非亞化學計量（或超化學計量）的氧化鉻」層修飾為「亞化學計量的氧化鉻」非屬顯而易知之修飾。綜上，被上訴人安森公司主張被證9已證明使用單一銀層作為反射層達到光密功能係屬於通常知識，且被證9已揭示亞化學計量氧化物之技術特徵，故系爭專利之發明相較於被證40、被證41與被證9應不具進步性云云，然其主張顯無理由。
二、被上訴人安森公司、OliverStorbeck、追加之訴被告鄭憲松抗辯則以：
㈠被上訴人安森公司已在系爭專利優先權日前，完成實施系爭
專利所請必須之準備，符合專利法第59條第1項第3款規定，故系爭專利專利權效力不及於被上訴人：
⒈為生產製造銀反射片，森鉅公司投入近十億資金、耗時3年
之久，才完成實施系爭專利所請層系統所需之PVD鍍膜設備之驗收及相關技術，當中過程包括簽約、廠房規劃、設備來台、德國技術人員來臺組裝儀器、教育訓練、量產驗收等等，森鉅公司於系爭專利優先權日前，於廠房內完成實施系爭專利所請之PVD鍍膜設備之驗收，並完成實施TiO2/SiO2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum之層堆疊之準備工作，由於森鉅公司為被上訴人安森公司母公司，則森鉅公司得主張先使用之權利，被上訴人安森公司自得予以援用，倘若採取只要先使用人進行相當投資、已經製造或購買實施發明所需的設備或模具等行為時，均屬客觀上可被認定之「已完成必須之準備」事實之認定標準時，勘認被上訴人安森公司已在系爭專利優先權日前，完成實施系爭專利所請必須之準備，以上事實有被證4試機報告、被證23鋁鏡驗收會議記錄、被證33合約書、被證34鍍銀反射片驗收文件以及證人證詞蔡政寬與 陳其峰 等證詞可證。
⒉原判決就被上訴人安森公司先使用權主張，已肯認「TiO2/S
iO2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum之層堆疊」屬於先使用權之範圍。但卻以被上訴人並未提出以銀作為單反射層概念之相關證據，因而未採信被上訴人先使用權之主張，惟「TiO2/SiO2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum」的層狀結構範圍涵蓋系爭專利，而在反射鏡技術領域中，於被證8以前，被證9揭示使用單一銀層作為反射層貢獻反射、形成光密性質，故以單一反射層形成光密早已是被證8以前習知技術，因此在「TiO2/SiO2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum」的層狀結構中，若非以「Ag層+Cu層」共同形成光密性質，就是在「Ag層+Cu層」中，使「Ag」層形成光密，且被證4試機過程調整「銀/銅」雙結構乃是真實實施過程，由此可知，被上訴人在系爭專利優先權日前，不僅已具備調降銀厚度之能力，也具備調整增加銀厚度之能力，換言之，被上訴人已做好實施「銀（光密）/銅」之必須準備工作。是以，被上訴人安森公司在系爭專利優先權日前已完成實施「TiO2/SiO2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum」之層堆疊之準備工作，此範圍自然涵蓋系爭專利所請範圍。
㈡專利有效性部分：
⒈通常知識者依據系爭專利說明書提供「光密」定義或上訴人
被證39建議方法所製作層系統，對於判斷產品中銀層是否已具備光密技術特徵上，並不能達到一致、毫無歧異之確信，系爭專利顯然對「光密」賦予新的定義，且未提供具體量測方法，系爭專利所請「光密」並不明確，且說明書無法據以實現。依系爭專利先前技術欄位記載「為提高反射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到光密的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果。此類干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾」，以及被證39（即上訴人於相對應歐洲專利異議案答辯書）記載「若相關領域通常知識者懷疑他是否能夠在爭議專利之請求項1的範圍內根據特徵光學密封來工作，即他不確定反射器層是否達到足以實現光學密封的厚度，則他可以根據爭議專利中的層厚資訊（如第6頁53-5
5行）來提高厚度，或者乾脆觀察產品上的干涉效果（其表明反射器層過薄）並相應提高厚度。」可知，在系爭專利反射鏡技術領域中，發生來自氧化鋁層的干擾是不欲的，因此在先前技術中，乃在氧化鋁層上設計由金屬構成反射層，該金屬反射層要夠厚，以防止來自氧化鋁層有害干擾，當反射鏡不再出現有害干擾時，可知該金屬反射層具有足夠厚度，達到「光密」功能，據此，通常知識者決定金屬反射層厚度是否已經足夠，而不會使產品發生干涉，且通常知識者依據上述內容，依被證8、系爭專利製備層系統，卻出現彼此矛盾之結果，對於產品中銀層是否已具備光密技術特徵上，並不能達到一致、毫無歧異之確信。又系爭專利對「光密」賦予新的定義，且未提供具體量測方法，「光密」乃是反射鏡產品技術領域所欲基本性質，由系爭專利先前技術欄位所載「為提高反射性並抑制有害的干擾，首先為氧化鋁層塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到光密的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果。」等內容，所謂「光密」乃是指層或層系統不透過可見的輻射，觀察對象是產品反射率，故不論層系統中反射層是一層或複數層，層系統是由兩層反射層形成光密，或是兩層反射層中其中一層為光密，在判斷「光密」要件上均不受影響，惟系爭專利卻對光密給予參數定義，由該「不會或者基本上不會（小於1％為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿透過位於其下方之層」等內容係記載於發明內容乙節中可知，該定義確實自系爭專利起，由上訴人所賦予之「新」定義，因此，被上訴人所稱系爭專利賦予光密新的定義等語，並非全然毫無憑據。惟上訴人一方面宣稱通常知識者知悉50至90nm的銀不會是光密，又於系爭專利說明書【0081】段教示在80nm－180nm範圍內 沈積銀 ，對80－90nm範圍內的銀層是否為光密，顯然是有爭議，可見被上訴人質疑系爭專利所請不明確，無法據以實現，並非無據，與進步性質疑之間並無衝突。
⒉被證8可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
⑴被證8層（S6）、（S3）、（S2）可完全與系爭專利層（7
）、（5a）、（4）相對應，故上訴人所稱系爭專利層（7）、（5a）、（4）避免溫度引發之衰減機制實已揭示於被證8中，足見系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證8所輕易完成，又參酌被證39可知，上訴人自承Vega98系列產品係基於被證8而來，由補充被證8證明力之被上證3可知，上訴人早於2014年4月已將Vega98系列產品用於LED之MC-COB上，當中照片中V98100產品正是Vega9810
0。可見在系爭專利優先權日前，早已有被證8層結構應用於LED之MC-COB上事實。又被證8層系統得應用於雷射鏡產品中，雷射鏡產品亦是在高溫環境下操作，足見系爭專利所請層已為被證8所揭示。
⑵實際製備過程中，是在缺氧環境下，生成亞化學計量氧化物
乃是常態，因此，對通常知識者而言，當其參酌被證8之後，被證8隱含沉積亞化學計量氧化物之技術，又佐以被證10在引用多次可知，被證10內容應屬通常知識，被證10揭示在沒有氧或者只有限定的氧進行濺鍍形成黏附提升層，可見亞化學計量氧化物具有提升黏附作用，可證系爭專利所請亞化學計量氧化物之技術特徵，已是先前技術。是以，系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性。
⒊被證8及9組合可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
系爭專利、被證8及被證9均屬反射器技術領域，彼此技術領域均相同。由被證9揭示在反射層上下施覆介電助黏劑及擴散障壁層（2）、（4）可知，在反射層上下施覆介電助黏劑及擴散障壁層可防止反射層金屬原子遷移，可見使用金屬亞化學計量氧化物作為反射層上、下方之助黏劑及擴散障壁層已是習知技術，通常知識者在參酌被證8、被證9之後，考量被證9層系統滿足光學構件在附著強度及耐磨性以及耐環境性等方面要求下，自有合理動機將被證9金屬亞化學計量氧化物作應用於被證8中。又被證9已清楚揭示「層2及層4可為ZnOX、SiOX、SnOX、TiOX或ZnOX，其中該層可採用亞化學計量至化學計量」，可知「層2及層4可為ZnOX、SiOX、SnOX、TiOX或ZnOX，其中該層可採用亞化學計量至化學計量」之技術已進入先前技術領域，可見使用金屬亞化學計量氧化物作為反射層上、下方之助黏劑及擴散障壁層，對於通常知識者而言乃是可輕易完成，故上訴人聲稱因ZnOX為較佳，通常知識者欲組合時，還必須要排除因ZnOX云云，顯然是不當限縮被證9先前技術範疇。因此，系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證8及被證9組合所輕易完成，故系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性。
⒋被證8及10組合可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
被證10也是關於反射片技術領域，該反射片黏附性佳，且不會發生不利降解，影響產品的反射，再由被證10被引用超過百次可見，被證10在反射片技術領域重要性，其揭示技術特徵已是通常知識。又被證10揭示在缺氧狀態下沉積金屬亞化學計量氧化物，依此形成黏附提升層黏附性佳，且不會發生不利降解，影響產品的反射。且被證10揭示在缺氧狀態下沉積金屬亞化學計量氧化物，所形成黏附提升層黏附性佳，不會發生不利降解影響產品的反射，且該黏附提升層與銀、銅等金屬黏附性佳時，通常知識者在參酌被證8、10後，為提升確保產品黏附性及反射，自有合理動機結合兩者，將被證10所揭示金屬亞化學計量氧化物應用至被證8反射金屬層上、下方之增附劑層上，因此，系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證8及被證10組合所輕易完成。故，系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性。⒌被證12可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
被證12及系爭專利均與高溫應用反射器有關。被證12已揭露銅層的必要性及問題，Ag/Cu雙層結構有助於將反射特性與機械及/或化學保護相結合，被證12之擴散障壁層（BS）、第一反射層（Cu）、助黏及擴散障壁層HS等相當於系爭專利層（7）、層（5a）及層（4），因此，被證12已揭示系爭專利所請結構，產品反射率及沒有干涉現象乃是反射鏡領域基本要求，為確保產品品質，通常知識者自有合理動機增加銀層厚度完成系爭專利所請層系統。又依系爭專利說明書【0010】所述，在高溫操作下的應用包括太陽能反射器情形，被證12已揭露太陽光電應用，可見被證12反射器及系爭專利反射器均可用於高溫環境下，足證系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證12所輕易完成，故系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性。
⒍被證40、41可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
⑴被證41為上訴人2013年Vega95、Vega98產品型錄，依被證41
可知，Vega98系列產品是關於塗覆99.99%純銀（Vega98）之超高純度反射層，該產品反射率≧98%，可應用於LED反射器，且由被證41記載「particularlyhighefficiencymulticelledparabolicluminaires（特別高效的多單元拋物面照明器）」等語可知，被證41產品適合於需要拋物面之反射鏡場合中，故被證41之產品適用於太陽能反射器上。
⑵被上證3係取自上訴人掌控的twitter社群媒體，該則twit
ter貼文的西班牙ProtectaID公司與上訴人關係密切，並具有上、下游之供應商關係，由被上證3之照片及貼文可知，該展示全新LEDCOB模組產品乃是應用上訴人V98100做為晶片基板，參酌被證41型錄提供Vega98100、Vega95100及預陽極化鏡面鋁之反射率性能比較圖可知，Vega98100為上訴人Vega98系列代表性產品，與Vega98110均屬鏡面系列之反射片，特別適合用於照明產品上，Vega98110為高鏡面反射片，等級尚優於Vega98100，故可應用Vega98100之環境，亦適合Vega98110。
⑶系爭專利說明書多次記載LED之MC-COB為LED反射器之較佳
態樣，並且還特別界定在核准審定請求項30中，故由系爭專利核准審定請求項30範疇可證，系爭專利LED-反射器包括LED-COB（或LED-MCCOB）範疇，不然不會以較佳態樣表示。
由此可見，當系爭專利層系統應用於LED-COB上時，並非僅僅作為晶片封裝之基板而已，而是具有反射器功能，否則在上訴人一再強調將反射片應用於LED-COB為其重要發明之下，竟將其重要發明保護範疇刪除，如此顯然極不合理，可見上訴人急欲切割被上證3，甚至刻意忽略LED-COB應用上關注之反射性能時，足證上訴人在系爭專利優先權日前，已有使用Vega98系列產品於LED-MC-COB上，而有應用於高溫環境下事實。
⑷系爭專利所請層系統可與被證40-5相互對應，通常知識者輕
易調整Vega98系列產品層結構而完成系爭專利，且由Vega98系列產品應用於LED（特別是LED之MC-COB）及太陽能反射器上等情可知，於系爭專利優先權日前，已有將Vega98系列產品應用於高溫環境下事實，足見系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證40、41所輕易完成。且細繹系爭專利各實施例可知，系爭專利實施例所例示層結構均為包括層（5b）結構，例如實施例1a「層（10）TiOX/層（9）SiOX/層（7）CrOX/層（6）Ag/層（5b）Ag/層（5a）NiV93:7%/層（4）TiOxNy/滾壓包覆鋁基材」，均非系爭專利請求項1所請「HI層（10）/LI層（9）/層（7）/層（6）/層（5a）/層（4)）金屬基板」層結構，故系爭專利實施例並不足以支持系爭專利請求項1所請層結構與先前技術相較下具有無法預期之功效，既然系爭專利所請「HI層（10）/LI層（9）/層（7）/層（6）/層（5a）/層（4）/金屬基板」層結構已為先前技術所涵蓋，系爭專利請求項1-3、8-16及30項自不具進步性。
⒎被證40、41、被證9組合可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
⑴被證9已揭示在反射層上下施覆介電助黏劑及擴散障壁層可
防止反射層金屬原子遷移，可見使用金屬亞化學計量氧化物作為反射層上、下方之助黏劑及擴散障壁層已是習知技術，通常知識者在參酌被證9之後，考量被證9層系統滿足光學構件在附著強度及耐磨性以及耐環境性等方面要求下，且被證9得應用於雷射投影機中，自有合理動機應用被證9金屬亞化學計量氧化物之技術，因此，系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證40、41及被證9組合所輕易完成。
⑵且由上訴人在撰擬說明書時把此因素考慮在內，可見PVD製
程不確定性造成厚度變動之問題存在於系爭專利優先權日前，由於PVD製程不確定性會影響產品性能，為確保反射率及避免產品發生不欲干涉現象，通常知識者自有合理動機增加銀層厚度以確保產品品質，故調整銀層厚度至具有光密功能，乃是可輕易完成，且系爭專利實施例並不足以支持系爭專利請求項1所請層結構與先前技術相較下具有無法預期之功效，已如前述，既然系爭專利所請「HI層（10）/LI層（9）/層（7）/層（6）/層（5a）/層（4）/金屬基板」層結構已為先前技術所涵蓋，系爭專利請求項1-3、8-16及30項自不具進步性。
⒏被證40、41、被證7組合可證明系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性：
被證40-5揭示Vega98110層結構「TiO2/SiO2/CrOX/Ag/Cu/TiO2/Al2O3(Eloxal)」，被證41揭示Vega98110反射層為99.99%純銀，具有反射率>98%，Vega98110產品使用PVD氣相沈積方式沈積反射層等，可用於LED照明應用（特別是LED-COB）、太陽能反應器，能對產品之損傷及劣化提供保護等揭示後，特別是上訴人在系爭專利優先權日前已有使用V98100於LED-MCCOB上之高溫應用事實（被上證3），再加以被證7已揭示系爭專利「銀/銅」技術特徵，且被證7層堆疊之黏附性好，對銀展現良好腐蝕性等，足見系爭專利所請層系統及其功效均可為通常知識者基於被證40、41及7組合所輕易完成，故系爭專利請求項1-3、8-16及30項不具進步性，再觀系爭專利各實施例可知，系爭專利實施例所例示層結構均為包括層（5b）結構，均非系爭專利請求項1所請「HI層（10）/LI層（9）/層（7）/層（6）/層（5a）/層（4）/金屬基板」層結構，故系爭專利實施例並不足以支持系爭專利請求項1所請層結構與先前技術相較下具有無法預期之功效，既然系爭專利所請「HI層（10）/LI層（9）/層（7）/層（6）/層（5a）/層(4)/金屬基板」層結構已為先前技術所涵蓋，系爭專利請求項1-3、8-16及30項自不具進步性。
三、被上訴人富鹿公司、楊國夫辯稱：㈠原判決就此部分均已論述甚詳，因系爭專利請求項1至3、
8至16及30不具進步性，而有應撤銷之原因。另被上訴人補充答辯理由如下：
⒈被上訴人富鹿公司、楊國夫並無故意或過失侵害系爭專利之事實：
⑴被上訴人富鹿公司為銷售商，登記營業項目主要為電信器材
買賣及進出口業務，僅係專營買賣及進出口，與製造生產無任何相關，此觀富鹿公司之登記資料即可知。縱然被上訴人富鹿公司先前銷售德國安鋁公司之電信材料，亦係其他類型材料，與系爭產品及專利無涉。又因與德國安鋁公司有合作，基於業務關係經由德國安鋁轉介同案被上訴人安森公司，交由富鹿公司來經銷系爭產品，富鹿公司作為銷售商，自然遵從其要求，然被上訴人等從不涉及製造系爭產品，其亦非專業智財人員，對於產品相關專利技術不具備與專業製造業者相同之認識及判斷能力，無從得知是否有侵害專利權之情事，被上訴人等並無侵害上訴人專利權之任何故意或過失。⑵上訴人雖主張富鹿公司有委託臺灣檢驗科技股份有限公司針
對系爭產品進行檢驗分析報告)，故富鹿公司有投資進行鑑定之行為云云。惟該報告主要係檢測有害物質含量是否超標，係客戶端主動要求提供，並無法由該報告看出產品結構、成分，更遑論系爭專利內容，故亦不能由此推論被上訴人等因此知悉系爭專利之技術。
⑶又上訴人雖有於106年8月寄發律師函通知，惟寄發對象僅
為被上訴人安森公司，被上訴人等完全不知情，被上訴人等是案發後方為知悉有此信函，故上訴人無從主張被上訴人等經通知後仍有故意或過失販賣系爭產品之意圖。
⑷被上訴人富鹿公司僅為銷售商，登記營業項目主要為電信器
材買賣及進出口業務，係專營買賣及進出口，與製造生產無任何相關，自無法期待其等對於系爭產品所涉之相關專利技術及專利分布情形，具備與專業製造業者相同之辨識及判斷能力，上訴人並未舉證證明，被上訴人等有明知或可得而知系爭產品侵害系爭專利，或有其他應注意能注意而不注意之情形，上訴人主張被上訴人等銷售系爭產品，有故意或過失責任而應負連帶賠償責任云云，尚非可採。既然被上訴人等無侵害系爭專利權之故意或過失，則上訴人依專利法第96條第2項、民法184條第1項前段、民法第177條第2項、民法第179條、民法第185條及公司法第23條第2項等規定，請求被上訴人等連帶負損害賠償責任，即無理由。
⒉另上訴人並未舉證其所受之損害為何，以及被上訴人等販售
系爭商品與上訴人所受損害之關聯性，即空口泛稱所受損害之金額高達新臺幣（下同）2,000萬元，顯無理由。
⒊其餘部分，富鹿公司、楊國夫援用同案被上訴人安森公司之答辯理由。
四、參加人對兩造勝敗沒有意見，不為參加聲明。
五、原審判決上訴人之訴及其假執行之聲請均駁回。上訴人不服，提起上訴，並聲明：㈠原判決廢棄。㈡被上訴人安森公司、富鹿公司應連帶給付上訴人2千萬元，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5％計算之利息。㈢被上訴人安森公司、追加之訴被告 楊憲松 及被上訴人OliverStorbec
k應連帶給付上訴人2千萬元，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5％計算之利息。㈣被上訴人富鹿公司及被上訴人楊國夫應連帶給付上訴人2千萬元，暨自起訴狀繕本送達翌日起至清償日止，按年息5％計算之利息。㈤就前3項聲明，如其中一被上訴人已履行給付，在其給付範圍內，他被上訴人免給付義務。㈥被上訴人等不得直接或間接、自行或委託他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口系爭產品及其他侵害上訴人所有之系爭專利產品。㈦就第二、三、四、六項之聲明，上訴人願以現金或同額之可轉讓定期存單供擔保，請准宣告假執行。㈧第6項聲明之侵權產品，被上訴人安森公司、富鹿公司應予回收並銷毀。㈨訴訟費用由被上訴人等連帶負擔。被上訴人安森公司、追加之訴被告楊憲松、被上訴人OliverStorbeck答辯聲明：㈠上訴駁回。㈡第二審訴訟費用由上訴人負擔。被上訴人富野公司則答辯聲明：㈠上訴駁回。㈡歷審訴訟費用由上訴人負擔。㈢如受不利判決，被上訴人願供擔保，請准宣告免予假執行。
六、本件法官依民事訴訟法第463條準用同法第271條之1、第
270條之1第1項第3款、第3項規定，整理兩造不爭執事項並協議簡化爭點如下：
㈠不爭執事項：（見本院卷一第423至425頁）⒈上訴人係中華民國專利公告號第I589448號發明專利「溫度
及腐蝕穩定的表面反射器」（下稱系爭專利）之專利權人，專利期間自民國106年7月1日至124年10月26日，主張系爭專利之優先權日為103年10月27日及104年2月20日。
⒉被上訴人安森科技材料股份有限公司（下稱安森公司）製造
、販賣MIROⓇ98AX17（M98AX17）型號產品（下稱系爭產品）；被上訴人富鹿貿易股份有限公司（下稱富鹿公司）販賣被上訴人安森公司製造之上開系爭產品。
⒊被上訴人OliverStorbeck自系爭專利核准公告時起至108
年5月16日止為被上訴人安森公司之法定代理人，追加之訴被告鄭憲松自108年5月17日起擔任被上訴人安森公司之法定代理人。被上訴人楊國夫為被上訴人富鹿公司之法定代理人。
⒋系爭產品實施系爭專利請求項1至3、8至16、30。
⒌被證40-1至40-5為系爭專利對應歐洲專利案的異議理由及異議證據，被證40-1異議理由書之日期為2018年5月30日。
⒍兩造均不爭執原證3至7之形式真正。
⒎兩造均不爭執原證6「FraunhoferIMWS分析報告」所採用之分析方法。
㈡本件爭點:（見本院卷一第425至427頁）⒈系爭產品是否於系爭專利優先權日前即已開始製造，或已完
成必要之準備工作，適用專利法第59條第1項第3款之規定？⒉專利有效性部分，如安森公司原審答辯㈡狀第2至5頁等所
示之各請求項之證據組合，以及⑴、⑵還有⑸，亦即如下:⑴系爭專利說明書是否違反專利法第26條第1項，無法據以實
施？⑵系爭專利請求項1至3、8至16、30，是否違反專利法第26
條第2項明確性及可支持性的要求？⑶被證8、被證8及9之組合、被證8及10之組合、被證12、
或被證12及被證9之組合是否足以證明系爭專利請求項1至
3、8至16、30不具進步性？⑷被證8及系爭專利自承先前技術之組合（安森公司在原審答
辯㈡狀第6至14頁表格所示）、被證8及9及系爭專利自承先前技術之組合（安森公司在原審答辯㈡狀第6至14頁表格所示）、被證8及10及系爭專利自承先前技術之組合（安森公司在原審答辯㈡狀第6至14頁表格所示）、被證12及系爭專利自承先前技術之組合、或被證12及9及系爭專利自承先前技術之組合（安森公司在原審答辯㈡狀第6至14頁表格所示）是否足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性？⑸被證40及41之組合；被證40、41及7之組合；或是被證40、
41及9之組合是否足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性？⒊上訴人得否依專利法第96條第2項、民法第184條第1項前
段及同法第185條、第179條、第177條第2項，公司法第23條第2項之規定，向被上訴人等及追加之訴被告鄭憲松請求連帶負損害賠償責任？如有理由，被上訴人等及追加之訴被告鄭憲松侵害系爭專利之損害賠償額應如何計算？⒋上訴人是否得依專利法第41條之規定對被上訴人等及追加之
訴被告鄭憲松請求補償金？⒌上訴人對被上訴人等及追加之訴被告鄭憲松主張之排除侵害
及回收銷毀請求權，是否有理由？
七、本院得心證之理由:㈠本件應適用之法律：
按當事人主張或抗辯智慧財產權有應撤銷、廢止之原因者，法院應就其主張或抗辯有無理由自為判斷，不適用民事訴訟法、行政訴訟法、專利法或其他法律有關停止訴訟程序之規定。前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利，智慧財產案件審理法第16條定有明文。本件被上訴人既否認系爭專利具有可專利性，並以前揭情詞置辯，依前開規定，本院就被上訴人之抗辯有無理由，應自為判斷。又系爭專利係於104年10月27日申請，主張優先權日為2014年10月27日及2015年2月20日，並經智慧局106年5月9日審定核准，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時之106年1月18日修正公布、
106年5月1日施行之專利法定之。㈡系爭專利技術分析：
⒈系爭專利所欲解決的問題：
系爭專利係有關於一種溫度穩定的層系統，其在300至2700nm之波長範圍內具有高反射性能，該層系統佈置在金屬基板上，並具有一層金屬性鏡面或反射層，佈置在該鏡面或反射層上之增強反射性的「交替層系統」，係由具有折射率n1之介電LI層（低折射率層），以及佈置於其上具有高於n1之折射率n2之介電HI層（高折射率層）所構成，系爭專利之層系統係應用在作為溫度及腐蝕穩定之表面反射器。在基板與反射層之間至少有一層，其既能增強鏡面金屬層的附著度又作為擴散障壁，其既抑制基板中之原子擴散至反射層，又抑制反射層中之原子擴散至基板。否則此種擴散會因表面反射器在應用領域中所出現的高溫而增強及加速，從而削弱反射層或鏡面層之反射特性。此外為增強溫度穩定性而在前述之擴散障壁與反射層之間設有更多防護層，其視情況亦對於反射層之黏聚（結塊）進行抑制。為增強溫度穩定性及腐蝕穩定性，在反射層與LI／HI層系統之間亦設更多防護層，其防止反射層氧化、黏聚（結塊）以及擴散至其他層。此外，系爭專利之層系統的各層採用某種設計方案，使其良好地彼此附著或附著在基板上，以及使該表面反射器具有良好的耐磨性及耐腐蝕性。
⒉系爭專利之技術手段：
系爭專利是關於一種層系統，包括金屬基板，在其面上依序自內向外鍍覆有以下層：4）選自某種材料的一層，該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及氮氧化物或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬或者使用上述金屬中的一個的合金或者選自上述金屬中的至少兩個，5a）一層，其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及／或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金或上述金屬中的至少兩個構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成，其條件在於：該層唯有在反射層6由鋁構成的情況下方能由鋁構成，以及，在此情況下，層5a的鋁係濺鍍而成，6）由高純度金屬構成的光密反射層，7）一層，其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金或者選自上述金屬中的至少兩個，9）與緊鄰之層10（HI層）相比具有低折射率的層（LI層），及10）緊鄰層9且與層9（LI層）相比具有高折射率的層（HI層）。該層系統例如可用作較佳與LED一起使用之表面反射器，特別是用於LED之MC-COB、用作太陽反射器或者用作雷射鏡，特別是用於DLP雷射投影儀中之色輪，系爭專利主要圖式如本判決附圖一所示。
⒊申請專利範圍分析：
系爭專利之申請專利範圍共30項，其中請求項1、30為獨立項，其餘均為附屬項。上訴人主張系爭產品侵害系爭專利請求項為請求項1至3、8至16及30（參上訴人於106年12月14日所提之民事起訴狀第4頁第貳-一點）；另外，依上訴人於原審於107年10月23日所提之民事陳報狀，系爭專利請求項16及30已更正，該請求項1至3、8至16及30內容如下：
第1項：一種層系統，包括一金屬基板(1)，具有一第一面
(A)，在該第一面(A)上依序自內向外鍍覆有以下層：
選自某種材料的層(4)，該材料選自鈦及鋯之亞化學計量的氧化物及氮氧化物，或者選自鈦、鋯、鉬、鉑及鉻的金屬，或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個，層(5a)，其由一鎳合金構成，其合金組分為鉻、鋁、釩、鉬、鈷、鐵、鈦及／或銅，或者由選自銅、鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、鈦、鉑、釕、銠的金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或上述金屬中的至少兩個所構成，或者由鐵、鋼或優質鋼構成，由高純度金屬構成的光密反射層(6)，層(7)，其選自鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮或鉻之亞化學計量的氧化物，以及鉻、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鎢、鉬、銠及鉑等金屬及使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個，LI層(9)，與緊鄰之HI層(10)相比具有低折射率，及該HI層(10)，緊鄰該LI層(9)且與該LI層(9)相比具有高折射率。
第2項：如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板
(1)含有鋁、銅或優質鋼或者由以上材料構成的一芯部(1a)。
第3項；如申請專利範圍第1項所述之層系統，其中該基板
(1)由以下構件構成：一芯部(1a)，其由鋁、鋁合金、銅、鉬、鈦、鉭、優質鋼、鋼、鐵、鍍錫板，或者由使用上述材料中的至少一個的合金，或者由上述材料中的至少兩個構成，位於該芯部(1a)的一面上的氧化鋁層(2a)，或者位於該芯部(1a)的該面上的氧化鋁層(2a)以及位於該芯部(1a)的另一面上的氧化鋁層(2b)。
第8項：如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，其中該層(4)之材料選自TiOx及TiNxOy。
第9項；如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，
其中該層(5a)之材料選自非鐵磁鎳合金，特別是
NiV、優質鋼及銅。第10項：如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，
其中該反射層(6)之高純度金屬選自純度至少為
99.9%之金屬，且選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者使用上述金屬中的一個的合金，或者選自上述金屬中的至少兩個。
第11項：如申請專利範圍第10項所述之層系統，其中該反射層(6)之高純度金屬選自銀及鋁。
第12項：如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，
其中該層(7)由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成。
第13項：如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，
其中該LI層(9)之折射率n為1.3至1.8，且該LI層(9)之材料選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及金屬碳氮氧化物。
第14項：如申請專利範圍第13項所述之層系統，其中該LI層
(9)之材料選自SiOx、Al2O3、MgF2、AlF3、CeF3、YF3、BaF2LaF3、SiAlOx、TiAlOx及硼矽玻璃。
第15項：如申請專利範圍第1至6項任一項所述之層系統，
其中該HI層(10)之折射率n為1.8至3.2，且該HI層(10)之材料選自金屬氧化物、金屬氟化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物及金屬碳氮氧化物。
第16項：如申請專利範圍第15項所述之層系統，其中該HI層
(10)之材料選自TiOx、TiAlOx、ZrOx、HfOx、La2O3、Y2O3、Bi2O3、ZnO、SnO2、具有8%原子比之Al的ZAO、Nb2O5及Si3N4。
第30項：一種如申請專利範圍第1至29項中任一項所述之層
系統之應用，作為表面反射器、作為太陽反射器、或者作為雷射鏡。
㈢系爭產品技術內容：
上訴人主張被上訴人安森公司所製造及販售系爭產品侵害其系爭專利權，上訴人於原審提供系爭產品照片（參原證3號），並加以分析（參原證6號：FraunhoferIMWS分析報告），系爭產品之成分如本判決附圖二（截取自原證6號之圖
2及表1），而被上訴人於民事答辯狀(一)之第2頁中亦說明其對於原證3至7形式上不爭執。因此，系爭產品之技術內容以上訴人提供之原證6號之圖2及表1表示之。
㈣專利有效性證據技術分析:
⒈被證7為2006年公開之「銀基超-反射器之大面積EB-PVD」
，SocietyofVacuumCoaters期刊，該公開日早於系爭專利優先權日（2014年10月27日），故被證7可為系爭專利之先前技術。被證7記載反射增強層堆疊之結構，其包括利用EB-PVD代替銀濺鍍，相較於濺鍍解決方案，EB-PVD製程之塗層材料成本對高達85%。此外，藉由銅界面層之延伸，部分地替換下部銀層部分，高達約25%之銀層可經替換。銅材料的價格約為銀價之3-4%（參被證7號第205頁左欄末段、第
207頁右欄），被證7主要圖式如本判決附圖三所示。⒉被證8為2009年3月4日公開之CZ000000000A，該公開日早
於系爭專利優先權日(2014年10月27日)，故被證8可為系爭專利之先前技術。被證8涉及一種高反射層系統，用於以提高反射的層塗覆基底，一種用於製造該層系統的方法以及一種用於實施該方法的設備。在基底(S0)的表面上塗敷第一功能反射層(S3)。該第一功能反射層(S3)可以為反射的或者部分反射的且由金屬或者金屬合金組成，該金屬或者金屬合金含有來自銅、鎳、鋁、鈦、鉬、錫的組中的一種或多種成分。在該第一功能反射層(S3)上設有第二功能反射層(S5)。該第二功能反射層(S5)可以由金屬或者金屬合金組成，例如銀或者銀合金。在該第二功能反射層(S5)上跟著的是第一透明介電層(S7)。該第一透明介電層(S7)例如可以由氧化矽組成。在該第一透明介電層(S7)上設置有第二透明介電層(S8)。該第二透明介電層(S8)例如可以由氧化鈦組成（參被證8號之摘要），被證8圖式如本判決附圖四所示。
⒊被證9為2006年7月20日公開之DZ000000000000A1，該公開
日早於系爭專利優先權日（2014年10月27日），故被證9可為系爭專利之先前技術。被證9係關於一種在可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系統，用於沉積在介電基板上的技術（參被證9之摘要）。
⒋被證10為1997年1月1日公告之TW294630，該公告日早於系
爭專利優先權日（2014年10月27日），故被證10可為系爭專利之先前技術。被證10揭示一個具有改良之塑料負載金屬黏附性之塑料負載金屬材料，它包含一個具有一個表面的塑料載體，一個在載體表面上、3至200CC的厚的黏附提升第一層，它包含有選自鉿、鋯、鉭、鈦、鈮、鎢、釩、鉬、鉻、鎳及其合金中的金屬，且是以金屬本身或低於計量關係的氧化物式呈現，以及一個在第一層之上的第二層，它包含有100-10,000A（參被證10之摘要）。
⒌被證12為2012年8月23日公開之DZ000000000000A1，該公開
日早於系爭專利優先權日（2014年10月27日），故被證12可為系爭專利之先前技術。被證12揭示一種反射層系統，用於太陽光譜層中具有高反射的太陽光電應用中，其包含至少具有HI介電層及LI介電層順序的層，並且其具有用於製造基板
S的預處理表面O的黏附促進及擴散阻擋層HS，以及具有Cu的第一反射層及Ag的第二反射層（參被證12說明書第0001段、第0034段、第0038段）。
⒍被證40為系爭專利相對應歐洲專利案EP0000000的相關資料，其內容如下：
被證40-1：2018年5月30日異議人所提呈之異議理由。
被證40-2：為被證40-1之異議理由的中譯本被證40-3：為被證40-1中的異議證據D29ALMECO樣品目錄照片影本。
被證40-4：為被證40-1中之異議證據D29a，其為取自異議
證據D29截取之樣本vega98110(樣品2010)原樣的2張相片影本。
被證40-5：為被證40-1中之異議證據D29b的Fraunhorf研究所分析報告。
⒎被證41為2013年有關VEGA98產品型錄，該公開日早於系爭專
利優先權日（2014年10月27日），故被證41可為系爭專利之先前技術。
㈤系爭產品於系爭專利優先權日前未開始製造，亦未完成必要
之準備工作，因此，系爭產品不適用專利法第59條第1項第
3款之規定：⒈被上訴人安森公司就系爭產品與系爭專利請求項1至3、8至16及30內容相同部分，並不爭執，並列入不爭執事項。
⒉惟被上訴人於原審民事答辯狀㈠中（第2頁第貳-一點）即
抗辯其為系爭專利權效力所不及，系爭產品是否落入系爭專利請求項1至3、8至16、30的專利權範圍列示如原審判決附表一所示。
⑴依被上訴人安森公司所提之原審民事答辯狀㈠之第2頁，被
上訴人安森公司形式上不爭執原證3、4、5、6、7，其中原證6號為上訴人所提之 夫朗 和裴材料及系統微結構研究所（FraunhoferIMWS；德國之研究機構）之XPS與ToF-SIMS儀器分析報告。
⑵依上訴人所提之證據進行比對，如原審判決附表一所示系爭
產品落入系爭專利之請求項1至3、8至16、30的專利權文義範圍。
⒊專利法第59條第1項第3款中關於「申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」為專利權效力所不及之規定：
⑴查專利法第59條第1項第3款係規定：申請前已在國內實施
，或已完成必須之準備者，係屬於發明專利權之效力所不及之情事。另查103年9月版專利法逐條釋義中關於「申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」之說明，該款規定為學說上所稱先使用權或先用權之規定，其為專利侵權抗辯事由之一。依專利法第31條規定，本法對於專利申請係採先申請原則，申請並取得專利權之人不一定是先發明之人，亦不一定是先實施發明之人。在專利權人提出專利申請之前，他人有可能已實施或準備實施專利權所保護之發明，於此情況下，如在授予專利權後對在先實施之人主張專利權，禁止其繼續實施該發明，顯然不公平，且造成先實施人投資浪費。因此，各國大都有先用權之規定，主張先用權者可排除專利權之效力。先用權名之為權，其實是一種抗辯、前提條件。
⑵該款所謂在國內實施，係指已經在國內開始製造相同之物品
或使用相同之方法，包括販賣、使用或進口相同之物品或是依據相同方法直接製成之物品，且不以自己實施為限，委託他人實施者，亦適用本規定，例如該受委託之人之製造亦屬先使用權之範圍。而所謂已完成必須之準備，是指為了製造相同之物品或使用相同之方法，已經在國內做了必要之準備。必要之準備行為須為客觀上可被認定的事實，例如已經進行相當投資、已完成發明之設計圖或已經製造或購買實施發明所需的設備或模具等。若僅是主觀上有實施發明之準備，或為購買實施所必要之機器而有向銀行借款等準備行為，則不得謂已完成必須之準備。
⒋被證4不足以證明被上訴人等於系爭專利優先權日前已在國
內實施或已完成必須之準備（製造與系爭專利之發明相同之物品）：
⑴本件被上訴人等於上訴程序中用以證明在系爭專利優先權日
前已實施或完成準備製造與系爭專利相同之物品的證據，主要為被證4之相關技術內容（參本件被上訴人民事答辯狀(二)第壹點、民事辯論意旨狀(一)等），該證據係被上訴人安森公司於101年5月的產品（即被上訴人主張具有先用權之產品，以下稱「系爭先用產品」，以與前述「系爭產品」進行區隔）試機報告書，依被證4所記載內容，其報告日期應為2012年5月17日，且被證4簡報第15～36頁標題為「Processtrends（製程趨勢）」，其內容記錄試機過程中反應流程及相關反應之操作條件，包含：捲料先經由GLO（被證四簡報第15至17頁，plasmacleaning即以電漿清潔方式進行捲料表面清潔程序）→第一個鍍層TiOx（被證4簡報第18至20頁，濺鍍TiOx層）→第二個鍍層Cu（被證4簡報第21至24頁，濺鍍Cu層）→第三個鍍層Ag（被證4簡報第25至27頁，蒸鍍Ag層）→第四個鍍層CrOx（被證四簡報第28至30頁，濺鍍CrOx層)→第五個鍍層SiO2（被證四簡報第31至33頁，蒸鍍SiO2層)→第六個鍍層TiO2（被證四簡報第34至36頁，蒸鍍TiO2層）等。被上訴人等並依據上述內容主張：被證
4已揭露了具有TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum層狀結構之系爭先用產品及其製作程序，故可證明被上訴人等於系爭專利優先權日前已在國內實施或已完成必須之準備製造該系爭先用產品，該系爭先用產品應為系爭專利權利之效力所不及者（即應享有前述「先用權」），而由於該系爭產品可由該系爭先用產品之製程進行製造，因此，故系爭產品當然亦為系爭專利權利之效力所不及者。
⑵然而，依據被證4簡報第22頁圖式及其相關文字說明所載，
系爭先用產品之製程中，使用銅是為了要節省銀反射層的材料，由此可知，系爭先用產品之該技術特徵係採用銀／銅作為雙反射層的概念，故系爭先用產品已與系爭專利之發明所揭示以銀作為單一光密反射層的概念不同；因此，即使被證
4揭露了TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiOx/anodizedaluminum的層狀結構，被證4仍無法證明該等層狀結構是屬於以銀作為單反射層的系爭產品。再者，依被證4簡報第48頁總結（summary）頁倒數第4行關於「sputteredTiOx,Cu,CrO
2andevaporatedAg」之記載顯示系爭先用產品之該製程中的鉻基（Cr-based）層應為CrO2，並非系爭產品或系爭專利之發明所界定的亞化學劑量CrOx，因此，亦難認系爭先用產品即為被上訴人所稱侵害其專利權之系爭產品，故被證4無法證明系爭先用產品具有前述系爭產品之全部技術特徵，遑論據以認定被上訴人等已在國內開始製造系爭產品或為了製造系爭產品已經在國內做了必要之準備。是以，被證4不足以證明被上訴人安森公司等於系爭專利優先權日前已在國內實施或已完成必須之準備製造與系爭專利之發明相同之物品(系爭產品)。
⑶被上訴人認為在銀／銅雙層結構基礎上，調整銀／銅使用量
，乃是系爭專利申請前通常知識，例如被證7至9的技術內容，因而主張其等在系爭專利優先權日前已經或可以先占TiO2/SiO-2/CrOX/Ag/Cu/TiOX/anodizedaluminum之層堆疊發明概念，此發明概念當然包括在銀／銅雙層結構基礎上，調整銀銅使用量的通常知識（參本件民事答辯狀(二)第壹點、民事辯論意旨狀(一)第壹至肆點），故可知被上訴人等已實施或已完成必要之準備製造與系爭專利之發明相同之物品等云云。惟經審酌被證7至9之技術內容可知，該等證據雖包含前述通常知識，但並未具體揭示層系統中應具有如系爭專利之發明所界定之Ag(光密)／Cu層結構，故該等證據至多僅能證明被上訴人等於系爭專利優先權日前有能力製造系爭產品，並不足以證明系爭產品必然享有先用權，因此，在被上訴人未能提示其等已實際製造以銀作為單反射層之前述系爭產品或已完成製造該產品之必要準備的相關證據之前提下，尚難認定系爭產品為「申請前已在國內實施，或已完成必須之準備者」確屬真實。是以，被上訴人前述主張無理由，應不可採。
⑷被上訴人主張原審已肯認被證4揭露TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu
/TiOx/anodizedaluminum的層狀結構，而在銀／銅雙層結構基礎上，調整銀／銅使用量，乃是系爭專利優先權日前通常知識，故可證明被上訴人於系爭專利申請前已有能力製造與系爭專利之發明相同的層系統，故其製程或該製程製得之產品應具有先用權等云云（參民事辯論意旨狀(一)第壹至肆點）。然查，已有能力製造相同物品者仍有可能因其他因素（例如有侵害他人專利權之虞等）而未實際進行製造或未進行必要之準備，故「已有能力製造」並不等同於「已經製造相同物品，或為了製造相同之物品或使用相同之方法，已經在國內做了必要之準備」，且如前述，由被證4之內容業可得知被上訴人準備製造之系爭先用產品與系爭專利之發明並不相同，故縱使被證4能證明被上訴人等有能力製造與系爭專利之發明相同的層系統，仍不足以佐證其等於系爭專利優先權日前已經製造相同物品或為了製造相同物品已完成必須之準備，遑論據以認定其等之製程或所製得之物必然享有先用權。是以，被上訴人等前述主張應無理由，亦不可採。⒌被上訴人稱系爭產品乃是依照WO2007/095876號專利，即被
證8（CZ000000000）的對應案（參原審民事答辯狀(一)第8頁第(四)點）而製作的技術，而該技術特徵係為銀／銅作為雙反射層的概念。然而，被上訴人一方面認為系爭產品乃是依照WO2007/095876號專利（即被證8的對應案）所製作的技術，即銀／銅作為雙反射層的技術；另一方面又自承系爭產品與系爭專利請求項1至3、8至16及30內容相同（參本件108年11月4日準備程序筆錄整理之不爭執事項），惟系爭專利之發明所界定者係為一層銀的光密反射層，而非雙反射層的技術。因此，被上訴人之主張係有相互矛盾之情事，併此指明。
㈥系爭專利說明書（與請求項1至3、8至16、30對應之部分）未違反專利法第26條第1項之規定：
⒈按有關專利法第26條第1項「使該發明所屬技術領域中具有
通常知識者，能瞭解其內容，並可據以實現」之規定，係指說明書應明確且充分記載申請專利之發明，記載之用語亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之發明，解決問題，並且產生預期的功效，先予敘明。
⒉系爭專利說明書所載關於光密反射層之「光密」等用語應係
明確之技術用語，且不會導致無法據以實現系爭專利之發明：
⑴查系爭專利說明書第[0003]、[0005]段記載「未經防護
之鋁表面在環境影響下會迅速反應並具一定程度之反射…為獲得高反射並對鋁表面加以防護，…通常對經過前述處理之鋁實施陽極氧化…而產生多孔氧化鋁層，…由於氧化鋁層…會有反射光不利的干擾，此外，一部分的光會被氧化鋁層中之雜質散射或吸收…為提高反射性並抑制有害的干擾，首先…塗層一層由金屬構成之所謂鏡面層或反射層，其必須具有使得該層達到光密的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成氧化鋁層中的干擾效果。此類干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾」；另查，系爭專利說明書第14頁第2段並記載「使其光密，亦即，不會或者基本上不會（小於1%為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」。又查，系爭專利說明書第[0056]、[0081]段記載「宜將高純度鋁層；尤其將高純度銀層作為反射層6更佳，因為該等材料在本發明之波長範圍內本身就具有極高的反射（鋁TR=90%；銀TR=95%）」、「層6由高純度銀（99.99%）構成且藉由電子束蒸發而被沈積。層厚為80至180nm」，且說明書段落[0045]～[0067]與實施例中亦具體列示多個採用由高純度金屬銀構成之光學活性反射層的層系統及其製作方式等，該等層系統能達成良好全反射率或太陽反射率之預期功效。因此，所屬技術領域中具有通常知識者參酌系爭專利說明書前述技術內容，應可理解「光密」一詞的技術意義係指（由於反射率極高所以）「不會或者基本上不會（小於1%為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」，並能依據說明書前述段落之記載而實現系爭專利之發明，是以，系爭專利說明書之記載應無被上訴人所稱之所屬技術領域中具有通常知識者無法據以實現系爭專利之發明的情事。
⑵被上訴人主張稱依據系爭專利說明書所提供「光密」定義或
上訴人建議方法所製作層系統，對於判斷產品中銀層是否已具備光密技術特徵上，不能達成一致無歧異之確信，例如系爭專利說明書第[0081]段記載「層6由高純度銀（99.99%）構成且藉由電子束蒸發而被沈積。層厚為80至180nm」，然若選擇80nm之銀層，由被證8所揭示「銀（80nm）／銅（15nm）使形成光密」可反證80nm之銀層並不能達到前述光密的效果，因此，該「光密」為不明確之用語，因而導致無法據以實現系爭專利之發明等云云（參被上訴人民事答辯狀(二)第貳點、被上訴人民事答辯狀(四)第一點、民事辯論意旨狀(三)等)。惟被上訴人之主張應不足採，說明如下：
①查系爭專利說明書中關於「光密」之意義應係指「不會或
者基本上不會（小於1%為佳）有任何介於000-0000nm（特別是可見光）之電磁輻射能夠穿過位於其下方之層」，關於光密層之材料、純度、厚度、沈積法等性質僅係例示，並非指不符合前述條件者即必然為非光密層，而該發明所屬技術領域中具有通常知識者當可理解不同性質反射材料可能會呈現不同的反射率（亦可參前述說明書第[0056]段即具體例示不同材料具有不同反射率），故其達成光密時之厚度會有所差異，例如系爭專利說明書第14頁第2段記載「一層反射層，其由高純度金屬構成，該金屬之純度至少99.9%為佳，選自銀、鋁、金、鉑、銠、鉬及鉻，或者由使用上述金屬中的一個合金構成，或者由上述金屬中的至少兩個構成更佳……」。由於不同材料達成光密時之厚度會有所不同，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，基於系爭專利說明書之教示以及其所具有之通常知識，自能針對所欲作為反射層之材料在無須過度實驗下而決定其厚度。再者，系爭專利說明書(第[0081]段)所載者係由高純度銀（99.99%）構成且以電子束蒸發進行沈積，而被證8所揭示者並未明確界定其銀層之純度或形成方式等條件，二者之結果尚難逕予類比，遑論用以反證系爭專利之發明因光密用語定義不明確而無法實現。據此，由於系爭專利說明書已明確定義「光密」用語之意義，具體例示多個不同光密反射層的材料、純度、厚度、沈積法等，並於實施例中驗證反射率之功效，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，即能瞭解其內容，據以製造及使用申請專利之發明，解決問題，並且產生預期的功效。
②又查，先前技術（如被證7、被證8、被證9等）中業已
包含光密等之相關技術內容，而（參原證33與34之相關技術內容可知）標準光密用語等更可客觀地對應至特定光穿透率範圍（被上訴人於109年4月13日所提民事辯論意旨狀(二)第壹之一之2點中，亦表示對前述定義並非不可理解），因而可知「光密（OpticalDense）」一詞乃相關技術領域周知之技術用語，故縱使所屬技術領域中具有通常知識者無法確認系爭專利說明書所載光密之意義（本院不認同），亦可依據相關技術領域之周知技術用語進行理解，實現光密反射層等技術內容，並據以完成如系爭專利之發明所界定的層系統，併予敘明。
⑶被上訴人另主張稱系爭專利說明書中之「光密」係創新定義
，且未提供具體量測方法，故該「光密」為不明確之用語，因而導致無法據以實現系爭專利之發明等云云（參被上訴人民事答辯狀(四)第一點、、民事辯論意旨狀(三)第參點等）。惟如前述，由系爭專利申請前之先前技術可知「光密（OpticalDense）」一詞乃相關技術領域周知之技術用語，且有客觀技術定義之光穿透率範圍（如標準光密等，參原證33與34）。另查，由被證7、被證8、被證9、系爭專利說明書【先前技術】相關段落等之內容可知其等之「光密」技術用語並未逸脫前述定義，故應無被上訴人所稱該「光密」為新創技術用語之情事。再查，未界定特定技術用語之量測方法並不等同於該技術用語不明確，例如物體「密度」為理工相關技術領域中周知之技術用語，其具有多種量測方式且亦為所屬技術領域中具有通常知識者之習知技術，縱使密度之量測方式未記載於說明書中，亦不會因此而導致該「密度」技術用語有不明確之情事，且依據發明專利審查基準之相關規定，說明書之記載本無需過度要求申請人詳細記載通常知識者習知或普遍之資訊（參發明專利審查基準之相關規定第二篇第2-1-3頁第19至24行），另查，被證7第207至
208頁【EXPERIMENTS】已具體揭示可用以量測光學常數（opticalconstant，亦即被證7所量測之反射率、光密等）之儀器、方式等技術內容，而原證34並具體列示光密度之分級方式，其中標準光密之光密度可介於1.5～2.4數值範圍間（經換算其可對應於99.6～96.8%之反射率範圍），顯見關於「光密」之量測方法已為相關技術領域所習知，並可客觀地對應至特定之反射率範圍，因此，在被上訴人未提供合理佐證其主張之情況下，當無過度要求系爭專利說明書記載光密量測方式之必要。是以，被上訴人前述主張應無理由，亦不足採。
⒊綜上，系爭專利發明所屬技術領域中具有通常知識者，在說
明書、申請專利範圍及圖式三者整體之基礎上，參酌申請時之通常知識，無須過度實驗，應能瞭解「光密」等之技術內容，據以製造及使用申請專利之發明。職是，系爭專利說明書未違反專利法第26條第1項之規定。
㈦系爭專利請求項1至3、8至16、30未違反專利法第26條第
2項之規定:⒈有關系爭專利請求項應「明確」及「為說明書所支持」的相關規範：
⑴請求項應明確，指每一請求項之記載應明確，且所有請求項
整體之記載亦應明確，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，單獨由請求項之記載內容，即可明確瞭解其意義，而對其範圍不會產生疑義。具體而言，即每一請求項中記載之範疇及必要技術特徵應明確，且每一請求項之間的依附關係亦應明確。解釋請求項時得參酌說明書、圖式及申請時之通常知識。
⑵請求項必須為說明書所支持，係要求每一請求項記載之申請
標的必須根據說明書揭露之內容為基礎，且請求項之範圍不得超出說明書揭露之內容。該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，即可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至請求項之範圍時，應認定請求項為說明書所支持。應注意者，請求項不僅在形式上應為說明書所支持，並且在實質上應為說明書所支持，使該發明所屬技術領域中具有通常知識者，能就說明書所揭露的內容，直接得到或總括得到申請專利之發明。審查時，應參酌申請時之通常知識，包括相關的先前技術，判斷請求項總括的範圍是否恰當，而使請求項之範圍未超出說明書揭露之內容，亦未減損申請人理當獲得之權益。若無相關的先前技術，開創性發明相較先前技術的改良發明，通常可獲得較廣之總括範圍。
⒉系爭專利請求項1至3、8至16、30所載光密反射層之「光
密」等技術用語係「明確」，且「能為系爭專利說明書所支持」:
⑴如前所述，「光密」應係周知之技術用語，且系爭專利說明
書中已明確記載其定義，而系爭專利說明書段落[0045]～[0067]與實施例中並具體列示多個採用由高純度金屬銀構成之光學活性反射層的層系統及其製作方式等，該等層系統能達成良好全反射率或太陽反射率之預期功效。因此，所屬技術領域中具有通常知識者參酌系爭專利說明書前述技術內容，應可理解「光密」一詞的技術意義，並能依據說明書前述段落之記載而實現系爭專利之發明，是以，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，當然亦可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至系爭專利前述請求項所界定之發明的範圍，故應認定前述請求項能為系爭專利說明書所支持。
⑵被上訴人關於系爭專利前述請求項違反專利法第26條第2項
（「明確」與「為說明書所支持」）所主張之理由，與前述關於系爭專利說明書違反專利法第26條第1項之理由實質相同（參被上訴人民事答辯狀(二)第貳點、被上訴人民事答辯狀(四)第一點、民事辯論意旨狀(三)等），而如前所述，「光密」應係周知且系爭專利說明書中已明確定義之技術用語，且系爭專利說明書之相關記載足使所屬技術領域中具有通常知識者參酌系爭專利說明書前述技術內容，應可理解其內容，並能據以實現系爭專利之發明，是以，該發明所屬技術領域中具有通常知識者，參酌申請時之通常知識，利用例行之實驗或分析方法，當然亦可由說明書揭露的內容合理預測或延伸至系爭專利前述請求項所界定之發明的範圍，應無不明確或無法為系爭專利說明書所支持之情事。據此，被上訴人關於本爭點之相關主張亦應為無理由，並不足採。⒊綜上，系爭專利前述請求項應係「明確」且能「為說明書所
支持」，是以，系爭專利說明書未違反專利法第26條第2項之規定。
㈧被證8、被證8及9之組合、被證8及10之組合、被證12、
或被證12及被證9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性：
⒈被證8與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①經查，被證8揭示一種高反射的層系統，被證8說明書第
3頁第11至13行揭示關於塗覆的基底（S0）的材料，並且層系統特別有利地被應用到金屬基底（S0），該金屬基底（S0）應獲得高反射表面，其可對應於系爭專利請求項1所界定之金屬基板（1）的技術特徵。
②被證8說明書第2頁第4至8行及請求項12至14揭示在基
底（S0）與第一功能反射層（S3）之間形成增附劑層（S2），該增附劑層（S2）的材料可為鉻、鉬、鈦，其可對應於系爭專利請求項1所界定之層（4）的技術特徵。
③被證8說明書第1頁第15至19行及請求項1至3揭示在基
底（S0）上形成可以為反射或部分反射的第一功能反射層（S3），其材料可為銅、鋁、鈦、鉬等的金屬或金屬合金。此外，被證8說明書第1頁第19至20行及請求項4及5揭示在第一功能反射層（S3）上設置有第二功能反射層(S5)，該第二功能反射層（S5）可為銀或銀合金。然而，系爭專利請求項1所界定之形成在層（5a）上的結構係為由高純度金屬構成的光密反射層（6）。在此，被證8說明書第3頁第1至3行記載「第一功能反射層（S3）和第二功能反射層（S5）一同被構成為光密性的。顯見第二功能反射層（S5）為一非光密的反射層。反觀系爭專利所界定的由高純度金屬構成的光密反射層（6）即是作為能夠具有光密特性的一層反射層。據此，系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射層（6）與被證8所揭示的第二功能反射層（S5）的技術特徵有所不同。④被證8說明書第2頁第17至21行及請求項19至21揭示增附
劑層（S6）被設置在第二功能反射層（S5）與第一透明介電層（S7）之間，該增附劑層（S6）的材料可以為金屬或氧化鈦等物質。然而，系爭專利請求項1所界定之形成在由高純度金屬構成的光密反射層（6）上的層（7），該層（7）的材料係為選自鈦等物質之亞化學計量的氧化物，其與被證8所揭示的增附劑層（S6）的技術特徵有所不同。
⑤被證8說明書第1頁第20至23行及請求項1、6、7揭示
在第二功能反射層（S5）上跟著的是第一透明介電層（S7），該第一透明介電層（S7）例如可以由氧化矽組成。在第一透明介電層（S7）上設置有第二透明介電層（S8），該第二透明介電層（S8）例如可以由氧化鈦組成。據此，被證8所揭示的第一透明介電層（S7）及第二透明介電層（S8）係可分別對應於系爭專利請求項1所界定之LI層（
9）及HI層（10）的技術特徵。⑥由上述內容可知，被證8與系爭專利請求項1最主要的差
異在於：（a）系爭專利請求項1所界定的層（7）材料為鈦等物質之亞化學計量的氧化物或鈦金屬等材料，與被證8所揭示增附劑層（S6）之材料略有不同；以及（b）被證8雖然揭示層系統中可具有Ag層（S5）與Cu層（S3）形成之Ag／Cu層結構，惟尚無法說明當該銀層（S5）為如系爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」時，仍須設置該Cu層（S3）（亦即該層系統應具有等同於Ag《光密》／Cu層之結構）。另查，被證8亦未包含教示或建議可補足該等差異特徵之相關技術內容，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8之技術內容尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成如系爭專利請求項1所界定發明之整體。據此，被證8尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項
1之內容，則被證8仍不足以證明系爭專利請求項2至3、
8至16、30不具進步性。⑶被上訴人另主張：系爭專利說明書自承先前技術（即其簡介
被證8等之[0002]至[0024]相關段落）已記載使用單層金屬反射層的技術，因此，高純度銀形成光密反射層係屬通常知識（參原審民事答辯狀(八)第6至8頁、本件民事答辯狀(四)第6至19頁、被上訴人109年2月13日民事答辯狀(四)二、民事辯論意旨狀(二)、系爭專利說明書【先前技術】相關段落），所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8之技術內容當能輕易完成如系爭專利請求項1之發明等云云。然查，被證8說明書第8頁亦揭示「第一功能反射層（S3）允許降低第二功能反射層（S5）的厚度，而不產生該層系統的反射率顯著喪失。所以，如截至目前通常通過磁控濺射鍍覆第二功能反射層（S5）不再必要」，而系爭專利說明書第4頁第[0006]段（自承先前技術）亦記載「若無第一功能反射層，只能藉由濺鍍法方能濺鍍光密反射層」，故可知被證8、系爭專利說明書【先前技術】相關段落等技術內容雖揭露在層系統中可以具有一層單層的金屬光密反射層，然其等均未教示當僅具有一層的「光密反射層」時，同時仍然應於層系統中存在如系爭專利請求項1所界定的Ag（光密）／Cu層結構之設置方式。職是，被上訴人此部分之主張為無理由。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8之技術內容
尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、8至16、30所界定之發明，被證8不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒉被證8及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對:
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證8所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，業如前述。
②又查，被證9說明書第[0001]段及第[0016]段揭示一
種在可見光譜範圍內具有高反射率的環境穩定鏡面層系統，而該層系統係可沉積在玻璃基板或塑膠基板。被證9說明書第[0029]段揭示在基板上沉積一介電氧化層2，以用作助黏劑及擴散障壁層，其適合材料可為TiOx、ZrOx等採用亞化學計量製化學劑量建構方案。此外，被證9說明書第[0013]段及第[0030]段揭示在黏附促進和擴散阻擋層上沉積Ag等的反射層，且該反射層具有光學密封的特徵。再者，被證9說明書第[0031]段揭示在金屬層上施覆另一介電氧化層4，以用做擴散障壁及保護層，該層材料可使用等同於助黏劑及擴散障壁層2的材料。又被證9說明書第[0015]段及第[0034]段揭示該層系統沉積SiO2或MgF2的低折射率層和TiO2或Nb2O5的高折射率層。
③由上述內容可知，被證9並未教示其層系統除了具有光學
密封特徵的Ag反射層之外，仍須具有等同於系爭專利請求項1所界定特定材料之層（5a）（即前述之Cu層等）而形成Ag（光密）／Cu層之類似結構；且被證9亦未包含可對層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8與證據9之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。
承上，被證8及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項
2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證8及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。
⑶被上訴人另主張：系爭專利說明書第10頁自承先前技術（即
被證9說明書第[0013]段、第[0022]段、第[0035]段等相關內容）揭示可以使用Ag作為光密反射層，因此，高純度銀形成光密反射層係屬通常知識（參原審民事答辯狀(八）第6至8頁、本件民事答辯狀(四)第6至19頁、被上訴人109年2月13日民事答辯狀(四)二、民事辯論意旨狀(二)、系爭專利說明書【先前技術】相關段落），所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8及9之組合當能輕易完成如系爭專利請求項1之發明等云云。惟如前述，被證9雖揭示在其層系統可以形成一層具有光學密封特徵的Ag反射層，然被證9並未教示其層系統除了具有光學密封特徵的Ag反射層之外，仍須具有Ag（光密）／Cu層的結構，且被證9亦未包含可對其層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關技術內容，尚難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8及9之組合而能輕易完成系爭專利請求項
1所界定發明。據此，被上訴人此部分之主張並非可採。⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8及9之組合
尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、8至16、30所界定之發明，是以，被證8及9之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒊被證8及10之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之
比對⑴有關系爭專利請求項1：
①被證8所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，已如前述。
②又查，被證10說明書第5頁末段至第6頁第1行揭示其係
提供一個具有改良之金屬對塑料黏附性的塑料負載金屬材料，其通常為一個二維的平面的塑料載體。此外，被證10請求項1揭示在載體表面上具有3至200A的厚度的黏附提升第一層，其含有選自鋯、鈦、鉬、鉻等金屬或是低於計量關係的氧化物式呈現。再者，被證10說明書第11頁第20至22行揭示可以使用銀作為具有光學反射性的一層結構。
③據上可知，由被證10之技術內容尚難認其已教示層系統須
具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構；且被證10亦未包含可對層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8與證據10之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。據此，被證8及10之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8及10之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證8及10之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。⑶被上訴人另主張：被證10已揭示可於其反射層下再形成一黏
附提升層，該反射層之材料可為Ag等，而黏附層之材料可為Cu等，因此，被證10已教示了層系統中可具有Ag／Cu層之結構（參被上訴人109年2月13日民事答辯狀(四)二、民事辯論意旨狀(二)等之相關段落），所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8及10之組合當能輕易完成如系爭專利請求項1之發明等云云。然如前述，由被證10之技術內容尚難認其已教示層系統須具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構，且被證10亦未包含可對其層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關技術內容，尚難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於被證
8及10之組合而能輕易完成系爭專利請求項1所界定發明。職是，被上訴人此部分之主張不足採。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8及10之組合
尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、8至16、30所界定之發明，故被證8及10之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒋被證12與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①經查，被證12說明書第[0032]段揭示一種反射層系統，
其包含基板S，且可將所有常見材料，如玻璃、塑膠或金屬，以及撓性材料用作基板S，其係可對應於系爭專利請求項1所界定之金屬基板（1）的技術特徵。
②被證12說明書第[0034]段、第[0042]段及請求項8揭
示基板S的表面在實例中藉由沉積黏附促進及擴散阻擋層HS形成經預處理的表面，並可使用TiOx或ZrOx（其中x≦
2）等材料，其係可對應於系爭專利請求項1所界定之層
（4）的技術特徵。③被證12說明書第[0038]段、請求項4及8教示了可在黏
附促進及擴散阻擋層HS上形成一第一反射金屬層（R1），而該第一反射金屬層的材料可為銅。此外，被證12說明書第[0038]段揭示反射層系統可以使用一第二反射層，其材料可為銀。然而，對應於系爭專利請求項1所界定之形成在層（5a）上的結構係為由高純度金屬構成的光密反射層（6），系爭專利請求項1所界定的層系統係為使用一層光密的反射層，而被證12則是使用兩層的反射層，被證12所揭示的第二反射層並非屬於一種光密反射層。因此，被證12所揭示的第二反射層與系爭專利請求項1所界定之由高純度金屬構成的光密反射層（6）有所不同。
④被證12說明書第[0038]段揭示在反射層上可形成一擴散
障壁層BS，由鋁摻雜氧化鋅（ZAO）構成。然而，對應系爭專利請求項1所界定之層（7），其在層（7）的成分並非如被證12所揭示的ZAO的材料。因此，被證12所揭示的擴散障壁層BS與系爭專利請求項1所界定之層（7）的技術特徵有所不同。
⑤被證12說明書第[0038]段及請求項10揭示該反射層系統
可形成由氧化矽（SiO2）構成的低折射率介電層，以及由TiO2所構成的高折射率介電層，其依序可對應於系爭專利請求項1所界定之LI層（9）及HI層（10）的技術特徵。
⑥由上述可知，被證12與系爭專利請求項1最主要的差異在
於：（a）系爭專利請求項1所界定的層（7）材料為鈦等物質之亞化學計量的氧化物或鈦金屬等材料，與被證12所揭示擴散障壁層BS之材料略有不同；以及（b）被證12雖然揭示層系統中可具有第二反射層（Ag）與第一反射層
（Cu）形成之Ag／Cu層結構，惟尚無法說明當該第二反射層（Ag）為如系爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」時，仍須設置該Cu層（亦即該層系統應具有等同於Ag（光密）／Cu層結構）。又查，被證12亦未包含教示或建議可補足該等差異特徵之相關技術內容，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12之技術內容尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成如系爭專利請求項1所界定發明之整體。據此，被證12尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證12已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項
1之內容，則被證12仍不足以證明系爭專利請求項2至3、
8至16、30不具進步性。⑶被上訴人固主張：被證12已記載系爭專利之發明所欲解決問
題、預期達成功效、用途（如太陽能面鏡、高性能輻射器）等技術內容（參被上訴人109年2月13日民事答辯狀(四)
二、民事辯論意旨狀(二)等之相關段落），所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12之技術內容當能輕易完成如系爭專利請求項1之發明等云云。惟如前述，被證12雖揭示在其層系統中可具有Ag／Cu層之結構，然被證12之Ag反射層並非為光密反射層，遑論教示其層系統須具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構，且被證12亦未包含可對其層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關技術內容，尚難謂所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12而能輕易完成系爭專利請求項1所界定發明。據此，被上訴人所稱之主張應無理由，並不足採。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證12之技術內容
尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、8至16、30所界定之發明，被證12不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒌被證12及9之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證12所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，已如前述。
②而如前述，被證9雖揭示其層系統可具有光學密封特徵的
Ag反射層，然並未包含可對層系統進行調整而達成使其具有Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12與證據9之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。因此，被證12及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。再者，如前所述，被證12及9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證12及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。⑶綜上，被證12及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性。
㈨被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證8與9及系爭
專利自承先前技術之組合、被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之組合、或被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合均不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性：
⒈被證8及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證8所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，業如前述。
②又查，系爭專利說明書【先前技術】（[0002]至[0024
])相關段落並未揭示先前技術之層系統可具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構，且亦未包含可對層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8及系爭專利自承先前技術之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。據此，被證8及系爭專利自承先前技術之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。又如前所述，被證8及系爭專利自承先前技術之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證8及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、
8至16、30不具進步性。⑶被上訴人另主張：系爭專利說明書【先前技術】（[0002]
至[0024]）相關段落具體記載與系爭專利請求項2至3、
8至16、30所進一步界定的技術特徵相關之技術內容，故所屬技術領域中具有通常知識者當能輕易完成如系爭專利前述請求項之發明等云云。惟如前述，被證8及系爭專利自承先前技術之組合業不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，故縱使系爭專利自承先前技術揭示了系爭專利請求項2至3、8至16、30所進一步界定的技術特徵，被證8及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。職是，被上訴人此部分之主張應不足採。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8及系爭專利
自承先前技術之組合尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、
8至16、30所界定之發明，被證8及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒉被證8與9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證8所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，業如前述。
②且如前述，被證9或系爭專利說明書【先前技術】相關段
落並未揭示先前技術之層系統可具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構，且亦未包含可對層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8與9及系爭專利自承先前技術之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項
1所界定發明之整體。因此，被證8與9及系爭專利自承先前技術之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含系爭專利請求項1之所有技術特徵。又如前所述，被證8與
9及系爭專利自承先前技術之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證
8與9及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。
⑶被上訴人關於系爭專利說明書自承先前技術已揭露系爭專利
前述請求項所界定技術特徵之主張應不足採的理由，已如上述。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8與9及系爭
專利自承先前技術之組合尚難輕易完成系爭專利請求項1至
3、8至16、30所界定之發明，被證8與9及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒊被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證8所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，已如前述。
②且如前述，被證10或系爭專利說明書【先前技術】相關段
落並未揭示先前技術之層系統可具有等同於系爭專利請求項1所界定Ag（光密）／Cu層之類似結構，且亦未包含可對層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關教示或建議，所屬技術領域中具有通常知識者基於被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項
1所界定發明之整體。據此，被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至
3、8至16、30不具進步性。⑶被上訴人關於系爭專利說明書自承先前技術已揭露系爭專利
前述請求項所界定技術特徵之主張應不足採的理由，業如前述。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證8與10及系爭
專利自承先前技術之組合尚難輕易完成系爭專利請求項1至
3、8至16、30所界定之發明，被證8與10及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒋被證12及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證12所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，業如前述。
②又如前述，系爭專利說明書【先前技術】相關段落未包含
可對層系統進行調整而達成使其具有Ag（光密）／Cu層類似結構之相關教示或建議，故所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12及系爭專利自承先前技術之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。職是，被證12及系爭專利自承先前技術之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證12及系爭專利自承先前技術之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證12及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至
3、8至16、30不具進步性。⑶被上訴人關於系爭專利說明書自承先前技術已揭露系爭專利
前述請求項所界定技術特徵之主張應不足採的理由，業如前述。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證12及系爭專利
自承先前技術之組合尚難輕易完成系爭專利請求項1至3、
8至16、30所界定之發明，被證12及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
⒌被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合與系爭專利請求項1至3、8至16、30之比對：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證12所揭示技術內容及其與系爭專利請求項1最主要的差異，有如前述。
②且如前述，被證9或系爭專利說明書【先前技術】相關段
落並未揭示可對層系統進行調整而達成使其具有Ag（光密）／Cu層類似結構之相關教示或建議，故所屬技術領域中具有通常知識者基於被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合尚難獲致具有前述差異特徵之層系統，遑論輕易完成系爭專利請求項1所界定發明之整體。據此，被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。又如前所述，被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合仍不足以證明系爭專利請求項
2至3、8至16、30不具進步性。⑶被上訴人關於系爭專利說明書自承先前技術已揭露系爭專利
前述請求項所界定技術特徵之主張應不足採的理由，已如上述。
⑷綜上，所屬技術領域中具有通常知識者依被證12與9及系爭
專利自承先前技術之組合尚難輕易完成系爭專利請求項1至
3、8至16、30所界定之發明，被證12與9及系爭專利自承先前技術之組合不足以證明系爭專利前述請求項不具進步性。
㈩被證40及41之組合，或是被證40、41及9之組合不足以證明
系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性；但被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性：
⒈本案尚可採被證40作為被上訴人於本案之主張或陳述理由之證據：
⑴被證40為系爭專利歐洲對應專利案（EP0000000）之異議理
由（被證40-1及40-2）及相關證據（被證40-3至被證40-5），雖各國專利審查制度及基準未盡相同，原則上不宜逕採他國對應案之申請歷史檔案（即被證40-1及40-2）或相關審查意見以為用；然由於本件被上訴人業於原審民事答辯狀(八)指摘出該等異議證據與系爭專利之間的關係，並另於原審中附上該等相關證據，即前述被證40-3至被證40-5，該等相關證據係為上訴人所製造Vega98110產品之相關資料（其中，被證40-5係上訴人於該異議程序中提出答辯相關資料中有具體援引之異議證據D29b分析報告，顯見上訴人於該異議程序中並不爭執其證據能力），且被上訴人於原審相關程序中亦提出被證41（其為2013年有關Vega98110等產品之目錄），而被證40-3至被證40-5係可用於佐證被證41所指之Vega98
110產品的層系統結構。因此，本件可依據被證40-3至被證40-5與被上訴人於本案之主張或陳述理由進行比對。
⑵上訴人主張被證40僅為系爭專利歐洲對應專利案之異議理由
及相關證據，且本件亦無被證40-5書證所測試之物的相關資訊，故被證40無證據能力，不能作為適格之前案證據（參民事上訴理由(十一)狀第壹至參點）云云。惟如前述，被上訴人於原審已提出被證41（其為上訴人2013年有關Vega9811
0等產品之目錄），並釋明被證40等證據係於前述異議程序中用以證明被證41之相關資料，且上訴人於該異議程序中亦具體引用為答辯依據，故在上訴人未提供客觀證據證明其前述主張之情況下，尚難逕認該等證據無證據能力或並非適格之前案證據。
⒉被證40及41之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性：
⑴有關系爭專利請求項1：
①經查，有關被證40之相關文件，如下：
a.被證40-1：2018年5月30日異議人所提呈之異議理由。
b.被證40-2：為被證40-1之異議理由的中譯本。
c.被證40-3：為被證40-1中的異議證據D29ALMECO樣品目錄照片影本。
d.被證40-4：為被證40-1中之異議證據D29a，其為取自異議證據D29截取之樣本vega98110(樣品2010)原樣的2張相片影本。
e.被證40-5：為被證40-1中之異議證據D29b的Fraunhorf研究所分析報告。
②被上訴人引用被證40之文件主要是用於將（被證41所指之
）上訴人所製造Vega98110產品與系爭專利之層堆疊結構進行比較（詳參被證40-2第22至24頁），被上訴人主要引用被證40-1所述之D29證據（即被證40-3），其中D29a為樣本Vega98110（樣品2010）原樣的2張相片影本（即被證40-4），而D29b則為Fraunhorf研究所分析報告（即被證40-5）。據此，雖然被上訴人所提之被證40-2（即被證40-1的中譯文）第23頁末行至第24頁第7行記載Vega9811
0的層堆疊結構由上而下依序為TiOx/SiOx/CrOx/Ag/Cu/TiOx/Al2O3（Eloxal）／鋁載體，惟參照被證40-5（即有關Vega98110的分析報告），該分析報告指出Vega98110的層堆疊結構應為TiO2/SiO2/CrOx/Ag/Cu/TiO2/Al2O3（Eloxal）。按此，應參照被證40-5之分析報告所記載的層堆疊結構與系爭專利請求項1予以比對。另外，參照被證41第3頁的Vega98110產品的規格，其係記載具有99.99%的銀以及反射率≧98。
③承上，被證40及被證41之組合與與系爭專利請求項1主要
的差異在於：（a）系爭專利請求項1所界定的層（4）材料為鈦之亞化學計量的氧化物或鈦金屬等材料，而被證40-5所揭示者在Cu與Al2O3之間（與前述層（4）對應）的TiO2係為鈦之化學計量的氧化物；（b）被證40-5及被證41雖然揭示其層系統中具有99.99%的Ag層與Cu層形成之Ag／Cu層結構，惟尚無法說明當該銀層為如系爭專利請求項1所界定的高純度金屬構成的「光密反射層」時，仍須設置該Cu層（亦即層系統中具有等同於Ag《光密》／Cu層結構）。
④有關「光密反射層」，按照系爭專利說明書之定義，其係
指該反射層具有前述之光密性質，且依系爭專利說明書【先前技術】等段落之內容可知光密反射層之製作係所屬技術領域的周知技術，並可由銀層形成光密反射層。但查，被證40及41均未包含當其層系統之銀層為光密反射層時仍應採用Ag（光密）／Cu層結構設置方式之相關技術內容；再者，系爭專利請求項1所界定之層（4）的材料與被證40所測定出的結果亦有所不同，尚難認定基於被證40及41技術內容之組合能輕易完成如系爭專利請求項1之發明。
職是，被證40及41之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。又如前所述，被證40及41之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證40及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。
⑶被上訴人關於系爭專利說明書自承先前技術（即其簡介被證
8及被證9等之相關段落）已揭露系爭專利所界定使用單層金屬反射層的之主張應不足採之理由，業如前述。
⑷承上，被證40及41之組合仍不足以證明系爭專利請求項1至
3、8至16、30不具進步性。⒊被證40、41及9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、
8至16及30不具進步性：⑴有關系爭專利請求項1：
①被證40與41所揭示技術內容及其等與系爭專利請求項1最主要的差異，已如前述。
②如前所述，被證9並未教示其層系統除了具有光學密封特
徵的Ag反射層之外，仍須具有Ag（光密）／Cu層的結構，且被證9亦未包含可對其層系統進行調整而達成使其具有該Ag（光密）／Cu層結構之相關技術內容，尚難認定基於被證40、41及9技術內容之組合能輕易完成如系爭專利請求項1之發明。因此，被證40、41及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2至3、8至16、30：
經查，系爭專利請求項2至3、8至16係為直接或間接依附於請求項1的附屬項，而系爭專利請求項30則為引用記載請求項1的獨立項，於解釋該等請求項之專利權範圍時應包含請求項1之所有技術特徵。據此，如前所述，被證40、41及
9之組合已不足以證明系爭專利請求項1不具進步性，而系爭專利請求項2至3、8至16既依附於請求項1、請求項30引用記載請求項1之內容，則被證40、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性。
⑶承上，被證40、41及9之組合仍不足以證明系爭專利請求項
1至3、8至16、30不具進步性。⒋被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性：
⑴有關系爭專利請求項1：
①被證40與41所揭示技術內容及其等與系爭專利請求項1最主要的差異，業如前述。
②被證7揭示之技術內容說明如下：
經查，被證7係關於銀基超級反射器之大範圍電子束物
理氣象沈積（EB-PVD）之論文，其研究內容涉及反射器製程之塗佈技術替代與塗佈材料替代之技術演進，以及新一代製程操作條件與產品之建議等範疇，關於塗佈技術替代的部分討論了不同製造程序的發展歷程，包括EB-PVD（氧化層）與DC濺鍍（反射層）混用製程、EB-PVD（氧化層、反射層）通用製程，關於塗佈材料替代的部分則主要討論了以EB-PVD方式形成之鋁或銀反射層材料、其等之黏著性與穩定性等的對應層堆疊設置方式。其中，被證7第206至209頁敘明由於銀材料具有優異之反射率，故銀材料已（替代鋁）被運用於製作反射器之反射層，惟須注意提升銀層於層系統之黏著性，而由於銅/銀之間有極佳的附著力及化學穩定性，因此可採用將銀反射層以銀／銅雙層之方式設置，被證7第208頁左欄末段至右欄末段與圖7並具體揭示以大約110nm厚度之銀光密反射層作為基準，採用銅取代銀而形成銀／銅雙層之相關技術內容；且被證7第208至209頁更進一步揭示為了使銀／銅層與陽極氧化基板表面具有良好附著力，因此在銀／銅層與陽極氧化基板表面形成一層鈦界面層（此亦可由被證7第208頁表2或209頁圖8得知），最後可以成功的在陽極氧化基板上依序形成鈦、銅及銀的層組合之堆疊結構。此外，還可在該堆疊結構中形成有氧化鈦及氧化矽；而被證7第208頁左欄第
2段揭示該陽極氧化基板係為陽極氧化鋁。再者，被證
7第209頁左欄第1段更揭示該等的堆疊結構中的每一層均可具有良好的附著力，甚至銀層可具有良好的耐腐蝕性的效果。
有關上述被證7揭示之技術內容，業經本院於審理程序
中提供兩造陳述意見，並予當事人有辯論之機會，故依智慧財產案件審理法第8條之相關規定，上述內容得採為裁判之基礎，併予敘明。
由前述內容可知，被證7已經教示了銀與銅之間具有良
好的附著力，且由於銀層之黏著性欠佳，因此須在銀反射層下再設置銅層而形成Ag／Cu層結構，以提升銀反射層之黏著性，因此，被證7第208頁左欄末二行及右欄第1段第1至2行、圖7等揭示了以銀光密反射層為基礎之層系統可以採用EB-PVD形成Ag／Cu層堆疊結構的具體實驗，該實驗可分為4個點，分別為Ag的取代率為0%、15%、30%及45%，亦即Ag的厚度分別為110nm、93.5nm、77nm以及60.5nm進行測試，亦即，被證7教示了可採EB-PVD執行之銀／銅雙層結構的模式（如厚度、銀取代率等）。因此，所屬技術領域中具有通常知識者經被證7之教示當知即使層系統具有光密銀反射層，仍應採取Ag（光密）／Cu層結構以提升光密銀反射層之黏著性與化學穩定性（甚至銀層可具有良好的耐腐蝕性的效果），以提升層系統之效能，並可以輕易地在先前技術習知並例示特定幾種銀取代率之銀／銅雙層結構的基礎上，因應實務需求（如減少反射率損失、提升產品穩定性、或調整成本結構等），藉由簡單試驗而選擇出適用之銀／銅雙層結構，例如選用具有厚度為93.5nm的Ag層並於其一側形成銅層之銀／銅雙層結構，同時，可以預期銀層與銅層之間具有良好的附著力與化學穩定性。
承上，被證40與被證41的組合係揭示了一種TiO2/SiO2/
CrOx/99.99%之Ag/Cu/TiO2/Al2O3（Eloxal）的層系統結構，且被證41第2頁的「Keycharacteristic」又揭示了該層系統的組合具有極佳黏著力，而被證7又教示了可以輕易完成具有93.5nm的銀層並於其一側形成具有良好附著力的銅層。是以，所屬技術領域中具有通常知識者係可將被證40、被證41與被證7組合而形成一TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag/Cu/TiO2/Al2O3（Eloxal）的層系統結構，且該99.99%Ag層應係為以EB-PVD方式形成之厚度93.5nm的沈積層。而參酌系爭專利說明書第28頁第[0081]段所揭示系爭專利之銀反射層（層6）由高純度銀（99.99%）構成並藉由電子束蒸發（即被證7所揭示之EB-PVD）而被沈積，且層厚為80至180nm。據此，前述層系統結構中之99.99%Ag層因材料、純度、厚度、乃至沈積法（即上訴人109年2月12日民事上訴理由
(5)狀第參點中所稱反射層之「型態」）皆符合系爭專利說明書或請求項所限定之條件（該銀層亦符合上訴人歷次書狀中，關於系爭專利之發明的光密反射層應具備的「材料」、「純度」、「厚度」、「型態」限制條件的主張），故該銀層係可實質對應於系爭專利請求項
1所界定之「高純度金屬構成的光密反射層」的技術特徵。職是，被證40、41及被證7所教示的內容等組合後所得之層系統結構，應已實質對應於系爭專利請求項1所界定的範圍。
③又被證41與被證40的組合與系爭專利請求項1仍稍有差異
，即系爭專利請求項1所界定的層（4）材料為鈦之亞化學計量的氧化物或鈦金屬等材料，惟該差異仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成者，說明如下：
被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2係為化學計
量的氧化物，與系爭專利請求項1所界定的鈦之亞化學計量的氧化物或鈦金屬等材料雖有所不同。然而，如上所述，被證7教示了在陽極氧化鋁基板上可形成一鈦層，再形成銅層及銀層，該等結構的組合具有良好的附著力。據此，所屬技術領域中具有通常知識者在參照被證
40、41及被證7後，仍有動機將被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2置換成鈦材料層。亦即經由被證40、41及被證7之組合，所屬技術領域中具有通常知識者係可輕易完成一種TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag（93.5nm）/Cu/Ti/Al2O3（Eloxal）的層系統結構，而該層系統係可對應系爭專利請求項1所界定之HI層（10）/LI層（9）/層（7）/高純度金屬構成的光密反射層（
6）/層（5a）/層（4）/金屬基板（1）的層系統（即層（4）為鈦金屬時之層系統）。
此外，被證41第2頁「TheBernburgPVDline」揭示
該層系統係使用PVD的製程處理，而被證7同樣也是利用PVD製程以完成該層系統，且被證7第209頁圖10教示在陽極氧化鋁板上形成Ti時是利用濺鍍的方式進行。
在此，對應被證40-5及被證41，其係在陽極氧化鋁板上形成TiO2，所屬技術領域中具有通常知識者在參照該等證據時，係可利用反應性濺鍍透過添加氧來鍍覆進而輕易達到完成TiOx（即亞化學計量之氧化鈦）的技術。據此，經由被證40、41被證7之組合而完成TiO2/SiO2/CrOx/99.99%之Ag（93.5nm）/Cu/TiOx/Al2O3（Eloxal）的層系統結構，而該層系統結構亦可對應系爭專利請求項1所界定之層系統（即層（4）為鈦之亞化學計量的氧化物時之層系統）。
④被證40、被證41及被證7之組合可預期系爭專利請求項1所產生的功效，說明如下：
首先，有關系爭專利請求項1所達成的功效，經參酌系
爭專利說明書第1頁末行至第2頁第2行，其係為達到具有溫度及腐蝕穩定的功效，且該層系統的各層採用的設計方案係為使其良好地彼此附著或附著在基板上，以及使表面反射器具有良好的耐磨性及耐腐蝕性。此外，系爭專利說明書第11頁第[0027]段亦記載該層系統需要有溫度穩定性是因為要避免受溫度引發之衰減機制等問題。
經查，被證41第2頁「Productstructure」揭示該層
系統可以最小化磨損傷害，而被證41第2頁「Applications」揭示該層系統可以應用在LED反射器，且同頁「Productstructure」末行揭示該等層系統結構增加了反射率以及增加防止損壞與衰減的保護，該防護應係指防制因使用環境所引發的衰減機制(參上訴人民事上訴理由(一)狀第25頁第20至22行)；考量被證41所揭示其反射器適用環境如溫室（Greenhouse）等，其使用環境應包含濕度高、日照長之高溫環境，是以，故被證41實質上應已教示了可適用於防制因使用環境溫度、濕度等所引發的衰減機制（參被證41之application段落）。再者，被證7第209頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構中的每一層均可具有良好的附著力，甚至該等的銀層可具有良好的耐腐蝕性。又被證7第208頁左欄表2亦揭示當在陽極氧化鋁基板上形成有鈦層、銅層及銀層時，其會具有良好的化學穩定性。據此，所屬技術領域中具有通常知識者當結合被證40、41及被證7時，自可預期在該等結構中可以達到溫度穩定性及耐腐蝕性的功效。
⑤上訴人主張稱依系爭專利歐洲對應案異議審定書之意見，
被證40-5所示用於做為黏著層CrOx與TiO2等層係為「鉻或鈦之非亞化學劑量氧化物或其等之超氧化物」（以下稱「鉻或鈦之超氧化物等」），不能將之對應於系爭專利之層（7）與層（4），因此，上訴人認為組合被證40、被證41與被證7等先前技術後仍無法完成系爭專利之發明的整體，是以系爭專利之發明應具進步性等云云（參民事上訴理由(十一)狀第貳點、民事上訴理由(十二)狀第肆點）。惟上訴人之主張應無理由，並不可採，說明如下：如前所述，由於各國專利審查制度及基準未盡相同，固
不宜逕採他國對應案之相關審查意見以為用。又查，上訴人前述關於黏著層組成為鉻或鈦之超氧化物的主張，與被證40-5明確揭示之內容明顯不相符，且未提出其他客觀證據證明EPO前述認定係正確無誤，尚難僅據EPO主觀意見而逕認該等黏著層即應為鉻或鈦之超氧化物等；再查，依上訴人所述系爭專利歐洲對應案異議審定書之記載，EPO僅表示無法看出在D29b（即被證40-5）中有等同於層（4）之層、或無法認同異議人關於黏著層之主張（參上訴人所提上證11之25.2及其英譯文），並未如上訴人所稱EPO已認定該等黏著層係為鉻或鈦之超氧化物等之情事，故亦難認定上訴人前述主張係正確無誤的，遑論據以認定系爭專利之發明具進步性。
且如前所述，本件上訴人於系爭專利歐洲對應專利案之
異議程序中提出答辯相關資料中已具體援引之異議證據D29b分析報告，顯見上訴人於該異議程序中並不爭執該證據之相關內容為正確的，故更難逕採前述系爭專利歐洲對應案異議審定書中（與被證40-5所示內容明顯不相符之）主觀意見，遑論認定系爭專利應具進步性。退萬步言，縱使採用系爭專利歐洲對應案異議審定書中
之該意見而認定該等黏著層的組成係鉻或鈦之超氧化物等，與系爭專利之發明所界定層（7）與層（4）的成分（鉻或鈦金屬或齊亞化學劑量化合物）不相符，然如前述，所屬技術領域中具有通常知識者，基於被證7等先前技術之內容，當會輕易完成使用鈦或其亞化學劑量氧化物作為增強層系統中銀反射層附著力之黏著層（4），另查，被證7等先前技術亦揭示可於該銀反射層上下皆設置提升附著力之黏著層，而系爭專利之發明所界定之層（7）與（4）實質上即為銀反射層上下方之黏著層，故同理，所屬技術領域中具有通常知識者為提升製程效能，當然也會有動機嘗試採相同方式、相同組成製作銀反射層上下方之黏著層（因此，該等黏著層之組成皆為鈦或其亞化學劑量氧化物，符合系爭專利之發明所界定者），並經簡單試驗而完成系爭專利發明之整體，自仍應認定系爭專利不具進步性。
綜上，在上訴人未能提出證據證明前述主張為正確的情
況下，尚難逕採系爭專利歐洲對應案異議審定書中之意見，遑論據以認定系爭專利具進步性，是以，上訴人前述主張並不可採。
⑥上訴人亦主張稱倘若通常知識者將非光密銀層修飾為光密
反射層，其勢必會認為Vega98110產品之銅層因無法實現其反射功能而無存在之必要；且即使所屬技術領域中具有通常知識者結合被證40、被證41與被證7後，並無法得知光反射器之Ag／Cu層結構中的Ag層可為如系爭專利之發明所界定之光密反射層，而被證7圖7之Ag／Cu層結構僅揭示其等銀替代率並非銀層厚度，且其結果為模擬計算值，亦不足以認定前述證據組合後能製得厚度93.5nm之銀層；另由於增加Ag層厚度會導致層系統製作成本之增加，故所屬技術領域中具有通常知識者亦不會有修改Vega98110產品之動機（參民事上訴理由(五)狀第參點、民事上訴理由(七)狀第貳點、民事上訴理由(十二)狀第參至伍點、民事上訴言詞辯論意旨(一)狀第肆點等），因此應無法輕易完成如系爭專利之發明所界定之層系統等云云。惟上訴人所稱之理由不可採，說明如下：
經查，被證41第2頁的「Productstructure」及第5
頁(即倒數第2頁)的最下圖「Coatingsystemvega98110」已記載該產品的概念在於要在陽極氧化鋁基板上形成99.99%的銀層，而該兩層之間需要有黏接層（Bond
inglayer）。據此，所屬技術領域中具有通常知識者參酌被證41的內容時，可以理解在反射層的系統中，可以使用99.99%的銀作為反射層，而在該反射層與陽極氧化鋁基板之間需要有黏接層。此外，被證7第205頁的圖1及圖5揭示在該等的層系統中具有一「Basicreflectionlayer」，而反射層的材料可以嘗試著使用銀，以取代鋁材料，但由於銀與陽極氧化鋁基板之間並無黏著性（參被證7第208頁「Adhsionandchemicalstabilityofthebasicreflectionstack」第1段）等緣故，因此，被證7第208頁左欄末二行及右欄第1段第1至2行、圖7揭示了以銀光密反射層為基礎之層系統可以採用銀／銅的堆疊結構的具體實驗，且被證7第
209頁左欄第1段揭示該等的堆疊結構可以具有良好的黏著性等性質，亦即被證7實質上已教示了即使將銀光密反射層應用於具有陽極氧化鋁板的層系統中，為提升該反射層之黏著性等性質，使用含有Ag（光密）／Cu的層堆結構仍是有其必要的，而非如上述人所稱「倘若通常知識者將非光密銀層修飾為光密反射層，其勢必會認為Vega98110產品之銅層因無法實現其反射功能而無存在之必要」。再查，系爭專利說明書第[0032]段，即第13頁末段亦記載層5a（即使用銅）是用來增強反射層的附著度，亦即被證7之該銅層實質上可對應於系爭專利之發明的該層5a，且本質固有地具有共通之作用。
上訴人認為該等銀層無法對應於系爭專利之發明所界定
「由高純度金屬構成的光密反射層」的主要理由在於，被證7所揭示之Ag／Cu層堆疊結構實驗數據中，僅敘明各實驗點之銀取代率，無法確定該銀層之厚度、純度、沈積法、微結構（其中，微結構係指如被上證4所稱之晶粒等，參上訴人民事上訴理由(十二)狀第參至伍點、民事上訴言詞辯論意旨(一)狀第肆點等），且經取代後之層結構中，該銀層厚度會變小故應已變為非光密銀層。惟上訴人前述關於光密銀層之微結構等敘述，已增加系爭專利說明書、申請專利範圍或圖式所揭露範圍所無之限制條件，在依據系爭專利說明書所記載光密銀層藉由材料、純度、厚度與沈積法等相關內容即可認定得實現系爭專利之發明的前提下（如前所述），尚難認定該微結構必然為光密銀層的必要技術特徵，遑論據以為判斷系爭專利請求項1是否具進步性之限制條件，先予敘明。又若欲將之採用為限制條件，則上訴人應證明由系爭專利說明書已界定之材料、厚度、純度、沈積法等條件必然無法製得光密銀層，且由前述證據組合而得之層系統的該99.99%銀層（93.5nm、EB-PVD沈積法）符合上訴人所舉證必然無法製得光密銀層者，而非空言因微結構等不同就必然會導致無法製得相同厚度範圍之光密銀層，故在上訴人未能提出證據證明其主張為真的前提下，亦難逕認符合系爭專利說明書所界定限制條件之該99.99%銀層非為光密銀層；此外，若上訴人能提出證據證明「僅依系爭專利說明書所界定前述條件必然無法製得光密反射層」，則系爭專利說明書將有未充分揭露而導致無法據以實現系爭專利請求項之發明的疑慮。另查，被證7已具體揭示其EB-PVD沈積法可製得光密銀反射層，其第208頁左欄末段至右欄第1段並敘明其作為實驗基準者（即銀取代率0%）係厚度約110nm之銀光密層，且當銀層厚度為80nm時，銀取代率約為27%（即《110-80》/110≒0.27，再換算為百分率），所屬領域中具有通常知識者當可輕易得知該銀取代率之計算方式應為「（銀層厚度與光密銀層厚度之差／光密銀層厚度）乘以100%」，故經換算後可知該實驗包含銀層厚度為93.5nm（銀取代率為15%）之實驗點無誤；且如前述，被證7之反射層係以（與系爭專利說明書第[0081]段所載實質相同之）EB-PVD所形成的高純度銀層，故前述純度99.99%而厚度為93.5nm（銀取代率為15%）或80nm（銀取代率為27%）之銀層，於材料、厚度、純度、沈積法等均符合前述系爭專利說明書所記載之條件（參系爭專利說明書第[0081]段落，層6由高純度銀《99.99%》構成且藉由電子束蒸發《即EB-PVD沈積法》而被沈積，層厚為80至180nm），而厚度為93.5nm實驗點之銀層厚度更落入系爭專利說明書中各實施例所界定銀光密反射層之厚度範圍（90～200nm）內，故該厚度為93.5nm之銀層本質固有地應為銀光密反射層無誤。再者，如前面各爭點所述，所謂「光密」係可客觀對應於特定光反射率（即光密度）範圍（如原證34所載標準光密度OD值
1.5～2.4所對應之96.8～99.6%光反射率，參民事上訴理由(十二)狀第8頁第壹之四之(二)之3點，上訴人亦認同此光密標準），並非單一固定數值，故若以
99.6%光反射率之光密銀層為例，即使其銀被部分取代，只要銀反射層之厚度、純度、沈積法等符合系爭專利說明書等所界定之限制條件（即前述系爭專利說明書第[0081]段、實施例所界定者），理當仍應能使該銀層達到符合前述標準光密程度（如反射率數值雖略小於99.6%但仍高於96.8%），該銀層應仍為光密銀反射層；而如前述，厚度為93.5nm（銀取代率為15%）或80nm（銀取代率為27%）等之銀層，於材料、厚度、純度、沈積法等均符合前述系爭專利說明書所記載之條件，是以，該等銀層自應仍為光密反射銀層。又縱如上訴人所主張，該等銀層有可能因部分被銅取代會有反射率損失，故有可能已非為被證7第208頁左欄最後1段至右欄第
1段所稱之厚度110nm光密反射銀層，然由被證7同頁圖7所揭示實驗點可知，當銀取代率為30%以下，反射率損失低於0.1%，亦即不到千分之一的微小差異，就理工相關技術領域之而言該差異遠小於實務應用之可能誤差範圍，亦尚難逕予斷定該等銀層會因不到千分之一的微小差異（上訴人於民事上訴理由(十二)狀或民事上訴言詞辯論意旨(一)狀中，亦主張此僅不到千分之一的反射率損失，屬微小可忽略），造成其反射率的劇烈變化而導致光密程度之驟然改變。據此，在上訴人未能提出證據證明其主張之前提下，仍應認定經組合被證40、41及被證7等教示內容所得之純度99.99%、厚度93.5
nm、以電子束沈積法形成的銀層應已實質相當於系爭專利請求項1所界定之光密反射層。再者，縱使前述被證
7所揭示厚度大於80nm之銀層會因（雙層）折射率損失（參上訴人民事上訴言詞辯論意旨(一)狀第肆之(四)點等），而導致該等銀層並非光密銀層（本院不認同），由於系爭專利申請前之先前技術已揭示為提高反射層之反射性並抑制有害的干擾，必須使反射層具有達到「光密」的厚度，亦即，此種厚度阻止入射之輻射穿透該層到達下方之其他層，而造成（如氧化鋁層等之）該其他層中因吸收等而導致的干擾效果，因為，此類干擾效果會降低鏡面之效率並引致有害的干擾等之習知技術內容（亦可參系爭專利說明書第[0003]、[0005]等先前技術之相關段落）。職是，所屬技術領域中具有通常知識者當可得知，（在其他變因均相同的情況下）具銀光密厚度反射層之層系統因（銀光密反射層之高反光射率而）能避免（過量入射光穿透其反射層所導致之）有害干擾，而可較不具銀光密厚度反射層者，達成較高之鏡面效率，故應可具有較佳之環境（如溫度等）耐受等性質，申言之，即具銀光密厚度反射層者可提升層系統整體效能，是以，所屬技術領域中具有通常知識者，為提升層系統之效能（如前述提高反射層之反射性並抑制有害干擾等），當會有動機嘗試將被證40與被證41所揭示層系統之銀反射層，進一步改良為光密銀反射層，而如前述，被證7已揭示縱使採用光密銀層作為反射層，仍應採用Ag（光密）／Cu層+Ti層之結構以提升層系統之性質（亦即會同時注意要符合製作銀光密反射層之必要技術要件，以能形成Ag《光密》／Cu層+Ti層結構，而如前述該等技術要件係先前技術所習知的），因此，所屬技術領域中具有通常知識者，基於被證40、被證41與被證7等先前技術之技術內容，當能輕易完成系爭專利發明之整體，自亦應認定系爭專利之發明不具進步性。
關於被證7圖7所揭示者是否僅為模擬計算之結果一節
，經查，依證據7圖7及其對應之說明內容（參證據7第208頁左欄最後1段至右欄第1段）並未顯示其銀替代實驗為模擬之結果，上訴人所主張者應係指證據7第
208頁左欄最後1段第4至6行關於「圖7顯示了鋁和銀取代銀含量後，計算出…反射率損失…」之內容，惟如前述，該實驗係以銅或鋁取代部分銀層，故當然須經計算才能得知不同厚度銅層所各對應的銀取代率值，並須經計算才能得知因該取代而產生之各自對應（於光密銀層）的反射率損失值（即計算反射率差值），因此，尚難僅因描述該實驗之內容中包含「計算」的文字記載，即認定該實驗僅為模擬，遑論逕以認定該實驗並非實際試驗；又縱如上訴人所主張，該等實驗僅為模擬，由於該實驗之整體內容並未導致所屬技術領域中具有通常知識者認為無法實現該技術特徵或與其相關層系統之整體，亦難逕予認定所屬技術領域中具有通常知識者，基於被證40、被證41與被證7之技術內容，無法輕易完成系爭專利請求項1所界定之發明的整體，故在上訴人未能進一步提供有力佐證之情況下，仍應認定系爭專利請求項1不具進步性。
另外，上訴人認為所屬技術領域中具有通常知識者不會
有動機修改Vega98110產品的主要理由在於，該產品已滿足客戶之相關需求，且使用較厚的銀會導致生產成本增加而提升之效能有限，因此技藝人士或生產工廠根本不會有動機增加銀之厚度，故所屬技術領域中具有通常知識者無法輕易完成系爭專利之發明云云（參民事上訴理由(十二)狀第參點）。然查，現有產品（如Vega98
110等）是否滿足客戶需求或是使用較厚的銀是否會增加成本的問題，均非系爭專利之發明是否具有進步性的主要考量因素。一發明是否具有進步性，主要應考量該發明是不是可以為所屬技術領域中具有通常知識者以申請時之相關先前技術為基礎，利用申請時之通常知識，而能輕易完成該發明，若能輕易完成，則該發明對於所屬技術領域中具有通常知識者係顯而易知者，不具進步性。而如前述，基於被證40、被證41與被證7等先前技術之教示，所屬技術領域中具有通常知識者，為提升層系統之效能（如前述提高反射層之反射性並抑制有害干擾等，亦可參系爭專利說明書[0003]、[0005]等段落之相關內容），當會有將層系統之銀反射層，進一步改良為光密銀反射層，並採用Ag（光密）／Cu層+Ti層之結構以提升層系統之性質，是以，所屬技術領域中具有通常知識者當有動機改良被證40與被證41所揭示之Vega98110產品，應無上訴人所稱不會有動機改良之情事。況且，就相關技術領域之研究發展而言，持續進行改良產品（如性能更優異但成本不過高者）之創作，以便於市場需求成熟時，能適時因應取得商機，甚或據以申請專利，俾可獨佔先機（故而該改良產品之售價可較高，使整體獲利提升）等，亦係相關技術領域研發之主要動機。以系爭專利相關技術領域必然會涉及之電子級精密化學品為例，其製作成本雖高於一般等級化學品，但因售價亦遠高於一般製品反而可提升獲利（即上訴人於民事上訴理由(十二)狀第參點所述「整體經濟利益才是研發、改良產品之主要考量」）；再如系爭專利之發明可應用之太陽能發電領域為例，即使提升的程度極為有限，改良電池發電效能仍為相關技術領域不斷研發的動機，故尚難僅因現有產品已達特定需求或新產品成本略高而提升效率有限，即斷定不存在進一步改良之動機，遑論據以認定新產品必然具進步性。承上，上訴人前述主張並不可採。
⑦上訴人另主張稱由於上證9、被證7等先前技術已揭示Ti
O2與Ag層黏著性良好，所屬技術領域中具有通常知識者於組合被證40、被證41、被證7等先前技術後，若將被證41層系統之銀反射層調整為光密反射層後，為節省成本必然採取省略Cu層直接使用TiO2黏著Ag層與Al2O3（Eloxal）層，因而會形成Ag/TiO2/Al2O3（Eloxal）之結構，未必會形成如前述之Ag/Cu/TiOx/Al2O3（Eloxal），故所屬技術領域中具有通常知識者結合前述證據後仍無法輕易完成系爭專利之發明的全部技術特徵，故系爭專利之發明具有進步性等云云。然上訴人所稱之理由不可採，說明如下：
上訴人固主張上證9、被證7等先前技術所揭示TiO2與
Ag層黏著性良好等語，惟查，就其等相關內容知其原意而言，應係指TiO2可應用於Ag層與SiO2層（LI層）等層間之黏著，並非限定Ag層與Al2O3（Eloxal）層間必然只可使用TiO2層進行黏著（亦可參被證7第208頁右欄最末段至第208頁左欄第1段之相關內容），故應無上訴人所主張所屬技術領域中具有通常知識者必然會採取省略Cu層直接使用TiO2黏著Ag層與Al2O3（Eloxal）層之情事；且如前述，節省材料成本並非考量一發明是否具有進步性之主要考量因素，而被證7第208頁左欄第
2段至右欄第1段亦已具體揭示為解決採用Ag層作為反射層時而導致之黏著性不佳或穩定性等問題，應採用Ag/Cu/Ti之結構與經陽極氧化處理之基板層（即Al2O3《Eloxal》)進行黏著接合，並具體建議採用銀取代率為27%之Ag/Cu/Ti層結構（如前所述該Ag層應仍符合系爭專利所界定之光密層（6））進行層系統之設置，且被證40-5亦具體揭示其層系統應具有Ag/Cu/TiO2/Al2O3之結構，故亦難謂所屬技術領域中具有通常知識者必然會省略銅層，而無法完成具有系爭專利之發明所界定結構的層系統。
又如前述，由於被證7教示了在陽極氧化鋁基板上可形
成一鈦層（如前述，該Ti層應符合系爭專利所界定層（
4）的材料為鈦金屬），再形成銅層及銀層，該等結構的組合具有良好的附著力。所屬技術領域中具有通常知識者當會有動機將被證40-5所揭示之在Cu與Al2O3之間的TiO2置換成鈦材料層，而完成一種具有TiO2/SiO2/Cr
Ox/99.99%之Ag（93.5nm）/Cu/Ti/Al2O3（Eloxal）結構的層系統；再考量前述證據中製程之共通性等因素，所屬技術領域中具有通常知識者當會採取利用反應性濺鍍透過添加氧來鍍覆進而輕易達到完成TiOx（即亞化學計量之氧化鈦）的技術，因此，所屬技術領域中具有通常知識者當然亦可輕易完成一種具有TiO2/SiO2/CrOx/9
9.99%之Ag（93.5nm）/Cu/TiOx/Al2O3（Eloxal）結構的層系統，而該等層系統均可對應系爭專利請求項1所界定之HI層（10）/LI層（9）/層（7）/高純度金屬構成的光密反射層（6）/層（5a）/層（4）/金屬基板（1）的層系統。職是，上訴人前述主張並不足採。
⑧上訴人復主張相較於先前技術所揭示者，系爭專利請求項
1所請反射層系統具有高溫穩定性、腐蝕穩定性等較佳功效，該功效並非Vega98110產品及被證41之公開所得以預期（參上訴人於108年2月14日所提之民事準備(十二)狀第5至6頁第(五)點），故系爭專利之發明具有無法預期的功效，因而具有進步性等云云。惟上訴人所主張之理由不可採，說明如下：
如前所述，所屬技術領域中具有通常知識者經理解被證
41技術內容之整體後，當可得知被證41之產品因其層系統的結構（如具有HI層／LI層與反射層等）而可避免因操作環境（如過高溫度等）而引起之衰減，而參照系爭專利說明書中關於先前技術之描述亦可得知具有（如HI層／LI層與反射層等）複數折射／反射層之層系統，應本質固有地因其層結構會產生耐光熱性提高之鏡面，而具有可在高溫條件下操作的功效（參系爭專利說明書的[0009]～[0014]等段落），因此，就上訴人所主張高溫耐受性功效的性質本身而言，尚難謂其為所屬技術領域中具有通常知識者無法預期的。次查，系爭專利並未具體以實施例／比較例對照顯示其相較於先前技術所揭示者（如不包含單一金屬光密反射層的層系統）確實達成較優之耐高溫性，而對照系爭專利說明書關於耐高溫功效之記載，如「將全反射大於95%之溫度穩定之高反射鏡面系統應用於不同於太陽能領域之應用領域，亦有其必要。在此情況下亦需使用銀作為反射層。舉例而言，通常在鏡面基板上安裝具有許多LED的LED晶片，以提高光吸收，即所謂之「MC-COB」（金屬核心-板上晶片《MetalCore-ChipOnBoard》）。…在此等凹槽中相應設有直接黏貼至表面反射器的LED」（參系爭專利說明書第[0014]段等），實施例中主要係以較高反射率（98%）之銀等材料做為光密反射層，且前述MC-COB應用時還需配合特定材料之基板方具有所欲良好耐溫度數值，然系爭專利請求項1並未包含前述對應之限制條件（如並未限定其光密反射層之材料為銀），因此，就上訴人主張耐高溫功效而言，尚難確認系爭專利請求項1所界定範圍中之所有發明（例如以反射率低之金屬形成反射層者）皆具有所述功效，遑論逕以判定該功效為所屬技術領域中具有通常知識者無法預期的。
又縱使系爭專利之發明已達成前述耐高溫功效，惟如前
述，由於系爭專利之發明的層系統係採取光密反射層（如銀光密層等）作為反射層，因此，如前所述，在其他變因均相同的前提下，該層系統相較於採用較低光反射率之材料（如銅等）作為反射層者或僅具有非光密反射層者，必然只會有較少比例的光穿透該反射層照入以下之其他層，而能避免因過量入射光穿透反射層（所造成之如其他層的吸收、干擾）而導致鏡面效率降低之情事，故可得知具有光密反射層之該層系統本質上即必然應呈現較後者為高之環境（如溫度、腐蝕等之）耐受性質，亦即前者相較於後者必然更可避免過量入射光穿透反射層而影響層系統穩定等性質之情事，而應具有較佳高溫穩定性，因此，所屬技術領域中具有通常知識者當可預期於組合被證40、被證41、被證7等先前技術而完成之具銀光密反射層的層系統，必然較不具銀光密反射層者本質固有地具有較佳之高溫耐受性，是以，上訴人所主張系爭專利之發明較先前技術所揭示者具有高溫穩定性之功效，應非為所屬領域中具有通常知識者基於先前技術而無法預期的。
上訴人又主張「入射光是否穿透反射層」與「層系統具
備溫度穩定性」二者之間並無必然因果關係，並陳稱前述關於「若有過量入射光穿透反射層會影響層系統之穩定性等性質」之論理，與所屬技術領域中具有通常知識者之認知有違，故該論理不應納入進步性之考量，因此，系爭專利之發明所達成的高溫穩定性為無法預期之功效，應具有進步性云云（參上訴人民事上訴理由(十二)狀第壹點）。但如前述，縱使肯認系爭專利之發明確已達成上訴人所稱高溫穩定性之有利功效（本院並不認同），因基於先前技術或系爭專利說明書所自承之先前技術（如[0009]～[0014]等段落所述），所屬技術領域中具有通常知識者已可得知具有如被證7等所揭示複數折射／反射層之層系統本質上可達成良好高溫穩定性，故上訴人所稱系爭專利之發明達成的功效應非屬無法預期的。又查，該論理係基於先前技術之習知技術內容所得的結論，系爭專利說明書中（上訴人自承之）先前技術相關段落亦包含實質相同的記載（參系爭專利說明書[0003]、[0005]等之相關內容），自應無上訴人所述有違反所屬技術領域中具有通常知識者之認知的情事；此外，該論理所著重者在於系爭專利之發明相較於先前技術所揭示者是否確已達成無法預期之有利功效，因而係「聚焦於具／不具光密反射層之層系統間」，是否會有因「過量入射光穿透反射層」而被反射層下之其他層吸收等所導致層系統高溫穩定性受影響的情事，但上訴人關於「入射光是否穿透反射層」／「層系統具備溫度穩定性」間無必然因果關係的論述，並未考量入射光是否「過量」等前提，故該論理與上訴人之論述應難相提並論，更遑論逕予類比援引而認定系爭專利之發明確已達成無法預期之功效，因此，系爭專利之發明是否確已達成無法預期功效自應與上訴人所稱之因果關係必然與否無涉。再者，如前所述，由先前技術所揭示之技術內容（亦可參系爭專利說明書所自承之先前技術[0009]～[0014]等之相關內容）所屬技術領域中具有通常知識者已可預期如被證7等所揭示複數折射／反射層之層系統本質上具有良好高溫穩定性，故在系爭專利（說明書等文件）並未以實施例／比較例證明其功效較佳之前提下，尚無法確認系爭專利之發明相對於前述先前技術確實已達成有利功效，遑論據以認定該有利功效已顯著超出所屬技術領域中具有通常知識者能預測的程度，因此，縱使不將過量入射光影響穩定性之論理納入考量，仍難謂系爭專利之發明已達成無法預期之功效，遑論據以認定其應具有進步性。
上訴人復主張被證7揭示其層系統所具有之穩定性係為
化學耐腐蝕性，與系爭專利之發明所達成之高溫穩定性並不相關，故所屬技術領域中具有通常知識者，基於被證7等先前技術所揭示之層系統，無法預期系爭專利之發明具有高溫穩定性云云（參上訴人民事上訴理由(十二)狀第肆點）。然如前述，縱使肯認系爭專利之發明確已達成上訴人所稱高溫穩定性之功效（本院並不認同），該功效仍應非屬無法預期的。再者，基於一般化學通識，所屬技術領域中具有通常知識者當知化學腐蝕反應受溫度升高之影響甚巨（溫度愈高腐蝕反應愈顯著），因而具有較佳化學耐腐蝕性者，理當會有較優之高溫穩定性等性質，故被證7所揭示之化學耐腐蝕性，亦非如上訴人所稱與高溫穩定性完全不相關。
上訴人又陳稱系爭專利之發明達成高溫穩定性的技術手
段為在反射層之外另設如層5a等的其他層，與被證7所揭示另設一替代反射層顯不相同，故所屬技術領域中具有通常知識者，基於被證7等先前技術所揭示之層系統，無法預期系爭專利之發明之技術手段或高溫穩定性功效，故系爭專利之發明應具進步性等語（參上訴人民事上訴理由(十二)狀第伍點、民事上訴言詞辯論意旨狀第肆點）。惟查，被證7已揭示縱使層系統之反射層為銀光密層，仍須再設置Cu層與Ti層（相當於上訴人所稱之其他層），以提升層系統之黏著性、化學耐腐蝕等性質的相關技術內容，而系爭專利說明書第[0032]段，即第13頁末段亦記載層5a（即使用銅）是用來增強反射層的附著度，故被證7所揭示達成所欲功效之技術手段，並非如上訴人所稱與系爭專利之發明所採用者明顯不同。另查，由於系爭專利說明書並未包含（如未設有其他層者之）比較例，尚難確認系爭專利之發明確以所述技術手段達成高溫穩定性佳之功效，且如前所述，縱使肯認系爭專利之發明的高溫穩定功效，該功效亦非屬無法預期的，遑論據以認定系爭專利之發明應具進步性。
綜上，上訴人所主張之高溫耐受性應非所屬技術領域中
具有通常知識者基於先前技術之技術內容而無法預期的，遑論據以斷定系爭專利之發明必然具有進步性。據此，上訴人所陳稱並非可採。
⑨上訴人再主張稱上證11之EPO的初步意見肯認系爭專利請
求項1之層系統相較於Vega98110產品具備可專利性（參上訴人於109年2月12日所提之民事上訴理由(七)狀第
貳、參點），故我國亦應認定系爭專利之發明具有進步性等云云。惟如前述，由於各國的法令、審查基準不盡相同，蓋難僅以特定國家的審查意見而逕予認定在其他國亦應無條件適用而獲致必然相同結果。是以，本件系爭專利是否有效仍應以當事人之主張以及系爭專利之發明是否符合我國專利法的相關規定予以判斷。
⑩綜上，所屬技術領域中具有通常知識者當有動機將被證40
、41及被證7予以組合，並經簡單試驗而完成系爭專利之發明，且可預期該等組合所形成之層系統得以達成溫度穩定性及耐腐蝕性的功效，故系爭專利請求項1之發明係所屬技術領域中具有通常知識者依前述先前技術能輕易完成的。職是，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
⑵有關系爭專利請求項2及3：
系爭專利請求項2及3為系爭專利請求項1之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1的所有技術特徵，而系爭專利請求項2及3則分別進一步界定基板（1）的材料與構成。
查有關系爭專利請求項2及3依附請求項1的部分，如上所述，已為被證40、41及被證7之組合所教示，而被證40-5揭示了該層系統具有Al2O3（Eloxal），被證41第2頁「prod
uctstructure」亦揭示了使用陽極氧化鋁基材的技術特徵，而被證7說明書第208頁第2段同樣揭示了陽極氧化鋁的技術特徵，其等均可對應於系爭專利請求項2及3所進一步界定的技術特徵。因此，被證40、被證41及被證7之組合亦足以證明系爭專利請求項2及3不具進步性。
⑶有關系爭專利請求項8：
系爭專利請求項8是系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項8進一步界定層（4）的材料為TiOx及TiNxOy。在此，系爭專利請求項4至6非屬上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分應不予論述。而有關依附請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，具有TiOx黏著層之層系統如系爭專利請求項1之爭點的相關論述，其實質上為基於被證40、被證41及被證7等先前技術而能輕易完成的。因此，被證40、被證41及被證7之組合亦足以證明系爭專利請求項8不具進步性。
⑷有關系爭專利請求項9：
系爭專利請求項9係為系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項9進一步界定層（5a）的材料為選自非鐵磁鎳合金，特別是NiV、優質鋼及銅。在本件有關系爭專利請求項4至6非屬上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分應不予論述。而有關依附請求項1至3的部分，如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，關於層（5a）材料的技術特徵，被證40-5及被證7均已揭示該層系統中（與層《5a》相對應者）係使用Cu層。因此，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項9不具進步性。
⑸有關系爭專利請求項10及11：
系爭專利請求項10係為系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項11則為請求項10之附屬項。系爭專利請求項10及11分別進一步界定反射層（6）的材料為選自純度至少為99.9%之銀等金屬。在本件有關系爭專利請求項4至6係非上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分應不予論述。有關依附請求項1至
3的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證41已揭示該層系統中（與層《6》相對應者）係使用99.99%的銀。職是，被證40、被證41及被證
7之組合亦足以證明系爭專利請求項10及11不具進步性。⑹有關系爭專利請求項12：
系爭專利請求項12為系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項12進一步界定層（7）的材料為由亞化學計量之氧化鉻或氧化鈦構成。在本件有關系爭專利請求項4至6非屬上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分則不予論述。有關依附請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證40-5已揭示該層系統係使用CrOx。
因此，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項12不具進步性。
⑺有關系爭專利請求項13及14：
系爭專利請求項13係為系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項14則為請求項13之附屬項。系爭專利請求項13及14分別進一步界定LI層（9）的折射率n為
1.3至1.8，且材料可為SiOx等的金屬氧化物等。在本件系爭專利請求項4至6非屬上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分則不予論述。有關依附請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證40-5已揭示該層系統係使用SiO2，而被證40-5雖未揭示SiO2的折射率，惟SiO2的折射率會落於n為1.3至1.8係屬其固有性質。職是，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項13及14不具進步性。
⑻有關系爭專利請求項15及16：
系爭專利請求項15係為系爭專利請求項1至6中任一項之附屬項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至6中任一項的所有技術，而系爭專利請求項16則為請求項15之附屬項。系爭專利請求項15及16分別進一步界定HI層（10）的折射率n為
1.8至3.2，且材料可為TiOx等的金屬氧化物等。在本件系爭專專利請求項4至6並非上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附請求項4至6的部分應不予論述。有關依附請求項1至3的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證40-5已揭示該層系統係使用TiO2，而被證40-5雖未揭示TiO2的折射率，惟TiO2的折射率會落於n為1.8至3.2係屬其固有性質。因此，被證40、被證41及被證7之組合足以證明系爭專利請求項15及16不具進步性。
⑼有關系爭專利請求項30：
系爭專利請求項30引用記載系爭專利請求項1至29中任一項之獨立項，於解釋上應包含系爭專利請求項1至29中任一項的所有技術，而系爭專利請求項30界定該層系統可應用表面反射器等用途。在本件系爭專利請求項4至7、17至29非屬上訴人所主張受系爭產品侵害之權利範圍，故依附該等請求項的部分應不予論述。有關依附請求項1至3、8至16的部分，則如上所述，已為被證40、被證41及被證7之組合所教示。此外，被證41已揭示該層系統可應用於LED反射器，其係可對應於系爭專利請求項30所界定之表面反射器。職是，被證40、被證41及被證7之組合亦足以證明系爭專利請求項30不具進步性。
⑽承上，被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至
3、8至16、30不具進步性。⒌綜上，雖然被證40及41之組合，或是被證40、41及9之組合
不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性；但被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性。
本院於109年3月2日準備程序宣示本件關於專利有效性及
被上訴人先使用抗辯部分，準備程序終結，會定期行言詞辯論（之後定同年4月23日行言詞辯論）後作中間判決，如專利為無效或被上訴人有先使用情形，則本院會作終局判決等語（見本院卷三第27頁），因本件系爭專利無效，故本院遂作終局判決，附此敘明。
八、綜上所述，系爭產品於系爭專利優先權日前並未開始製造系爭產品或已完成必要之準備工作，因此，不適用專利法第59條第1項第3款之規定。又系爭專利說明書雖未違反專利法第26條第1項之規定，且被證8、被證8及9之組合、被證
8及10之組合、被證12、或被證12及被證9之組合不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16、30不具進步性；被證8及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及9及系爭專利自承先前技術之組合、被證8及10及系爭專利自承先前技術之組合、被證12及系爭專利自承先前技術之組合、或被證12及
9及系爭專利自承先前技術之組合均不足以證明系爭專利請求項2至3、8至16、30不具進步性；被證40及41之組合，或是被證40、41及9之組合皆不足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性，但被證40、41及7之組合足以證明系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性，而有應撤銷之原因。準此，因系爭專利請求項1至3、8至16及30不具進步性，而有應撤銷之原因，依智慧財產案件審理法第16條第2項「前項情形，法院認有撤銷、廢止之原因時，智慧財產權人於該民事訴訟中不得對於他造主張權利」之規定，上訴人於本件民事訴訟自不得對被上訴人及追加之訴被告鄭憲松主張系爭專利之權利。職是，上訴人主張系爭產品侵害系爭專利，依前揭規定提起本件訴訟，訴請判命如原審訴之聲明所示，即無理由，應予駁回。又上訴人之訴既經駁回，其假執行之聲請即失其依據，應併予駁回。原審為上訴人敗訴之判決，及駁回其假執行之聲請，並無不合。上訴意旨指摘原判決不當，求予廢棄改判，為無理由，應予駁回。
九、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊防禦方法，於本件判決結果不生影響，爰不予一一論述，附此敘明。
十、據上論結，本件上訴為無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第449條第1項、第78條，判決如主文。
中華民國109年5月21日
智慧財產法院第二庭
審判長法官汪漢卿
法官林洲富法官曾啓謀以上正本係照原本作成。
如不服本判決，應於收受送達後20日內向本院提出上訴書狀，其未表明上訴理由者，應於提出上訴後20日內向本院補提理由書狀
(均須按他造當事人之人數附繕本)，上訴時應提出委任律師或具有律師資格之人之委任狀；委任有律師資格者，應另附具律師資格證書及釋明委任人與受任人有民事訴訟法第466條之1第1項但書或第2項(詳附註)所定關係之釋明文書影本。如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中華民國109年6月1日
書記官丘若瑤附註：
民事訴訟法第466條之1(第1項、第2項)對於第二審判決上訴，上訴人應委任律師為訴訟代理人。但上訴人或其法定代理人具有律師資格者，不在此限。
上訴人之配偶、三親等內之血親、二親等內之姻親，或上訴人為法人、中央或地方機關時，其所屬專任人員具有律師資格並經法院認為適當者，亦得為第三審訴訟代理人。