裁判字號：臺北高等行政法院95年訴字第692號判決
裁判日期：民國96年03月22日
裁判案由：發明專利舉發
臺北高等行政法院判決
95年度訴字第692號原告矽品精密工業股份有限公司代表人甲○○訴訟代理人丁○○
丙○○被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）住同上訴訟代理人戊○○
謝文元 被告參加人乙○○上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國94年12月28日經訴字第09406142160號訴願決定，提起行政訴訟。
本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實
一、事實概要：緣原告前於民國（下同）90年4月3日以「交叉堆疊式雙晶片封裝結構及製程」向被告申請發明專利，經該局編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭案），並於公告期滿後，發給發明第152674號專利證書。嗣參加人以其有違核准時專利法第20條第2項之規定，不符發明專利要件，對之提起舉發，並提出舉發附件1為系爭專利說明書；舉發附件2為90年3月21日審定公告之第00000000號「複晶片單元及製造方法」發明專利案（下稱引證1）；舉發附件3為89年9月5日公告之美國第0000000號「SEMICONDUCTORPACKAGEHAVINGLEAEFRAMEWITHANEXPOSEDBASEPAD」專利案（下稱引證2）及部分中譯本；舉發附件4為88年2月23日公告之美國第0000000號「ANGULARLYOFFSETSTACKE
DDIEMULTICHIPDEVICEANDMETHODOFMANUFACTORE」專利案（下稱引證3）及部分中譯本；舉發附件5為90年2月20日公告之美國第0000000B1號「SEMICONDUCTORPACKAG
EHAVINGASEPARATEDDIEPAD」專利案（下稱引證4）及部分中譯本；舉發附件6為系爭專利與引證1、2之比較圖為證。原告復於91年9月20日提出系爭專利申請專利範圍更正本，案經被告審查准予更正，並於94年7月25日以（94）智專三（二）04099字第09420676640號專利舉發審定書為「舉發成立，應撤銷專利權」之處分。原告不服，提起訴願，遭決定駁回，遂提起本件行政訴訟。本院因認本件訴訟之結果，參加人之權利或法律上利益將受損害，乃依行政訴訟法第42條第1項、第3項規定，依職權裁定命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉命被告重為舉發不成立之處分。
㈡被告聲明：駁回原告之訴。
三、兩造之爭點：㈠原告主張之理由：
⒈經查被告所為舉發成立及訴願決定機關所為訴願不成立之
理由明顯違誤，而漠視舉發證據之結合困難度與系爭案技術特徵存在極大差異之事實：
⑴引證1與引證2所揭示者，係屬不同的半導體封裝類型，
其所使用之晶片載體亦不相同，引證1為基板，引證2為導線架，其彼此間技術內容的本質並非可相切合者，故其應非屬可相組合之技術。
⑵再者，基於球柵陣列式（BGA）封裝件之基本特性，凡
相關領域之技術者均了解，在BGA型式之封裝件中不可能使用導線架作為晶片承載件，故在此一情況下不宜將基板與導線架同一而論。
⑶此外，就系爭專利而言，由於基板與導線架之材質、結
構等差異，系爭專利之特徵「第一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部間之高度差」、「該第一與第二半導體晶片分別置於該下方置晶部與該上方置晶部，而不需透過黏膠層黏貼成一體」及所達之功效「使晶片具有更佳之散熱效能」、以及「解決晶片的脫層問題」必須係以「使用導線架作為晶片承載件」為前提方能達成。因此，被告及訴願決定機關並未釐清系爭案之目的與功效係僅限於使用導線架之封裝結構，而以使用基板作為承載件之不同次領域引證證據，指稱系爭專利不具進步性，實有欠客觀公允。
⒉引證證據間所揭示之內容，係屬不同類型之半導體封裝結構，其技術內容的本質顯然係無法相切合而加以組合者：
⑴引證1「複晶片單元及製造方法」所揭示者，其封裝單
元內係將第一晶片與第二晶片疊接於基板上，屬於多晶片模組。引證2「使用導線架之半導體封裝件」所揭示者，係針對使用「導線架」作為晶片載體之單一晶片構裝結構，利用在該導線架之晶片座上形成開孔，藉以改善晶片與晶片座間黏接處之脫層問題，並藉由使該導線架底部外露於封裝膠體，使該半導體封裝件能在不使用散熱片的條件下提高整體散熱效率，綜觀引證2說明書全文及相關圖示所揭示之內容，完全未提及如何在該半導體封裝件中設置第二個晶片。
⑵再就封裝的技術而言，根據所使用之晶片載體又可分為
①以「導線架」作為晶片載體之半導體封裝件；以及②使用「基板」作為晶片載體之半導體封裝件。
⑶在半導體封裝領域中所謂的「導線架」，係用以承載晶
片並與外部電路相連接之結構體，通常係以金屬合金片作為原料，利用機械衝壓的方式衝出成品或利用化學蝕刻的方式蝕刻出成品，再進行電鍍而形成者。由於導線架的設計主要是作為鑄模基地的骨架，同時也是整個封裝件的散熱途徑。因此，導線架的設計必須考量其整體形狀、間距、長度、寬度等配置，以及所使用之材料與結構對於散熱效能之影響。
⑷另一方面，「基板」雖亦係用於承載晶片並與外部電路
板電性連接。但其不論材料或結構均與導線架大不相同。就材料而言，可概分為環氧基板（FR-4基板）、BT基板、Aramid環氧基板、以及陶瓷蕊基板等，通常係以增層法或減層法形成。相較於導線架係以合金作為原料，基板所使用之材料對於散熱途徑與效能之影響即完全不同。再者，基板之結構係包括金屬線路層、電源層、接地層、以及鑽孔層等，其中每一金屬線路層均設有絕緣層以玆隔離，而基板最外層分別為上、下防銲綠漆層。故就「基板」而言，必然無法如同「導線架」利用機械衝壓的方式形成具有上、下置晶部之晶片座。
⑸因此，就晶片載體的部分而論，引證1所揭示之複晶片
單元係使用「基板」作為晶片載體，而引證2所揭示者則係使用「導線架」作為晶片載體之半導體封裝件。如前述，不同類型之晶片載體的結構類型，根本無法相組合使用。是以，引證1與引證2所揭示者，就晶片載體的部分而言，係分別屬於不同類型之晶片載體，其本質上即為無法相切合之技術，對於熟習該項技術者而言，應視為非能輕易完成者。
⒊引證證據之內容顯然並無教示系爭專利之技術概念的可能性，以此指稱系爭專利不具進步性，顯然有誤：
⑴按被告93年7月1日所頒行之專利審查基準有關判斷進步
性步驟中已載明：「確定相關先前技術時，應考量下列事項．．．（b）申請專利之發明與先前技術在所欲解決之問題的關聯性；（c）申請專利之發明與先前技術在功能或特性上的關聯性」；由此可知，按被告所頒行之專利審查基準，目的與功效均係屬於判斷進步性之重要依據。
⑵根據系爭案之說明書第2頁第9至15行明敘有：「本發明
之另一目的在於提供一種新的雙晶片封裝技術，其可將晶片安置於晶片座上，使得晶片具有更佳之散熱效能。本發明之又一目的．．．，其中之雙晶片結構中的二個晶片可不必藉由黏膠層而黏貼成一體，藉以解決晶片的脫層問題，使得完成之封裝單元具有更佳之品質性及可靠度」；亦即，系爭案之半導體封裝結構中，其用以承載晶片之導線架之晶片座具有上方置晶部與下方置晶部，具有一較晶片厚度為大之高度差，可將該封裝結構中之第一與第二半導體晶片分別獨立地黏貼於下方置晶部與上方置晶部，使①第一及第二半導體晶片所產生之熱均可藉由其所黏貼之晶片座置晶部而逸散至外部，以增加該半導體封裝結構之散熱效能，以及②第一與第二半導體晶片不需藉由黏膠層而黏合成一體，以解決脫層的問題。
⑶相對地，依引證1之說明書第6頁第15行至第7頁第5
行所述，引證1之主要目的係：①在基板上設二墊條以緩衝晶片或電子元件打線時所承受之力；以及②在基板上設一坑穴供晶片或電子元件置入，當另一晶片或電子元件堆疊於該晶片或電子元件時，使該複晶片單元之高度降低。但其中並未提及如何解決晶片脫層之問題。且引證1申請專利範圍第1項與第4項更載明：「．．．
該第二晶片以一膠層黏貼於該第一墊條及第一晶片之上表面」。換言之，引證1所揭示之創作內容係主張將該第二晶片係直接黏貼於該第一晶片之上表面，顯然與系爭專利之技術特徵概念相違背。
⑷引證2主要係在半導體封裝件中形成一底部座，使該底
部座之底面暴露於封裝體外，以增加該半導體封裝件之散熱效果，而無涉於晶片之疊置及複數晶片間脫層問題之解決。又比較引證2之第1及3圖以及系爭案之第4A圖及5A圖可知：
①系爭案之上方置晶部12a與下方置晶部12b係相連為一
凹槽狀，使該第一半導體晶片20可收納於其中，而引證2之半導體封裝件中，該晶片座43與底座部45間並未形成相連凹槽以收納半導體晶片。
②引證2之半導體封裝件中，該晶片座43係呈一方形位
於該底座部45之上方的四周，而系爭案之半導體封裝結構中，該上方置晶部12a僅設於該下方置晶部12b上方之相對兩側，而非如引證2之晶片座43係呈一方形設置於該底座45之上方的四周，故引證2之晶片座43與系爭案之上方置晶部12a之結構型態並不相同。
③由於引證2之半導體封裝件中，該晶片座43之結構型
態不同於系爭案之半導體封裝結構中的上方置晶部12
a，因此，欲將2個半導體晶片分別置於引證2之半導體封裝件中的晶片座43及底座部45時，置於該底座部45之半導體晶片必然會受到位於該底座部45上方四周之晶片座43的阻礙，而無法順利進行打線程序使該置於底座部45之半導體晶片電性連接至導腳之內導腳部分。
④因此引證2中用以承載晶片之導線架結構，相較於系爭案之封裝結構中所使用之導線架係：
結構型態不同：引證2之半導體封裝件中，該晶片
座43係位於其底座45上方之四周，而系爭案之封裝結構中，該上方置晶部12a係位於其下方置晶部12b上方周邊之兩側邊上。
功效與目的不同：引證2之半導體封裝件中，該晶
片座43係位於該底座部45上方之四周，故將晶片置於底座部45時會受到晶片座43之阻礙而無法順利進行打線。
⑤是以，引證2之底座部45僅係用以增加該半導體封裝件之散熱效果，並無法用以承載晶片。
⑸引證3係揭示一種多晶片之堆疊方法，使該等半導體晶
片均可於打線製程前黏置於基板上，其上層晶片係藉由黏膠層直接黏貼於該下層晶片上，顯與散熱效能之增進及脫層問題之解決無關，且上、下層晶片間之結合面仍存有脫層之問題。
⑹引證4主要係揭示一種具有分離式晶片座之半導體封裝
件，亦無關具有疊置晶片且能增進散熱效能並無脫層之虞的解決之道。
⑺綜上所述，該等證據均未提及「使雙晶片封裝結構中的
第一與第二半導體晶片均直接黏貼於置晶部，以增加散熱效果並解決晶片脫層的問題」。因此，對於熟習該項技術者而言，引證證據之內容顯然並無教示系爭專利「將晶片直接置於金屬導線架置晶部，由於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差大於晶片厚度，使該上、下層晶片不須藉由膠黏層而黏貼成一體，進而避免晶片脫層的問題，同時具有較佳之散熱效能」之技術概念的可能性，以此指稱系爭專利不具進步性，顯然有誤。
⒋又於引證1及引證3所揭示者係使上層晶片直接黏貼於該下
層晶片之表面，如此，不但無益於解決晶片脫層的問題，反而使上層晶片與下層晶片發生脫層的情形更為嚴重。而相對系爭案之主要目的之一即在於解決如同引證1及引證
3之習知技術中二晶片藉由黏膠層而黏貼成一體時，易使晶片產生脫層現象之問題。因此，就此點而言，系爭案確較引證證據具功效增進之處。此外，引證1（第9圖）之半導體結構為使第一晶片置入基板中，須在基板上形成坑穴，如此不僅造成基板線路佈設受阻而影響電路設計，同時亦增加製程複雜度，再者面對不同尺寸需求之第一晶片大小，即需重新變更該坑穴之大小及深度，同時亦需重新設計線路佈局，實不具可實施利用性；相對地，系爭案之半導體結構中用以承載晶片之導線架，僅係利用機械衝壓方式即可形成具高度差之晶片座，而不致影響導線架之導腳設計，且可因應實際不同晶片尺寸需求而靈活地變更晶片座之上方置晶部及下方置晶部之尺寸大小與高度差。是以，就此點而言，再次說明系爭案確較引證證據具進步性。
⒌綜上所陳，被告及訴願決定機關所為認事用法顯有違誤之處，請求判決如原告訴之聲明，以維權益。
㈡被告主張之理由：
⒈原告起訴理由1至3主要謂引證1與2係屬不同半導體封裝類
型（其中引證1為基板多晶片封裝，引證2為單一晶片封裝），因此引證1與2之技術內容的本質係無法相切合而加以組合；又稱引證1與2之晶片載體係屬不同半導體封裝類型（其中引證1為基板，引證2為導線架）且導線架係利用「機械衝壓」或「化學蝕刻」方式衝出或蝕到出成品與基板通常係以增層法或減層法形成，二者不論材料或結構均不同，因此熟悉技術者而言，應視為非輕易完成云云：
⑴查原告起訴理由書第5頁第6行業已自承：「首先，在半
導體封裝領域中，根據所使用晶片載體又分為①以導線架作為晶片載體之半導體封裝件；以及②使用基板作為晶片載體之半導體封裝件‧‧‧」，因此「導線架」或「基板」均作為「晶片載體」，並無起訴理由所稱本質上無法相切合之情況，⑵復原處分理由㈤第5頁第6行至14行間係針對系爭專利之
「導線架10、下方置晶部12b、第一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差以及上方置晶部與該下方置晶部間之高度差、上方置晶部等構成」已揭示於引證1；同段第14行至17行間係以「其次系爭專利之複數支導腳14‧‧‧」指出系爭專利已揭示於引證2之部分，換言之即引證1與系爭專利之差異（即引證1未揭示之部分）係已揭示於引證2中，因此原處分並未違反「組合二件或二件以上之文獻內容後，與申請專利發明之必要的技術內容，在本質上無法相切合時，則此等文獻之組合，通常視為非能輕易完成。」。
⒉原告起訴理由4至5主要謂引證證據之內容並無教示系爭專
利之技術概念，以此指稱系爭專利不具進步性，顯然有誤，稱引證1、2、3、4並未提及如何解決晶片脫層之問題，況且引證2之結構形態均與系爭專利不同，亦即該等引證均未提及「增加散熱效果並解決晶片脫層的問題」，因此就此點而言，系爭專利確較引證證據具功效增進云云：
⑴查原處分理由㈤至，業已針對系爭專利不具進步性逐項述明。
⑵再查原處分理由㈤第5頁第6行至14行：「‧‧‧之導線
架10、下方置晶部12b、第一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差以及上方置晶部與該下方置晶部間之高度差、上方置晶部等構成已揭示於證據1之第8、9圖所示以及證據1說明書之第6頁倒數第6行與第12頁倒數第9行，其中基板500上設一坑穴501供第一晶片510置入，使晶片沉入基板而使晶片不凸出於基板，並將第一側膠層504及第二側膠層505置於坑穴之二側邊，而第二晶片520則疊置於第一晶片
510、第一側膠層504及第二側膠層505之上‧‧‧」甚明，二者功效相當，系爭專利所欲達成之目的與功效係熟悉該項技術者經由引證案輕易完成者。
⒊又原告主張系爭專利導線架之製程較引證1（第9圖）之基板製程具進步性乙節：
經查系爭專利說明書並未強調「導線架之機械衝壓製程」，以及起訴理由書亦稱「通常係金屬合金作為原料，利用機械衝壓」情況下，可得知導線架之機械衝壓製程為習知技術，顯然並非系爭專利重點，起訴理由將二者習知技術（導線架與基板之製程）相比較，顯已偏離系爭專利原主張之內容，故不足採。
理由
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，固得依系爭專利核准時專利法第19條暨第20條第1項之規定申請取得發明專利。惟其發明如係「運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時」，仍不得依法申請取得發明專利，復為同法第20條第2項所明定。
二、查本件係原告前於90年4月3日以「交叉堆疊式雙晶片封裝結構及製程」向被告申請發明專利，經該局編為第00000000號審查，准予專利，並於公告期滿後，發給發明第152674號專利證書。嗣參加人以其有違核准時專利法第20條第2項之規定，不符發明專利要件，對之提起舉發。原告復於91年9月20日提出系爭專利申請專利範圍更正本，案經被告審查准予更正，並於94年7月25日為舉發成立，應撤銷專利權之處分此有參加人之舉發附件：系爭專利說明書、90年3月21日審定公告之第00000000號「複晶片單元及製造方法」發明專利案、89年9月5日公告之美國第0000000號「SEMICONDUCTO
RPACKAGEHAVINGLEAEFRAMEWITHANEXPOSEDBASEPAD」專利案及部分中譯本、88年2月23日公告之美國第0000000號「ANGULARLYOFFSETSTACKEDDIEMULTICHIPDEVICE
ANDMETHODOFMANUFACTORE」專利案及部分中譯本、90年
2月20日公告之美國第0000000B1號「SEMICONDUCTORPACK
AGEHAVINGASEPARATEDDIEPAD」專利案及部分中譯本、系爭專利與引證1、2之比較圖，以及系爭專利證書、系爭專利申請專利範圍更正本、專利舉發審定書附於原處分卷可稽。原告不服，循序提起行政訴訟，主張：謂引證1為基板多晶片封裝，引證2則為單一晶片封裝，係屬不同半導體封裝類型，引證1、2之技術內容的本質係無法相切合而加以組合；又引證1之晶片載體為基板，引證2則為導線架，係屬不同半導體封裝類型，且導線架係利用「機械衝壓」或「化學蝕刻」方式衝出或蝕到出成品，與基板通常係以增層法或減層法形成，二者不論材料或結構均不同，因此熟悉技術者而言，應視為非輕易完成；引證證據之內容並無教示系爭專利之技術概念，以此指稱系爭專利不具進步性，顯然有誤；引證1、2、3、4並未提及如何解決晶片脫層之問題，況引證2之結構形態均與系爭專利不同，亦即該等引證均未提及「增加散熱效果並解決晶片脫層的問題」，就此而言，系爭專利確較引證證據具功效增進；另系爭專利導線架之製程亦較引證1（第9圖）之基板製程具進步性云云。
三、本件被告係以：⑴系爭專利申請專利範圍第1項之導線架、下方置晶部、第
一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差，以及上方置晶部與該下方置晶部間之高度差、上方置晶部等構成，已揭示於引證1之第8、9圖、引證1說明書之第6頁倒數第6行與第12頁倒數第9行之基板上設一坑穴供第一晶片置入，使晶片沉入基板而使晶片不凸出於基板，並將第一側膠層及第二側膠層置於坑穴之二側邊，而第二晶片則疊置於第一晶片、第一側膠層及第二側膠層之上者。而系爭專利之複數支導腳，其係配置於該晶片座之旁側，已揭示於引證2圖式中元件符號41中；系爭專利之「使得該第二半導體晶片與該第一半導體晶片形成一交叉堆疊式雙晶片架構」者，已揭示於引證1第14頁11行或引證3之圖式1至3中；系爭專利之「複數條銲線，用以將該第一半導體晶片及該第二半導體晶片上的輸出入銲墊分別電性連接至相對應之相對應之導腳」則已揭示於引證1第12頁第22行至第13頁第1行中，因此系爭專利申請專利範圍第1項不具進步性。
⑵系爭專利申請專利範圍第2、3項之「其中該晶片座的下
方置晶部係進而形成有至少一開口或至少一槽孔，用以防止該第一半導體晶片產生脫層現象」者，已揭示於引證4第1欄52行至53行、57行至58行、第2欄12行至13行以及圖3A、圖4A中，其所產生之功效與引證4相當，因此系爭專利申請專利範圍第2、3項為熟習該項技術者參酌引證
1至4可輕易完成。⑶系爭專利申請專利範圍第4、5項之「其中該第一半導體
晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，已揭示於引證1圖9之第一側膠層、第二側膠層與第一膠層或引證2第3欄49行至50行中，所產生之功效與引證1、2相當，因此系爭專利申請專利範圍第4、5項為熟習該項技術者參酌引證1至3可輕易完成。
⑷另系爭專利申請專利範圍第6項之銲線為金線，此銲線材料係習知技術。
⑸系爭專利申請專利範圍第7項之步驟包括：預製一導線架
、進行一第一置晶程序、進行第一銲線程序、進行一第二置晶程序，以及進行第二銲線程序；其中，預製一導線架、進行一第一置晶程序及進行一第二置晶程序者，可經由引證1之第8、9圖及說明書之相關說明「基板500上設一坑穴501供第一晶片510置入，使晶片沉入基板而使晶片不凸出於基板，並將第一側膠層504及第二側膠層505置於坑穴之二側邊，而第二晶片520則疊置於第一晶片51
0、第一側膠層504及第二側膠層505之上」者得知。且系爭專利預製一導線架中複數支導腳，其係配置於該晶片座之旁側者，已揭示於引證2圖式中元件符號41中；系爭專利進行一第二置晶程序之「使得該第二半導體晶片與該第一半導體晶片形成一交叉堆疊式雙晶片架構」者，已揭示於引證1第14頁11行中。系爭專利之進行第一銲線程序與進行第二銲線程序者，已揭示於引證1第12頁第22行至第13頁第1行中，因此系爭專利申請專利範圍第7項不具進步性。
⑹系爭專利申請專利範圍第8、9項之「其中該晶片座的下
方置晶部係進而形成有至少一開口或至少一槽孔，用以防止該第一半導體晶片產生脫層現象」者，已揭示於引證4第1欄52行至53行、57行至58行、第2欄12行至13行以及圖3A、圖4A中，所產生之功效與引證4相當，因此系爭專利申請專利範圍第8、9項為熟習該項技術者參酌引證1至4可輕易完成。
⑺系爭專利申請專利範圍第10、11項之「其中該第一半導體
晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，已揭示於引證1圖9第一側膠層、第二側膠層與第一膠層或引證2第3欄49行至50行中，所產生之功效與引證1、2相當，因此系爭專利申請專利範圍第10、11項為熟悉該項技術者參酌引證1至3可輕易完成。
⑻另系爭專利申請專利範圍第12項之銲線為金線，此銲線材料係習知技術。
⑼系爭專利申請專利範圍第13項與第7項差異在於「形成至
少一開口於該晶片座的下方置晶部上」者，然此已見於引證4之圖式第3A與4A，及相關說明第1欄52行至53行、57至58行、第2欄12行至13行，因此系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。
⑽系爭專利申請專利範圍第14、15項之「其中該第一半導體
晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，已揭示於引證1圖9第一側膠層、第二側膠層與第一膠層或引證2第3欄49行至50行中，因此系爭專利申請專利範圍第14、15項不具進步性。
⑾另系爭專利申請專利範圍第16項之銲線為金線，此銲線材料係習知技術。
⑿系爭專利申請專利範圍第17項揭示晶片座之下方置晶部上
的開口係為槽孔，此已見於引證4之圖式第3A與4A，及相關說明第1欄52行至53行、57行至58行、第2欄12行至13行，因此系爭專利申請專利範圍第17項不具進步性。
而認定系爭專利有違系爭專利核准時專利法第20條第2項之規定，乃為舉發成立，撤銷專利權之處分。
四、本院判斷：⒈經查，系爭專利申請專利範圍第1項之之半導體封裝結構
，係包含：（a）一導線架，其包括：（a1）一晶片座，其具有一位於周邊之上方置晶部和一位於中央之下方置晶部；（a2）複數支導腳，其係配置於該晶片座之旁側；（
b）一第一半導體晶片，其具有一電路面和一非電路面；其中電路面上形成有複數個輸出入銲墊；而非電路面則黏貼至該晶片座的下方置晶部；（c）一第二半導體晶片，其具有一電路面和一非電路面；其中電路面上形成有複數個輸出入銲墊；而非電路面則黏貼至該晶片座的上方置晶部，使得該第二半導體晶片與該第一半導體晶片形成一交叉堆疊式雙晶片架構；以及（d）複數條銲線，用以將該第一半導體晶片及該第二半導體晶片上的輸出入銲墊分別電性連接至相對應之導腳者。然引證1已揭露於基板上設一坑穴供第一晶片置入，使晶片沉入基板而使晶片不凸出於基板，並將第一側膠層及第二側膠層置於坑穴之二側邊，而第二晶片則疊置於第一晶片、第一側膠層及第二側膠層之上之技術手段；而引證2之圖式元件符號41亦已揭露類似系爭專利之複數支導腳結構；引證3圖式1至3則揭露如系爭專利之「使得該第二半導體晶片與該第一半導體晶片形成一交叉堆疊式雙晶片架構」者；引證1另已揭示如系爭專利之「複數條銲線，用以將該第一半導體晶片及該第二半導體晶片上的輸出入銲墊分別電性連接至相對應之相對應之導腳」等結構，故系爭專利申請專利範圍第1項應為運用申請前既有引證1至4之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者，不具進步性。又其附屬項第2、3項之「其中該晶片座的下方置晶部係進而形成有至少一開口或至少一槽孔，用以防止該第一半導體晶片產生脫層現象」者，已為引證4所揭露；第4、5項之「其中該第一半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，為引證
1第9圖或引證2所揭示；第6項之銲線材料為習知技術，故系爭專利申請專利範圍第2至6項亦應不具進步性。
再者，系爭專利申請專利範圍第7項之預製一導線架、進行一第一置晶程序、進行第一銲線程序、進行一第二置晶程序以及進行第二銲線程序等步驟，已為引證1第8、9圖及引證2之圖式元件符號41所揭示，熟習該項技術者當可運用引證1、2既有技術或知識，輕易完成系爭專利申請專利範圍第7項，故不具進步性。而其附屬項第8、9項之「其中該晶片座的下方置晶部係進而形成有至少一開口或至少一槽孔，用以防止該第一半導體晶片產生脫層現象」者，已揭示於引證4；第10、11項之「其中該第一半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，已揭示於引證1第9圖或引證2；系爭專利申請專利範圍第12項之銲線材料為習知技術，故系爭專利申請專利範圍第8至12項亦不具進步性。
⒉又查，系爭專利申請專利範圍第13項與第7項差異僅在於
「形成至少一開口於該晶片座的下方置晶部上」者，然此已見於引證4，故系爭專利申請專利範圍第13項不具進步性。又其附屬項第14、15項之「其中該第一半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的下方置晶部」與「其中該第二半導體晶片的非電路面係藉由銀膠而黏貼至該晶片座的上方置晶部」者，已揭示於引證1圖9或引證
2，故不具進步性；第16項之銲線材料係習知技術；第17項之晶片座下方置晶部上的開口係為槽孔，亦已揭露於引證4，故系爭專利申請專利範圍第14至17項亦為運用申請前既有技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成，應不具進步性。
⒊再查，引證1至4所揭示之技術手段均屬半導體封裝領域，應無本質上無法相切合之情形。原告於起訴狀亦自承：
「首先，在半導體封裝領域中，根據所使用晶片載體又分為①以導線架作為晶片載體之半導體封裝件；以及②使用基板作為晶片載體之半導體封裝件‧‧‧」，因此「導線架」或「基板」均作為「晶片載體」，自無本質上無法相切合之情況。再者，系爭專利範圍第1項有關「導線架10、下方置晶部12b、第一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差以及上方置晶部與該下方置晶部間之高度差、上方置晶部等構成」，已揭示於引證1；另關於「複數支導腳14，其係配置於該晶所座12之旁側」部分，亦已揭示於引證2圖式中元件符號41中。則引證
1與系爭專利之差異（即引證1未揭示之部分），已揭示於引證2中，因此原處分並未違反「組合二件或二件以上之文獻內容後，與申請專利發明之必要的技術內容，在本質上無法相切合時，則此等文獻之組合，通常視為非能輕易完成」。
⒋復查，引證1說明書之第12頁倒數第9行，已揭示「其中
基板500上設一坑穴501供第一晶片510置入，使晶片沉入基板而使晶片不凸出於基板，並將第一側膠層504及第二側膠層505置於坑穴之二側邊，而第二晶片520則疊置於第一晶片510、第一側膠層504及第二側膠層505之上‧‧‧」，此與系爭專利範圍第1項有關「導線架10、下方置晶部12b、第一半導體晶片之厚度小於該上方置晶部與該下方置晶部之高度差以及上方置晶部與該下方置晶部間之高度差、上方置晶部等構成」之功效相當，系爭專利所欲達成之目的與功效，自屬熟悉該項技術者經由引證案輕易完成。原告主張引證案均未提及「增加散熱效果並解決晶片脫層的問題」，系爭專利確較引證證據具功效增進云云，自不可採。
⒌末查，關於原告主張系爭專利導線架之製程較引證1（第
9圖）之基板製程具進步性一節。查系爭專利說明書並未強調「導線架之機械衝壓製程」，且其起訴狀中自承「通常係金屬合金作為原料，利用機械衝壓」等語，可得知導線架之機械衝壓製程為一種習知技術。關於導線架與基板之製程既屬習知技術，自難以其間之差異，為有利於原告之認定。
五、綜上所述，本件被告所為舉發成立，應撤銷專利權之處分，並無不合。訴願決定予以維持，亦無不當。原告訴請撤銷原處分與訴願決定並請求被告重為舉發不成立之處分，為無理由，應予駁回。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第98條第3項前段，判決如主文。
中華民國96年3月22日
第四庭審判長法官侯東昇
法官陳秀媖法官李玉卿上為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國96年3月22日
書記官楊怡芳