智慧財產法院105年度民專訴字第66號民事判決

裁判字號：智慧財產法院105年民專訴字第66號民事判決

裁判日期：民國107年06月13日

裁判案由：侵害專利權有關財產權爭議等

智慧財產法院民事判決
105年度民專訴字第66號原告美商卡博特微電子公司（CabotMicroelectronics
Corporation）法定代理人H.CarolBernstein訴訟代理人 張哲倫 律師複代理人 呂書瑋 律師
李孟儒 戴雅彣 律師 陳婷 律師訴訟代理人 莊郁沁 律師
王淑靜 被告韓商東進公司（DongjinSemichemCo.,Ltd.）兼法定代理人 李富燮 （BooSupLee）共同訴訟代理人 林怡芳 律師
蘇佑倫 律師 童啟哲 李貞儀 律師上一人複代理人 施雅薰 律師被告台灣東進化成股份有限公司兼法定代理人李富燮（BooSupLee）被告坤泰先進國際股份有限公司法定代理人 許宏基 被告 洪淑菁 共同訴訟代理人林怡芳律師
蘇佑倫律師李貞儀律師上一人複代理人施雅薰律師上列當事人間侵害專利權有關財產權爭議等事件，本院於107年
5月4日言詞辯論終結，判決如下：
主文原告之訴及假執行之聲請均駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、程序事項：
一、按「民事事件涉及外國人或外國地者，為涉外民事事件，內國法院應先確定有國際管轄權，始得受理，次依內國法之規定或概念，就爭執之法律關係予以定性後，決定應適用之法律（即準據法），而涉外民事法律適用法並無明文規定國際管轄權，應類推適用民事訴訟法之規定。」（最高法院98年度台上字第2259號判決要旨參照）。查本件原告美商卡博特微電子公司（下稱Cabot公司）及被告韓商東進公司係外國法人，具涉外因素，為涉外事件；而原告主張被告於我國境內侵害其專利權，應負損害賠償責任，乃屬專利侵權事件，是類推民事訴訟法第15條第1項「因侵權行為涉訟者，得由行為地之法院管轄。」之規定，應認原告主張之侵權行為地之我國法院有國際管轄權。另依專利法所保護之智慧財產權益所生第一、二審民事訴訟事件為本院管轄案件，智慧財產法院組織法第3條第1款、智慧財產案件審理法第7條、智慧財產案件審理細則第2條第1項第3款分別定有明文，本件專利侵權事件應屬本院管轄；且依涉外民事法律適用法第42條第1項「以智慧財產為標的之權利，依該權利應受保護地之法律。」之規定，本件專利侵權事件之準據法，為中華民國法律。
二、原告起訴時，被告坤泰先進國際股份有限公司（下稱坤泰公司）之法定代理人為洪淑菁，嗣於本院審理期間變更為許宏基，並於民國107年2月13日具狀聲明承受訴訟（本院卷五第90、91頁），經核並無不合。
三、訴狀送達後，原告不得將原訴變更或追加他訴，但擴張或減縮應受判決事項之聲明者，不在此限；且原告於判決確定前，得撤回訴之全部或一部，但被告已為本案之言詞辯論者，應得其同意，為民事訴訟法第255條第1項第3款、第262條第1項所明定。本件原告起訴時第1、2項訴之聲明分別為：「被告等應連帶給付原告新臺幣（下同）500萬元暨自起訴狀膳本送達翌日起至清償日止，按年息百分之5計算之利息。」、「被告等不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣、使用或進口標以『DSW-2500』等型號之化學機械磨光淤漿產品（英文品名：Chemical-Mechani
calPlanarizationSlurry）及其他侵害中華民國第116769號發明專利『化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途』、中華民國第198297號發明專利『含有鎢蝕刻抑制劑之拋光組合物』及中華民國第162225號發明專利『拋光系統及其使用方法』之產品。」，嗣於107年3月27日具狀變更第1項聲明為「被告等應連帶給付原告5,000萬元暨自起訴狀膳本送達翌日起至清償日止，按年息5%計算之利息。」（本院卷五第
213頁），再於107年1月19日具狀撤回「中華民國第162225號發明專利『拋光系統及其使用方法』」之侵權主張（本院卷四第218頁），復於107年4月17日本院準備程序期日，當庭撤回第1項訴之聲明，且經被告同意在卷（見本院卷六第353頁），核原告上開所為乃屬訴之聲明之擴張、減縮，以及訴之一部撤回，參照首揭規定，並無不合，均應予准許。
貳、實體事項：
一、原告主張：
（一）原告為中華民國第116769號「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」發明專利（下稱系爭專利1）、中華民國第198297號「含有鎢蝕刻抑制劑之拋光組合物」發明專利（下稱系爭專利2）之專利權人，專利權期間分別自89年7月1日起至106年11月25日止、93年3月21日起至107年
7月27日止。被告韓商東進公司及台灣東進化成股份有限公司（下稱台灣東進公司）製造及供應，並由被告坤泰公司進口及經銷供他人使用的化學機械磨光淤漿產品（下稱系爭產品），侵害系爭專利，原告爰依專利法第96條第1項規定，請求排除侵害。
（二）系爭產品侵害系爭專利：
1.系爭專利1係關於一種包含鐵觸媒與安定劑之化學機械磨光先質組合物，系爭產品經試驗確認其中至少包含用作觸媒之鐵及用做安定劑之丙二酸等成分，故系爭產品至少直接侵害系爭專利1請求項第8、10、11、21、22、24，及28至31，34、35項，並間接侵害系爭專利1請求項第1、
4、9至11、15、21、22、24，及28至35項。
2.系爭專利2係關於一種化學機械拋光組合物，其包含一可蝕刻鎢的化合物與至少一鎢蝕刻抑制劑，其中該鎢蝕刻抑制劑包含一包含含氮雜環官能基之化合物，且該組合物之pH值低於9。而系爭產品經試驗確認其中至少包含苯并異噻唑啉酮（即一包含含氮雜環官能基之化合物），且具有
2.6之pH值，因四甲基氫氧化銨（TMAH）屬系爭專利2獨立請求項1中之鎢蝕刻抑制劑，其係包含具有三個以上碳原子之烷基銨離子之官能基的化合物；且因三乙醇胺（TE
A）屬鎢蝕刻抑制劑，其係包含具有三個以上碳原子之烷基銨離子之官能基的化合物，以及因系爭專利2獨立請求項1中之鎢蝕刻抑制劑包含含硫胺基酸以外之胺基酸，故系爭產品至少間接侵害系爭專利2請求項第1、6、11至
13、17至24、27、28、30，及32至34項。
3.根據財團法人工業技術研究院（下稱工研院）所為之檢測報告，可證系爭產品直接侵害系爭專利1範圍第8、10、
11、21、22、24、28至31、34及35項，並間接侵害系爭專利1範圍第1、4、9至11、15、21、22、24、28至31、34及35項，亦間接侵害系爭專利2範圍第1、6、9、11至13、17至24、27、28、30及32至34項。
4.依市場商情，被告韓商東進公司所產製之系爭產品侵害原告所有之系爭專利，該公司於韓國生產製造系爭產品，由經銷商如坤泰公司協助進口我國後，供應台灣半導體廠商使用。此外，根據台灣「SEMICONTaiwan2015國際半導體展」之官方網頁，亦可證明韓商東進公司為化學機械磨光組合物之製造商，原告曾於105年4月8日發函要求韓商東進公司停止侵害原告專利權行為，但其僅覆函否認侵權行為；原告相信韓商東進公司仍持續從事侵害原告專利權之行為。
（三）系爭專利1具有效性：第三人等及被告曾就系爭專利1向經濟部智慧財產局分別提起三次舉發程序，然該等舉發案件皆遭受「舉發不成立」之處分決定，且該專利之有效性於行政訴訟中更經鈞院
104年度行專訴第33號及最高行政法院106年判字第130號判決予以肯認。被告不服前述「舉發不成立」之審定處分且向經濟部提起訴願，經濟部已於106年10月25日以經訴字第10606311740號訴願決定書作成「訴願駁回」之決定。又系爭專利1未違反核准時專利法第71條第3款：
1.系爭專利1說明書第20頁記載「根據實施例1之方法製備五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及/或一種過氧化氫氧化劑對於CMP淤漿之鎢磨光速率影響。各種淤漿包括5重量%之煙霧狀氧化矽。各種淤漿中之過氧化氫與硝酸鐵濃度如表1所示」，且第21頁記載「根據實施例1之方法製備與試驗五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及/或一種單過硫酸鹽氧化劑對於CMP淤漿之鎢磨光速率影響…每種淤漿包括5.0重量%之煙霧狀氧化矽。該淤漿中之硝酸鐵與單過硫酸鹽之濃度如下表2所示」。由此可知，表1或表2所示之各種淤漿均含有相同比例之煙霧狀氧化矽，其係用作如被告所指之磨料。換言之，該等試驗皆具有相同的磨料種類及含量。因此，該磨料屬該等試驗中之控制變因，故該等試驗結果所顯示出來的差異應非磨料或其含量所致。
2.細繹系爭專利1說明書表1及表2所示數據可知，硝酸鐵觸媒與氧化劑之間確實能產生強烈的協合效果。所謂協合效果係指二種以上試劑的相互作用產生了較該等試劑個別效果之總和更大的組合效果。如表1所示，淤漿2及3的添加劑（即單獨使用過氧化氫氧化劑或硝酸鐵觸媒）效果總和僅為676埃/分鐘（即291與385埃/分鐘之總和）之鎢磨光速率。然，將該等添加劑併用（即淤漿5）卻能產生6214埃/分鐘之磨光速率，相當於將鎢磨光速率提高了一個級數。又如表2所示，淤漿2及3的添加劑（即單獨使用Oxone氧化劑或硝酸鐵觸媒）效果總和僅為555埃/分鐘（即291與264埃/分鐘之總和）之鎢磨光速率，然，併用該等添加劑之淤漿5卻能產生3396埃/分鐘之磨光速率。
3.由上可知，該協合效果之成因顯然為「硝酸鐵觸媒及氧化劑之組合效果」，而與「硝酸鐵及氧化矽之間」或「氧化劑與氧化矽之間」之效果較無關連。由於氧化劑及觸媒併用之效果顯然遠大於彼等個別使用效果之總和，即屬協合效果，故系爭專利1說明書業已證明該協合效果係發生於觸媒及氧化劑間。縱在過氧化氫氧化劑及硝酸鐵之併用下，磨料的種類及含量會影響化學機械研磨之速率；惟表3之淤漿7及淤漿8並非因選用氧化矽磨料而展現出較高的鎢磨光速率，而是表9之淤漿1中的硝酸鐵觸媒無法發揮與氧化劑之間的協合功效，進而顯現出較低的鎢磨光速率。系爭專利1說明書並無未載明觸媒與氧化劑產生協合效果之實施必要之事項。
（四）被證1、2、3之組合無法證明系爭專利1請求項1、4、8至11、15、21、22、24，及28至31、34、35，不具進步性：
1.系爭專利1請求項1係關於一種化學機械磨光組合物，其包含至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。固然被證1揭示較佳的氧化成分包含硝酸鐵、過氧化物及其混合物，但並未明確記載可併用2種以上之氧化組分，更未針對氧化劑之組合進一步的探討。而被證1實施例所例示之淤漿均以5%硝酸鐵作為單一氧化劑，並未使用多種氧化劑之組合；且由於說明書及其記載之相關實施例均係討論如何藉由選擇特定表面積與粒徑之細金屬氧化物粒子，以達成提高拋光品質及選擇率之功效，因此，通常知識者難有任何動機去採用特定氧化成分之組合。縱將被證1所揭示之較佳氧化成分進行組合，由於該組合包括無數的組合情形，實難以如被告所稱可輕易達成硝酸鹽及過氧化物之組成成分之組合。
依被證1之揭示內容，通常知識者實無法預期前述協合功效。
2.被證2係有關於過氧化氫的教科書，被證3係有關於Fenton反應之期刊論文，所揭示內容皆與CMP技術無關，亦未教示或建議可於CMP中併用過氧化氫及鐵觸媒。縱使CMP技術領域中具通常知識者無意間觀得被證2或被證3之內容，亦無於CMP中併用過氧化氫及鐵觸媒之動機。此外，被證2及3皆教示例如鐵等離子具有多重氧化狀態的金屬會增加過氧化氫的分解速率，故不利地降低過氧化氫的穩定性，降低過氧化氫所可提供之效益。因此，CMP技術領域中具有通常知識者基於被證2、3之教導，為了保持過氧化氫之活性，不僅沒有將過氧化氫與鐵觸媒組合使用之動機，反而會避免於含有過氧化氫之CMP組合物中使用鐵觸媒。是以，被證2、3對於CMP領域中併用硝酸鐵及過氧化物實構成反向教示。
3.被證2、3教示鐵離子作為觸媒催化過氧化氫之分解，且被證3明確揭示其反應機制僅涉及鐵離子及過氧化氫，與系爭專利1中之鐵觸媒之目的係欲將電子自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑不同。由於被證1至3皆未同時揭露系爭專利1於「CMP操作」中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，被證2及3與CMP技術無關，且所揭示內容對於前述併用手段構成反向教示。因此，CMP所屬技術領域中具有通常知識者即使無意間同時觀得被證1至
3之內容，亦無法預期於CMP操作中併用過氧基氧化劑與鐵觸媒於磨光速率上可展現出顯著的協合功效，依被證1、2、3之揭示內容組合實無法輕易完成系爭專利1請求項1。
4.系爭專利1請求項8係關於一種化學機械磨光先質組合物，其包含鐵觸媒與安定劑之混合產物。由於被證1至3皆未同時揭露、教示或建議系爭專利1於「CMP操作」中使用「鐵觸媒」之技術手段，遑論是於CMP淤漿中添加鐵觸媒與安定劑。此外，所謂化學機械磨光先質組合物係指包括除了氧化劑以外之CMP淤漿，以利製備、包裝及運送，而在使用前才與過氧化氫或任何其他氧化劑併用，因此，該先質組合物仍會與氧化劑併用，以於磨光中顯著提高磨光速率。同前所述，依被證1至3揭示內容實無法輕易完成系爭專利1請求項8之技術特徵，遑論預期鐵觸媒與氧化劑之併用可於CMP操作中產生協合功效。而系爭專利1請求項4、9至11、15、21、22、24，及28至31、34至35之內容均包含前述技術特徵，同前揭理由，依被證1至3揭示內容實無法輕易完成系爭專利1該等請求項之技術特徵。
（五）系爭專利2未違反核准時專利法第71條第1款及第3款：
1.系爭專利2請求項1中化學機械拋光組合物之「pH值低於
9」之限制條件，參其說明書第7頁末段「在另一個具體實例中，本發明是一種化學機械拋光組合物，其包含一種可蝕刻鎢的化合物和至少一種鎢蝕刻抑制劑，其中該鎢蝕刻抑制劑是一種胺基烷基化合物、一種在溶液pH低於約9.
0時可形成烷基銨離子的化合物和其混合物」，及第10頁第16行記載「鎢蝕刻抑制劑在組合物pH高至約9.0下發揮效用」，可知該pH低於9之限制條件係為使包含可形成烷基銨離子的化合物之鎢蝕刻抑制劑發揮技術效果。
2.系爭專利2請求項9所進一步界定「可蝕刻鎢的pH值」之限制條件，由說明書第10頁第5至7行記載「許多氧化劑在低pH下以低速率蝕刻鎢。有時，組合物的pH可提高氧化劑蝕刻鎢的速率」，及說明書表4顯示使用過氧化氫作為鎢蝕刻氧化劑的泥漿45、50及52，在不同pH值（分別為2.
3、5.0及7.0）下會展現出不同的蝕刻速率，可知請求項9所界定之pH限制條件係為使包含氧化劑之可蝕刻鎢的化合物達到所欲的鎢蝕刻速率。況專利權人業已刪除請求項9，故前述被告所指「無法蝕刻鎢之pH值」之依據業已不復存在。
3.如上所述，系爭專利2說明書實例中所採用之2.3、5.0及7.0等pH值係為顯示pH值對氧化劑於鎢蝕刻速率上的影響，且低於9之pH值下，包含可形成烷基銨離子的化合物之鎢蝕刻抑制劑即能發揮抑制效果，爭專利2說明書對於請求項1中pH低於9之記載具可實施性。
（六）被證4不足以證明系爭專利2請求項1、6、9、11至13及22，不具新穎性或進步性：
1.被證4並未揭露一種如系爭專利2請求項1所述之化學機械拋光組合物，其包含可蝕刻鎢的化合物及至少一種鎢蝕刻抑制劑，該鎢蝕刻抑制劑係選自至少包含下列一官能基之化合物、具有三個以上碳原子之胺基烷基、除含硫胺基酸以外之胺基酸，該至少一官能基係選自含氮雜環或具有三個以上碳原子之烷基銨離子或其組合，其中該組合物之pH值低於9。
2.被證4僅廣泛揭示一種可用於蝕刻銅、銀、鎢及其合金之拋光劑。該拋光劑包含蝕刻劑、及在蝕刻前在銅、銀及鎢上形成保護膜的化學試劑。雖然被證4廣泛揭示該化學試劑可包含苯并三唑（BTA）、甲苯三唑、苯并咪唑、三唑（彼等可對應系爭專利2中之具有含氮雜環官能基之化合物）與例如半胱胺酸之含硫胺基酸（其在酸性環境下會形成丙基銨離子，即可對應系爭專利2中之可形成具有三個以上碳原子之烷基銨離子），但並未具體揭露該等化學試劑可用於拋光鎢。又被證4第【0007】段記載之中譯文：
藉由使用含有為目標膜材料而特定的化學試劑之拋光劑所進行的CMP，若有一保護層形成於膜上時，等向化學拋光可藉此而抑制。由此可知，被證4清楚教示其化學試劑與所欲拋光之材料具有顯著的相關性。另被證4第【0010】段末7行並記載之中譯文：當Cu或Cu合金係用作含金屬材料之主要成分時，BTA、BTA衍生物…係特別有效。相較之下，當W或W合金係用作含金屬材料之主要成分時，BP
A（即N-苯氧基-N-苯基羥基胺）、BPA衍生物或其混合物則特別有效。此外，被證4關於BTA之特定揭示內容皆僅與Cu有關，而與W無涉。另關於半胱胺酸，被證4並未具體揭示其係適用於拋光何種金屬。
3.系爭專利2說明書實例4為一種泥漿，其包含煙霧狀矽石、硝酸鐵、過氧化氫、及包含丙二酸、草酸及/或甘胺酸等酸性物質。縱使該泥漿包含了前述酸性物質，其pH值仍可使用例如氫氧化鉀等鹼性物質以調整至所需的pH值，例如pH7.0。顯見CMP組合物的pH值與其所包含的成份雖有關聯性，但並無必然的關聯性，而可視實際所需進而調整。
4.據上，被證4並未具體揭示BTA、甲苯三唑、苯并咪唑、三唑及半胱胺酸可用作在鎢上形成保護膜之化學試劑，故被證4並未揭示系爭專利2中之鎢蝕刻抑制劑，且未揭示組合物之pH低於9。是以無法證明該等請求項所請發明喪失新穎性。基於相同理由，依附於或引用請求項1之附屬請求項6、9、11至13及22亦應具備新穎性。
5.被證4僅廣泛揭示一種可用於蝕刻銅、銀、鎢及其合金之拋光劑，其包含可在銅、銀及鎢上形成保護膜的化學試劑。依被證4之揭示內容及系爭專利2優先權日時之通常知識，本發明所屬技術領域中具有通常知識者仍無法輕易推知被證4所述之化學試劑BTA可用於鎢拋光。而被證4針對其化學試劑實際上僅提供了兩個實例：用於銅拋光之BT
A化學試劑及用於鎢拋光之BPA化學試劑。換言之，被證
4對於鎢拋光僅具體揭露BPA之化學試劑，但BPA之化學結構與爭系爭專利2所請鎢蝕刻抑制劑之結構差異甚遠，無法自BPA輕易推知系爭專利2所請鎢蝕刻抑制劑之任一化合物。又縱使被證4揭示BTA（具有含氮雜環）之化學試劑，其僅具體揭露BTA於銅拋光之用途。然於系爭專利
2優先權日時已知BTA係一種傳統的銅蝕刻抑制劑，因此，基於系爭專利2優先權日時之通常知識，依被證4教示內容，本發明所屬技術領域中具有通常知識者僅能確認其所教示BTA亦可在銅CMP過程中作為有效的腐蝕抑制劑。
況且，如前所述，被證4本身即教示其化學試劑與所欲拋光之材料具有顯著的相關性。在缺乏任何支持性的證據下，本發明所屬技術領域中具有通常知識者無法自被證4輕易推知，這種傳統銅腐蝕抑制劑（BTA）是否能在鎢的CM
P過程中作為有效的鎢蝕刻抑制劑。
6.綜上，系爭專利2優先權日時之通常知識，已知BTA為銅的腐蝕抑制劑，再依被證4揭示內容僅能推知BTA亦可於銅的CMP過程作為蝕刻抑制劑，然不同基板間的拋光技術無法互相轉用，甚至可能達到相反效果（如前述之甘胺酸為例），且被證4並未提供BTA亦具鎢蝕刻之抑制效果之任何證據，本發明所屬技術領域中具有通常知識者當無法輕易推知被證4所揭示含BTA之拋光劑亦可用作鎢之拋光劑，或BTA具有鎢蝕刻抑制之功效，遑論進一步推及所有含氮雜環皆具有鎢蝕刻抑制效果。系爭專利2請求項1相對於被證4確實具備進步性。基於相同理由，依附於或引用請求項1之附屬請求項6、9、11至13及22亦應具備進步性。
（七）被證4及被證1至3與被證5揭示內容之任意組合皆不足以證明系爭專利2任一請求項，不具進步性：
如前所述，被證4並未揭示或建議相對應於系爭專利2所述之鎢蝕刻抑制劑。被證1至3及5揭示內容亦與鎢蝕刻抑制劑毫無關連，故無法彌補被證4關於系爭專利2發明之前述教示缺陷之處，縱使依彼等揭示內容之任意組合，本發明所屬技術領域中具有通常知識者仍無法輕易完成涉及前述技術特徵之系爭專利2任一請求項，故系爭專利2相對於前述任一證據組合皆具備進步性。
（八）聲明：①被告等不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣使用或進口標以「DSW-2500」等型號之化學機械磨光淤漿產品（英文品名：Chemical-Mechani
calPlanarizationSlurry）及其他侵害中華民國第116769號發明專利「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」、中華民國第198297號發明專利「含有鎢蝕刻抑制劑之拋光組合物」之產品。②原告願供擔保，請准宣告假執行。
二、被告等則辯以：
（一）韓商東進公司及李富燮：
1.系爭專利1請求項1、4、8至11、15、21、22、24及28至31、34、35，有核准時專利法第71條第1款及第3款之應撤銷事由，應屬無效專利：
系爭專利1說明書並未載明觸媒與氧化劑產生「協合效果」之實施必要之事項；且其表1及表2中實施例所使用之淤漿組成，除了觸媒及氧化劑外，尚包括磨料（煙霧狀氧化矽），實難以證明所謂之「協合效果」係發生於觸媒及氧化劑間。況系爭專利1表9之淤漿1與表3之淤漿7及淤漿8之測試結果比較，由表3之淤漿7及淤漿8之數據可以得出，在等量的H2O2（氧化劑）條件下，硝酸鐵及煙霧狀氧化矽的含量增加，鎢磨光速率會增加；表9之淤漿
1含有0.02wt%之硝酸鐵9H2O，其硝酸鐵含量約0.01wt%。則由表3之淤漿7與表9之淤漿1之數據比較可以得出，使用含有煙霧狀氧化矽磨料淤漿（表3淤漿7）的鎢磨光速率（3374ang./min.）遠大於使用含有氧化鋁磨料之淤漿（表9淤漿1）的鎢磨光速率（566ang./min.）。由上述的比較可以合理推知，在等量的H2O2（氧化劑）及相近含量硝酸鐵的條件下，磨料的種類及含量會顯著影響鎢磨光速率。綜上，系爭專利1的實驗結果實為硝酸鐵、氧化劑及磨料三者相互作用的綜合效果，且研磨泥漿中所使用的磨料對於系爭專利1的實驗結果會有實際上的顯著影響。是以，系爭專利1說明書缺乏載明僅由「氧化劑與觸媒」所產生之「協合效果」的實施必要之事項，使得實施為不可能或困難，構成83年專利法第71條第3款「說明書或圖式不載明實施必要之事項，使實施為不可能或困難」之應撤銷事由。
2.被證1、2、3之組合，可證明系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35，不具進步性：
⑴被證1已揭露化學機械研磨淤漿所使用的氧化劑可為過
氧化物（對應系爭專利1之技術特徵代碼1B「包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」）以及例如硝酸鐵之鐵鹽的混合物；被證2號教示具有多個氧化狀態的鐵離子作為觸媒加速過氧化氫的反應，以提高過氧化氫的反應速率的通常知識；被證3教示過氧化氫與作為其觸媒使用的鐵離子之反應機制。是以，該領域具有通常知識者，依據被證1之揭示，並結合被證2的通常知識及被證3的教示，即可輕易選用過氧化氫作為氧化劑以及可分解出鐵離子（Fe+++）的硝酸鐵作為觸媒，以作為能加速鎢磨光速率的化學機械磨光組合物的成分。該領域具有通常知識者均已知觸媒的作用即用於增加其所催化之成分的反應速率，因而藉由選用硝酸鐵作為過氧化氫的觸媒，必然將使鎢磨光速率有1+1>2的相乘效果，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。系爭專利1請求項1之所有技術特徵已揭露於被證1、2、3之組合，故不具「進步性」。
⑵請求項4之技術特徵為：根據申請專利範圍第1項之化
學機械磨光組合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。如前所述，被證1第8頁第4-20行已揭示，較佳氧化成分包含過氧化物、過硫酸鹽類及其混合物。故「該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項4係為依附請求項1之附屬項，由於請求項
1之所有技術特徵已不具進步性，而請求項4所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1號中，故亦不具進步性。
⑶被證1第8頁第4-20行已揭示指出研磨泥漿廣泛可使用
的氧化成分中的較佳成分，是選用鐵鹽，例如硝酸鹽、過氧化物及其混合物作為研磨泥漿的組成成分，應為該領域具有通常知識者可輕易達成者；被證2第9章第2頁已揭示，一般普遍認知，在微量催化劑離子存在時，特別是具有一個以上氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+,Cu2+,Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高。
是以微量鐵離子催化過氧化氫增加過氧化氫的分解速率之基本化學原理；被證3第1頁已揭示過氧化氫被鐵離子（Fe++、Fe+++）催化分解的反應機制，鐵離子可作為觸媒催化過氧化氫使其分解速率顯著增加為該領域之通常知識無庸置疑，則依被證1、2、3號組合之揭示，該發明所屬技術領域具有通常知識者可輕易得知為加速CMP速率，可使用具有多個氧化狀態之鐵觸媒（例如硝酸鐵）來催化增加過氧化氫之反應速率；且熟習此項技術者即可運用被證1、2、3所揭露之既有技術及知識，將被證2所揭露之磷酸根離子（較佳為焦磷酸根離子）作為安定劑，加入作為過氧化氫觸媒之三價鐵化合物，以與三價鐵觸媒離子進行反應而產生穩定錯合物，因而可降低鐵觸媒催化過氧化氫的效應，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。請求項8之所有技術特徵早已揭露於被證1、2、3之組合，故不具「進步性」。
⑷如前所述，熟習此項技術者即可運用被證1、2、3所
揭露之既有技術及知識，將被證2號所揭示之磷酸根離子（較佳為焦磷酸根離子）作為安定劑，加入作為過氧化氫之觸媒的三價鐵化合物，以作為觸媒與安定劑的混合產物，並與被證1所揭示之過氧化物的氧化成分形成化學機械磨光組合物組合，藉由選用硝酸鐵作為過氧化氫的觸媒，必然將使鎢磨光速率有1+1>2的相乘效果。
請求項9之所有技術特徵早已揭露於被證1、2、3之組合，故不具「進步性」。
⑸如前所述，被證2第26及27頁已揭示，磷酸根離子與三
價鐵離子相互作用而可使三價鐵離子變得較不活化。而磷酸根離子可由磷酸水溶液輕易解離出係為基本化學原理，因此，採用無機酸之磷酸作為安定劑以解離出磷酸根離子，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。故「該安定劑為有機酸、無機酸、腈及其混合物」、「該安定劑係選自包括磷酸、酞酸、檸檬酸、丙二酸、膦酸、草酸、己二酸、苯甲腈及其混合物」等技術特徵早已揭露被證2號專利中。請求項10及11係為直接或間接依附請求項8或9之附屬項，由於請求項8或9之所有技術特徵已不具進步性，而請求項10及11所增加之技術特徵亦已早揭露於被證2中，故請求項10及11項皆不具進步性。
⑹被證1第8頁第4-20行已揭示，較佳氧化成分包含氧化
金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽，例如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀及類似者、鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、季銨鹽、鏻鹽、過氧化物、氯酸鹽、過氯酸鹽、過錳酸鹽、過硫酸鹽類及其混合物。故「該氧化劑為有機化合物、無機化合物及其混合物」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項15係為請求項9之附屬項，由於請求項9之所有技術特徵已不具進步性，而請求項15所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故不具進步性。
⑺被證1第8頁第4-20行已揭示，研磨泥漿可加入氧化成
分以氧化金屬層成為其對應氧化物，…例如鎢成為氧化鎢。…雖然有廣泛的氧化成分可使用，較佳成分包含氧化金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽，例如硝酸鹽…。被證2第9章第2頁已揭示，一般普遍認知，在微量催化劑離子存在時，特別是具有一個以上氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+,Cu2+,Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高。而被證3第1頁已揭示，過氧化氫被鐵離子（Fe++、Fe+++）催化分解的反應機制。是以，被證1已揭露以過氧化氫或硝酸鐵水溶液做為氧化劑，而被證2、3亦揭露具有多個氧化狀態之鐵離子可以做為觸媒加速過氧化氫之分解反應，因此，熟習此項技術者即可運用被證1、2、3所揭露之既有技術及知識輕易思及完成者。被證2中已揭示僅需「微量」金屬離子即可做為加速過氧化氫反應之鐵催化劑，請求項24雖限定鐵催化劑之範圍為「0.001至2.0重量百分比」，但並未揭示該範圍限定可達成任何顯然進步之功效，因此，該範圍限定係為熟習此項技術者可輕易完成者。綜上所述，熟習此項技術者即可運用被證1、2、3所揭露之既有技術或知識，而輕易完成請求項21、22及24之技術特徵，故該等請求項不具進步性。
⑻被證1亦揭露一種化學機械拋光泥漿。依據該專利說明
書第4項第21-23行所載：「本發明係關於一種化學機械拋光泥漿，其包含均勻散布於水溶液中之高純度的金屬氧化物微粒」。故「另外包含一種磨料」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項28係為依附請求項1、8或
9之附屬項，由於請求項1、8或9之所有技術特徵已不具進步性，而請求項28所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項28亦不具進步性。
⑼被證1第4項第21-23行揭露：「本發明係關於一種化
學機械拋光泥漿，其包含均勻散布於水溶液中之高純度的金屬氧化物微粒」。故「該磨料為至少一種金屬氧化物磨料」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項29係為依附請求項28之附屬項，由於請求項28之所有技術特徵已不具進步性，而請求項29所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項29亦不具進步性。
⑽被證1第16頁第16-19行之記載，雖然金屬氧化物微粒
可以是氧化鋁及氧化矽，本發明亦揭示其他金屬氧化物微粒，例如：氧化鍺、二氧化鈰、二氧化鈦或其類似物。是「該金屬氧化磨料係選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項30係為依附請求項29之附屬項，由於請求項29之所有技術特徵已不具進步性，而請求項30所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項30亦不具進步性。
⑾被證1第4項第21-23行揭露：「本發明係關於一種化
學機械拋光泥漿，其包含均勻散布於水溶液中之高純度的金屬氧化物微粒」。故「該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液」之技術特徵早已揭露被證1中。請求項31係為依附請求項28之附屬項，由於請求項28之所有技術特徵已不具進步性，而請求項31所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項31不具進步性。
⑿被證1第3頁15-18行揭露：「研磨粒的表面積範圍從
40平方米/克至430平方米/克，顆粒大小分佈係低於
1.0微米，平均粒徑低於0.4微米」。故「該磨料具有表面積範圍從5平方公尺/克至430平方公尺/克」之技術特徵。請求項34係為依附請求項28之附屬項，由於請求項28之所有技術特徵已不具進步性，而請求項34所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項34亦不具進步性。
⒀如上所示，被證1第3頁15-18行揭露「該磨料具有表
面積範圍從30平方公尺/克至170平方公尺/克」之技術特徵。請求項35係為依附請求項34之附屬項，由於請求項34之所有技術特徵已不具進步性，而請求項35所增加之技術特徵亦已早揭露於被證1中，故請求項35亦不具進步性。
3.系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30，及32至34，有核准時專利法第71條第1款及第3款之應撤銷事由，應屬無效：
系爭專利2請求項1之技術特徵雖界定「該組合物之pH值低於9」，惟請求項9又主張「根據申請專利範圍第1項之化學機械拋光組合物，具有可蝕刻鎢的pH值。」。由於附屬請求項9係針對獨立請求項1的進一步限縮，亦即，附屬請求項9進一步主張在pH值低於9之範圍內，有一部份範圍係屬於「可蝕刻鎢的pH值」。系爭專利2請求項1既然為一種化學機械拋光組合物，但其申請專利範圍卻包括「不可蝕刻鎢的pH值」，故技術特徵：「組合物之pH值低於9」之要件，顯有實施不可能之情形。再者，系爭專利2說明書全文所揭示之實驗數據，僅述及pH為2.3、
5.0及7.0之數值係為可蝕刻鎢之pH值，熟習該項技術者將難以依據說明書之揭示而能輕易判斷是否低於9之pH值在實施上均為可蝕刻鎢之pH值。系爭專利2說明書之請求項1及具體實施例均未載明實施必要之事項，將使其實施為不可能或困難，構成專利法第71條第1項第3款所定之應撤銷事由。
4.被證4可證明系爭專利2請求項1、6、11至13、22不具新穎性及進步性：
⑴被證4請求項1之記載，被證4之發明揭示一種拋光（
polishing）方法，其利用一種包含蝕刻劑及化學試劑之化學機械拋光劑，該化學試劑可以和欲拋光的金屬反應而在其表面上形成保護膜，而蝕刻劑則可蝕刻該金屬。依其說明書【0007】段落之記載，該化學機械拋光劑中使用之化學試劑，係可和欲拋光之金屬反應並在其上形成保護膜，用以減緩化學拋光之速率，而該保護膜可輕易地藉由機械拋光去除。是以，該化學試劑即等同於系爭專利2中之鎢蝕刻抑制劑；說明書【0010】記載，該化學機械拋光劑可作用於銅、銅合金、銀、銀合金、鋁、鋁合金、鎢、鎢合金及此等金屬氧化物。而該用以形成保護膜之化學試劑可包括：苯并噻唑（benzotriaz
ole，簡稱BTA）、BTA衍生物如甲苯三唑（tolyltriazole，簡稱TTA）…等；說明書【0011】及【0012】記載，該化學機械拋光劑中所使用之蝕刻劑可包括：甘胺酸（glycine）、胺基硫酸（amidosulfuricacid）或該等酸之混合物，以及氧化劑，例如過氧化氫、硝酸（nitricacid）、次氯酸（hypochlorousacid）等。
而蝕刻鎢或鎢合金時，蝕刻劑可使用過氧化氫水溶液、硝酸鐵水溶液、鐵氰化鉀（potassiumferricyanide）和乙二胺（ethylendiamine）混合水溶液、鐵氰化鉀（potassiumferricyanide）和磷酸混合水溶液等。由於前揭蝕刻劑例如甘胺酸、胺基硫酸、過氧化氫、硝酸、次氯酸、鐵氰化鉀和乙二胺混合水溶液、鐵氰化鉀和磷酸混合水溶液等均為pH值係低於7之酸性物質，是以，該化學機械拋光劑之pH值必然低於9。被證4已揭露系爭專利2請求項1技術特徵，不具新穎性。退步言之，熟習該項技術者亦能根據被證4之揭露內容而可輕易完成系爭專利2請求項1所載之發明，因此不具進步性。
⑵請求項6：「一種根據申請專利範圍第1至5項中任一
項之化學機械拋光組合物之水溶液。」是以，請求項6僅係將請求項1之組合物限定為水溶液。由於請求項1不具新穎性或進步性已如前述，且被證4中所揭示之化學機械拋光劑亦係為水溶液，故請求項6亦不具新穎性或進步性。
⑶如前所述，被證4說明書【0011】及【0012】段落已揭
示，該化學機械拋光劑中所使用之蝕刻劑包括過氧化氫、硝酸、次氯酸等氧化劑，故「可蝕刻鎢的化合物是至少一種氧化劑」、「氧化劑是至少一種過化合物」、「氧化劑是至少一種過化合物」等技術特徵早已揭露於被證4專利中。請求項11、12及13係為直接或間接依附請求項1之附屬項，由於請求項1之所有技術特徵已不具新穎性或進步性，而請求項11、12及13所增加之技術特徵亦已揭露於被證4中，故請求項11、12及13項亦皆不具新穎性或進步性。
⑷請求項22包括請求項1之所有技術特徵，再加上「至少
一種金屬氧化物磨蝕劑。」，而被證4說明書【0031】段落揭示可使用氧化矽做為研磨粒，亦可使用氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鈰等做為研磨粒。由於氧化鋁、二氧化鈦、二氧化鋯及二氧化鈰均為金屬氧化物，已揭露以金屬氧化物做為磨蝕劑之技術特徵。被證4已揭露系爭專利2請求項22之全部技術特徵，請求項22顯不具新穎性。退步言之，熟習該項技術者亦能根據被證4之揭露內容而可輕易完成系爭專利2請求項22所載之發明，請求項22欠缺進步性。
5.證2、3、4之組合可證明系爭專利2請求項17至21不具進步性：
⑴被證4說明書【0012】段落已揭示，該化學機械拋光劑
於蝕刻鎢或鎢合金時，蝕刻劑可使用過氧化氫水溶液、硝酸鐵水溶液。被證2教科書第9章第2頁另揭示：「一般普遍認知，在微量催化劑離子存在時，特別是具有一個以上氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+,Cu2+,Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高。而被證3第
1頁已揭示過氧化氫被鐵離子(Fe++、Fe+++)催化分解的反應機制。是以，鐵離子可作為觸媒催化過氧化氫使其分解速率顯著增加為該領域之通常知識無庸置疑。
⑵被證4已揭露以過氧化氫或硝酸鐵水溶液做為蝕刻劑；
被證2亦揭露具有多個氧化狀態之鐵離子可以做為催化劑加速過氧化氫之分解反應；被證3更具體揭示過氧化氫被鐵離子(Fe++、Fe+++)催化分解的反應機制。因此熟習此項技術者即可運用被證4、2及3所揭露之既有技術及知識，將被證2及被證3所揭露之多個氧化狀態之鐵離子加入被證4之化學機械拋光劑中做為催化劑，催化過氧化氫之反應。再者，硝酸鐵水溶液可輕易解離出鐵離子係為基本化學原理，因此，採用硝酸鐵做為具有多個氧化狀態之鐵觸媒以解離出鐵離子，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。
⑶被證2中已揭示僅需「微量」金屬離子即可做為加速過
氧化氫反應之鐵催化劑，請求項20及21雖限定鐵催化劑之範圍為「0.001至0.2重量％」，但並未揭示該範圍限定可達成任何顯然進步之功效，因此，該範圍限定係為熟習此項技術者可輕易完成者。
⑷綜上，熟習此項技術者即可運用被證4、2及3所揭露
之既有技術或知識，而輕易完成請求項17至21之技術特徵，故該等請求項不具進步性。
6.被證1、4之組合可證明系爭專利2請求項23、24、27、
28、30不具進步性：⑴被證4說明書【0031】段落已揭示可選用氧化矽、氧化
鋁、二氧化鈦、二氧化鋯、二氧化鈰等金屬氧化物等做為磨蝕劑。被證1之WO96/11082案亦揭露一種化學機械拋光泥漿。依據該專利說明書第4項第21-23行所載：
「本發明係關於一種化學機械拋光泥漿，其包含均勻散布於水溶液中之高純度的金屬氧化物微粒」。第16頁第
16-19行揭露：「雖然金屬氧化物微粒可以是氧化鋁及氧化矽，本發明亦揭示其他金屬氧化物微粒，例如：氧化鍺、二氧化鈰、二氧化鈦或其類似物」。是請求項23之所有技術特徵已揭露於被證4及被證1中，故熟習該項技術者可運用被證4及被證1所揭露之既有技術或知識，而輕易完成請求項23之技術特徵，故該等請求項不具進步性。
⑵被證1之WO96/11082案專利說明書第4項第21-23行
已揭示：「本發明係關於一種化學機械拋光泥漿，其包含均勻散布於水溶液中之高純度的金屬氧化物微粒…」。因此，被證1已揭露「金屬氧化物磨蝕劑是一種金屬氧化物的含水分散液。」之技術特徵。是請求項24之所有技術特徵已揭露於被證4及被證1中，故熟習該項技術者可運用被證4及被證1所揭露之既有技術或知識，而輕易完成請求項24之技術特徵，故該等請求項不具進步性。
⑶被證1說明書第3頁15-18行揭露：「研磨粒的表面積
範圍從40平方米/克至430平方米/克，顆粒大小分佈係低於1.0微米，平均粒徑低於0.4微米。請求項27、28之所有技術特徵已揭露於被證4及被證1中，熟習該項技術者可運用被證4及被證1所揭露之既有技術或知識，而輕易完成請求項27、28之技術特徵，故該等請求項不具進步性。
⑷被證4說明書【0031】段落已揭示可使用氧化矽（即矽
石）做為研磨粒。被證1說明書第16頁第16行起亦已揭示「金屬氧化物微粒可以是氧化鋁及氧化矽。因此，請求項30之所有技術特徵已揭露於被證4及被證1中，熟習該項技術者可運用被證4及被證1所揭露之既有技術或知識，而輕易完成請求項30之技術特徵，該請求項不具進步性。
7.被證1、2、4、5之組合可證明系爭專利2請求項32至34不具進步性：
⑴被證1說明書第8頁第21-23行揭示：「為了安定拋光
泥漿中的氧化劑，避免發生沈澱、凝聚或分解之情形，可以使用多種添加劑，例如界面活性劑、聚合物安定劑或其他界面活性分散劑」。被證2第26及27頁另揭示，在磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質（包括鐵化合物）的影響。若過氧化氫溶液中有三價鐵離子雜質，過氧化氫的奧辛氧化被三價鐵化合物顯著催化。然而，若安定劑含有焦磷酸根離子，三價鐵離子與焦磷酸根離子相互作用而變得較不活化。…催化劑離子如Fe+++不是沉澱，就是在過量的焦磷酸鹽存在下被轉化成相當穩定的錯合物，任一種情況會大大降低催化效果。被證5說明書第5頁倒數第3行則揭示：「本發明之蝕刻液中，可進而添加各種添加劑，例如，為了降低液體之表面張力，可添加氟系、非離子系等之界面活性劑，又，為了安定蝕刻速度，也可添加硫酸、磷酸等之無機酸。」⑵是以，被證1已揭露可於拋光研磨泥漿中加入安定劑，
被證5已揭示可添加硫酸、磷酸等之無機酸做為安定劑，被證2更揭露磷酸根離子可與三價鐵觸媒離子進行反應而產生穩定錯合物，因而可降低鐵觸媒催化過氧化氫的效應。是以，熟習此項技術者即可運用被證1、2、
4、5所揭露之既有技術及知識，以被證2及被證5所揭露之安定劑，與三價鐵觸媒離子進行反應而產生穩定錯合物，因而可降低鐵觸媒催化過氧化氫的效應，亦屬熟習此項技術者可輕易思及完成者。
8.系爭產品未直接侵害系爭專利1之請求項8、10、11、21、22、24、28至31、34、35：
⑴LC/MS分析方法並不適合檢測硝酸鐵。硝酸鐵在水溶液
中很容易解離成鐵離子及硝酸根離子，而不會以「硝酸鐵」之狀態存在。在以LC/MS分析時，必須將SampleE溶解於水溶液中才能進行分析，因此，在LC/MS的測定環境下，硝酸鐵會解離為鐵離子及硝酸根離子，不適宜檢測「硝酸鐵」；且原告所提出LC/MS分析之「Spectr
umofPeakA」存在明顯不合理之結果，不具公信力。況原告僅以系爭專利1說明書記載硝酸鐵為一種適用於
CMP組合物之鐵觸媒，即認定系爭產品中含有可做為觸媒之硝酸鐵，與習知技術均揭示硝酸鐵可在CMP淤漿中做為氧化劑不符，且原告於專利說明書第6頁亦揭示：
「大部分目前市售之CMP淤漿包含高濃度經溶解之離子金屬成分。」，足認CMP淤漿所含有之硝酸鐵係為習知技術，原告不得僅以CMP淤漿中含有硝酸鐵即認定該硝酸鐵為觸媒，仍必須提出實驗數據證明該硝酸鐵具有觸媒之功效。
⑵原告未提出實驗數據，證明其宣稱所發現之鐵觸媒在進
行化學機械研磨時會產生多個氧化狀態的改變，無法證明系爭產品中含有系爭專利1之請求項8所稱之「具有多個氧化部位之鐵觸媒」。且依系爭專利說明書第16頁第7-11行所載：「本發明之CMP組合物與淤漿可包含一種安定劑。若不使用該安定劑，該觸媒與該氧化劑會以迅速降低該氧化劑活性之方式反應。於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能。因此添加於該組合物之安定劑種類與用量之選擇極為重要」，由於系爭產品中並未如原告所指稱含有硝酸鐵或具有多個氧化部位之鐵觸媒，因此並不需要「可降低觸媒效能的安定劑」做為安定劑。縱認假設系爭產品中含有丙二酸，原告亦未提出實驗數據證明該丙二酸於系爭產品中有任何降低觸媒之功用。
⑶綜上，原告並未證明系爭產品中含有「至少一種多個氧
化部位之鐵觸媒」及「至少一種安定劑」，是以系爭產品並未侵害系爭專利1之請求項8。請求項10、11、21、22、24、28至31、34、35係直接附屬於請求項8，因此其範圍係為請求項8範圍之進一步限縮。系爭產品既未侵害請求項8，自亦未侵害請求項10、11、21、22、
24、28至31、34、35。
9.系爭產品未間接侵害系爭專利1之請求項1、4、9至11、15、21、22、24、28至31、34、35：
⑴請求項1為：「一種化學機械磨光組合物，其包含：至
少一氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。」原告已於原證7之請求項1侵權對照表中自認系爭產品中沒有做為氧化劑之過氧基（-O-O-）之化合物，故系爭產品並未落入請求項
1之範圍。⑵原告僅泛稱「CMP組合物之使用者在使用該組合物之前
，才會添加包含至少一種過氧基（-O-O-）化合物之氧化劑（例如過氧化氫）。」，但未能具體舉證有哪一家半導體廠商於使用系爭產品時添加包含至少一種過氧基（-O-O-）化合物之氧化劑，故原告並未具體證明誰是主侵權行為人。且由於原告並未證明系爭產品中含有「多個氧化部位之鐵觸媒」，因此不論有無添加過氧基化合物之氧化劑，系爭產品均不會落入請求項1之範圍。
又請求項4、9至11、15、21、24及28至35係直接或間接附屬於請求項1，或包括請求項1之技術特徵，因此其範圍係為請求項1範圍之進一步限縮。系爭產品既未落入請求項1之範圍，自然亦未落入請求項4、9至11、15、21、24、28至31、34、35之範圍。
⑶原告既無法證明本件有主侵權行為人，或有任何使用者
之行為直接侵害前開專利請求項，依前開判決意旨，原告顯無從證明被告有「予行為人助力，使之易於為侵權行為」之幫助行為可言。從而，原告主張被告有民法第
185條之共同侵權行為云云，並非可採。⒑系爭產品未間接侵害系爭專利2之請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30，及32至34：
⑴原告已於原證8之請求項1侵權對照表中自認系爭產品
中沒有「可蝕刻鎢的化合物」，故系爭產品並未落入請求項1之範圍。
⑵原告僅泛稱「CMP組合物之使用者在使用該組合物之前
，才會添加可蝕刻鎢的化合物。」，但未能具體舉證有哪一家半導體廠商於使用系爭產品時添加可蝕刻鎢的化合物，故原告並未具體證明誰是主侵權行為人。
⑶系爭專利2說明書第11頁第16行以下揭露，鎢蝕刻抑制
劑係「抑制固體鎢至可溶性鎢化合物的轉變，同時使組合物將鎢轉變成一種可均勻地籍磨蝕移除的軟氧化膜」，但附件2之分析報告中並未證明Benzisothiazolinon
e於系爭產品中具有上述鎢蝕刻抑制劑之功能。況且，Benzisothiazolinone之簡稱為BIT，其CAS編號為0000-00-0000，又名為1,2-Benzisothiazol-3（2H）-one，其係為業界所熟知之殺菌劑（biocide或antimicrobialagent）或防腐劑（preservative）。此外，系爭專利2實例1之分析結果（即說明書表1）亦顯示並非所有的含氮雜環之化合物皆具有抑制鎢蝕刻之功能。說明書表1（如下表）之淤漿1顯示，在無添加含氮雜環化合物時，鎢蝕刻速率為41埃/分鐘。淤漿2-30則顯示添加不同含氮雜環化合物後對鎢蝕刻速率，其中淤漿8（吡𠯤）、淤漿14（吡啶）及淤漿30（2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑）的鎢蝕刻速率分別為48、45及47埃/分鐘，顯見吡𠯤、吡啶及2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑等含氮雜環之化合物並無抑制鎢蝕刻之效果。再者，被證5「銅及銅合金之蝕刻液體組成物」專利說明書公告本第5頁第2段記載「為了提高蝕刻速度，以及為了蝕刻後之表面防銹，本發明之蝕刻液中，添加選自咪唑、咪唑衍生物、吡啶衍生物、三𠯤、三𠯤衍生物所成族群的至少一種。」，而咪唑、咪唑衍生物、吡啶衍生物、三𠯤、三𠯤衍生物均為含氮雜環之化合物，益證並非所有含氮雜環皆可做為蝕刻抑制劑。系爭產品中不含「鎢蝕刻抑制劑」，自無落入系爭專利2請求項1之可能，至於半導體廠商究竟有無於使用系爭產品時添加可蝕刻鎢的化合物，已無探究之實益。
⑷請求項6、11至13、17至28、30及32至34係直接或間接
附屬於請求項1，或包括請求項1之技術特徵，因此其範圍係為請求項1範圍之進一步限縮。系爭產品既未落入請求項1之範圍，自然亦未落入請求項6、11至13、17至24、27、28、30及32至34之範圍。⒒聲明：①原告之訴及假執行之聲請均駁回。②如受不利之判決，被告願供擔保請准宣告免為假執行。
（二）台灣東進公司：
1.原告在毫無憑證下即指控被告製造及供應系爭產品，顯未盡舉證責任，故其主張實無足採。事實上，被告台灣東進公司生產及銷售之產品為光阻液（photoresist）、剝離液（stripper）及稀釋液（thinner）等，並未製造或供應系爭產品「DSW-2500」或其他任何化學機械磨光淤漿產品（CMPslurry）。
2.聲明：①原告之訴及假執行之聲請均駁回。②如受不利之判決，被告願供擔保請准宣告免為假執行。
（三）坤泰公司及洪淑菁：
1.系爭產品並未侵害系爭專利，且原告系爭專利亦有得撤銷之事由，故原告主張被告侵害系爭專利，顯無理由。
2.被告坤泰公司之營業登記事項，被告坤泰公司主要從事之業務為買賣經銷及進出口貿易，並不從事產品之研發及製造。而系爭專利均涉及研磨液產品組成份之技術領域，必須有具備化學或化工專業知識之專業人員始能瞭解其內容概要，以被告坤泰公司身為貿易進口商之角色，顯然不可能有能力去瞭解系爭專利之內容。再者，被告坤泰公司僅為代理商，所代理之產品總類眾多，實難以就所代理之每一項產品之技術內容及是否侵害他人專利等情事進行瞭解，惟被告坤泰公司於銷售產品前，均會要求原廠保證所供應之產品並無侵害他人智慧財產權或其他權利，就系爭產品而言，被告坤泰善意信賴原廠之不侵權保證，故並無侵害系爭專利之故意或過失。
3.公司負責人對公司內一切事務不可能事必躬親，法院判決即已肯認倘原告以公司法第23條第2項主張公司負責人應與公司負連帶責任，必須先證明公司負責人對於業務之執行有何違反法令致他人受損害之情節（本院99年度民專訴字第59號、臺灣高等法院99年度上易字第280號、99年度上字第522號民事判決參照）。被告坤泰公司並無侵權系爭專利之行為已如前述，且被告坤泰公司主要從事之業務為買賣經銷及進出口貿易，並不從事產品之製造，而被告洪淑菁擔任坤泰公司之負責人，係負責維繫與合作廠商之關係及經營公司財務，並不負責探討系爭產品之技術內容或銷售系爭產品，原告未舉證被告洪淑菁於處理公司事務時有何違反法令致他人受損害之情事，自不負連帶賠償責任。
4.聲明：①原告之訴及假執行之聲請均駁回。②如受不利之判決，被告願供擔保請准宣告免為假執行。
三、兩造整理並協議簡化之爭點：
（一）系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35，是否違反專利法第71條第3款之規定？
（二）系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30、32至34，是否違反專利法第71條第3款之規定？
（三）被證1、2、3之組合，可否證明系爭專利1請求項1、
4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35，不具進步性？
（四）被證4可否證明系爭專利2請求項1、6、11至13、22，不具新穎性或進步性？
（五）被證2、3、4之組合，可否證明系爭專利2請求項17至21，不具進步性？
（六）被證1、4之組合，可否證明系爭專利2請求項23、24、
27、28、30，不具進步性？
（七）被證1、2、4、5之組合，可否證明系爭專利2請求項32至34，是否不具進步性？
（八）系爭產品是否直接落入系爭專利1請求項8、10、11、21、22、24、28至31、34至35之文義範圍？
（九）系爭產品是否間接侵權而落入系爭專利1請求項1、4、
9至11、15、21、22、24、28至31、34至35之文義範圍？
（十）系爭產品是否間接侵權而落入系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30、32至34之文義範圍？
四、技術分析：
（一）系爭專利1：
1.技術內容：系爭專利1係有關一種化學機械磨光先質組合物，其包含至少一種具有多重氧化狀態之觸媒，以及至少一種安定劑，該組合物在使用之前與一種氧化劑摻和時，可用以自基材上移除金屬層。系爭專利1另外揭示一種化學機械磨光組合物，其包含一種氧化劑與至少一種具有多重氧化部位之觸媒，該組合物與一種磨料或磨光墊併用時可用以去除基材上之金屬層（參系爭專利1摘要）。又系爭專利1化學機械磨光組合物之氧化劑係一種無機或有機過氧化合物為佳；而過氧化合物依Hawley'sCondensedChemicalDictionary定義，係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物或一種包含具有其最高氧化狀態之元素，包含至少一種過氧基之化合物，實例包括但是不受限於過氧化氫與其加成物，如過氧化氫脲與過碳酸鹽、有機過氧化物，諸如過氧化苄基、過醋酸與過氧化二-第三-丁基、單過硫酸（SO5=）、過二硫酸（S2O8=）與過氧化鈉。其化學機械組合物之最佳之氧化劑係過氧化氫與其加成物及單過硫酸鹽，而包含具有其最高氧化狀態元素之化合物實例包括但是不受限於過碘酸、過碘酸鹽、過溴酸、過溴酸鹽、過氯酸、過氯酸鹽、過硼酸與過硼酸鹽及過錳酸鹽（詳參系爭專利1說明書第10頁第20行至第11頁第9行）。另該化學機械磨光組合物之觸媒的目的係自該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬），其觸媒可為金屬、非金屬或其組合，而且該觸媒必須可以有效率並迅速地替換介於該氧化劑與金屬基材表面間之電子。該觸媒係選自具有多個氧化狀態之金屬化合物為佳，諸如但是不受限於Ag、Co、Cr、Cu、Fe、Mo、Mn、Nb、Ni、Os、Pd、Ru、Sn、Ti與V。而「多個氧化狀態」意指一個原子及/或化合物，其具有可增加是為電子形式之一或多個負電荷之價數。較佳之金屬觸媒係Ag、Cu與Fe及其混合物，特佳者係鐵觸媒，諸如但是不受限於鐵之無機鹽類，諸如硝酸鐵（II或III）、硫酸鐵（II或III）、鹵化鐵（II或III）等（參系爭專利1說明書第11頁末行至第12頁第16行）。系爭專利1化學機械磨光組合物適用之安定劑包括磷酸、有機酸（例如，己二酸、檸檬酸、丙二酸、鄰酞酸與EDTA）、磷酸鹽化合物、腈類與其他與該金屬鍵結並降低其對過氧化氫分解之反應性的配位子，以及其混合物。
2.專利權範圍：系爭專利1核准公告之申請專利範圍共計48項，另於102年5月24日申請更正申請專利範圍，並經經濟部智慧財產局於103年6月21日核准更正公告在案。
⑴請求項1：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一
種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒；其中該氧化劑係不同於該觸媒。
⑵請求項4：根據申請專利範圍第1項之化學機械磨光組
合物，其中該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。
⑶請求項8：一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至
少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。
⑷請求項9：一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一
種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物；其中該氧化劑係不同於該觸媒。
⑸請求項10：根據申請專利範圍第8或9項之組合物，其中該安定劑為有機酸、無機酸、腈及其混合物。
⑹請求項11：根據申請專利範圍第10項之組合物，其中該
安定劑係選自包括磷酸、酞酸、檸檬酸、丙二酸、膦酸、草酸、己二酸、苯甲腈及其混合物。
⑺請求項15：根據申請專利範圍第9項之組合物，其中該氧化劑為有機化合物、無機化合物及其混合物。
⑻請求項21：根據申請專利範圍第1、8或9項之組合物
，其中該觸媒為一種選自包括具有多重氧化狀態之無機鐵化合物與有機鐵化合物之鐵觸媒。
⑼請求項22：根據申請專利範圍第21項之組合物，其中該鐵觸媒為硝酸鐵。
⑽請求項24：根據申請專利範圍第1、8或9項之組合物
，其包含0.001至2.0重量百分比之觸媒。⑾請求項28：根據申請專利範圍第1、8或9項之組合物，其另外包含一種磨料。
⑿請求項29：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為至少一種金屬氧化物磨料。
⒀請求項30：根據申請專利範圍第29項之組合物，其中該
金屬氧化磨料係選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。
⒁請求項31：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液。
⒂請求項34：根據申請專利範圍第28項之組合物，其中該
磨料具有表面積範圍從5平方公尺／克至430平方公尺／克。
⒃請求項35：根據申請專利範圍第34項之組合物，其中該
磨料具有表面積範圍從30平方公尺／克至170平方公尺／克。
（二）系爭專利2
1.技術內容：系爭專利2係一種化學機械拋光（CMP）組合物，其包含一種可蝕刻鎢的化合物與至少一種鎢蝕刻抑制劑。拋光組合物可單獨使用或與其他化學品和拋光與半導體製造有關的多重金屬層和薄層之磨蝕劑，其中多重金屬層或薄膜之一層是由鎢組成（參系爭專利2說明書第4頁第1至6行）。
2.專利範圍：⑴請求項1：
①系爭專利2核准公告之申請專利範圍共計61項，另於
105年3月28日申請更正申請專利範圍，並經經濟部智慧財產局於105年8月21日核准更正公告在案；復於106年12月29日向智慧財產局提出更正請求項1、
2、3、14、36、44及45，其中請求項1為原告主張間接侵害之專利權範圍；且系爭專利2請求項1之更正，係排除原範圍與被證4（日本特開平8-83780號專利）重疊的部分，而將「含氮雜環官能基」限縮至「苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑及三唑」以外者，並將「具有三個以上碳原子之烷基銨離子之化合物」限縮至「半胱胺酸」以外者，係屬於「申請專利範圍之減縮」，與專利法第67條第1項第2款之規定相吻合。再者，系爭專利2請求項1係界定「其限制條件為該含氮雜環不為苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑或三唑，且該具有三個以上碳原子之烷基銨離子之化合物不為半胱胺酸」，其所排除之該等化合物（即苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑、三唑、半胱胺酸）雖非由申請時之說明書、申請專利範圍、圖式所能直接無歧異得知，惟該等化合物係已揭示於被證4之說明書第0010段，且「苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑、三唑」均為系爭專利2請求項1所界定之「含氮雜環官能基」的下位概念，而「半胱胺酸」係屬系爭專利2請求項1所界定之「具有三個以上碳原子之烷基銨離子之化合物」的下位概念；而被證4之說明書第0010段又揭示欲拋光之金屬可為W（即鎢），而該等形成保護膜之化學試劑又可為苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑、三唑等物質。因此，系爭專利2與被證4屬相同之技術領域，故系爭專利2請求項1之更正係屬於請求項中刪除與先前技術重疊的部分，而刪除該重疊部分後又屬使請求項剩餘之標的不能經由正面的表現方式明確、簡潔地界定者，故得以排除與先前技術重疊部分的負面表現方式記載。是以，雖然在更正後之請求項出現了申請時說明書所未揭露之技術特徵，惟依據2017年版專利審查基準第二篇第九章「6.審查注意事項」（10）（第2-9-9頁）之規範，其為例外視為未引進新事項，系爭專利2請求項1之更正「未超出申請時說明書及申請專利範圍所揭露之範圍」，與專利法第67條之規定無違。本院依依據智慧財產案件審理細則第32條規定，於107年4月17日準備程序庭時徵詢兩造對上開更正之意見（本院卷六第351頁），並指定期日辯論，認請求項1之權利範圍應以更正後者為據。
②請求項1係一種化學機械拋光組合物包含：一可蝕刻
鎢的化合物；與至少一鎢蝕刻抑制劑，其中該鎢蝕刻抑制劑為一選自至少包含下列一官能基之化合物、具有三個以上碳原子之胺基烷基、除含硫胺基酸以外之自然生成之胺基酸、除含硫胺基酸以外之合成之胺基酸和其混合物所組成的群組，該至少一官能基係選自含氮雜環或具有三個以上碳原子之烷基銨離子之官能基或此等官能基的混合物，其中該組合物之pH值低於
9，其限制條件為該含氮雜環不為苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑或三唑，且該具有三個以上碳原子之烷基銨離子之化合物不為半胱胺酸。
⑵請求項6：一種根據申請專利範圍第1至5項中任一項之化學機械拋光組合物之水溶液。
⑶請求項11：根據申請專利範圍第1至5項中任一項之化
學機械拋光組合物，其中可蝕刻鎢的化合物是至少一種氧化劑。
⑷請求項12：根據申請專利範圍第11項之化學機械拋光組合物，其中氧化劑是至少一種過化合物。
⑸請求項13：根據申請專利範圍第12項之化學機械拋光組合物，其中過化合物是過氧化氫。
⑹請求項17：根據申請專利範圍第1至5項中任一項之化
學機械拋光組合物，其另外包含至少一種金屬催化劑。⑺請求項18：根據申請專利範圍第17項之化學機械拋光組
合物，其中金屬催化劑是一種選自包括具多重氧化態之無機鐵化合物和有機鐵化合物的鐵催化劑。
⑻請求項19：根據申請專利範圍第18項之化學機械拋光組合物，其中鐵催化劑是硝酸鐵。
⑼請求項20：根據申請專利範圍第19項之化學機械拋光組合物，其包含0.001至2.0重量%之硝酸鐵催化劑。
⑽請求項21：根據申請專利範圍第1項之化學機械拋光組
合物，其中可蝕刻鎢的化合物是過氧化氫，且其中該組合物另外包含0.001至0.2重量%之鐵催化劑。
⑾請求項22：一種化學機械拋光泥漿，其包含根據申請專
利範圍第1至5項中任一項之化學機械組合物和至少一種金屬氧化物磨蝕劑。
⑿請求項23：根據申請專利範圍第22項之化學機械拋光泥
漿，其中金屬氧化物磨蝕劑是選自包括氧化鋁、三氧化二鈰、氧化鍺、氧化矽、二氧化鈦、氧化鋯和其混合物。
⒀請求項24：根據申請專利範圍第22項之化學機械拋光泥
漿，其中金屬氧化物磨蝕劑是一種金屬氧化物的含水分散液。
⒁請求項27：根據申請專利範圍第22項之化學機械拋光泥
漿，其中金屬氧化物磨蝕劑的表面積範圍是從5平方米/克至430平方米/克。
⒂請求項28：根據申請專利範圍第27項之化學機械拋光泥
漿，其中金屬氧化物磨蝕劑的表面積範圍是從30平方米/克至170平方米/克。
⒃請求項30：根據申請專利範圍第22項之化學機械拋光泥漿，其中金屬氧化物磨蝕劑是矽石。
⒄請求項32：根據申請專利範圍第1至5項中任一項之化學機械拋光組合物，其另外包含至少一種安定劑。
請求項33：根據申請專利範圍第22項之化學機械拋光泥漿，其另外包含至少一種安定劑。
請求項34：根據申請專利範圍第32項之化學機械拋光組
合物或根據申請專利範圍第33項之化學機械拋光泥漿，其包含至少一種選自磷酸、鄰苯二甲酸、檸檬酸、己二酸、草酸、丙二酸、苯甲腈和其混合物的安定劑。
（三）系爭產品技術內容（如附圖照片）：原告檢具相關事證，聲請本院保全證據，經本院105年度民聲字第11號准許在案，並於105年5月5日對第三人聯華電子股份有限公司（下簡稱聯電公司）執行保全證據程序，確認上開型號之系爭產品確為被告所供應，並當場採集系爭產品2瓶各250毫升，合計500毫升，且保全系爭產品之產品分析表3份、化學產品安全說明書（MSDS）1份，現由本院保管中（參本院105年度民聲字第11號之10
5年5月5日保全證據筆錄）。被告辯稱原告未能證明原證7分析之樣品SampleF即為系爭產品，且與被告有關，且原證7附件2至附件9之分析結果具有明顯瑕疵，無法證明系爭產品直接侵害系爭專利1，亦無法證明系爭產品間接侵害系爭專利1至3（參被告105年11月23日民事答辯(二)狀）。本件以原告所提分析方法並委託工業技術研究院(下稱工研院)進行系爭產品的檢測分析，工研院並於106年8月17日、10月5日及11月29日來文及檢送檢測報告。系爭產品應檢測的項目共8項，該8個項目的結果詳如附表。
（四）引證分析：
1.被證1：為1996年4月18日公開之PCT申請案WO96/11082A1號「金屬層用之化學機械研磨漿」（CHEMICALMECHANI
CALPOLISHINGSLURRYFORMETALLAYERS）專利，其公開日早於系爭專利1最早優先權日（1996年11月26日），亦早於系爭專利2最早優先權日（1997年7月28日），可為系爭專利1及2之先前技術。被證1為關於金屬層用的化學機械拋光淤漿，其揭露一種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。被證1主要係揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，其研磨泥漿可加入氧化成分以氧化金屬層成為其對應氧化物，例如鎢成為氧化鎢。而較佳成分包含氧化金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽，例如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀及類似者、鋁鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽、季銨鹽、鏻鹽、過氧化物、氯酸鹽、過氯酸鹽、過錳酸鹽、過硫酸鹽類及其混合物（參被證1之說明書第8頁第4至13行）。
2.被證2：為1977年11月9日公開之「HydrogenPeroxide,PartFour,Chapter9-12」教科書，其公開日早於系爭專利1最早優先權日（1996年11月26日），亦早於系爭專利2最早優先權日（1997年7月28日）可為系爭專利1及2之先前技術。被證2係有關過氧化氫的教科書，介紹過氧化氫的穩定性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣。其揭示在微量催化劑離子存在時，特別是具有超過一個氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+、Cu2+、Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高（參被證2之第9章第2頁）。
3.被證3：為1995年5月公開之「FentonReactionAfter
aCentury」期刊論文，其公開日早於系爭專利1最早優先權日（1996年11月26日），亦早於系爭專利2最早優先權日（1997年7月28日），可為系爭專利1及2之先前技術。被證3係有關Fenton反應之期刊論文，被證3揭露過氧化氫被二價鐵離子(Fe++)及三價鐵離子(Fe+++)催化分解機制（參被證3之【1.Introduction】）。
4.被證4：係1996年3月26日公開之日本特開平8-83780號專利「研磨劑及研磨方法」（研磨および研磨方法）專利，其公開日早於系爭專利2最早優先權日（1997年7月28日）可為系爭專利2之先前技術。被證4揭示一種拋光方法，其係利用一種包含蝕刻劑及化學試劑之化學機械拋光劑（參被證4之請求項1）。此外，被證4揭示以金屬為主成分材料，可以使用Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、Al、Al合金、W、W合金等物質，且化學試劑可使用苯并三唑（benzotriazole；簡稱BTA）、甲苯并三唑（tolyltriaz
ole；簡稱TTA）、苯并咪唑（benzimidazole）、三唑（triazole）或半胱胺酸（cysteine）等物質（參被證4之說明書第0010段）。再者，被證4揭示該化學機械拋光劑中使用之化學試劑，係可和欲拋光之金屬反應並在其上形成保護膜，用以減緩化學拋光之速率，而該保護膜可輕易地藉由機械拋光去除（參被證4之說明書第0007段）。
5.被證5：係85年10月1日公告之我國第287208號「銅及銅合金之蝕刻液組成物」專利，其公開日早於系爭專利2最早優先權日（1997年7月28日），可為系爭專利2之先前技術。被證5係有關一種可有效地於銅表面及銅合金表面之除銹及粗面化的蝕刻組成物。證據5揭示在蝕刻液中，為了安定蝕刻速度，可添加硫酸、磷酸等無機酸（參被證
5之說明書第5頁末3行至第6頁第1行）。
五、本院判斷：
（一）系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35未違反核准審定時專利法第71條第
3款之規定：被告主張系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、
22、24、28至31、34至35違反核准審定時專利法第71條第
3款之規定，無非係以系爭專利1之表1的結果無法證明系爭專利1之「協合效果」係發生在氧化劑與觸媒間；系爭專利之實驗結果顯不足證明併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」可產生不可預期之協合功效；以及安定劑之添加所產生的結果未於說明書載明實施必要之事項為由。惟查：
1.系爭專利1之表1的結果已證明系爭專利1之「協合效果」係發生在氧化劑與觸媒間，已於說明書載明實施必要之事項：
⑴由系爭專利1說明書第20頁末段記載「根據實施例1之
方法製備五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及／或一種過氧化氫氧化劑對於CMP淤漿之鎢磨光速率影響。各種淤漿包括5重量％之煙霧狀氧化矽。各種淤漿中之過氧化氫與硝酸鐵濃度如表1所示」，及第21頁末段記載「根據實施例1之方法製備與試驗五種磨光淤漿以研究添加一種硝酸鐵觸媒及/或一種單過硫酸鹽氧化劑對於CMP淤漿之鎢磨光速率影響…每種淤漿包括5.0重量％之煙霧狀氧化矽。該淤漿中之硝酸鐵與單過硫酸鹽之濃度如下表2所示」等語，可知表1或表2所示之各種淤漿均含有相同比例之煙霧狀氧化矽，其係用作如被告所指之磨料。亦即，表1及表2中之試驗皆具有相同的磨料種類及含量。因此，在固定磨料種類與含量的情況下，該等試驗結果所顯示出來的差異應非磨料種類或其含量所致，其係因氧化劑與觸媒所致。
⑵由系爭專利1說明書表1及表2所示數據可知，硝酸鐵
觸媒與氧化劑之間確實能產生強烈的協合效果。如表1所示，淤漿2及3係分別單獨使用過氧化氫氧化劑或硝酸鐵觸媒，其效果總和僅為676埃/分鐘（即291與38
5埃/分鐘之總和）之鎢磨光速率；惟同時使用過氧化氫與硝酸鐵觸媒時（例如表1之淤漿5）卻能產生6214埃/分鐘之磨光速率，相當於將鎢磨光速率提高了一個級數。再如表2所示，淤漿2及3係分別單獨使用Oxon
eⓇ氧化劑或硝酸鐵觸媒，其效果總和僅為555埃/分鐘（即291與264埃/分鐘之總和）之鎢磨光速率，惟同時使用OxoneⓇ氧化劑及硝酸鐵觸媒時（如表1之淤漿5），卻能產生3396埃/分鐘之磨光速率，可稽該協合效果之成因顯然為「硝酸鐵觸媒及氧化劑之組合效果」。系爭專利1說明書已證明該協合效果係發生於觸媒與氧化劑之間。
⑶至被告辯稱由系爭專利1之表1中的淤漿3至5的結果
充其量僅能推導出在「過氧化氫」及「煙霧狀氧化矽」濃度均為5.0重量%時，硝酸鐵濃度的改變會影響WCMP之速度，但無法解釋「煙霧狀氧化矽」的形態或濃度對反應有何影響。然如前所述，系爭專利1之表1的實驗目的係在於探討相較於單獨使用鐵觸媒或氧化劑時（如表1之淤漿2及3），同時使用鐵觸媒與氧化劑（如表
1之淤漿4及5）所產生的效果，因此理當應該固定「煙霧狀氧化矽」的形態或濃度，始能確認同時使用鐵觸媒與氧化劑時所能產生的效果，此亦為系爭專利1所欲實施之必要事項（即在固定磨料種類與含量的情況下，該等試驗結果所顯示出來的差異係非磨料種類或其含量所致，其係為氧化劑與觸媒所致），系爭專利1說明書已證明該協合效果係發生於觸媒與氧化劑之間。
2.系爭專利1所請之技術特徵在於併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之功效展現於磨光速率，而非磨光品質，並已於說明書載明實施必要之事項：
系爭專利1是否載明實施必要之事項，應參照其說明書之內容，而非依先前技術之內容予以認定。系爭專利1之目的在於使用實質上不含潛在之積體電路污染物，且可以高速率磨光，則系爭專利1之說明書既已揭示併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」並產現其磨光速率的功效，已載明「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之功效展現於磨光速率，顯見系爭專利1說明書已載明實施必要之事項。
3.有關安定劑之添加所產生的結果，已於說明書載明實施必要之事項：
⑴系爭專利1說明書第16頁已載明「於本發明之組合物與
淤漿中添加安定劑會產生一種安定劑/觸媒錯合物」及「於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」，可知該安定劑所欲安定之對象即是觸媒本身，即藉由與觸媒形成錯合物降低該觸媒之活性，以避免該觸媒導致任何非所欲之反應。該非所欲之反應除了包括系爭專利1說明書所述該觸媒與該氧化劑會以迅速降低該氧化劑活性之方式反應以外，亦當然包括導致觸媒本身失活之反應。換言之，安定劑之添加僅與觸媒之活性及效能有關，與磨光速率並無直接關連。
⑵再參系爭專利1說明書表9所示試驗數據可知，就含氧
化鋁磨料之淤漿，使用安定劑（即淤漿2至5）可較未使用安定劑（即淤漿1）展現出顯著較高的鎢磨光速率，其原因在於，表9之淤漿2至5中之鐵觸媒會與用作安定劑之檸檬酸、酞酸氫鉀、酞酸四氟或丙二酸形成錯合物，避免與氧化鋁磨料產生非所欲之反應而全然失去活性。相對地，於未添加安定劑之淤漿1中，其鐵觸媒則與氧化鋁磨料產生反應而失活，故無法發揮與氧化劑之間的協合功效，進而顯現出較低的鎢磨光速率，顯見安定劑之添加與磨光速率並無直接關連。被告將添加安定劑之效果解釋為「不加安定劑時反應會降低，而加入安定劑時反應會加速」之理由，自不可採。又由於添加安定劑與否僅與觸媒之活性及效能有關，與磨光速率並無直接關聯，當無被告所稱系爭專利1之表9與系爭專利1說明書第16頁所載「於本發明之組合物中添加一種安定劑會降低該觸媒之效能」以及表7及表8所呈現之數值不符的情況。
4.綜上，系爭專利1說明書並無未明確載明實施必要之事項，或其記載了不必要之事項，使實施為不可能或困難之情事，系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35並未違反專利法第71條第3款之規定。
（二）被證1、2及3之組合不足以證明系爭專利1請求項1、
4、8至11、15、21、22、24、28至31、34至35不具進步性：
1.請求項1：系爭專利1請求項1主要技術特徵在於CMP操作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，以在CMP速率上提供不可預期之協合功效，進一步能提供減緩甚至避免先前技術使用金屬氧化劑以提供所欲高磨光速率所造成之金屬污染問題的附加效益。經查，⑴被證1係有關金屬層用的化學機械拋光淤漿，其揭露一
種用於金屬層化學機械拋光的淤漿，含有均勻分散在穩定的含水介質中的純度高、細的金屬氧化物粒子。其揭露關於研磨顆粒的製造與選用的技術內容，僅於說明書第8頁第4至20行簡單提及可添加使用的氧化成分「較佳成分包含氧化金屬鹽、氧化金屬複合物、鐵鹽(例如硝酸鹽)、硫酸鹽、EDTA、檸檬酸鹽、鐵氰化鉀及其類似者、鋁鹽、鈉鹽…過氧化物、…過硫酸鹽類及其混合物」，完全未述及觸媒的使用，僅提及可用之氧化成分而已，更未針對氧化成分之組合作進一步的探討。且參被證1實施例所例示，其淤漿均以5%硝酸鐵作為單一氧化劑，並未組合使用多種氧化劑組合，遑論使用具有過氧基之化合物與硝酸鐵之組合可達到的功效。於此情況下，所屬技術領域具有通常知識者基於被證1之教導，難生採用特定氧化劑組合之動機。
⑵被告雖辯稱參酌美國5,244,534號專利說明書可進一步
補充說明被證1之內容，並顯示所屬技術領域中具有通常知識者，在系爭專利申請日暨優先權日前，即已充分知悉在CMP中加入氧化劑之目的，係為利用氧化劑進行氧化作用，以使金屬氧化，以便提高CMP的效果。惟查上開美國專利說明書第5欄第17至22行僅記載「在本件新穎的淤漿中，利用H2O2將鎢的表面氧化，形成氧化鎢。接著在研磨程序中將所形成的氧化鎢去除後，所露出新的鎢表面會繼續與H2O2反應」，其並未揭示或教示可與硝酸鐵組合而在CMP速率上提供協合功效。
⑶被證2係有關過氧化氫的教科書，介紹過氧化氫的穩定
性、過氧化氫的相關分析、過氧化氫的應用、以及過氧化氫化合物的具體態樣。雖被證2之第9章第2頁揭示在微量催化劑離子存在時，特別是具有一個以上氧化狀態之金屬離子，例如Fe3+、Cu2+、Cr3+等，過氧化氫之分解效率將會顯著提高。然被證2並未揭示或教示有關過氧化氫於CMP組合物中的應用，或說明於CMP組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，更未教示當使用含有過氧化氫及特定金屬（例如鐵）之CMP組合物時，可顯著增加磨光速率。CMP技術領域具通常知識者即使無意間觀得被證2之內容，亦不生在CMP操作中將過氧化氫與鐵觸媒合併使用之動機，遑論預期可透過該技術手段為CMP組合物之磨光速率帶來1+1>2的相乘效益。
再者，被證2之第9章第1頁第1段第1至5行揭示「藉由眾多研究者的努力，已知在不含污染觸媒之情況下且儲存於完全乾淨之非催化性材料所製容器中時，純過氧化氫或是過氧化氫溶液是非常穩定的物質，即使是在50°C或更高的溫度之下亦是如此」，教示例如鐵等離子具有多重氧化狀態的金屬，對於過氧化氫而言係屬污染物質，會不利地降低過氧化氫的穩定性，降低過氧化氫所可提供之效益。因此，本發明所屬技術領域具有通常知識者基於被證2之教導，為了保持過氧化氫之活性，不僅沒有將過氧化氫與鐵觸媒組合使用之動機，反而會避免於含有過氧化氫之CMP組合物中使用鐵觸媒。
⑷被證3係有關Fenton反應之期刊論文，被告雖主張被證
3之【1.Introduction】已揭露過氧化氫被二價鐵離子（Fe++）及三價鐵離子（Fe+++）催化分解機制。惟被
證3並未揭示或教示有關過氧化氫於CMP組合物中的應用，或說明於CMP組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良，更未教示當使用含有過氧化氫及特定金屬（例如鐵）之CMP組合物時，可顯著增加磨光速率。
⑸被證1至被證3之任一者均未揭露系爭專利1在CMP操
作中併用「過氧基氧化劑」與「鐵觸媒」之技術手段，且被證2及被證3與CMP技術無關，甚至將排除於含有過氧基氧化劑之CMP組合物中使用鐵觸媒之動機。則熟習該項技術者即使無意間同時觀得被證1、2及3之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CM
P操作中併用『過氧基氧化劑』與『鐵觸媒』），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協合功效）。故被證1、2及3之組合不足以證明系爭專利1請求項1不具進步性。
2.請求項4：系爭專利1請求項4係為請求項1之附屬項，解釋上應包含請求項1之所有技術特徵，並進一步限定氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。則如前所述，被證1、2及3之組合已不足以證明系爭專利1請求項1不具進步性，自亦不足以證明包含進一步限定技術特徵之系爭專利1請求項4不具進步性。
3.請求項8：系爭專利1請求項8主要技術特徵在於所請為一種化學機械磨光先質組合物，其包含：至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。然如上所述，由於被證1至3均未同時揭示或教示系爭專利1於化學機械磨光組合物中使用鐵觸媒之技術手段，遑論揭露系爭專利
1請求項8係界定在化學機械磨光先質組合物中具有安定劑。雖被告稱被證2之第9章第26及27頁揭示磷酸鹽或較佳為焦磷酸鹽存在時，形成有效的安定劑抵抗小濃度的某些催化雜質(包括鐵化合物)的影響，但被證2並未揭示或教示將安定劑應用於CMP先質組合物中，進而使得CMP組合物中使用過氧化氫可提供磨光速率改良的功效。據此，被證1、2及3之組合亦不足以證明系爭專利1請求項
8不具進步性。
4.請求項9：系爭專利1請求項9主要技術特徵在於所請為一種化學機械磨光組合物，其包含：至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基(-O-O-)之化合物；與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。其中之化學機械磨光組合物，包含「氧化劑」、「多個氧化部位之鐵觸媒」及「安定劑」，但被證1至3均未揭露系爭專利1在CMP操作中併用「過氧基氧化劑」、「鐵觸媒」與「安定劑」之技術手段，且被證2及被證3與CMP技術無關，被證2甚至將排除於含有過氧基氧化劑之CMP組合物中使用鐵觸媒之動機。系爭專利2所屬技術領域具通常知識者即使無意間同時觀得被證1、2及3之內容，亦無從輕易思及可透過系爭專利之技術手段（在CMP操作中併用『過氧基氧化劑』、『鐵觸媒』、『安定劑』），提供相應之發明功效（在磨光速率上提供不可預期之協合功效）。故被證1、2及3之組合不足以證明系爭專利1請求項
9不具進步性。
5.請求項10、11、15、21、22、24、28至31、34至35：系爭專利1請求項10至11、15、21、22、24、28至31、34至35係直接或間接依附於請求項1、8或9，解釋上應包含請求項1、8或9之全部技術特徵，惟如上所述，被證
1、2、3不足以證明系爭專利1請求項1、8或9不具進步性，自亦不足以證明包含進一步限定技術特徵之系爭專利1請求項10至11、15、21、22、24、28至31、34至35不具進步性。
（三）系爭產品直接落入系爭專利1請求項8、10、11、21、
22、24、28至31、34至35之文義範圍：
1.系爭產品經送財團法人工業技術研究院（下稱工研院）鑑定，雖被告爭執①「LC-MS成分定性分析（報告編號：10654C00000-0-0-00）」、「有機定量分析」（報告編號10654C00000-0-0-00）、「離子色層分析」（報告編號10654C00000-0-0-00）、「矽含量、鐵含量」（報告編號10654C00000-0-0-00），工研院如何確定離心過後的樣品中沒有殘餘的粒子；②「LC-MS成分定性分析」（報告編號：
10654C00000-0-0-00）未具硝酸鐵、丙二酸、苯并異噻唑啉酮等三種標準品及系爭產品的正模式及負模式的分析圖譜波峰所在位置（peaklocation）、波峰強度（peakintensity），如何從前開分析圖譜中認定在ES負中觀測到丙二酸、硝酸鐵，並；認定在ES正及負中觀測到苯并異噻唑啉酮；③「有機定量分析」（報告編號10654C00000-0-0-00）未具丙二酸、苯并異噻唑啉酮等三種標準品及系爭產品、硝酸鐵之定量分析圖譜，如何認定丙二酸、苯并異噻唑啉酮的、硝酸鐵之含量；④「離子色層分析」（報告編號10654C00000-0-0-00）未具以硝酸根離子(NO3-)標準品製作線性校準曲線之實驗分析圖譜，待測樣品之陰離子色層分析圖譜，及其實驗數據；⑤「矽含量、鐵含量」（報告編號10654C00000-0-0-00），未具分別以「矽」及「鐵」標準品製作之線性校準曲線及實驗數據，以及以「感應耦合電漿發射光譜儀（AgilentTechnologies5110ICP-OES）」測定矽(Si)含量及鐵(Fe)含量之實驗數據。然查：
⑴工研院進行樣品製備前，先經特殊過濾處理避免干擾，
以進行空白試驗，確認離心後樣品中沒有殘留粒子，有工研院之「pH值」測試報告（報告編號10654C00000-0-0-00）第5頁所載「為分析樣品中之特定部分，建議先藉由超速離心從淤漿中除去粒子。10-25mL樣品（取決於離心管容量）應以每分鐘60,000-65,000轉（rpm）離心1小時，以確保所有粒子離開…無顆粒的上清液使用於以下分析：a.離子色層分析；b.ICP上清液分析（溶液金屬）；c.HPLC分析；d.LC-MS/MS分析」等語，及107年3月23日工研轉字第1070005012號函（本院卷五第202頁，下稱工研院覆函）可稽，顯已確認上清液無顆粒後，始進行系爭產品的成分分析，且與本院提供之實驗步驟（本院卷四第20頁背面）相符。
⑵「LC-MS成分定性分析」為質譜檢測，定性除了比對滯
留時間，也與標準品比對質荷比，而硝酸鐵、丙二酸、苯并異噻唑啉酮之質量不會因檢測而改變；且工研院實驗室符合ISO17025規範，所有檢測均有進行重複性量測，業經工研院說明在卷（參工研院覆函）。而ISO17025係實驗室認證，經認證之實驗室，所為之檢測自具公信力，是縱工研院雖未提出待測物品之圖譜，即波峰所在位置（peaklocation）、波峰強度（peakintensity），其檢測的結果中已確認系爭產品具有硝酸鐵、丙二酸、苯并異噻唑啉酮，應堪信實。
⑶「有機定量分析」係經工研院使用標準品製作線性校準
曲線（檢量線），進行重複性量測，當具可信性。另工研院覆函載明其鑑定未含硝酸鐵的定量分析之檢測，惟「硝酸鐵可利用LC-MS進行定量分析」，亦足資參考。
被告雖以專家意見置辯LC-MS分析方法不適合用於檢測硝酸鐵，但由原證7號附件2第5頁揭示液相層析質譜儀（LC-MS）之圖譜，不僅記載質荷比為61.98651、19
5.90480及241.89843等特徵峰之數據，並記載該等特徵峰之滯留時間（retentiontime,RT）為4.45-4.8
2，該等質荷比及滯留時間之數據可確認該等特徵峰係分別代表NO3-、FeO（NO3）2-及Fe（NO3）3-（即硝酸鐵）等基團，足證「硝酸鐵可利用LC-MS進行定量分析」。被告雖亦指出具有單同位素質量（monoisotopoi
cmass）為241,898至241.899間有31種化合物，但依據被證32所載之化學式，該等化學物質實際上僅涉7種化學式之成分C5H7C15、C6N3S4、CH4Cl2N2O4S2、C2H5AgN3S2、C4HC1NO5S2、FeN3O9（即硝酸鐵(Fe(NO3)3)），及C4H7Cl4OP，其中除了硝酸鐵屬無機化合物外，其他成分皆屬有機化合物。既然硝酸鐵屬無機化合物，其滯留時間當與該等有機化合物之滯留時間有明顯差異。因此，藉由LC-MS圖譜中之滯留時間及質荷比之比對，實可準確判斷硝酸鐵是否存在於系爭產品中，益見被告所稱LC-MS分析方法不適合用於檢測硝酸鐵並無理由。
⑷至「離子色層分析」、「矽含量、鐵含量」均經符合
ISO17025規範之工研院實驗室檢測，同前所述具有可信性，爰不再贅述。
⑸綜上，系爭產品是否侵害系爭專利1之專利權範圍，應以工研院之檢測報告為據。
2.請求項8：系爭專利1請求項8所請之化學機械磨光先質組合物，其技術特徵主要為至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒與至少一種安定劑之混合產物。而系爭產品依工研院之「LC-M
S成分定性分析」測試報告結果具有硝酸鐵，則依系爭專利1說明書第12頁第11行所示硝酸鐵是一種適用於系爭專利之CMP組合物。因此，系爭產品具有系爭專利1請求項
8之「至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒」的技術特徵。又依工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告，系爭產品具有丙二酸，而系爭專利1說明書第16頁第19至20行所示之丙二酸是一種安定劑，因此，系爭產品具有系爭專利1請求項8之「至少一種安定劑」的技術特徵。是系爭產品包含系爭專利1請求項8的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。遑論：
⑴系爭專利1中所述之「至少一種具有多個氧化部位之鐵
觸媒」，應解釋為：「一種具有多個氧化狀態之鐵觸媒，且其中鐵為+2價或+3價的狀態」，而鐵為具有多個氧化狀態之元素乃為通常知識者所熟知，如維基百科所載「鐵可以形成多種價態（即氧化狀態）的化合物，其中以+2價和+3價的化合物最為典型」。是以，當氧化劑與金屬基材存在的情況下，進行化學機械研磨時，鐵離子的氧化狀態（及原子價數）會在+2及+3之間變化，其已揭示了系爭專利1之鐵觸媒具有多個氧化部位（即多個氧化狀態）。且工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告顯示，系爭產品具有「硝酸鐵」，硝酸鐵並可以利用LC-MS進行分析，而硝酸鐵在水溶液中會解離，故系爭產品在水溶液的環境中理當具有鐵離子。至被告所提出TRC鑑定機構之測試結果雖顯示系爭產品不含任何「鐵離子」或「硝酸鐵」，惟該實驗標的是否為系爭產品無從確認，不足為憑。
⑵系爭專利1說明書所述，（鐵）觸媒之目的係將電子自
該欲氧化之金屬轉移至該氧化劑（或相似地將電化學電流自該氧化劑轉移至該金屬），其已揭示在欲被氧化之金屬（即欲拋光之金屬）及用於氧化該金屬之氧化劑之間的氧化還原反應中，鐵觸媒於其間扮演轉移電子的角色。因此，在欲拋光之金屬及氧化劑的同時存在下，如硝酸鐵之鐵化合物即係觸媒。另系爭專利1說明書第13頁第1至13行記載「本發明之化學機械組合物內之觸媒量可視所使用之氧化劑而定。當較佳氧化劑過氧化氫與較佳觸媒諸如硝酸鐵併用時，該觸媒於組合物中之存在量自大約0.005至大約0.20重量百分比（溶液中具有大約1至280ppmFe）…該CMP淤漿中之金屬觸媒濃度佔整體淤漿重量大約2至大約3000ppm」，可稽該發明所屬技術領域中具有通常知識者依前揭說明書之內容可清楚瞭解，金屬觸媒濃度可低至約2ppm。再依據工研院之鐵含量分析報告顯示，系爭產品之離心上清液包含懸浮於其中（即呈現離子態）之10ppm鐵，即10ppm之鐵離子。該鐵離子濃度已落於系爭專利1說明書所載金屬觸媒濃度範圍之內，故可當然預期於系爭產品所測得之10
ppm之鐵離子亦能發揮觸媒之功效。⑶侵權比對係系爭產品與系爭專利比對，並非被告之專利
與系爭專利之比對，況系爭產品具「硝酸鐵」，業經工研院檢測證實，被告辯稱系爭產品是使用「鐵矽」而非使用「硝酸鐵」顯屬無據。再者，工研院ICP-OES於上清液所測得的「矽」為84ppm，惟二氧化矽僅其溶解度很低，並非溶解度為0，而在常溫下氧化矽溶在水中的量係為100至150ppm（參原證65第42頁第17至18行），因此，工研院所測得之「矽」僅為84ppm，該技術領域中具有通常知識者可理解該「矽」是溶解在水中的狀態，而非懸浮粒子，益證工研院藉由長時間超速離心（即每分鐘60,000-65,000轉(rpm)1小時）所測得之離心上清液不包含懸浮粒子，亦無被告所稱離心上清液中仍含有「鐵矽」或「二氧化矽」等懸浮粒子等情事。
⑷被告稱由其美國專利第7,887715號所示，系爭產品之丙
二酸係作為反應調節劑之用，然而該美國專利所使用之觸媒為非離子熱活性奈米催化劑（例如鐵矽），將丙二酸併用於該等非離子熱活性奈米催化劑時，始能稱丙二酸為反應調節劑，惟系爭產品既已檢測出具有硝酸鐵，且如上所述，其具有觸媒的性質，而系爭專利1之說明書第16頁末段又揭示「適用之安定劑包括磷酸、有機酸（例如，己二酸、檸檬酸、丙二酸、鄰酞酸與EDTA）」。因此，所屬技術領域中具有通常知識者自可得知在化學機械磨光先質組合物中，當使用硝酸鐵觸媒時，選用丙二酸係可作為安定劑之用。
2.請求項10：系爭專利1請求項10為請求項8之附屬項，於解釋上應包含請求項8之全部技術特徵，且其進一步界定安定劑為有機酸、無機酸、腈及其混合物。而系爭產品文義侵害請求項8已如前述；且依工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告顯示系爭產品具有丙二酸，復與系爭專利說明書（第16頁第19至20行）之丙二酸為有機酸之安定劑相符，而具有系爭專利1請求項10之「安定劑為有機酸」的技術特徵，系爭產品顯已構成文義侵權。
3.請求項11：系爭專利1請求項11為請求項10之附屬項，於解釋上應包含請求項10之全部技術特徵，且其進一步界定其中該安定劑係選自包括磷酸、酞酸、檸檬酸、丙二酸、膦酸、草酸、己二酸、苯甲腈及其混合物；而系爭產品文義侵害請求項10已如前述；而系爭產品依工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告顯示具有丙二酸，與系爭專利1請求項11進一步界定之安定劑相符，而具有系爭專利1請求項11之「安定劑為丙二酸」的技術特徵。據此，系爭產品包含系爭專利1請求項11的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
4.請求項21：系爭專利1請求項21為請求項1、8或9之附屬項，當請求項21依附於請求項8時，於解釋上應包含請求項8之全部技術特徵，且其進一步界定該觸媒為一種選自包括具有多重氧化狀態之無機鐵化合物與有機鐵化合物之鐵觸媒。
系爭產品具有系爭專利1請求項8之技術特徵的部分，已如上述；而系爭產品依工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告所顯示之硝酸鐵，復與系爭專利1請求項21進一步界定之觸媒，依系爭專利說明書第12頁第10至11行所示是一種無機鐵化合物之鐵觸媒相符，而具有系爭專利1請求項21之「具有多重氧化狀態之無機鐵化合物之鐵觸媒」的技術特徵。顯見系爭產品具有請求項21之全部技術特徵，符合文義讀取，構成系爭專利1請求項21之文義侵權。
5.請求項22：系爭專利1請求項22為請求項21之附屬項，於解釋上應包含請求項21之全部技術特徵，且其進一步界定其中該鐵觸媒為硝酸鐵。系爭產品具有系爭專利1請求項21之技術特徵，已如上述；而系爭產品依工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告所顯示之硝酸鐵，復與系爭專利1請求項22進一步界定之「鐵觸媒為硝酸鐵」相符，系爭產品具有請求項22之全部技術特徵無疑，構成系爭專利1請求項22之文義侵權。
6.請求項24：⑴系爭專利1請求項24為請求項1、8或9之附屬項，當
請求項24依附於請求項8時，於解釋上應包含請求項8之全部技術特徵，且其進一步界定包含0.001至2.0重量百分比之觸媒。而系爭專利1請求項24依附於請求項
8之技術特徵部分，已如上述；此外，系爭產品依工研院之「矽含量、鐵含量檢測」測試報告顯示具有10ppm之鐵，而依工研院之「離子色層分析」測試報告顯示，則具有283ppm之硝酸根。經計算後系爭產品中之硝酸鐵具有43.3ppm（相當於0.0043重量百分比），而具有系爭專利1請求項24進一步界定之觸媒的含量「0.001至2.0重量百分比之觸媒」的技術特徵。據此，系爭產品包含系爭專利1請求項24的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
⑵被告雖辯稱計算硝酸鐵含量係基於ICP-OES所測得的鐵
均為鐵離子，及離子色層分析所測到的硝酸根離子（N03-）係為來自於硝酸鐵之錯誤前提。惟查，工研院之LC-MS成分定性報告已清楚指出，於系爭產品中確實測得「硝酸鐵」，其濃度當可由鐵離子及硝酸根離子濃度合理推算。且如前所述，工研院於ICP-OES之分析中，已進行必要之步驟以確認的離心上清液不包含任何粒子，故所測得的鐵僅為上清液中以離子態存在的鐵離子。再者，依工研院之LC-MS的定性分析中，已揭示系爭產品中具有「硝酸鐵」，因此，由工研院於離子色層分析（IC）的檢測報告中所檢測出之硝酸根理當有部分是來自於硝酸鐵。被告所辯容有誤解。
7.請求項28：系爭專利1請求項28為請求項1、8或9之附屬項，當請求項28依附於請求項8時，於解釋上應包含請求項8之全部技術特徵，且其另外包含一種磨料。系爭產品文義落入系爭專利1請求項8之專利範圍已如前述；又系爭產品含有氧（O）元素及矽（Si）元素，其中O及Si之原子百分比（at%）分別為69.24：30.76；65.73：34.27；68.40：31.60，該等比例約為2:1，亦有工研院之「EDS元素定性分析」測試報告在卷可按，系爭產品具SiO2（氧化矽）。而系爭專利1請求項28進一步界定之磨料，依系爭專利1說明書第13頁第14行至第17行顯示，氧化矽為金屬氧化物之磨料，足認系爭產品具有系爭專利1請求項28之「磨料」的技術特徵。由於系爭產品包含系爭專利1請求項28的全部技術特徵，系爭產品符合文義讀取，構成文義侵權。
8.請求項29：系爭專利1請求項29為請求項28之附屬項，於解釋上應包含請求項28之全部技術特徵，且其進一步界定該磨料為至少一種金屬氧化物磨料。系爭產品符合文義讀取，構成請求項28文義侵權，已如上述。另系爭產品具有SiO2（氧化矽），而系爭專利1請求項29進一步界定之金屬氧化物磨料，依系爭專利1說明書第13頁第14行至第17行所示為氧化矽。是系爭產品具有系爭專利1請求項29之「金屬氧化物之磨料」的技術特徵。據此，系爭產品包含系爭專利1請求項29的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
9.請求項30：系爭專利1請求項30為請求項29之附屬項，於解釋上應包含請求項29之全部技術特徵，且其進一步界定該金屬氧化磨料係選自氧化鋁、氧化鈰、氧化鍺、氧化矽、氧化鈦、氧化鋯及其混合物。系爭專利1請求項30依附於請求項29之技術特徵的部分，其已如上述；而系爭產品具有SiO2（氧化矽），而與系爭專利1請求項30進一步界定之金屬氧化物磨料之技術特徵相符。由於系爭產品包含系爭專利1請求項30的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
10.請求項31：系爭專利1請求項31為請求項28之附屬項，於解釋上應包含請求項28之全部技術特徵，且其進一步界定該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液。系爭產品具有請求項28之全部技術特徵；且系爭產品含SiO2（氧化矽；相當於金屬氧化物），且依工研院之「水分檢測」測試報告顯示，系爭產品中含有水，即系爭產品中的水中具有氧化矽，其已相當於系爭專利1請求項31之「該磨料為一種金屬氧化物之含水分散液料」的技術特徵。系爭產品具請求項31之全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
11.請求項34：系爭專利1請求項34為請求項28之附屬項，於解釋上應包含請求項28之全部技術特徵，且其進一步界定該磨料具有表面積範圍從5平方公尺/克至430平方公尺/克。關於系爭產品落入系爭專利1請求項28之技術特徵，已如上述；而系爭產品研磨漿中的粒子表面積為152.0㎡/g，且有工研院之「BET比表面積」測試報告為憑，核與系爭專利
1請求項34進一步界定之「該磨料具有表面積範圍從5平方公尺/克至430平方公尺/克」的技術特徵相當。據此，系爭產品包含系爭專利1請求項34的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
12.請求項35：系爭專利1請求項35為請求項34之附屬項，於解釋上應包含請求項28之全部技術特徵，且其進一步界定該磨料具有表面積範圍從30平方公尺/克至170平方公尺/克。系爭專利1請求項35所附之請求項34之技術特徵的部分，其已如上述；又系爭產品研磨漿中的粒子表面積為152.0㎡/g，具有系爭專利1請求項35之「該磨料具有表面積範圍從30平方公尺/克至170平方公尺/克」的技術特徵。可見系爭產品包含系爭專利1請求項35的全部技術特徵，符合文義讀取，構成文義侵權。
（四）系爭產品未間接文義侵害系爭專利1請求項1、4、9至
11、15、21、22、24、28至31、34至35：
1.請求項1：⑴系爭專利1請求項1所請之化學機械磨光組合物，其技
術特徵主要為包含「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」與「至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒」，而該氧化劑係不同於該觸媒。
⑵經查，系爭產品係為一種化學機械磨光組合物，經工研
院之「矽含量、鐵含量」測試報告顯示，其離心上清液中具有鐵；系爭產品並具有硝酸鐵，亦有工研院之「LC-MS成分定性分析」測試報告可稽。因此，系爭產品具有系爭專利1請求項1之「與至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒」的技術特徵。然系爭產品中並無「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵，且參酌系爭產品之「化學品安全說明書（MSDS）」（現由本院保管中，參本院105年度民聲字第11號之105年5月5日保全證據筆錄），亦未記載系爭產品必須使用「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵。
再者，參系爭專利1說明書第10頁末段至第11頁第1段記載，用於化學機械磨光組合物中的氧化劑，其可為包含具有最高氧化狀態元素之化合物，例如過碘酸、過溴酸、過氯酸、過硼酸等成分，或是符合電化學電勢需求之非過氧化合物，例如硼酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸、鈰（IV）化合物等。該等成分均非「過氧基（-O-O-）之化合物」的結構。由此可見，系爭產品可使用其他氧化劑成分，其非必須使用「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵。況且，系爭專利所界定之「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵係為經過102年5月24之更正而將原公告本之「至少一種氧化劑」予以限縮的範圍。顯然，系爭專利1請求項1已排除了「至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」以外的氧化劑之技術特徵。又系爭產品的「化學品安全說明書（MSDS）」中並未記載系爭產品必須使用「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵，而如上所述，氧化劑亦可使用不同於過氧基（-O-O-）之化合物，則系爭產品之使用者並非必須使用系爭專利1請求項1所界定之「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵。
⑶我國專利法制中尚無「間接侵權責任」（對第三人之直
接侵權行為負間接侵權責任）之明文；且民法第185條規定「數人共同不法侵害他人之權利者，連帶負損害賠償責任；不能知其中孰為加害人者，亦同。」、「造意人及幫助人，視為共同行為人。」，中所稱「造意」、「幫助」，相當於刑法上之「教唆」、「幫助」概念，是以「造意」，係指教唆他人使生侵權行為決意，並進而為侵權行為；而「幫助」，則指予行為人助力，使之易於為侵權行為，其助力包含物質及精神上幫助。主侵權行為人或「直接侵權行為人」須為侵權行為，且客觀上造意、幫助行為均須對侵權結果之發生有相當因果關係，造意人、幫助人始負共同侵權責任。則如上所述，系爭產品非必須使用系爭專利1請求項1所界定之「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵，客觀上自欠缺造意或幫助侵害系爭專利1請求項1之行為，無間接侵權可言。
2.請求項4：⑴系爭專利1請求項4為請求項1之附屬項，於解釋上應
包含請求項1之全部技術特徵，且其進一步界定該氧化劑為單過硫酸鹽、過硫酸鹽、過氧化物及其混合物。
⑵如前所述，系爭產品未間接侵害系爭專利1請求項1的
文義範圍，而系爭專利1請求項4又為請求項1之附屬項，故系爭產品未間接侵害系爭專利1請求項4的文義範圍。
3.請求項9：⑴系爭專利1請求項9所請之化學機械磨光組合物其技術
特徵主要為包含至少一種氧化劑，其係「一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」；與「至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒」；與「至少一種安定劑」之混合產物；其中該氧化劑係不同於該觸媒。
⑵系爭產品係一種化學機械磨光組合物，其離心上清液中
含鐵，且具硝酸鐵，已如前述。是系爭產品具有系爭專利1請求項9之「至少一種具有多個氧化部位之鐵觸媒」的技術特徵。此外，依工研院之「LC-MS成分定性分析」及「有機定量分析」測試報告顯示，系爭產品具有丙二酸，對應系爭專利1請求項9之「至少一種安定劑」的技術特徵。然系爭產品中並無「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵，且參酌系爭產品之「化學品安全說明書（MSDS）」亦無記載系爭產品必須使用「過氧基（-O-O-）之化合物」的氧化劑。又參系爭專利1說明書第10頁末段至第11頁第1段，用於化學機械磨光組合物中的氧化劑，其可為包含具有最高氧化狀態元素之化合物，例如過碘酸、過溴酸、過氯酸、過硼酸等成分，或是符合電化學電勢需求之非過氧化合物，例如硼酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、碘酸、鈰(IV)化合物等，而該等成分均非「過氧基（-O-O-）之化合物」的結構，可見系爭產品並非必須使用「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵。況系爭專利所界定之該「至少一種氧化劑，其係一種包含至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」的技術特徵於10
2年5月24更正將「至少一種氧化劑」予以限縮的範圍，排除「至少一種過氧基（-O-O-）之化合物」以外的氧化劑之技術特徵。則同前述理由，系爭產品無間接侵害系爭專利1請求項9的文義範圍可言。
4.請求項10至11、15、21、22、24、28至31、34至35：系爭專利1請求項10至11、15、21、22、24、28至31、34至35係請求項1或9之直接或間接依附之附屬項，於解釋上應包含請求項1或9之全部技術特徵。系爭產品既未間接侵害系爭專利1請求項1或9，亦當無間接侵害系爭專利1請求項10至11、15、21、22、24、28至35的文義範圍之可能。
（五）系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30、32至34違反核准審定時專利法第71條第3款之規定：
1.系爭專利2請求項1所界定之鎢蝕刻抑制劑為可選自含氮雜環官能基，且系爭專利2請求項1之更正後的範圍係進一步限定「其限制條件為該含氮雜環不為苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑或三唑」，而系爭專利2請求項6、11至13、17至24、27、28、30、32至34均包含如請求項1之鎢蝕刻抑制劑。是就該等請求項的範圍而言，其含氮雜環官能基為「除了苯并三唑、甲苯并三唑、苯并咪唑或三唑以外的化合物」。另參照系爭專利2說明書第11頁末段定義含氮雜環官能基可作為鎢蝕刻抑制劑，並載明吡𠯤可作為鎢蝕刻抑制劑。然「鎢蝕刻抑制劑」，其作用應為降低可蝕刻鎢的化合物之蝕刻速率，但系爭專利2說明書第21至22頁中之表1所載之做為鎢蝕刻抑制劑的含氮雜環官能基之化合物，如泥漿8之吡𠯤（pyrazole）、泥漿14之吡啶（pryidine）及泥漿30之2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑2,5-dimercapto-1,3-thiadizaole)三個化合物，反而「增加」鎢蝕刻速率，逸脫了系爭專利2請求項1及系爭專利
2說明書第11頁末段所定義之含氮雜環官能基可作為鎢蝕刻抑制劑的作用，顯見可作為鎢蝕刻抑制劑的含氮雜環官能基之化合物不應包含吡𠯤、吡啶及2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑。據此，系爭專利2所請之發明並未載明實施必要之事項，使實施為不可能或困難。
2.原告雖主張系爭專利說明書業已提供諸多具有含氮雜環之化合物具有鎢蝕刻抑制功效，並稱基於與2,3,5-三甲基吡𠯤、對二氮雜苯及2-氫硫基苯并咪唑之類似結構，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可合理預期該等化合物有含氮雜環之官能基而具備蝕刻抑制效果，且系爭專利2之實例1試驗僅基於標準CMP泥漿，本發明所屬技術領域中具有通常知識者當可透過例行實驗確認彼等化合物在其他合適之CMP泥漿中之抑制效果。然原告所主張之「2,3,5-三甲基吡𠯤」、「對二氮雜苯」及「2-氫硫基苯并咪唑」
3個化合物均為於系爭專利2表1中之鎢蝕刻抑制劑化合物（其分別為泥漿2、泥漿11及泥漿24），確實具有對鎢蝕刻抑制的作用；但於系爭專利2表1之「吡𠯤（泥漿8）」、「吡啶（泥漿14）」及「2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑（泥漿47）」，同為含氮雜環官能基的化合物，卻反而增加了鎢蝕刻速率。熟習該項技術者並無法經由泥漿2、泥漿11及泥漿24的結構得到吡𠯤（泥漿8）、吡啶（泥漿14）及2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑（泥漿47）亦具備蝕刻抑制效果之結論。此外，「2,3,5-三甲基吡𠯤、對二氮雜苯及2-氫硫基苯并咪唑」及「吡𠯤（泥漿8）、吡啶（泥漿14）及2,5-二氫硫基-1,3-噻二唑（泥漿47）」比對基礎點均為「基於標準CMP泥漿而做的試驗」，熟習該項技術者實無法理解應如何透過例行實驗確認彼等化合物在其他合適之CMP泥漿中之抑制效果。遑論系爭專利2說明書第11頁末段記載吡𠯤（含氮雜環官能基）可作為鎢蝕刻抑制劑，但系爭專利1之表1所載之吡𠯤，卻會增加鎢蝕刻速率，二者所揭示之內容明顯衝突，原告上開主張，顯屬無據。
3.基上，系爭專利2所請之鎢蝕刻抑制劑化合物，其說明書未載明實施必要之事項，使實施為不可能或困難，系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、27、28、30、32至34違反核准審定時之專利法第71條第3款之規定，而具撤銷之事由。
六、綜上所述，系爭專利1請求項1、4、8、9、10、11、15、21、22、24、28至31、34至35未違反核准審定時專利法第71條第3款之規定；且被證1、2、3之組合不足以證明上開請求項不具進步性，又系爭產品直接落入系爭專利1請求項8、10、11、21、22、24、28至31、34至35之文義範圍；惟系爭專利1之專利權期間業於106年11月25日屆滿，原告主張系爭專利1之專利權，請求防止侵害，顯已欠缺權利之保護必要。又系爭專利2請求項1、6、11至13、17至24、
27、28、30、32至34違反核准審定時專利法第71條第3款之規定，具無效之原因，原告基於系爭專利2上開請求項所為之請求，自屬無據。從而原告請求「被告等不得直接或間接、自行或委請他人製造、為販賣之要約、販賣使用或進口標以DSW-2500等型號之化學機械磨光淤漿產品（英文品名：
Chemical-MechanicalPlanarizationSlurry）及其他侵害中華民國第116769號發明專利「化學機械磨光組合物與淤漿以及其用途」、中華民國第198297號發明專利「含有鎢蝕刻抑制劑之拋光組合物」之產品，為無理由，應予駁回。原告之訴既經駁回，其假執行之聲請即無所依附，應並予駁回之。
七、本件事證已臻明確，兩造其餘攻擊及防禦方法，與本判決結果不生影響，爰不逐一論述，附此敘明。
八、據上論結，原告之訴無理由，依智慧財產案件審理法第1條，民事訴訟法第78條，判決如主文。
中華民國107年6月13日
智慧財產法院第三庭
法官魏玉英以上正本係照原本作成。
如對本判決上訴，須於判決送達後20日內向本院提出上訴狀。
如委任律師提起上訴者，應一併繳納上訴審裁判費。
中華民國107年6月13日
書記官鄭郁萱