裁判字號：最高行政法院109年判字第659號判決
裁判日期：民國109年12月23日
裁判案由：發明專利舉發
最高行政法院判決
109年度判字第659號上訴人美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司RohmandHaa（即參加人）sElectronicMaterialsCMPHoldings,Inc.代表人BlakeT.Biederman訴訟代理人 黃麗蓉 律師
馮達發 律師上訴人美商 奈平 科技股份有限公司（NexPlanarCorporat（即參加人）ion）代表人凱羅柏斯登（H.CarolBernstein）訴訟代理人 陳翠華 專利師
陳群顯律師被上訴人經濟部智慧財產局代表人 洪淑敏 上列當事人間發明專利舉發事件，上訴人對於中華民國108年3月28日智慧財產法院107年度行專訴字第35、42號行政判決，提起上訴，本院判決如下：
主文上訴駁回。
上訴審訴訟費用由各上訴人負擔。
理由
壹、緣上訴人美商羅門哈斯電子材料CMP控股公司（下稱羅門哈斯公司）前以「用於化學機械平面化之拋光凹槽襯墊」向被上訴人申請發明專利，同時主張優先權，經被上訴人准予發給專利證書，並於民國101年2月21日申請更正，亦經被上訴人准予更正（更正後之專利，下稱系爭專利）。嗣上訴人美商奈平科技股份有限公司（下稱奈平公司）對之提起舉發。
經被上訴人審查後作成「請求項1至3舉發成立，應予撤銷」、「請求項4至6舉發不成立」之審定（下稱原處分）。羅門哈斯公司就原處分「請求項1至3舉發成立，應予撤銷」之部分、奈平公司就原處分「請求項4至6舉發不成立」之部分，各別提起訴願，經濟部先後於107年3月15日以經訴字第10706301070號訴願決定、於107年3月26日以經訴字第10706300550號訴願決定，分別駁回訴願。上訴人均不服，遂分別向智慧財產法院（下稱原審）提起行政訴訟（即原審107年度行專訴字第35、42號事件，下分別稱第35號事件、第42號事件），羅門哈斯公司聲明求為判決撤銷訴願決定及原處分關於「請求項1至3舉發成立，應予撤銷」之部分；奈平公司聲明求為判決㈠撤銷訴願決定及原處分「請求項4至6舉發不成立」之部分。㈡被上訴人就第000000000N01號發明專利舉發事件應作成「請求項4至6舉發成立，應予撤銷」之處分。因前開兩件之判決結果，倘認原處分及訴願決定應予撤銷，奈平公司於第35號事件、羅門哈斯公司於第42號事件之權利或法律上之利益將受損害，是原審依職權命奈平公司、羅門哈斯公司分別獨立參加第35、42號事件，經原審判決駁回，上訴人均不服，提起上訴。
貳、上訴人起訴主張及被上訴人在原審答辯及聲明，均引用原判決所載。
參、原審斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，以：證據7、8及13；證據14、15分別與證據8及13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性：
㈠系爭專利請求項1所請為一種用來平面化一半導體元件或
其先質之表面的拋光襯墊，此項具有下列的技術特徵：特徵Ａ：一具有一道或多道凹槽之凹槽圖案的宏觀結構，該凹槽圖案具有：一約75到約2,540微米的凹槽深度；一約125到約1,270微米的凹槽寬度；以及一約500到約3,600微米的凹槽間距；該凹槽圖案為同心圓形、螺旋形、鋪網底形、X-Y格子形、六角形、三角形、碎片形或其組合。特徵1a：一彈性儲存模數，E'，其在10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內。
㈡證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步
性：依證據7說明書圖3及圖4、第5欄相關說明，可知證據7已揭示了系爭專利請求項1之特徵A的技術特徵。惟證據7亦未揭示系爭專利請求項1之特徵1a的技術特徵。次依證據8、證據13所揭示之相關技術特徵，證據8及13之組合已教示了系爭專利請求項1所界定之特徵1a的技術特徵。由於熟悉該項技術者經參酌證據8及13之申請前既有之技術或知識可以理解，無論是IC1000或SUBAIV拋光墊，其於頻率1.6Hz下進行量測E'，在30℃和90℃時的比例必然落於1至4間。又參酌證據7、8及13後，可以得知IC1000或SU
BAIV拋光墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據7及8揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據7及8之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可輕易依據證7揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000或SUBAIV拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。綜上，證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈢證據14、8、13及證據15、8、13之組合足以證明系爭專利
請求項1不具進步性：證據14係關於基板之化學機械研磨，更特定地關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊。證據15係關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質/金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，特別是關於這種拋光墊的表面紋理。證據
14、15所揭示之內容，可對應於系爭專利請求項1之特徵A的技術特徵。經參酌證據14、8及13與證據15、8及13之組合後，可以得知IC1000或SUBAIV拋光墊為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光墊材料，且證據8、14、15揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據8、14及證據8、15之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可以輕易依據證據14、15揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000或SUBAIV拋光墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。綜上，證據14、8、13及證據15、8、13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈣羅門哈斯公司主張系爭專利所屬技術領域中具有通常知識
者不會組合證據8及13，惟查：證據13為聚合物黏彈性導論之教科書，其確屬熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知之一般知識，且其記載當μ＝0.5，可得E＝3G，而實驗上橡膠之μ是相當接近0.5。又證據8亦明確記載所測者為黏彈性材料，其機械性質可藉由為頻率函數之G'來描述，且G'係藉由動態機械分析儀所測得，並藉由結合描述物理工具之方程式的結果與黏彈性柱彎曲原理而導出G'，並假設μ為0.5適用於大部分聚合物。因此，熟悉該項技術者經閱讀證據8及13後，確實可以由證據8記載IC1000及SU
BAIV拋光墊之G'「測試數值」，推測E'「測試數值」，而推測之數值或許與實際之量測值有誤差，但經換算為E'的「比值」（即比例數值）後，因E'比值係2個E'數值相除之值，於推測2個E'數值所產生之誤差，相除後理應不致對E'的「比值」產生影響，故IC1000及SUBAIV拋光墊之E'在30℃及90℃時的比值應分別為約3及約1.5，其縱與實際測試之E'值經換算為E'比值後有些微落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1至約4之區間。相同地，證據8雖未記載於1.6Hz頻率下G'的測試數值，但由0.5Hz及1Hz之G'的測試數值曲線來看，其趨勢及斜率（曲線的斜率可代表其比值）均非常接近，SUBAIV拋光墊的測試曲線更幾乎完全重疊，故熟悉該項技術者可合理推測IC1000及SUBAIV拋光墊於1.6Hz頻率下之E'在30℃及90℃時的比值應分別為約3及約1.5，其縱與實際測試之值略有落差，但合理可信不會超出系爭專利界定約1至約4之區間。至證據13之教科書雖假設等向性而得一關係式，但此係科學上推導公式之必然，熟悉該項技術者於證據8未記載受測拋光墊為等向性材料的情形下，還是有可能參酌證據13所記載之簡化關係式，由G'來推測E'，因為E'及G'均為描述黏彈性材料性質常用之參數，故證據8、13並非無從或毫無理由結合。因此，拋光墊之研磨面的黏彈性性質，在每一個位置所測得的值應相當接近，故假設其為一等向性材料來適用證據13之簡化關係式，並無任何不合理之處。㈤羅門哈斯公司又主張 蒲松 氏比μ可能為負值，而不應適用
證據13所記載之簡單關係式，惟因證據8已明確記載假設μ為0.5，而證據13亦記載μ為0.5為一通常適用之情形，故熟悉該項技術者係依μ為0.5去進行推測，故其推測結果不會因μ可能有負值這件事產生影響。此外，證據8摘要已明確記載觀察到IC1000拋光墊之動態剪力模數G'於浸水5小時後降為其乾燥值的2/3，其內文3.1節亦有相同記載，其內文2.1節亦明確記載其有量測乾、濕狀態之IC1000及SUBAIV拋光墊，故證據8並非僅揭露泡水24小時後之G'。又由證據8之摘要及其內文3.1節之記載可知，拋光墊於乾燥狀態下之G'值約為泡水狀態下之G'值的1.5倍（2/3的倒數），但換算為G'在30℃和90℃的「比例」後不會產生實質影響，故再換算為E'在30℃和90℃的「比例」也不會產生實質影響。況系爭專利請求項1僅係界定「用來平面化一半導體元件或其先質之表面的拋光襯墊」，而證據8所測試之IC1000拋光墊亦係作為化學機械研磨之用，意同於所謂平面化半導體元件表面之用，核其二者用途並無不同。
㈥證據7（或證據14、15）與系爭專利請求項1之差異僅在於
證據7（或證據14、15）未揭露拋光墊具有於特定頻率下量測之E'在30℃和90℃的比例範圍，但系爭專利請求項1所界定之其他技術特徵，如凹槽圖案及凹槽深度、寬度、間距等，均已見於單一引證，可證屬系爭專利申請前所周知之技術。又證據7（或證據14、15）及證據8均已明確記載IC1000及SUBAIV拋光墊，故形式上雖係組合證據7（或證據14、15）、8及13的3個證據，但實質上證據8、13均係作為輔助判斷系爭專利請求項1界定之E'比值是否能輕易完成，故形式上雖係組合2個以上的證據，但實質上證據8、13係用以確認IC1000及SUBAIV拋光墊於系爭專利申請前是否已知具有系爭專利請求項1界定之E'比值。因此，證據7（或證據14、15）、8及13的組合，並非單純拼湊之組合，而係科學論證IC1000及SUBAIV拋光墊所具有的E'比值，是否為系爭專利申請前已知者。綜觀系爭專利之說明書及圖式，對於系爭專利請求項1界定「E'在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內」，並無任何實質上對於功效增進之說明或足以支持功效之實施例、數據等，且對於為何以10弳度/秒之頻率進行量測，系爭專利說明書亦無任何說明，實無從認定系爭專利請求項1有何異於既有之技術或知識的功效。因此，系爭專利請求項1與既有之技術或知識相比，並無任何之功效增進或技術問題的解決，對於先前技術並無任何貢獻，實有違專利制度有關進步性之立法目的。
證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項2不具進步性：
㈠系爭專利請求項2除包括請求項1之特徵A外，並包括：特
徵2a：一約0.03到約1.0的凹槽膠黏硬度商數，GSQ。特徵2b：一約0.03到約0.9的凹槽流動商數，GFQ。
㈡依證據7說明書圖3及圖4、第5欄相關說明，可知證據7已
揭示了系爭專利請求項2之特徵A的技術特徵。此外，證據7已揭露拋光襯墊之拋光層可具有約0.06至0.12英吋之厚度（T），且明確教示可為0.07英吋，並揭露拋光層之凹槽具有0.02至0.05英吋之深度（Dg），及明確教示可為0.03英吋。另由系爭專利說明書可知證據7已明確揭露拋光層可具有約0.43之GSQ。又證據7亦已教示拋光層可具有約
0.17之GFQ。因此，證據7已教示系爭專利請求項2拋光襯墊之特徵2a（凹槽膠黏硬度商數）及2b（凹槽流動商數）的技術特徵。證據7既已教示系爭專利請求項2之全部技術特徵，且證據8及13已揭露IC1000拋光襯墊與SUBAIV拋光襯墊具有系爭專利拋光襯墊有關E'比值之技術特徵。熟悉該項技術者既已基於證據7而可輕易完成系爭專利請求項2所請拋光襯墊，則依證據7與證據8及13之組合，自可輕易完成系爭專利請求項2所請之發明。綜上，證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項2不具進步性。
㈢證據7除已具體揭露系爭專利請求項2拋光襯塾之凹槽寬度
範圍，更已揭露拋光襯墊之拋光層厚度可為0.06至0.12英吋，因此，證據7並無未揭示拋光墊厚度的情況。此外，依證據7請求項6記載可知，有關證據7說明書第2頁關於凹槽寬度之記載確實存在誤繕，但該誤繕並非在寬度之上限值「0.04英吋」，而是所進一步記載之凹槽寬度特定態樣。既然證據7請求項7已具體主張「0.02英吋」的凹槽寬度為其專利權範圍，熟悉該項技術者當可理解凹槽寬度為「
0.02英吋」應為證據7之發明的技術特徵。再者，根據證據7之定義，間距（p）係間隔寬度（Wp）與凹槽寬度（Wg)之加總，從而，熟悉該項技術者可理解，證據7拋光襯墊之凹槽寬度（Wg）必然小於間距（p）。因此，證據7所設拋光襯墊之凹槽流動商數GFQ(即：凹槽寬度／凹槽間距）不可能大於1，羅門哈斯公司主張證據7之GFQ可高達4.44、1.67，且凹槽寬度上限應為0.40英吋之理由實不可採。
證據7、8與證據7、8與13；暨證據14、15分別與證據8及13之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性：
㈠系爭專利請求項3除包括請求項1之特徵A外，並包括：3a
：該襯墊上該凹槽之平地區域具有一約1到約9微米的平均表面粗糙度。
㈡證據7已揭示系爭專利請求項3特徵A的技術特徵，雖證據7
並未揭示系爭專利請求項3之特徵3a（平均表面粗糙度）的技術特徵。證據14說明書第10欄及請求項6與8揭示一種具有凹槽圖樣之拋光襯墊，其中該凹槽可為格子狀排列，且凹槽具有0.025英吋之深度、0.018英吋之寬度、及0.06英吋之間距。證據15說明書第7欄揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，溝槽具有一0.012英吋之深度，一0.55英吋（即約1,397微米）之間距。證據15說明書第4欄揭示溝槽深度至少與寬度相當，故證據15已揭示系爭專利請求項3特徵A的技術特徵。雖證據15並未揭示系爭專利請求項3之特徵3a（平均表面粗糙度）的技術特徵。惟證據8揭示一種ICl000及SUBAIV研磨墊，其第3圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7及7.355微米，係可對應於系爭專利請求項3之特徵3a的技術特徵。由於證據7、14、15與8均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且均與IC1000拋光襯墊相關，故熟悉該項技術者有動機組合彼等證據之技術，並可由此輕易完成系爭專利請求項3之拋光襯墊。故證據7、8；證據14、8；證據15、8之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性，且證據7、8、13；證據14、8、13；證據15、8、13的組合亦足以證明系爭專利請求項3不具進步性。
證據2、7之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8
及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不具進步性：
㈠系爭專利請求項4為請求項1的附屬項，除包含請求項1之
特徵A外，並包括：特徵4a：一彈性儲存模數，E'，其在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測之在30℃和90℃時的比例係在約1到約4之範圍內。特徵4b：該拋光層具有一在約125到850（1／Pa在40℃）之範圍內的能量損失因子，KEL，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
㈡證據2及7之組合不足以證明系爭專利請求項4不具進步性
：證據2並未揭露系爭專利請求項4特徵A及特徵4a、4b的技術特徵，雖證據7揭示系爭專利請求項4特徵A的技術特徵，惟證據7亦未揭示系爭專利請求項4關於特徵4a及4b的技術特徵。證據2與證據7之組合既對於系爭專利請求項4發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，則尚難認熟悉該項技術者依申請前既有之先前技術證據2、7之組合，即可輕易完成系爭專利請求項4，故證據2與證據7之組合尚不足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
㈢證據2、7、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不具
進步性：證據2及7之組合並未揭示系爭專利請求項4關於特徵4a及4b的技術特徵，雖證據8及13揭示了系爭專利請求項4之特徵4a的技術特徵，然即使將證據2、7、8及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4特徵4b的技術特徵。證據2、7、8及13之組合既對於系爭專利請求項4發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
㈣證據2、14、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不
具進步性：證據2、8及13之組合所揭示之內容並未揭露系爭專利請求項4之特徵A及4b的技術特徵，又證據14揭示了一種關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄及請求項6、8揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉格子狀排列且在拋光表面上均勻間隔，由此可知證據14已揭示了系爭專利請求項4之特徵A的技術特徵。然而，即使將證據2、14、8及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4特徵4b的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、14、8及13之組合對於系爭專利請求項4發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、14、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、14、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
㈤證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不
具進步性：證據2、8及13之組合所揭示的內容，並未揭露系爭專利請求項4之特徵A及4b的技術特徵，又證據15揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7欄揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔，由此可知證據15已揭示了系爭專利請求項4之特徵A的技術特徵。然而，即使將證據2、15、8及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項4之特徵4b的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、15、8及13之組合對於系爭專利請求項4發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項4尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、15、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、15、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
證據2、7及8之組合；證據2、7及9之組合；證據2、7、8、1
0及11之組合；證據2、7、9、10及11之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不具進步性：
㈠系爭專利請求項5除包括請求項1之特徵A外，並包括：特
徵5a：該拋光表面具有：一約1到約9微米之該凹槽平地區域上的平均表面粗糙度。特徵5b：一約40到約70的ShoreD硬度。特徵5c：一約100到2,000的張力模數，其係在40℃之溫度與10弳度/秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。特徵5d：一約150到1,000（1／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。特徵5e：一在30℃和90℃時在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測為從約1到約5的彈性儲存模數，E'比。
㈡證據2、7及8之組合不足以證明系爭專利請求項5不具進步
性：證據2並未揭露系爭專利請求項5之特徵A及5a、5c至5e的技術特徵，雖證據7揭示系爭專利請求項5之特徵A的技術特徵，然縱使將證據2與證據7組合，仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5a、5c至5e的技術特徵。另經由通常知識所知之關係式可計算出證據8之SUBAIV及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比值分別為約3及約1.5，其可對應於系爭專利請求項5之特徵5e的技術特徵；而證據8第3圖揭示IC1000拋光墊之表面粗糙度為5.7及7.355微米，則可對應於系爭專利請求項5之特徵5a的技術特徵。然即使將證據2、7及8予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵。證據2、7及8之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7及8之組合技術所能輕易完成，故證據2、7及8之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。㈢證據2、7及9之組合不足以證明系爭專利請求項5不具進步
性：證據2及證據7之組合，並未揭示系爭專利請求項5之特徵5a、5c至5e的技術特徵，雖證據9已揭示系爭專利請求項5襯墊上凹槽之平地區域具有一約1到約9微米的平均表面粗糙度（即特徵5a）之技術特徵。然縱使將證據2、7及9予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5c至5e的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、7及9之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7及9之組合技術所能輕易完成，故證據2、7及9之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。㈣證據2、7、8、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項5
不具進步性：證據2、7及8之組合並未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵，雖證據10揭示之相關技術特徵，可對應於系爭專利請求項5之特徵5c的技術特徵；證據11揭示之相關技術特徵，則可對應於系爭專利請求項5之特徵5e的技術特徵。然縱使將證據2、7、8、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5d的技術特徵。而依前述整體判斷原則，證據2、7、8、10及11之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、8、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、8、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
㈤證據2、7、9、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項5
不具進步性：證據2、7及9之組合並未揭示系爭專利請求項5之特徵5c至5e的技術特徵，而證據10僅揭示對應系爭專利請求項5之特徵5d的技術特徵；證據11僅揭示對應於系爭專利請求項5之特徵5e的技術特徵。故縱使將證據2、
7、9、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5c的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、7、9、10及11之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、9、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、9、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
㈥證據2、7、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不具
進步性：證據2、7及8之組合並未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵，依據證據13所揭示的關係式，可計算出證據8之SUBAIV及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為約3及約1.5，其可對應於系爭專利請求項5之特徵5e的技術特徵。然而，縱使將證據2、7、8及13予以組合，其仍然未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵。而依前述整體判斷原則，證據2、7、8及13之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
㈦證據2、14、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不
具進步性：證據2並未揭露系爭專利請求項5之特徵A及5a、5c至5e的技術特徵，雖證據14揭示關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄及請求項6、8揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，可對應於系爭專利請求項5之特徵A的技術特徵。然而，將證據2及證據14予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5a、5c至5e的技術特徵，又證據8及13之組合僅揭示對應於系爭專利請求項5之特徵5a及5e的技術特徵。因此，縱使將證據2、14、8及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵。而依前述整體判斷原則，證據2、14、8及13之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、14、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、14、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
㈧證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不
具進步性：證據2並未揭露系爭專利請求項5之特徵A及5a、5c至5e的技術特徵，由證據15揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7欄揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊，其溝槽可藉同心圓狀排列且在拋光表面上均勻間隔、第4欄揭示溝槽深度至少與寬度相當，可知證據15已揭示了系爭專利請求項5之特徵A的技術特徵。然而，將證據2及15予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5a、5c至5e的技術特徵。又證據8及13之組合僅揭示對應於系爭專利請求項5之特徵5a及5e的技術特徵。因此，縱使將證據2、15、8及13予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項5之特徵5c及5d的技術特徵。而依前開整體判斷原則，證據2、15、8及13之組合對於系爭專利請求項5發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項5尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、15、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據
2、15、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項5不具進步性。
證據2及7之組合；證據2、7、10及11之組合；證據2、7、8
及13之組合；證據2、14、8及13之組合、證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不具進步性：
㈠系爭專利請求項6除包含請求項1之特徵A外，尚包括：特
徵6a：向一晶圓和拋光襯墊之拋光層之間的界面偏斜晶圓；令一拋光流體流動到界面中；以及提供晶圓和拋光襯墊在壓力下進行的相對運動，伴隨拋光流體與晶圓間之運動受壓接觸，導致物質從該晶圓表面脫離的平面移除。特徵6b：該拋光層具有：一約40到約70ShoreD的硬度。特徵6c：一在40℃時約150到2,000MPa的張力模數，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。特徵6d：
一約100到1,000（1／Pa在40℃）的能量損失因子，KEL，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
特徵6e：一在30℃和90℃時為從約1到約5的彈性儲存模數，E'比，其係在10弳度／秒之頻率下利用動態機械分佈法所量測。
㈡證據2及7之組合不足以證明系爭專利請求項6不具進步性
：證據2揭示了系爭專利請求項6的特徵6a及6b之技術特徵。然證據2並未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e及特徵A等技術特徵，雖證據7揭示系爭專利請求項6之特徵A的技術特徵，然而，即使將證據7與證據2予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e的技術特徵。證據2及7之組合既對於系爭專利請求項6發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2及7之組合技術所能輕易完成，故證據2及7之組合尚不足以證明系爭專利請求項6不具進步性。
㈢證據2、7、10及11之組合不足以證明系爭專利請求項6不
具進步性：證據2及證據7之組合並未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e的技術特徵，又證據10揭示一種可用於製造半導體元件之拋光墊，且證據10請求項1揭示之相關技術特徵，可對應於系爭專利請求項6之特徵6c的技術特徵。證據11揭示一種研磨材質，則可對應於系爭專利請求項6之特徵6e的技術特徵。然而，即使將證據2、7、10及11予以組合，該等證據仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6d的技術特徵。而依整體判斷原則，證據2、7、10及11之組合既對於系爭專利請求項6發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、10及11之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、10及11之組合尚不足以證明系爭專利請求項6不具進步性。
㈣證據2、7、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不具
進步性：證據2及證據7之組合並未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e的技術特徵。而經由證據13之關係式已可計算出證據8之SUBAIV及IC1000拋光襯墊之E'於30℃和90℃時之比例分別為約3及約1.5。據此，證據8及13之組合所揭示的技術內容係可對應於系爭專利請求項6之特徵6e的技術特徵。因此，縱使將證據2、7、8及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c及6d的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、7、8及13之組合既對於系爭專利請求項6發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、7、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、7、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6不具進步性。㈤證據2、14、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不
具進步性：證據2僅揭示了系爭專利請求項6的特徵6a及6b之技術特徵，然證據2並未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e及特徵A等技術特徵。又證據14揭示一種關於在化學機械研磨系統中用於拋光基板之鋪網底形拋光墊，證據14說明書第10欄及請求項6、8揭示之相關技術特徵，可對應於系爭專利請求項6之特徵Ａ的技術特徵。惟即使將證據14與證據2予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e的技術特徵。而證據8及證據13之組合所揭示的技術內容，其僅揭示可對應於系爭專利請求項6之特徵6e的技術特徵。故縱使將證據2、14、8及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c及6d的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、14、8及13之組合對於系爭專利請求項6發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、14、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、14、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6不具進步性。
㈥證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不
具進步性：證據2僅揭示了系爭專利請求項6的特徵6a及6b之技術特徵，且證據2並未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e及特徵A等技術特徵。又證據15揭示關於一種用於例如玻璃、半導體、電介質／金屬混合物以及積體電路上形成光滑、超平坦表面之拋光墊，證據15說明書第7欄第39至40行揭示一具有溝槽圖樣之拋光墊。證據15所揭示的技術內容可對應於系爭專利請求項6之特徵A的技術特徵。故即使將證據15與證據2予以組合，該等證據之組合仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c至6e的技術特徵。而有關證據8及證據13之組合所揭示的技術內容，其僅揭示可對應於系爭專利請求項6之特徵6e的技術特徵。故縱使將證據2、15、8及13予以組合，其仍未揭示系爭專利請求項6之特徵6c及6d的技術特徵。依整體判斷原則，證據2、15、8及13之組合對於系爭專利請求項6發明技術內容整體並未揭露、教示或建議，系爭專利請求項6尚難為熟習該項技術者依申請前既有之證據2、15、8及13之組合技術所能輕易完成，故證據2、15、8及13之組合尚不足以證明系爭專利請求項6不具進步性。
奈平公司主張系爭專利請求項4至6不具進步性，並無理由：
㈠專利說明書中的實施例是舉例說明發明較佳的具體實施方
式，其數目主要是取決於申請專利範圍中所載之技術特徵的總括程度，而實施例的數目是否適當，亦應考量發明的性質、所屬技術領域及先前技術的情況，原則上應以是否符合可據以實現要件及是否足以支持申請專利範圍，予以判斷。是以，專利說明書中的實施例是用以判斷是否足以支持申請專利範圍所涵蓋的技術手段，並非判斷進步性的必要步驟，此外系爭專利之發明所達到的功效，是用以作為肯定進步性的因素之一。因此，即使申請時之通常知識或先前技術會促使該發明所屬技術領域中具有通常知識者完成申請專利之發明，只要該發明具有無法預期之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有力之情事。依系爭專利說明書及其實施例3至5，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解經由該等特定的參數組合，係可達到該發明所欲之效果。
㈡實施例3至5已記載了相關可對應於系爭專利請求項5及6的
技術特徵。雖然實施例3至5未明顯記載凹槽圖案及凹槽深度、寬度與間距或者是平均表面粗糙度，但當所屬技術領域中具有通常知識者參酌系爭專利說明書所記載的內容後，當會將該等技術特徵使用在實施例3至5的實驗中，而形成特定的技術特徵的組合，進而產生其所欲之功效。
㈢判斷一專利之發明是否具有進步性時，通常會涉及複數引
證之技術內容的結合，此時，應考量該發明所屬技術領域中具有通常知識者是否有動機能結合複數引證之技術內容，（例如主要引證之技術內容A與其他引證之技術內容B）而完成申請專利之發明（例如技術內容A+B），若有動機能結合，則可判斷具有否定進步性之因素。而奈平公司所提的證據均未揭示能量損失因子（KEL），該等證據既未能揭示或教示、建議要將能量損失因子界定在特定的範圍，並與其他技術特徵予以組合，則難謂可預期該等證據之組合可完成系爭專利所欲達到的功效。且判斷一專利之發明能被輕易完成而不具進步性，應將申請專利之發明的整體與相關先前技術進行比對，以該發明所屬技術領域中具有通常知識者參酌申請時之通常知識的觀點，作成客觀的判斷，故奈平公司相關之主張，並不可採。
綜上所述，原處分認證據7、8及13之組合；證據14、8及13
之組合；證據15、8及13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性；證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項2不具進步性；證據7及8之組合；證據7、8及13之組合；證據
14、8及13之組合；證據15、8及13之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性，並無違誤。另原處分認證據2及7之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不具進步性；證據2、7及8之組合；證據2、7及9之組合；證據2、7、8、10及11之組合；證據2、7、9、10及11之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、
15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不具進步性；證據2及7之組合；證據2、7、10及11之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不具進步性，均有理由。故被上訴人所為請求項1至3舉發成立，應予撤銷，請求項4至6舉發不成立之審定，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合等語，因將訴願決定及原處分均予維持，駁回上訴人之訴。
肆、上訴人羅門哈斯公司上訴意旨略以：證據8所量測之IC1000與SUBAIV拋光襯墊具有彈性，即表示
其等具有可壓縮性。惟證據13揭露在特殊情況下之不可壓縮材料，(dV/dε)=0，而μ=0.5，可得以下結果：E=3G。準此，證據8所量測之IC1000與SUBAIV拋光襯墊既具有彈性必然具一定之可壓縮性，自不屬於證據13前開所列之不可壓縮材料，證據8所量測之IC1000、SUBAIV等拋光襯墊不適用證據13之簡單公式；縱使可適用該公式，由於拋光襯墊之性質受其材料影響甚深，該等拋光襯墊之 蒲松氏 比(μ)可能為負值，故熟悉此項技術者根本不會假設該等拋光襯墊之蒲松氏比為0.5；實際上蒲松(氏)比並非定值，而係隨溫度、時間、張力……等之不同而有所變化，且觀諸證據8第602等頁關於『...Inthiswork,Poisson'sratioofpolishingpads
wasassumedtobe0.5,...』等之記載，既使用『assumed』表示為假設之意，亦即原判決係以先前技術所載之假設內容而認定證據8與13之組合已揭示系爭專利請求項1之E'比值技術特徵，因而錯誤認定其等與證據7(或14或15)等之組合足證系爭專利請求項1不具進步性，因此，原審關於系爭專利請求項1判決，有適用90年專利法第20條第2項不當之違背法令。
原審以欠缺支持其功效之實質內容為由，未肯認系爭專利請
求項1所界定『E'在30°C和90°C時的比例係在約1到約4之範圍？』等相關技術特徵所達成『晶圓拋光時之凹化作用』的問題解決或功效，並逕認系爭專利請求項1不具進步性；然系爭專利說明書實施例4至5實已對系爭專利各請求項之發明進行功效試驗說明，應已具備支持功效的相關內容，且足證該功效等係基於先前技術而無法預期；另複數引證之技術內容縱具有關連性，通常亦難以直接認定該發明所屬技術領域中具有通常知識者有動機能結合該複數引證，於判斷證據
7、8與13……等引證組合之結合動機時，必須考量系爭專利之發明前述晶圓拋光時之凹化作用的問題解決、功效等因素，而前述證據皆未涉及解決『晶圓拋光時之凹化作用』之課題，遑論預測系爭專利之發明所達成的功效，前述證據之組合並不足以證明系爭專利之發明不具進步性」，因此，原審關於系爭專利請求項1之判決，有適用90年專利法第20條第2項不當之違背法令。
原判決認定證據7之拋光襯墊包含一上層(即拋光層），該上
層的厚度（T）可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋，並以T作為拋光襯墊之厚度進行GSQ之計算，惟參照證據7第4圖及相關說明可知其拋光襯墊之厚度則是編號36之厚度(即前述之T)加上編號38之厚度，從而，原判決前開認定之厚度既非該拋光襯墊之厚度，且由於證據7通篇並未揭示編號38之厚度值，熟習該項技術者自無從據以估算其拋光襯墊之GSQ(GSQ=凹槽深度/拋光襯墊厚度)甚明，原審關於請求項2之判決有違背法令。
伍、上訴人奈平公司上訴意旨略以：原判決係認定系爭專利請求項4至6具有無法預期之功效，並
進而據以肯認其等具有進步性，然該等認定違反經驗法則、論理法則，且漏未斟酌上訴人關於前述發明之功效等的攻擊防禦方法；原判決關於系爭專利之實施例3至5可以支持系爭專利請求項4至6具有無法預期功效之認定，顯然與卷內證據不合，且漏未斟酌上訴人關於『前述請求項所界定KEL值單獨或與請求項中所界定其他參數之整體組合未提供任何效益』之主張；原判決一方面以系爭專利請求項4至6之發明係為有須特定技術特徵如KEL值等之組合才可達成特定效果，肯定請求項4至6具有進步性；另一方面卻以系爭專利之說明書及圖式，對於系爭專利請求項1界定『E'在30°C和90°C時的比例係在約1到約4之範圍？』，並無任何實質上對於功效增進之說明或足以支持其功效之實施例、數據等，否定請求項1之進步性，因此，有判決理由矛盾及判決理由不備之違背法令。
原判決關於系爭專利之實施例3至5可以支持系爭專利請求項
4至6具有無法預期功效之認定，顯然與卷內證據不合，更有漏未斟酌上訴人之重要攻擊防禦方法，且違反經驗法則、論理法則，而有判決理由不備及判決理由矛盾之違背法令。
原判決一方面認定請求項4至6之功效來自於所有技術特徵組
合，另一方面卻認定實施例3至5未具有請求項4至6之所有參數組合但仍可產生所欲達成之功效，則究竟請求項4至6是否需要具有所有參數組合始能產生不可預期功效？又原判決一方面認定「E'在30℃和90℃時的比例」然無法帶來功效增進，另一方面又認定系爭專利說明書之比較實施例1中的襯墊1A、1B及1C已揭露包含請求項4所界定之KEL值範圍，可用以解決凹化作用問題並帶來功效增進。而其唯一之差異「E'比值」此一參數，復經原判決認定系爭專利說明書並無任何實質上對於功效增進之說明，則何以請求項4相對於比較實施例1中的襯墊1A、1B及1C仍可具有功效增進？原判決前後論斷不一，顯有判決理由矛盾之違法等語。
陸、本院按：
（壹）按「發明專利權得提起舉發之情事，依其核准審定時之規定。」為專利法第71條第3項本文所明定，查系爭專利申請日為90年5月25日（優先權日為⒈89年5月27日，申請案號為60/207,938；⒉89年6月28日，申請案號為60/222,099），經被上訴人准予發明專利，於101年11月1日公告。奈平公司於102年1月31日以系爭專利違反專利法第67條第4項暨核准時（90年10月26日修正施行）專利法第20條第1項第1款、第2項及第71條第3款之規定，對之提起舉發。經被上訴人審查，以106年8月17日（106）智專三（三）05128字第10620852540號專利舉發審定書為「請求項1至3舉發成立，應予撤銷」、「請求項4至6舉發不成立」之審定，故系爭專利有無撤銷之原因，應以核准審定時所適用之90年10月24日修正公布、90年10月26日施行之專利法（下稱核准時專利法）規定為斷。另按「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。」核准時專利法第20條第2項定有明文。
（貳）關於上訴人羅門哈斯公司部分（即原處分就系爭專利「請求項1至3舉發成立，應予撤銷」部分）系爭專利請求項1：
㈠本件原判決已斟酌全辯論意旨及調查證據之結果，適用
前揭規定，就證據7、8及13之組合足以證明系爭專利請求項1不具進步性等情，詳予論斷，將判斷而得心證之理由記明於判決，並敘明上訴人羅門哈斯公司主張系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者不會組合證據8及13；蒲松氏比μ可能為負值，而不應適用證據13所記載之簡單關係式云云，尚不得執為上訴人羅門哈斯公司有利之論據，業如上述，經核並無違背論理法則或經驗法則，亦無判決不適用法規或適用不當、不備理由等違背法令情事。況上開證據組合與原審103年度民專上字第28號所認定之被證9、12及13之組合（證據對照表如附件所示）足以證明系爭專利請求項1不具進步性之證據組合相同，且業經最高法院107年度台上字第754號判決駁回而確定可資參照。本院經核原判決駁回上訴人在原審之訴，並無違誤。茲就上訴理由再予論述如下。
㈡上訴意旨以：原判決係以先前技術所載之假設內容而認
定證據8與13之組合已揭示系爭專利請求項1之E'比值技術特徵，因而錯誤認定其等與證據7(或14或15)等之組合足證系爭專利請求項1不具進步性云云，惟按發明進步性審查之重點在於判斷熟習該項技術者依申請前之先前技術是否能輕易完成該發明，縱使發明之技術特徵未存在於先前技術中，只要該發明是熟習該項技術者基於先前技術之內容能輕易完成的，就應判斷該發明不具進步性，自與先前技術中對特定技術之內容是否為假設或是否存在假設無涉。經查，證據13為聚合物黏彈性導論之教科書，其關於不可壓縮材料之定義係體積對應變的微分為零(dV/dε=0)，亦即一材料雖因外力(應力)作用而產生(壓縮、伸張等形狀之)應變，只要其體積不會因應變而產生變化就符合其不可壓縮材料之定義，與該材料是否具彈性無涉。由於物體產生形變時並不必然會產生體積變化，故尚難僅因證據8所揭示拋光襯墊具有彈性而推論其必然非屬不可壓縮性物質，更不得據以認定其必然不適用證據13所揭示之 浦松氏 公式（Poisson'sequation）。況證據8亦具體揭示其拋光襯墊係為聚氨酯(聚合物)之黏彈性材料(參證據8第601頁第2.1節)，故亦難謂該二證據所揭示之內容不可貫通使用。再者，證據8已具體敘明在其研究中所使用拋光襯墊係聚氨酯之黏彈性材料，其蒲松氏比（Poisson'sratio）可設為0.5，適用於大部分之聚合物，且在該研究中係測量IC1000或SUBAIV拋光襯墊（參證據8第602頁第2.1節「拋光襯墊剪力模數之特性描述」），而如前述，證據13所揭示者正為黏彈性聚合物所應適用之浦松氏公式的相關技術內容，該證據亦敘明就實驗上而言，對於橡膠μ是相當接近0.5，而對某些塑膠則可為0.2至0.3，顯見證據8之μ設定值並未有與證據13不相符或矛盾之處，熟習該項技術者當然能輕易以證據13所揭示之蒲松氏公式而由IC1000等之G'值推算證據8中所使用拋光襯墊之E'值，尚無上訴人羅門哈斯公司所稱無法適用該公式之情事。再者，證據8等雖揭示浦松氏比可設為定值，而證據8既已具體建議其拋光襯墊之浦松氏比(μ值)應設為0.5，熟習該項技術者當知該μ值可用於計算該研究所使用拋光襯墊之E'等性質而不會或幾乎不會產生誤差，因此，自難謂原判決違反相關領域之經驗或論理法則，而有不當之違背法令的情事。㈢另關於系爭專利是否具有技術問題解決或功效等之增進且已達到無法預期的程度一節，經查：
⒈系爭專利說明書實施例4至5雖包含具有凹槽及特定E'比
、KEL值等之(如控制的/或典型襯墊調配物製得的)拋光襯墊體間關於凹化(碟化)瑕疵的試驗數據，然就該等實施例中所使用典型襯墊調配物製得的拋光襯墊體而言，系爭專利說明書並未明確記載其等之凹槽態樣(如深度、寬度、間距等)，尚難確認其等是否符合系爭專利請求項1中所界定之凹槽設置方式(如前述技術特徵A等)，自不得認定該等實施例之襯墊具備系爭專利請求項1所界定之全部技術特徵，因此，尚難以該等實施例襯墊之試驗結果，認定系爭專利請求項1中所界定之發明必然已解決『晶圓拋光時之凹化作用』之問題或已達成功效，自不得據以認定系爭專利之發明相較於(證據7、8……等)先前技術所揭示者確實具有技術問題解決或功效等之增進且已達到無法預期的程度。
⒉另就系爭專利請求項1所界定『E'在30°C和90°C時的比
例係在約1到約4之範圍內』之技術特徵1a而言，經查該鑄模襯墊與該控制襯墊間之凹槽設置方式並不相同，該等襯墊間之差異除技術特徵1a外，尚包括凹槽設置方式等，自難認定具有技術特徵1a之襯墊皆確能達成特定凹槽型態者可能無法達成的功效；再者，就實施例4之鑄模襯墊而言，系爭專利說明書並未具體揭示其凹槽設置方式，無法確認其是否符合系爭專利請求項1所界定之全部技術特徵，故亦難據實施例4之數據而認定系爭專利請求項1必然具備前述避免「凹化作用」等功效，不得據認定系爭專利前述請求項之進步性，原判決自無違背法令情事。
㈣另關於判斷複數引證之結合動機一節，查原判決中敘明
「證據7、8、13均為拋光襯墊之相關聯技術領域，且證據7、8、13均利用拋光襯墊之結構、形狀，或物理特性來解決拋光襯墊之研磨相關問題，所欲解決之問題具有共通性，熟習該項技術者有明顯動機組合證據7、8、13之技術」、「又參酌證據7、8及13後，可以得知IC1000或SUBAIV拋光襯墊，為熟悉該項技術者於系爭專利申請前所周知選用之拋光襯墊材料，且證據7及8揭露高度相關性之內容，即均屬於研磨墊相關之研究文獻，證據7及8之組合對於熟悉該項技術者並無任何困難或不合理之處。因此，熟悉該項技術者欲解決研磨墊材料之技術問題時，可輕易依據證7揭露之溝槽圖案及溝槽深度、寬度、間距，實施於IC1000或SUBAIV拋光襯墊上，因而能輕易完成系爭專利請求項1之發明。」……等論述，顯見原審之判決已充分考量複數引證間關於技術領域、解決問題等之關連性方將其等進行結合；且如前述，證據7、8……等均實質包含可藉由調整其拋光襯墊之結構、設置方式等以提升製程效能或解決研磨墊之習知問題(如「平坦化效應」等)等的相關記載(參證據7說明書第1至2欄、證據8第602至606頁3.結果與討論及4.結論、…等)，則原判決之相關論述並未有與事實不符或於理不合之情事，上訴人羅門哈斯公司所稱原判決違反法令之情事云云，並非可採。
㈤綜上所述，上訴人羅門哈斯公司之上訴均不可採。本件
事證已臻明確，原判決關於證據14、8及13之組合；證據
15、8及13之組合是否足以證明系爭專利請求項1不具進步性的論述，自無庸再予一一贅述。
系爭專利請求項2：
㈠原判決關於證據7足以證明系爭專利請求項2不具進步性
（7、8及13之組合當然足以證明請求項2不具進步性）之事實，以及上訴人羅門哈斯公司主張證據7未揭示其拋光墊厚度，及其說明書第2欄第60至66行的凹槽寬度0.015至0.04英吋中之0.04英吋的數值有誤，且證據7之凹槽流動商數GFQ（即：凹槽寬度／凹槽間距）可達4.44、1.67而未落入系爭專利請求項2所界定範圍云云之主張如何不足採等事項均詳予以論述，是原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規並無違背，與解釋，亦無牴觸，並無所謂原判決有違背法令之情形；本院經核原判決駁回上訴人在原審之訴，並無違誤。茲就上訴理由再予論述如下。
㈡經查，證據7已揭露其拋光襯墊可為具雙層墊體之結構，
該雙層之上層為拋光層，且其厚度可為0.06至0.12英吋，例如0.07英吋，且該上層墊體可為Rodel,Inc.所製習知的IC-1000拋光襯墊(參證據7說明書第5欄第9至24行)，亦即證據7已揭示其拋光襯墊中實際用於拋光(層)並產生主要作用之IC-1000拋光襯墊的厚度、凹槽設置方式等技術內容。據此，熟習該項技術者當可得知，若須應製程之需(如減少因兼採下層墊體所導致之成本)而欲使用單層墊體時，應採用該上層墊體做為拋光襯墊進行拋光，方能發揮最佳功效，故證據7應已實質揭露單層拋光襯墊之厚度、凹槽設置方式，難謂有上訴人羅門哈斯公司所稱該證據未揭露拋光襯墊厚度之情事；另查，系爭專利請求項2並未限定其拋光襯墊不可用做為雙層(複合)墊體之上層拋光層(如前述之IC-1000拋光襯墊)，亦即該請求項所界定之拋光襯墊可用於做為證據7所揭示襯墊之拋光層，故原判決採該拋光層(即IC-1000拋光襯墊)之相關設置與系爭專利請求項2之發明進行技術特徵比對，就技術層面並無困難，上訴人羅門哈斯公司所稱因無拋光襯墊厚度而無從計算該襯墊GSQ云云，自非可採。
㈢本件事證已臻明確，原判決關於證據7與8及13之組合是
否足以證明系爭專利請求項2不具進步性的論述，自無庸再予一一贅述。
系爭專利請求項3：上訴人羅門哈斯公司僅於上訴聲明一
併就此部分為不服之表示，但並未於上訴意旨提及此部分之理由，經查，原判決業已詳述證據7、8之組合足以證明系爭專利請求項3不具進步性事實認定之依據及得心證之理由，核與卷內事證並無不符；經核並無違背論理法則或經驗法則，亦無判決不適用法規或適用不當、不備理由等違背法令情事，自應予以駁回。本件事證已臻明確，關於原判決證據7、8與13；暨證據14、15分別與8及13之組合是否足以證明系爭專利請求項3不具進步性之論述，自無庸再予一一贅述。
（參）關於上訴人奈平公司部分（即原處分就系爭專利「請求項4至6舉發不成立」部分）原判決關於證據2及7之組合；證據2、7、8及13之組合；
證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項4不具進步性；證據2、7及8之組合；證據2、7及9之組合；證據2、7、8、10及11之組合；證據2、7、9、10及11之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項5不具進步性；證據2及7之組合；證據2、7、10及11之組合；證據2、7、8及13之組合；證據2、14、8及13之組合；證據2、15、8及13之組合不足以證明系爭專利請求項6不具進步性之事實，以及上訴人奈平公司所主張如何不足採等事項均詳予以論述，是原判決所適用之法規與該案應適用之現行法規並無違背，與解釋亦無牴觸，並無所謂原判決有違背法令之情形；本院經核原判決駁回上訴人在原審之訴，並無違誤。茲就上訴理由再予論述如下。
按本件所適用前引之核准時專利法條文之不具進步性係
指：運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成者。法條以否定文句呈現進步性規範，所以從法條文義解釋之，能否輕易完成申請專利之發明的重點在於是否能建立不具進步性之論理，而論理時應先考量是否存在如有動機能結合複數引證而完成該發明等之「否定進步性之因素」，若無「否定進步性之因素」，則無法建立不具進步性之論理，得判斷該發明具有進步性；惟系爭專利之發明所達到的功效，是用以作為肯定進步性的因素之一，若系爭專利之發明對照相關先前技術具有無法預期之功效，則於判斷是否具有肯定進步性之因素時，得視為有力之情事。若堅持按「否定進步性之因素」，其次再與「肯定進步性之因素」(是否存在如有利功效等)綜合考量的先後步驟，以決定能/否建立該論理，來判斷該發明不具/具進步性〔審查基準第二篇第三章第2-3-18頁進步性判斷步驟5之⑴至⑷〕。但既已先判斷「否定進步性之因素」，已決定該發明之不具進步性，將造成功效等肯定因素形同具文，反面言之，則將導致單以功效等肯定因素推翻前所判斷之「否定進步性之因素」，均非妥適。是惟有在判斷引證結合等「否定進步性之因素」時，須即同時考量系爭專利之發明的功效等因素，而不機械式的先後判斷「否定進步性之因素」、功效等，才符合判斷專利進步性之真正意義。原判決係結合前述證據2、7……等先前技術之內容，熟
習該項技術者仍無法得知該等發明之特徵4b，遑論能輕易完成該等發明之整體，而肯認前述請求項之進步性〔原審判決書第47至62頁貳、五(七)至(九)〕，且詳細敘明上訴人奈平公司關於功效之攻防主張不足採的理由〔原審判決書第62至65頁貳、五(十)〕等情，核與卷內事證並無不符；經核並無違背論理法則或經驗法則，亦無判決不適用法規或適用不當、不備理由等違背法令情事。上訴人奈平公司所稱未考量其主張或僅據前述功效而逕認該等請求項具進步性云云，尚非可採。
關於系爭專利請求項4至6所界定KEL值域之技術特徵的功
效是否為熟習該項技術者可預期之部分，由於證據2與7之組合……等先前技術之內容並未揭示特徵4b之相關技術內容，將該特徵4b附加於前述先前技術所揭示之拋光襯墊，亦非屬相關技術領域之通常知識，熟習該項技術者，自無法得知或預期應用於拋光襯墊之功效，該功效當屬基於先前技術無法預期，上訴人奈平公司上訴意旨所稱：顯然與卷內證據不合、前述請求項所界定KEL值單獨或與請求項中所界定其他參數之整體組合未提供任何效益等云云，自非可採。
至於原判決關於請求項1、請求項4至6等之發明功效可預
期性的判斷結果不同是否必然導致理由矛盾的部分，查發明之功效是否為基於先前技術而能預測的，除需考量其所有技術特徵的影響外，還須基於先前技術所揭示之技術內容，針對各請求項之發明進行個別判定，固難在未進行實質比對而概括地認定不同請求項間關於其功效可預測之結論必然應完全相同，且就系爭專利請求項1、請求項4至6所界定之技術特徵而言，其等除前述共通之特徵A外，還包含其他不同技術特徵(如特徵1a、特徵4至4b…等)，尚難在未考量先前技術所揭示技術內容而無條件地認定其等發明功效之可預測性皆應相同，自無因不同請求項間之發明功效可預測性不同而認原判決有理由矛盾之理；況原判決關於前述請求項之功效可預測性，係針對各請求項所界定之技術特徵、基於先前技術(或其組合)所揭示之內容是否已能完成該等請求項之發明等因素進行整體考量後方作成結論，且其論理亦無違反經驗、論理法則而違背法令之情事，上訴人奈平公司空言主張：該等請求項判斷結論不同已造成判決理由矛盾或不備云云，殊非可採。
上訴人奈平公司另主張稱原審於另案更審行政判決中〔
即108年度行專更㈠字第2號行政判決，上證2號〕明確論及，(該案中)系爭專利請求項4進一步界定之KEL數值範圍，就技術概念的本質而言亦僅為界定張力模數E'與tanδ之相對值範圍，且並無基於先前技術而不可預期之功效，原審該108年度行專更㈠字第2號行政判決可證原判決關於(請求項4至6所界定)KEL技術特徵之功效的認定為錯誤，原判決顯有理由矛盾及理由不備之違背法令等云云。惟發明之功效判斷，除需考量其所有技術特徵的影響外，尚須基於先前技術所揭示之技術內容，針對各請求項之發明進行個別判定，經查上訴人奈平公司所稱原審108年度行專更㈠字第2號之另案判決中爭執者係公告號528646之發明專利，該專利之說明書、申請專利範圍各請求項等技術內容，與本案系爭專利(公告號508284)各請求項所界定者並不相同，尚難將該另案判決與本件原判決進行比附援引，而逕認二者對於特定技術特徵或不同發明之功效應完全相同的認定。且該另案判決中兩造及參加人所引用證據及其等之組合，與本件當事人所引用者並不相同，亦即先前技術範圍並不相同，上訴人引用上開另案判決所為之上訴意旨，亦非可採。
（肆）從而，上訴論旨，仍執前詞，指摘原判決違背法令，求予廢棄，為無理由，應予駁回。
柒、據上論結，本件上訴均為無理由。依智慧財產案件審理法第1條及行政訴訟法第255條第1項、第98條第1項前段，判決如
主文。中華民國109年12月23日
最高行政法院第四庭
審判長法官鄭小康
法官帥嘉寶法官林玫君法官李玉卿法官劉介中以上正本證明與原本無異中華民國109年12月23日
書記官劉柏君