裁判字號：智慧財產法院106年行專訴字第42號判決
裁判日期：民國106年11月16日
裁判案由：發明專利申請
智慧財產法院行政判決
106年度行專訴字第42號原告昆山允升吉光電科技有限公司代表人 魏志凌 （董事長）訴訟代理人 彭志弘 專利代理人被告經濟部智慧財產局代表人 洪淑敏 （局長）住同上訴訟代理人 林水泉
林碧鴻 上列當事人間因發明專利申請事件，原告不服經濟部中華民國
106年4月13日經訴字第10606303440號訴願決定，本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、事實概要：緣原告前於民國（下同）102年1月15日以「印刷用三維立體掩膜版」向被告申請發明專利（下稱系爭申請案），並以西元2012年1月16日向大陸地區申請之第000000000000.x號專利案主張優先權，經被告編為第000000000號審查，不予專利。原告不服，於103年11月11日申請再審查，經被告於105年4月18日以審查意見通知函，將系爭申請案應不予專利之理由通知原告申復，原告於105年7月11日提出申復理由及修正本。案經被告依前揭修正本審查，核認系爭申請案有違專利法第22條第2項之規定，以105年11月17日（105）智專三（一）02017字第10521416430號專利再審查核駁審定書為系爭申請案應不予專利之處分。原告不服，提起訴願，經經濟部106年4月13日經訴字第10606303440號決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。
貳、原告主張：
一、訴願決定未依循專利審查基準之進步性相關審查原則：㈠系爭申請案請求項1「該三維立體掩膜版採用由304不銹鋼
蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，其中，在進行電鑄成形前，該芯模需要先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜」的技術思想，主要是透過將「304不銹鋼」經「蝕刻」製得作為陰極基板的芯模，通過蝕刻緩慢進行的特性準確控制芯模的製作流程，從而提高精度，且「304不銹鋼」在經「蝕刻」後會形成一層具有非晶態結構的緻密的氧化表面膜，從而使形成的芯模具有不粘合的特性，利於電鑄後產物的剝離，得到精度符合要求的三維立體掩膜版。「蝕刻」導致的芯模的高精度和「形成一層具有非晶態結構的緻密的氧化表面膜，利於電鑄後產物的剝離」使得後續電鑄得到的掩膜版具有高精度且孔壁光滑無毛刺，進而避免後續在錫膏印刷的過程中出現崩錫、連錫、拉尖等不良現象。系爭申請案發明的「掩膜版（物）」，符合「以製法之外的技術特徵無法充分界定，可以用製法來界定『物』之發明」的專利審查基準規定之情況。
㈡被告機關2013年所頒行之專利審查基準第2-3-16頁之審查基
準第2篇3.3關於進步性之審查原則，比對系爭申請案請求項1是否具備進步性，應當將其「芯模的製備方法」對「掩膜版（物）」產生的影響納入比對範圍。訴願決定並未考量系爭申請案請求項1中「採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，其中，在進行電鑄成形前，該芯模需要先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜」是否具備專利要件（進步性），即指稱系爭申請案不具進步性，違反被告機關專利審查基準之「進步性之審查應以每一請求項所載之發明的整體為對象」之審查原則。
㈢引證2未揭露在304不銹鋼芯模表面「蝕刻」製作凹陷結構
，而由於機械衝壓等方法製得的芯模精度不高，使得在此芯模的基礎上得到的掩膜版開口精度不夠高，品質也不能得到有效的保證，使得想要提供定位及尺寸精度符合要求的掩膜版非常困難。而系爭申請案採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形出印刷用三維立體掩膜版，可在掩膜版表面形成氧化表面膜，從而可提供定位及尺寸精度符合要求的掩膜版，以解決引證2所存在無法克服的技術問題，故相較於引證2，系爭申請案具有無法預期且有益的功效。
㈣引證1、2甚至引證3均未揭露系爭申請案請求項1中「在
進行電鑄成形前，不銹鋼芯模需要先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜」的技術思想，因此，所屬技術領域中具有通常知識者依引證1、2之先前技術並無法輕易完成系爭申請案請求項1的技術方法，系爭申請案請求項1具備進步性。又請求項1具備進步性，其附屬請求項2至9當然也具備進步性。
二、被告的再審查核駁審定書中，針對進步性之審查，並未以每一請求項所載之發明的整體為對象，違反專利審查基準之相關規定：
被告之再審查核駁審定書中，並未針對系爭申請案請求項1中所載之「係採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，其中，在進行電鑄成形前，該芯模需先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜」的技術特徵給予審查，即指稱系爭申請案請求項1及其附屬請求項2至9不具進步性，違反專利審查基準之相關規定。
三、並聲明：1.訴願決定及原處分均撤銷。2.被告就000000000號發明專利申請案，應為准予專利之審定。3.訴訟費用由被告負擔。
參、被告答辯：
一、系爭申請案說明書〔0025〕段落「一般通過在電鑄槽中加入一個陽極擋板來提高鍍層均勻性；開口品質好，就不會出現塌錫、連錫、拉尖等不良現象。電鑄較雷射鋼網之最大優點就在於電鑄是原子級別的沉積，只要顯影點控制得很好，電鑄出來的掩膜版之孔壁光滑、無毛刺等不良現象」，可知系爭申請案「鍍層均勻性…孔壁光滑、無毛刺」主要來自「電鑄」；說明書〔0034〕段落「採用304不銹鋼芯模作為陰極基板，鍍層易於剝離，且可得到角度複合要求之凹陷區域12
1及凸起區域111，這是由於304不銹鋼表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜，與沉積層有著很大的晶相差異，從而形成的電鑄層之『不粘合』特性，利於凹陷區域
121的剝離」，可知系爭申請案「非晶態結構的緻密的氧化表面膜」主要來自304不銹鋼材料之選用使然；況系爭申請案亦無「蝕刻凹陷等製作方法」具體技術手段之說明（例如「蝕刻而製作出一個凹陷」，如何得到圖2B之凸起區域），是以所稱蝕刻製作之凹陷，與一般電鑄前，將芯模蝕刻於表面形成之凹陷製程無異。
二、引證1（JP0000-00000A）說明書〔0023〕、〔0024〕、第
6圖揭露「不銹鋼掩膜版B」、通氣孔Bl（其一邊具有斜度）、凸出部B2（凹陷蝕刻製作為習知技術）。引證2（JP0000000B2）第2圖揭露電鑄母型10、構件11、膜12（上方元件o）；說明書〔0018〕、〔0019〕、第7圖揭露「電鑄」使用「304不銹鋼」之電鑄母型10、導電性凸部14、基板1、開孔2、凹陷區域3。系爭申請案105年7月11日修正請求項1「三維立體結構…圖形開口之錐度範圍為4、5、6或者7度」，為所屬技術領域中具有通常知識者所能輕易完成者，系爭申請案不具進步性，原告起訴為無理由。
三、並聲明：1.原告之訴駁回。2.訴訟費用由原告負擔。
肆、得心證之理由：
一、本件應適用之專利法：系爭申請案申請日為102年1月15日，審定日為105年11月17日，其是否有應撤銷專利權之情事，自應以審定時所適用之103年1月22日修正公布、103年3月24日施行之專利法（下稱103年專利法）為斷。按發明雖無專利法第22條第1項各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，103年專利法第22條第2項定有明文。
二、系爭申請案之技術分析：㈠系爭申請案技術內容：
本發明提供一種印刷用三維立體掩膜版，包括基板及位於基板兩側之印刷面及PCB面，該掩膜版具有複數圖形開口及三維立體結構，該三維立體結構包括位於該印刷面之凸起區域及該PCB面之凹陷區域。該種掩膜版具有三維立體式之凸起和凹陷部位，凸起和凹陷部位與板面具有預設角度之夾角；該掩膜版材質為純鎳，其精度與均勻性很高，板面品質好，光亮、無糙點、無劃痕、無針孔；開口品質好，孔壁光滑、無毛刺；該種掩膜版生產成本與能耗低，且無須複雜的生產技術（參系爭申請案說明書摘要）。
㈡系爭申請案主要圖式如附圖一所示。
㈢系爭申請案申請專利範圍分析：
被告以原告於105年7月11日提送修正之說明書及申請專利範圍進行再審查。105年7月11日修正後之申請專利範圍共計9項；其中請求項1為獨立項，請求項2至9為直接或間接依附於請求項1之附屬項，內容如下：
1.一種印刷用三維立體掩膜版，係包括基板及位於該基板兩側之印刷面及PCB面，該掩膜版具有複數圖形開口及三維立體結構，該三維立體結構包括位於該印刷面之凸起區域及位於該PCB面之與該凸起區域相對應之凹陷區域，係採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，其中，在進行電鑄成形前，該芯模需先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜，其中：該三維立體結構上具有滿足印刷要求之圖形開口，該三維立體結構上之圖形開口包括上開口以及大於該上開口之下開口，該圖形開口之錐度係為4°、5°、6°或者7°。
2.依據申請專利範圍第1項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該掩膜版之凹陷區域與該PCB面之夾角係為80-90°。
3.依據申請專利範圍第2項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該凸起區域與凹陷區域中心於同一條線上，該線與該掩膜版之板面垂直；該凹陷區域小於該凸起區域之面積，該三維立體結構係為空心結構。
4.依據申請專利範圍第3項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該三維立體結構之孔壁光滑。
5.依據申請專利範圍第4項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該凸起區域之高度係為0.1mm~10mm。
6.依據申請專利範圍第5項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該凹陷區域之深度係為0.1mm~10mm。
7.依據申請專利範圍第2項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該掩膜版之基板厚度係為20μm-100μm。
8.依據申請專利範圍第1項所述之印刷用三維立體掩膜版，其中：該掩膜版之材質係為純鎳。
9.依據申請專利範圍第8項所述之印刷用三維立體掩版，其中：該掩膜版之純鎳金屬鍍層的均勻性COV（coefficien
tofvariation）小於5%；該純鎳金屬鍍層表面光亮度係為一級光亮。
三、引證案之技術分析：㈠引證1：引證1為2003年3月19日公開之日本第0000-00000
號「リ一ドフレ一ム等に對するペ一ストのスクリ一ン印刷方法及びその裝置」發明專利案（專利說明書見本院卷第64-1至64-4頁，中譯文見本院卷第71頁），引證1公開日係早於系爭申請案優先權日，可為系爭申請案相關之先前技術。
⑴引證1為一種在引線框架A上印刷糊狀物的方法及其裝置，
為了安全地施加指定量的導電糊，即使在將諸如導電漿料的糊料施加到引導框架的上表面時，當每個安裝部件3a或其一部分從引線框架的上表面凹陷時，安裝部件3a是凹陷的用於安裝引線框架A等的半導體芯片等的每個安裝部分3a通過使用掩膜版B進行絲網印刷。解決方案：向下的凸出部B3安裝在對應於掩膜版B凹入的安裝部件3a，並與凹進的安裝部件3a接觸或接近（參引證1摘要）。
⑵引證1之圖式如附圖二所示。
㈡引證2：引證2為2000年10月20日公告之日本第0000000號
「印刷用メタルマスク版の製造方法」發明專利案（原處分卷第95至93頁、中譯文見本院卷第71頁反面），引證2公告日係早於系爭申請案優先權日，可為系爭申請案相關之先前技術。
⑴引證2為一種用於印刷的金屬掩膜版的製造方法，主要製
造具有安裝部件的凹凸金屬掩膜版和高精度的開口。在具有脫離凹陷區域3的安裝部件和開孔2的金屬掩膜版的電鑄時，使用具有與主安裝部件脫離凹陷區域3對應的導電性凸部14的電鑄母型10。通過這種結構，將基板1電沉積在電鑄母型10的導電性凸部14的外表面上以及附近的開口的變形或位置偏移，將主安裝部件逸出凹陷區域3形成在基板1上的凹陷部分（參引證2摘要）。
⑵引證2之圖式如附圖三所示。
㈢引證3：引證3為2006年8月17日公開之日本第0000-00000
0號「スクリ一ン印刷版およびその製造方法」發明專利案（原處分卷第92至89頁、中譯文見本院卷第71頁反面），引證3公開日係早於系爭申請案優先權日，可為系爭申請案相關之先前技術。
⑴引證3為一種絲印板及其製造方法，為了提供一種絲網印
版，其能夠通過易於操作的絲網印刷技術直接印刷待印刷的物品的中空部的內部，具有高精度，並且對每個待印刷的物品具有較小的變化並提供其製造方法。該絲網印刷板的特徵在於，存在凸部12，其中要印刷的物品側的面突出在印刷版面的一部分上，並且作為其背面的刮板面對應於投影形狀凹陷12'，並且在凸部12中設置圖像開孔14還提供了適用於製造絲網印刷板的製造方法（參引證3摘要）。
⑵引證3之圖式如附圖四所示。
四、技術爭點分析：㈠引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項1不具進
步性？⑴系爭申請案請求項1與引證1比對：
⒈引證1圖式第6圖揭示引線框架印刷糊狀物裝置之不銹
鋼掩膜版B，其表面具有複數三維立體結構及通氣孔B1開口，已揭露系爭申請案請求項1「一種印刷用三維立體掩膜版，係包括基板及位於該基板兩側之印刷面及PC
B面，該掩膜版具有複數圖形開口及三維立體結構」等技術特徵；引證1圖式第6圖揭示不銹鋼掩膜版B其表面具有凸出部B2及對應表面凹陷之向下凸出部B3等複數三維立體結構，已揭露系爭申請案請求項1「該三維立體結構包括位於該印刷面之凸起區域及位於該PCB面之與該凸起區域相對應之凹陷區域」技術特徵；引證1圖式第6圖揭示不銹鋼掩膜版B其表面具有通氣孔B1，已揭露系爭申請案請求項1「該三維立體結構上具有滿足印刷要求之圖形開口」等技術特徵。
⒉經上比較，引證1未揭示系爭申請案請求項1「芯膜採
用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形」及「該三維立體結構上之圖形開口包括上開口以及大於該上開口之下開口，該圖形開口之錐度係為4°、5°、6°或者7°」等技術特徵。
⑵引證2圖式第7圖揭示將基板1電沉積覆蓋304不銹鋼電
鑄母型10作為模具，已揭露系爭申請案請求項1「採用由
304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，在進行電鑄成形前，該芯模需先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜」技術特徵；引證2圖式第7圖揭示基板1表面具有開孔2，雖未揭露系爭申請案請求項1「該三維立體結構上之圖形開口包括上開口以及大於該上開口之下開口，該圖形開口之錐度係為4°、5°、6°或者7°」等開口錐度之變化，惟其開口形狀具有斜度僅為習知開口之輕易變化，其錐度數值內容並未顯示特殊功能或意義，且該錐度範圍之選擇亦未產生無法預期之功效，為所屬技術領域具有通常知識者依引證1及引證2所揭示之開口結構，與引證1揭示具斜度之形狀構造所能輕易完成，未產生無法預期之功效。
⑶綜上，系爭申請案請求項1之技術特徵已為引證1與引證
2所分別揭示。引證1為一種在引線框架上印刷糊狀物裝置，引證2為一種用於印刷的金屬掩膜版製造方法，引證
1及引證2與系爭申請案同屬於相關之技術領域，引證技術之組合具有相關聯性，所屬技術領域者具有通常知識者，組合引證1、2之關聯技術具有明顯之動機，故引證1、2之組合自當可證明系爭申請案請求項1不具進步性。
⑷原告雖主張：引證1、2並未揭露本案請求項1所請該三
維立體掩膜版採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯膜作為陰極基板而進行電鑄成形，其中在進行電鑄成形前該芯模須先通過蝕刻而製作出一個凹陷，使得304不銹鋼在經蝕刻後在表面會形成一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜，使形成的芯膜具有不黏合的特性，進而避免後續在錫膏印刷的過程中出現崩錫、連錫、拉尖等不良現象云云。經查：
⒈系爭申請案請求項1所請發明標的「一種印刷用三維立
體掩膜版」為物之發明，並非方法發明，先予敘明。請求項1中段所載之「…係採用由304不銹鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形，其中，在進行電鑄成形前，該芯模需先通過蝕刻而製作出一個凹陷，且在表面形成了一層具有非晶態結構的緻密氧化表面膜…」等特徵，乃係利用金屬的電解沉積原理之「電鑄」（Electroforming）製造方法；該電鑄製造方法所欲達到之目的，仍為形成由304不銹鋼蝕刻製作的芯模，而完成印刷用三維立體掩膜版之物來做準備。因此關於進步性之審查，係以該「物」之結構特徵、元件或成分等為比對基礎，並非由「製造方法」決定。又查，電鑄成形是在作為陰極的芯模表面上進行電沉積，利用金屬離子在電鑄液中陰極沉積的原理，將預先按所需形狀製成的芯模作為陰極，在電解作用下獲得形狀和粗糙度與芯模相同的鍍層，然後將鍍層從芯模上剝離的加工方法。是以，該「芯模」僅是電鑄中用作陰極的一種「模具」以作為電鑄成形的中介套模，並非本案請求項1所請「掩膜版1」（物品）結構特徵之一部分（參照本案說明書圖1、圖4，見原處分卷第11至12頁），故該「芯模」非本案請求項1所請「掩膜版1」是否具備專利要件（進步性）之技術特徵比對範圍。
⒉系爭申請案原告宣稱所形成的芯膜具有不黏合的特性，
進而避免後續在錫膏印刷的過程中出現崩錫、連錫、拉尖等不良現象。惟查習知電鑄或電鍍成形主要利用金屬離子在電鑄或電鍍液中陰極沉積的原理，在表面上進行電沉積成一層均勻的金屬薄膜，其具有不黏合基板表面之沉積金屬應為可預期之電鑄／電鍍結果，系爭申請案未具有無法預期之功效。至於原告所稱避免後續在錫膏印刷的過程中出現崩錫、連錫、拉尖等不良現象，亦僅為不銹鋼蝕刻製作之芯膜後續表面安裝技術（SMT）之效果進一步推論，其實物表面印刷過程操作後之效果非屬系爭申請案請求項1所界定之主要技術特徵，故原告上開理由應不可採。
⑸原告又主張：對於本發明的「掩膜版（物）」來說，符合
「以製法之外的技術特徵無法充分界定，可以用製法來界定『物』之發明」的專利審查基準規定云云。按專利審查基準2013年版第2-1-34頁，揭示對於物之發明，若以其製法之外的技術特徵無法充分界定申請專利之發明時，始得以製法界定物之發明；且以製法界定物之請求項，應記載該製法之製備步驟及參數條件等重要技術特徵，例如起始物、用量、反應條件（如溫度、壓力、時間等）。以製法界定物之請求項，其申請專利之發明應為請求項中所載之製法所賦予特性之物本身，其是否具備新穎性或進步性並非由製法決定，而係由該物本身來決定（見本院卷第64-5頁）。經查，系爭申請案請求項1雖載明由304不銹鋼蝕刻製作的芯模，惟並未記載採用由304不鏽鋼蝕刻製作的芯模作為陰極基板而進行電鑄成形之必要製備參數及相關條件參數，且說明書並未載明如何以蝕刻形成凹陷區域及凸起區域（圖2B之111、121），原告所強調304不銹鋼是特定材料，要形成非晶態結構的緻密氧化表面膜，於何種特定材料下，要用什麼蝕刻的化學藥劑，系爭案說明書皆未揭示，系爭申請案請求項1顯不具備以製法界定物之請求項，所應記載之重要技術特徵。又系爭申請案所載之物「印刷用三維立體掩膜版」與先前技術引證1、2中所揭露之物相同所能輕易完成，已如前述，即使原告宣稱引證1、2所揭露之物發明係以不同方法所製得，系爭申請案請求項1仍不得予以專利，原告之主張，並不足採。
⑹原告又主張：引證2揭露在掩膜版上製作三維立體結構時
是通過機械固定凸塊或機械衝壓形成突起的方式在芯膜表面形成凸起結構，引證2的揭露無法解決先前技術長期存在的問題，系爭申請案相較於引證2具有無法預期之功效云云。經查：
⒈引證2說明書第【0018】段、第【0019】段及圖式第7
圖已揭露電鑄使用「304不銹鋼」之電鑄母型10、導電性凸部14、基板1、開孔2、凹陷區域3，其已明確揭示關於電鑄母型模具之材料選用304不銹鋼以使得基板
1於印刷金屬掩膜版後，可產生與電鑄母型10膜易於剝離之目的。復參酌本案說明書第【0034】段載述：「…採用304不銹鋼芯模作為陰極基板，鍍層易於剝離，且可得到角度複合要求之凹陷區域121及凸起區域111，這是由於304不銹鋼表面形成了一層具有非晶態結構的緻密的氧化表面膜，與沉積層有著很大的晶相差異，從而形成的電鑄層之『不粘合』特性，利於凹陷區域121的剝離」等特徵（見原處分卷第75頁），可知原告所稱在表面形成了一層緻密氧化表面膜使形成的芯模具有「不粘合」的特性，而利於電鑄後產物的剝離之最終功效，引證2可達到相同之結果。
⒉原告宣稱引證2芯膜表面之凸起結構係通過機械固定凸
塊或機械衝壓形成突起的方式等，引證2所揭示印刷用的304不銹鋼電鑄母型對於凹陷或凸起區域的前置準備作業方式雖有不同，惟不改變印刷後金屬掩膜版簡易剝離之主要目的；且原告所指系爭申請案在表面形成了一層緻密氧化表面膜使形成的芯模具有「不粘合」的特性，其亦主要來自電鑄及304不銹鋼材料之選用，並未產生無法預期之功效，原告所指摘內容實無理由。
㈡引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項2不具進
步性？⑴按系爭申請案請求項2為直接依附於請求項1之附屬項，
其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定請求項1之該掩膜版之凹陷區域與該PCB面之夾角係為80°至90°。
⑵引證1已揭示具有通氣孔B1，引證2已揭示開孔2，皆雖
未明確揭露系爭申請案請求項2「凹陷區域與PCB面夾角係為80至90°」特徵，然此僅為角度之輕易變化，並未產生無法預期功效。次按引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項1不具進步性，理由已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項2可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2之組合所能輕易完成，準此，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項2不具進步性。
㈢引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項3不具進
步性？⑴按系爭申請案請求項3為直接依附於請求項2之附屬項，
其權利範圍包括請求項2之全部技術特徵，並進一步界定請求項2之該凸起區域與凹陷區域中心於同一條線上，該線與該掩膜版之板面垂直；該凹陷區域小於該凸起區域之面積，該三維立體結構係為空心結構。
⑵引證1圖式第6圖已揭示凸出部B2與其背面凹陷區域中心
位於同一條線上，該線與不銹鋼掩膜版B板面垂直，其立體結構為空心結構，已揭露系爭申請案請求項3「該凸起區域與凹陷區域中心於同一條線上，該線與該掩膜版之板面垂直，三維立體結構係為空心結構」等特徵；引證2圖式第7圖之（E）揭示基板1之開孔2小於凸起區域（另一面凹陷區域3），已揭露系爭申請案請求項3「該凹陷區域小於該凸起區域之面積」特徵。引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項2不具進步性，理由已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項3可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2之組合所能輕易完成，準此，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項3不具進步性。
㈣引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項4不具進
步性？⑴按系爭申請案請求項4為直接依附於請求項3之附屬項，
其權利範圍包括請求項3之全部技術特徵，並進一步界定請求項3之該三維立體結構之孔壁光滑。
⑵引證2說明書第【0019】段已揭示「表面を研磨した」（
電鑄後將模具進行拋光處理）之內容，已揭露系爭申請案請求項4「該三維立體結構之孔壁光滑」特徵。引證1、
2之組合足以證明系爭案請求項3不具進步性，理由已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項4可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2之組合所能輕易完成，準此，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項4不具進步性。
㈤引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項5不具進
步性？⑴按系爭申請案請求項5為直接依附於請求項4之附屬項，
其權利範圍包括請求項4之全部技術特徵，並進一步界定請求項4之該凸起區域之高度係為0.1mm至10mm。
⑵引證2說明書第【0018】段及圖式第7圖已揭示導電性凸
部14高度1.5㎜之內容，已揭露系爭申請案請求項5「該凸起區域之高度係為0.1mm至10mm」特徵。引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項4不具進步性，理由已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項5可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2之組合所能輕易完成，準此，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項5不具進步性。
㈥引證1、2之組合是否足以證明系爭申請案請求項6不具進
步性？⑴按系爭申請案請求項6為直接依附於請求項5之附屬項，
其權利範圍包括請求項5之全部技術特徵，並進一步界定請求項5之該凹陷區域之深度係為0.1mm至10mm。
⑵引證2說明書第【0018】段及圖式第7圖已揭示導電性凸
部14高度1.5㎜之內容，意即相對面凹陷深度為1.5mm，亦已揭露系爭申請案請求項6「該凹陷區域之深度係為0.1mm至10mm」特徵。引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項5不具進步性，理由已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項6可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2之組合所能輕易完成，準此，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項6不具進步性。
㈦引證1、2、3之組合是否足以證明系爭申請案請求項7不
具進步性？⑴按系爭申請案請求項7為直接依附於請求項2之附屬項，
其權利範圍包括請求項2之全部技術特徵，並進一步界定請求項2之該掩膜版之基板厚度係為20μm至100μm。
⑵引證3說明書第【0039】段揭示絲網印版印刷版選擇可為
50μm至200μm的範圍，已揭露系爭申請案請求項7「該掩膜版之基板厚度係為20μm至100μm」特徵。引證
1、2之組合足以證明系爭案請求項2不具進步性，理由已如前述，引證3為一種絲印版及其製造方法，引證1為一種在引線框架上印刷糊狀物裝置，引證2為一種用於印刷的金屬掩膜版製造方法，引證1至引證3與系爭申請案同屬於相關之技術領域，引證技術之組合具有相關聯性，所屬技術領域者具有通常知識者，組合引證1至3之關聯技術具有明顯之動機，故引證1、2、3之組合自當可證明系爭申請案請求項7不具進步性。
㈧引證1、2、3之組合是否足以證明系爭申請案請求項8不
具進步性？⑴按系爭申請案請求項8為直接依附於請求項1（獨立項）
之附屬項，其權利範圍包括請求項1之全部技術特徵，並進一步界定請求項1之該掩膜版之材質係為純鎳。
⑵引證3說明書第【0038】段揭示印刷板使用之金屬可為鎳
之材質，已揭露系爭申請案請求項8「該掩膜版之材質為純鎳」特徵。引證1、2、3之間具有明顯組合動機，以及引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項1不具進步性理由，已如前述，故整體視之，系爭案請求項8可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2、3之組合所能輕易完成，準此，引證1、2、3之組合足以證明系爭申請案請求項8不具進步性。
㈨引證1、2、3之組合是否足以證明系爭申請案請求項9不
具進步性？⑴按系爭申請案請求項9為直接依附於請求項8之附屬項，
其權利範圍包括請求項8之全部技術特徵，並進一步界定請求項8之該掩膜版之純鎳金屬鍍層的均勻性COV（coefficientofvariation）小於5%；該純鎳金屬鍍層表面光亮度係為一級光亮。
⑵引證3已揭示印刷板使用材質亦有「こッケル（鎳）」，
雖未揭露系爭申請案請求項9所界定「鍍層均勻性COV小於5%、鍍層表面光亮度為一級光亮」等特徵，惟金屬鍍層均勻性標準偏差（coefficientofvariation，COV）數值之界定，以及該金屬鍍層光澤度級數之界定，應為引證
3依上開已知內容的簡易選定，並未產生無法預期之功效。引證1、2、3之組合足以證明系爭申請案請求項8不具進步性，已如前述，故整體視之，系爭申請案請求項9可為所屬技術領域具有通常知識者依引證1、2、3之組合所能輕易完成，準此，引證1、2、3之組合足以證明系爭申請案請求項9不具進步性。
五、綜上所述，引證1、2之組合足以證明系爭申請案請求項1至6不具進步性。引證1、2、3之組合足以證明系爭申請案請求項7至9不具進步性。系爭申請案請求項1至9違反
103年專利法第22條第2項之規定，被告就系爭申請案所為「不予專利」之處分，並無違法，訴願決定予以維持，亦無不合。原告訴請撤銷原處分及訴願決定，並命被告就000000
000號發明專利申請案，應為准予專利之審定，為無理由，應予駁回。
六、本件事證已臻明確，兩造其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中華民國106年11月16日
智慧財產法院第二庭
審判長法官李維心
法官蔡如琪法官彭洪英以上正本證明與原本無異。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241條之1第1項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│所需要件││代理人之情形││├─────────┼────────────────┤│(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││一者，得不委任律│格或為教育部審定合格之大學或獨││師為訴訟代理人│立學院公法學教授、副教授者。│││2.稅務行政事件，上訴人或其法定代│││理人具備會計師資格者。│││3.專利行政事件，上訴人或其法定代│││理人具備專利師資格或依法得為專│││利代理人者。│├─────────┼────────────────┤│(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││情形之一，經最高│二親等內之姻親具備律師資格者。││行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││者，亦得為上訴審│。││訴訟代理人│3.專利行政事件，具備專利師資格或│││依法得為專利代理人者。│││4.上訴人為公法人、中央或地方機關│││、公法上之非法人團體時，其所屬│││專任人員辦理法制、法務、訴願業│││務或與訴訟事件相關業務者。│├─────────┴────────────────┤│是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，││上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係││之釋明文書影本及委任書。│└──────────────────────────┘中華民國106年11月16日
書記官郭宇修