智慧財產法院107年度行專訴字第14號判決

裁判字號：智慧財產法院107年行專訴字第14號判決

裁判日期：民國107年07月31日

裁判案由：發明專利舉發

智慧財產法院行政判決
107年度行專訴字第14號原告世禾科技股份有限公司代表人 陳學聖 （董事長）訴訟代理人 陳群顯 律師被告經濟部智慧財產局代表人 洪淑敏 （局長）訴訟代理人 葉献全
參加人榮眾科技股份有限公司代表人 黃偉彬 （董事長）上列當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國10
6年12月20日經訴字第10606314360號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院命參加人獨立參加本件被告之訴訟，本院判決如下：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實及理由
壹、事實概要：緣原告前於民國（下同）102年1月11日以「半導體濺鍍設備的反應室結構」向被告申請發明專利，申請專利範圍共10項，經被告編為第000000000號審查，准予專利，並發給發明第I470104號專利證書（下稱系爭專利）。嗣參加人以系爭專利有違核准時專利法第22條第2項之規定，對之提起舉發，原告則於104年11月30日提出系爭專利說明書及申請專利範圍更正本。案經被告審查，核認其更正符合規定，依該更正本審查，並認系爭專利請求項1至10違反前揭規定，以106年6月22日（106）智專三（五）01021字第10620656320號專利舉發審定書為「104年11月30日之更正事項，准予更正」、「請求項1至10舉發成立，應予撤銷」之處分。原告不服原處分關於舉發成立部分之處分，提起訴願，經經濟部106年12月20日經訴字第10606314360號決定駁回，遂向本院提起行政訴訟。本院認本件判決之結果，將影響參加人之權利或法律上之利益，依職權命參加人獨立參加本件被告之訴訟。
貳、原告主張：
一、原處分及訴願決定認定舉發證據2、3或4可以證明系爭專利請求項1不具進步性部分，未依法判斷進步性要件，而有違法不當：
系爭專利請求項1藉由「靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」，而可達成避免製程中沉積物發生不正常的剝離，降低不良率，使品質提升之發明目的，同時，亦可大幅減少因為毫無差別地在所有反應室表面進行粗糙化所產生不必要的製作設備加工成本。證據2、3或4，均未有目的性地、選擇性地於「靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆設計為粗糙面」，顯然通常知識者於系爭專利申請日之前，均未思及系爭專利請求項1之重要技術特徵，而具有需在所有反應室構件表面粗糙化的技術偏見。事實上，並非所有表面粗糙化或紋理化對於增加沈積物附著力均具有效果（參證據3第6頁第9-11行），系爭專利所屬技術領域具有通常知識者僅依據證據2所提供產生具有浮凸表面（如用壓花方式產生）室組件的方法與產品，證據3所提供反應室構件表面結構化之方法，證據4所提供在平板之一面產生具凹凸表面之方法與產品，無法輕易思及系爭專利請求項1之整體技術特徵，以及達成系爭專利請求項1之功效，更遑論簡單轉用而得到系爭專利請求項1之重要技術特徵，原處分及訴願決定顯有違法不當。
二、原處分及訴願決定認定舉發證據2、3或4可以證明系爭專利請求項2至10不具進步性部分，未依法判斷進步性要件，而有違法不當：
㈠請求項2依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」。證據2僅揭露粗糙面為「壓花表面」之上位概念，證據3僅揭露粗糙面為「凹陷、凸起以及其組合」之上位概念，證據4僅揭露粗糙面為「凹凸」之上位概念，均未能揭露請求項2所進一步界定之技術特徵，因此，證據2、3或4無法證明請求項2不具進步性。
㈡請求項3依附請求項2，其進一步界定之技術特徵為「其中
該溝槽的深度範圍為1.2至1.8mm」。證據2所揭露「在被壓花的零件上所完成之表面是在200至500微英吋的範圍之內」（證據2第10頁第11至13行），與請求項3之數值不同，其差距更有數倍之距，實難謂可輕易置換；證據3所揭露凹陷深度僅為大範圍數值，並未能具體揭露請求項3有目的選擇之較小範圍特徵，無法達成請求項3藉由選擇特定溝槽深度而可達成之較佳功效；證據4所揭露之深度為2mm更與請求項3明顯不同。因此，證據2、3或4無法證明請求項
3不具進步性。㈢請求項4依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」。證據2、3或4均未能揭露測試片，此外，系爭專利申請日前，業界均未思及需針對測試片形成粗糙面，亦即，業界僅具有測試片僅短暫放置於反應室，即便表面上具有沉積物，亦不會在短時間內剝落，故無需在其表面粗糙化之技術思維與偏見，然而，針對此一技術偏見，經原告不斷研究、改良，發現，為使測試數據精準，仍有必要刻意在測試片上形成粗糙面，經不斷實驗、測試後，發現確有功效上重大突破。證據2、3或4既均未能具體揭露請求項4所進一步界定之技術特徵，且該等技術特徵確具有不可預期功效，因此，證據2、3或4無法證明請求項4不具進步性。
㈣請求項5依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該圓筒體係位於圓弧錐體尺寸最小的一端，該接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，而該接觸面整面皆具有粗糙面」。
證據2、3或4均未能揭露靶材固定件之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在該等特定形狀之接觸面（圓弧錐體及圓筒體的外壁面）形成粗糙面之特徵。據此，證據2、3或4無法證明請求項5不具進步性。
㈤請求項6依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，該接觸面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處」。證據2、3或
4均未能揭露靶材固定件之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之接觸面（圓弧錐體及圓筒體的外壁面）形成粗糙面之特徵。證據2、3均係無差別地於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗糙面，而證據4更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常知識者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項6此一技術特徵。據此，證據2、3或4無法證明請求項6不具進步性。
㈥請求項7依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該承載環具有呈圓弧曲面狀凸起的凸環，該環凸面則是指該凸環的上表面」。證據2、3或4均未能揭露承載環之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之環凸面之上表面形成粗糙面之特徵。證據2、3均係無差別地於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗糙面，而證據4更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常知識者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項7此一技術特徵。據此，證據2、3或4無法證明請求項7不具進步性。
㈦請求項8依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，該附著面整面皆具有粗糙面」。證據2、3或4均未能揭露覆蓋保護環之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之附著面（該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面）形成粗糙面之特徵，顯然通常知識者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項8此一技術特徵。據此，證據2、3或4無法證明請求項8不具進步性。
㈧請求項9依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，其中該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該弧形壁面處」。證據2、3或4均未能揭露覆蓋保護環之特定形狀特徵，更遑論通常知識者有動機刻意在經選擇之附著面（弧形壁面處）形成粗糙面之特徵。證據2、3均係無差別地於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的平面）均形成粗糙面，而證據4更是僅在平板狀的表面形成凹凸，顯然通常知識者並無法輕易思及或簡單轉用而得到請求項9此一技術特徵。據此，證據2、3或4無法證明請求項9不具進步性。
㈨請求項10依附請求項1，其進一步界定之技術特徵為「其中
該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下方」。證據2、3或4均未能揭露請求項10進一步界定之技術特徵，據此，證據2、3或4無法證明請求項10不具進步性。
四、關於靶材固定件是否一定是圓弧形之問題：系爭專利所屬技術領域具有通常知識者，於解釋請求項1「靶材固定件」之用語時，得基於教科書所介紹之PVD設備（甲證5），以及基此所公開之相關習知技術（甲證8），於審酌系爭專利說明書及圖式後，可以輕易理解請求項1「靶材固定件」之構形，雖非必然限制於與實施例完全相同之構形而需由圓弧錐體42及圓筒體43所構成，但必然具有一定曲面，無法為全平面等構形，否則無從用以固定圓盤狀之靶材。至於請求項5、6則係依據實施例進一步針對「靶材固定件」為特定構形之界定（參圖式第3圖）。請求項1所界定之其他室組件亦具有一定之構形，亦即請求項1之「承載環」、「覆蓋保護環」雖非必須限制於與實施例完全相同之構形，但仍須具有達成其預定功能之一定曲面構形始可為之，而請求項7至9則係對應實施例，針對「承載環」、「覆蓋保護環」進一步界定其構形（參圖式第4至5圖）。因此，請求項1之「靶材固定件」、「承載環」、「覆蓋保護環」總括各式態樣而均具有一定曲面而發揮其固有功能，但無需限制為請求項5至9之特定構形，此並無將實施例讀入請求項1、亦無解釋該等用語導致與請求項5至9相同而違反請求項差異化原則。
五、關於系爭專利請求項1與證據3有何不同：證據3係從增加凝結物質於反應室內表面之附著力之角度出發而提出改良之粗糙化製程，且其係避免所有反應室內表面之外來物質之污染，顯然並無提供任何建議或教示要僅在特定室組件之特定表面進行處理；而系爭專利請求項1，則是在不改變粗糙化製程之情形下，藉由選擇僅在特定室組件之特定表面（沉積物易於剝離之表面）進行粗糙化並形成凹凸不平花紋，使沉積物可均勻沉積於易於剝離之表面上，來達成沉積物易於剝離之表面可以增加沉積物承載量之目的。一者為增加附著力，另一者為增加沉積物易於剝離之表面之沉積物承載量，二者或可能達成類似效果（減少設備停機更換之次數），但實質採取之技術手段、所需耗費之成本並不相同。證據3之特定粗糙化製程所耗費之時間、費用甚鉅，請求項1則藉由選擇性且採用一般粗糙化製程，即可達成延長單一構件的使用週期，降低替換率，減少設備停機更換的次數，具有降低成本、更為簡單之效果，二者並不相同。
六、並聲明：1.原處分關於「請求項1至10舉發成立應予撤銷」之部分及訴願決定，均撤銷。2.訴訟費用由被告負擔。
參、被告答辯：
一、系爭專利所欲解決之技術問題為「延長半導體濺鍍設備的構件清洗的周期及使用壽命」；所採取之技術手段為「會使反應物不斷沉積之接觸面、環凸面及附著面設計為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」；而其達成之功效即為「藉此讓濺鍍過程中該接觸面、環凸面及附著面所能承受之沉積物厚度增加，延長構件清洗的周期及使用壽命，提升設備的稼動率，降低生產的成本」，亦即系爭專利係藉在會使反應物不斷沉積之接觸面、環凸面及附著面設計為粗糙面（該粗糙面具有凸凹不平的花紋），而讓濺鍍過程中該接觸面、環凸面及附著面所能承受之沉積物厚度增加，延長構件清洗的周期及使用壽命，提升設備的稼動率，降低生產的成本，合先說明。
二、證據2、3或4足以證明系爭專利請求項1不具進步性：㈠系爭專利請求項1係採用二段式撰寫，由系爭專利之說明書
及其請求項1所記載之內容，可知系爭專利請求項1之發明的技術特徵在於：「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」，至於請求項1其他所載之技術則為與先前技術共有之必要技術。
㈡證據2已揭露其半導體處理室，至少一部分具有一浮凸表面
如用壓花（knurling）所產生的，實已包含系爭專利請求項
1所揭露之技術特徵，因此，系爭專利在請求項1的技術特徵，為在系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者由證據2之教示，即可輕易思及、簡單轉用得到，且未產生較證據2為佳之功效，亦未產生無法預期之功效，故證據2足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈢證據3在說明書第5頁【發明所屬之技術領域】段落第2至
4行即指出證據3係關於一種使用電子束來調整用於製程反應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一表面紋理(atexturedsurface)，並在第6頁第1段第1至7行揭示「為了防止凝結在製程反應室內表面之外來物質分離，可將提供一表面紋理予內表面以使形成在這些表面上之凝結的外來物質對該表面有增強的附著力，因此可能較不會分離並污染晶圓基板。目前用來提供一表面紋理予反應室表面之方法包含『噴砂法(或稱珠光處理，beadblasting)』。噴砂法包含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗糙化」。
此外，證據3在第7頁第7至10行更進一步記載「本發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合」。證據3已揭露系爭專利請求項1之技術特徵、目的及功效，因此，系爭專利請求項1的發明，為系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者由證據3之教示，即可輕易思及、簡單轉用得到，且未產生較證據3為佳之功效，亦未產生無法預期之功效，故證據3足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈣證據4「成膜裝置用構成組件及其製造方法」之說明書第3
頁〔產業上之利用領域〕段落中的第1至3行即指出「本發明係關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，更詳而言之，關於一種於濺鍍、CVD、真空蒸鍍等之氣相成長方法中的成膜裝置用的構成組件」，並在第6頁第4至9行揭示「以端銑刀(endmill)機械加工鋁合金(A5052)之平板(縱15cm×橫20cm×厚5mm)的一面，而設成如圖1所示之凹凸。圖1之A為其部分平面圖，圖1之B為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方向分別於2mm節距(pitch)掘開寬1mm之溝槽，所形成之山M與谷N上附帶R0.5mm之圓狀，且，山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材1」，且在第9頁第23行至第10頁第1行記載「…此凹凸係使附著堆積物之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可，不可一概而定」，此外，證據4更在第11頁〔發明之效果〕段落中指出「如以上所述，若依本發明之成膜裝置用構成組件，成膜材料即使附著堆積很厚，亦不會引起由其剝離脫落所產生之微粒發生，故，停止成膜裝置運轉而進行清淨至下次進行清淨之間隔可長期間化，每1台成膜裝置之生產量，亦即可使生產增大。又，因以無微粒引起之污染來進行製造，故可提高成膜製品之製品產率，提高信賴性。…」。證據4已揭示與系爭專利請求項1之範疇、特徵、目的及功效皆相同之技術手段，因此，系爭專利在請求項1的技術特徵，為在系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者由證據4之教示輕易思及、簡單轉用得到，且未產生較證據4為佳之功效，亦未產生無法預期之功效，證據4足以證明系爭專利請求項1不具進步性。
㈤原告雖主張，證據2、3或4並未揭露於整體反應室中，如
何選擇在特定室組件、特定室組件的何部分表面需產生特定浮凸表面。惟事實上，在濺鍍設備的反應室結構的清機過程，即可清楚知悉何構件的部位沉積物（微粒污染）較多，所屬技術領域中具有通常知識者能輕易經由證據2、3或4之教示即可知悉應在濺鍍設備的反應室結構的何構件的部位實施粗糙面化。
三、證據2、3或4已揭露系爭專利請求項2至10之技術特徵、目的及功效，故證據2、3或4足以證明系爭專利請求項2至10不具進步性。又系爭專利請求項4之「測試片」及請求項10之「腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室」，乃屬與先前技術共有之必要技術，證據2、3及4縱使未具體揭露系爭專利請求項4之「測試片」及請求項10之「腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室」，仍然足以證明系爭專利請求項4及10不具進步性。
四、並聲明：1.原告之訴駁回。2.訴訟費用由原告負擔。
肆、參加人陳述：
一、關於原告主張證據2至4不足證明系爭專利請求項4不具進步性云云：
㈠證據2已揭示「在半導體室的內部室組件至少一部份具有壓
花表面」之技術特徵（參看證據2的說明書及第二圖、第四圖）。證據3在說明書第5頁〔發明所屬技術領域〕段落第
2至4行即指出證據3係關於一種使用電子束來調整用於製程反應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一表面紋理（atexturedsurface），並在第6頁第1段第1至
7行揭示：「為了防止凝結在製程反應室內表面之外來物質分離，可將提供一表面紋理予內表面以使形成在這些表面上之凝結的外來物質對該表面有增強的附著力，因此可能較不會分離並污染晶圓基板。目前用來提供一表面紋理予反應室表面之方法包含『噴砂法（或稱珠光處理，beadblasting）』。噴砂法包含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗糙化。」此外，證據3在第7頁第7至10行更進一步記載：
「本發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合。」。證據4在說明書第6頁第4至9行揭示：「以端銑刀（endmill）機械加工鋁合金（A5052）之平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm）的一面，而設成如圖1所示之凹凸。圖1之A為其部分平面圖，圖1之B為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方向分別於2mm節距（pitch）掘開寬1mm之溝槽，所形成之山M與谷N上附帶R0.5mm之圓狀，且山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材1。」再者，經由觀察下機後的腔體、靶材固定件、承載環、覆蓋保護環以及測試片沉積物沉積的狀況（見本院卷第400-402頁照片所示），所屬技術領域中具有通常知識者根據證據2至
4所揭示之內容，而可輕易思及需於腔體、靶材固定件、承載環、覆蓋保護環以及測試片等沉積物較多的表面形成粗糙面，以增加沉積物與腔體、靶材固定件、承載環、覆蓋保護環以及測試片表面的附著力，避免沉積物剝落汙染基板。故所屬技術領域中具有通常知識者能依據上述證據2至4揭示之先前技術，參酌申請時之通常知識，而將其簡單組合完成系爭專利，且亦能以上述證據2至4揭示之先前技術為基礎，經邏輯分析、推理後即能預期得到者，也未產生無法預期之功效。
㈡除此之外，參證1，其係於99年7月1日公開之我國第0000
00000號「用於物理氣相沉積腔室之遮盤」專利，其中，參證1之遮盤即對應系爭專利請求項4之測試片。參證1已揭示：遮盤100包含一主體102；該主體102之該表面128係經紋理化（textured）以促進與其上之沉積材料間的附著力，進而防止該沉積材料自該遮盤100脫落。該主體102之該表面128係可透過任何適於適當地紋理化或是粗糙化的製程來達到紋理化的目的，舉例來說，一噴砂處理，如噴粒處理（gritblasting）、噴砂（sandblasting）、珠擊（be
adblasting）或其它類似方法（見參證1說明書第9頁倒數第2行至第10頁第5行）。即系爭專利請求項4之技術特徵亦為參證1所揭示，因此，縱使證據2至4未揭示「測試片」組件，然參證1已揭示，證據2與參證1之組合或證據
3與參證1之組合或證據4與參證1之組合仍皆可證明系爭專利請求項4不具進步性。
二、關於原告主張證據2至4不足證明系爭專利請求項10不具進步性云云：
㈠系爭專利請求項10之技術特徵，僅在說明書第4頁第2至3
行記載：「該腔體2是由一保護壁22及一外壁23所形成雙層式中空腔室」，然而對於該結構所能達成的目的、功能及所欲解決的問題皆未敘述，更進一步而言，系爭專利達成「能在不發生沉積物剝離的條件下，延長所能承受之沉積次數，藉以延長構件替換或清洗週期，讓設備之稼動率上升，產能提升，同步減少生產成本」之效果，主要係透過「將部分構件表面施予特殊的粗糙面處理」之技術手段達成，因此系爭專利請求項10之技術特徵對於系爭專利所要解決的問題、達成之目的、功效並沒有任何助益之處，為系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者依據證據2至4之內容所能輕易思及達成者，不具進步性。
㈡更何況，證據2之第1圖及說明書第8頁第18行亦已揭示在
遮罩28的周圓之內，設置線圈34，其中，證據2之遮罩28即相當於系爭專利之外壁，證據2之線圈34即相當於系爭專利之保護壁。系爭專利請求項10與證據2比對，系爭專利10確實未產生無法預期功效，而不具進步性。綜上說明，證據2至4確實可證系爭專利請求項10不具進步性。
三、並聲明：1.駁回原告之訴。2.訴訟費用由原告負擔。
伍、本件之爭點（見本院卷第207頁）：
一、證據2是否可以證明系爭專利請求項1至10不具進步性？
二、證據3是否可以證明系爭專利請求項1至10不具進步性？
三、證據4是否可以證明系爭專利請求項1至10不具進步性？
陸、得心證之理由：
一、本件應適用之專利法：系爭專利申請日為102年1月11日，審定日為103年12月2日，其是否有應撤銷專利權之情事，自應以審定時所適用之
103年1月22日修正公布、103年3月24日施行之專利法（下稱103年專利法）為斷。按發明雖無專利法第22條第1項各款所列情事，但為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前之先前技術所能輕易完成時，仍不得取得發明專利，10
3年專利法第22條第2項定有明文。
二、系爭專利之技術分析：㈠系爭專利技術內容：
⑴先前技術：
『濺鍍』或被稱為物理氣相沉積（PVD），為積體電路的製造中之金屬及相關材質層的沉積方法，所採用的濺鍍設備包括真空反應室及安裝於內部的一標靶，該濺鍍設備具有電源供應器能對該標靶施加相對之電壓，讓標靶材料沉積於一被托盤所負載的晶圓上。在反應室中具有數個不同的固定組件以固定標靶、晶圓或其他構件，亦具有一保護板來避免特定區域不被沉積物所覆蓋。濺鍍過程中沉積物除了沉積於晶圓處，亦會沉積於各固定組件或保護板表面，隨著濺鍍次數增加，各固定組件或保護板上沉積物的厚度也加厚，一旦沉積物剝落，就會影響生產的良率，因此該濺鍍設備須定期停機，拆下各固定組件或保護板，以進行清除沉積物的動作或更換構件的程序，如此將降低設備的稼動率，而清洗或更換次數愈多，生產成本亦會增加。
習用設備係在部份構件表面形成鋁熔射塗層，在預定的使用週期下使用，不良率低，但如果要延長原先更換或清洗周期時，不良率就會大幅升高。有鑑於此，本發明憑藉著多年的經驗，以及不斷的研究改良，終於改良設計了此一半導體濺鍍設備的反應室結構。
⑵發明內容：
⒈系爭專利之主要目的係提供一種能延長替換週期的半導
體濺鍍設備之反應室結構，主要係將部份構件表面施予特殊的粗糙面處理，在不發生沉積物剝離的條件下，延長所能承受之沉積次數，藉以延長構件替換或清洗週期，讓設備之稼動率上升，產能提升，同步減少生產之成本。
⒉為上述之目的，系爭專利之半導體濺鍍設備的反應室內
包括有：一腔體（2）、一升降平台（3）、數靶材固定件（4）、一承載環（5）、以及一覆蓋保護環（6），該腔體（2）具有一中空腔室，底部具有環形之支撐座（21）；該升降平台（3）能進出該支撐座（21）中央所形成的空間；該數靶材固定件（4）固定於該腔體（2）的內壁面，該靶材固定件（4）具有一外露的接觸面；該承載環（5）安裝該升降平台（3）上，該承載環（5）具有一環凸面；該覆蓋保護環（6）安裝於該支撐座（21）處，該覆蓋保護環（6）具有一附著面；其中該靶材固定件（4）之接觸面、該承載環（5）之環凸面、以及該覆蓋保護環（6）之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。
⒊系爭專利之發明於該靶材固定件（4）之接觸面、該承
載環（5）之環凸面、以及該覆蓋保護環（6）之附著面皆設計為粗糙面，能增加表面積及提高粗糙度。增加表面積能提高表面所能承受之沉積的次數，延長單一構件的使用週期，降低替換率，減少設備停機更換的次數，提高設備稼動率。而提高表面粗糙度能避免製程中沉積物發生不正常的剝離，降低不良率，使品質提升（參系爭專利說明書第1頁至第2頁第21行）。
㈡系爭專利圖式如附圖一所示。
㈢系爭專利申請專利範圍分析：
系爭專利請求項共計10項，其中第1項為獨立項，餘為附屬項。原告於104年11月30日提出更正說明書及申請專利範圍，經被告審查，認其更正符合規定。因此，本案更正後之申請專利範圍如下：
⒈一種半導體濺鍍設備的反應室結構，該反應室內包括有：
一腔體，具有一中空腔室，該腔體底部具有環形一支撐座；一升降平台，係能進出該支撐座中央所形成的空間；數靶材固定件，係固定於該腔體的內壁面，該靶材固定件具有一外露的接觸面；一承載環，係安裝該升降平台上，該承載環具有一環凸面；一覆蓋保護環，係安裝於該支撐座處，該覆蓋保護環具有一附著面；其特徵在於：該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋。
⒉如申專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構，其中該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。
⒊如申專利範圍第2項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構，其中該溝槽的深度範圍為1.2至1.8mm。
⒋如申專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結構
，其中該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面。
⒌如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該圓筒體係位於圓弧錐體尺寸最小的一端，該接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，而該接觸面整面皆具有粗糙面。
⒍如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，該接觸面為該圓弧錐體及圓筒體的外壁面，該接觸面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處。
⒎如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該承載環具有呈圓弧曲面狀凸起的凸環，該環凸面則是指該凸環的上表面。
⒏如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，該附著面整面皆具有粗糙面。
⒐如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該附著面包括有該覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面、以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形壁面，其中該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於該弧形壁面處。
⒑如申請專利範圍第1項所述之半導體濺鍍設備的反應室結
構，其中該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下方。
三、舉發證據技術分析：㈠證據2為90年7月21日公告之我國第446991號（申請案號第
00000000號）「浮凸之半導體製造設備零件」發明專利案（見原處分卷第48-39頁），其公告日早於系爭專利申請日（
102年1月11日），故證據2可為系爭專利之先前技術。⑴證據2係有關「浮凸半導體製造設備零件」，其提供降低
在半導體處理室中之粒子污染的設備及方法。在本發明的一個態樣中，本發明為一具有內部室組件的半導體處理室，其至少一部分具有一浮凸表面如用壓花（knurling）所產生的。在另一態樣中，本發明為一具有此一浮凸表面之室組件。在一進一步的態樣中，本發明為一種產生一室組件的方法。在另一態樣中，本發明為一種處理一包含該浮凸的組件的接材的方法（證據2說明書第6頁之發明目的及概述）。
⑵證據2所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之粒子污
染情形，所採用之技術係在半導體室的內部室組件至少一部份具有壓花表面，以增加污染物質黏附於室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。證據
2揭示從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34（證據2說明書第8頁末段）。
⑶證據2主要圖式如附圖二所示。
㈡證據3為100年5月21日公告之我國第I342582號（申請案
號第00000000號）「表面結構化之方法」發明專利案（見原處分卷第38-10頁），其公告日早於系爭專利申請日（102年1月11日），故證據3可為系爭專利之先前技術。
⑴證據3揭示一種用於提供一紋理予一工作件（例如反應室
構件）表面之方法和系統。該方法包含提供一工作件至一紋理化反應室並且以電磁能量束掃瞄過該工作件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵通常是凹陷（depressions）、突起（protuberances）、以及其組合（參證據3摘要）。
⑵證據3也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方
法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合。該方法進一步包含將該一或多個反應室構件置入一製程反應室內，並且在該製程反應室內開始執行製程順序（參證據3說明書第7頁第7行至第10行）。
⑶該反應室構件，例如，保護組合718、靶材706、支撐環
712、 沈積環 730、線圈（未示出）、線圈支撐（未示出）、 沈積準直儀 （未示出）、臺座738、對準環728、關閉盤（shutterdisk）（未示出）或基板支撐736，係經提供予一紋理化反應室，例如，設備100之工作反應室
114（參證據3說明書第28頁第2行至第7行）。⑷證據3主要圖式如附圖三所示。
㈢證據4為86年5月1日公告之我國第304207號（申請案號第
00000000號）「成膜裝置用構成組件及其製造方法」發明專利案（見原處分卷第9-1頁），其公告日早於系爭專利申請日（102年1月11日），故證據4可為系爭專利之先前技術。
⑴證據4為關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，詳言之
，關於一種於濺鍍、CVD、真空蒸鍍等之氣相成長方法中的成膜裝置用的構成組件（參證據4說明書第3頁第1行至第3行）。證據4揭示以端銑刀（endmill）機械加工鋁合金（A5052）之平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm）的一面，而設成如圖1所示之凹凸。圖1之A為其部分平面圖，圖1之B為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方向分別於2mm節距（pitch）掘開寬1mm之溝槽，所形成之山M與谷N上附帶R0.5mm之圓狀，且，山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材1（參證據4說明書第6頁第4行至第9行）。
⑵又，各實施例中，係於鋁合金平板之一面，在縱方向、橫
方向均以2mm節距挖掘寬1mm、深2mm之溝槽而設置凹凸以形成母材，但，此凹凸係使附著堆積物之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可，不可一概而定（參證據4說明書第9頁第21行至第10頁第1行）。
⑶再者，證據4揭示可使用具有凹凸面的處理板而形成可使
Al真空蒸鍍於滾筒狀PP（聚丙烯）膜之成膜裝置的坩堝周邊防附著板。藉此防附著板可防止在習知防附著板所產生之真空蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆積物而落入坩堝中之問題（參證據4說明書第9頁第5至8行的實施例5）。
⑷若依證據4之成膜裝置用構成組件，成膜材料即使附著堆
積很厚，亦不會引起由其剝離脫落所產生之微粒發生，故停止成膜裝置運轉而進行清淨至下次進行清淨之間隔可長期間化，每1台成膜裝置之生產量，亦即可使生產增大。又，因以無微粒引起之污染來進行製造，故可提高成膜製品之製品產率，提高信賴性。進而，不須如電解電箔進行點焊接或以鉚釘固定作業，故可縮短用以配設之成膜裝置的停止時間，也可減少配設費用（參證據4說明書第11頁第12行至第19行）。
⑸證據4主要圖式如附圖四所示。
四、技術爭點分析：㈠證據2是否可證明系爭專利請求項1至10不具進步性？⑴系爭專利請求項1：
⒈審查進步性時，應以每一請求項中所載之發明的整體（
asawhole）為對象，亦即將該發明所欲解決之問題、解決問題之技術手段及對照先前技術之功效，作為一整體予以考量。不得僅針對個別或部分技術特徵，亦不得僅針對發明與相關先前技術之間的差異本身，判斷該發明是否能被輕易完成。申請專利之發明與先前技術雖有差異，但為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依先前技術所能輕易完成時，稱該發明不具進步性，先予敘明。
⒉次按，專利法施行細則第20條規定：「獨立項之撰寫，
以二段式為之者，前言部分應包含申請專利之標的名稱及與先前技術共有之必要技術特徵；特徵部分應以『其特徵在於』、『其改良在於』或其他類似用語，敘明有別於先前技術之必要技術特徵」。經查，系爭專利請求項1係採二段式之寫法，其前言部分為「一種半導體濺鍍設備的反應室結構，該反應室內包括有：一腔體，具有一中空腔室，該腔體底部具有環形一支撐座；一升降平台，係能進出該支撐座中央所形成的空間；數靶材固定件，係固定於該腔體的內壁面，該靶材固定件具有一外露的接觸面；一承載環，係安裝該升降平台上，該承載環具有一環凸面；一覆蓋保護環，係安裝於該支撐座處，該覆蓋保護環具有一附著面」，其包括系爭專利之標的及與先前技術共有之必要技術特徵；而「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」則為系爭專利有別於先前技術之必要特徵或改良部分，並以「其特徵係在」之用語為二者之區隔。因此，系爭專利請求項1之發明的技術特徵應在於「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」，先予敘明。
⒊經查，證據2係有關「浮凸半導體製造設備零件」，其
說明書第6頁之發明目的及概述揭示「本發明提供降低在半導體處理室中之粒子污染的設備及方法。在本發明的一個態樣中，本發明為一具有內部室組件的半導體處理室，其「至少一部分」具有一浮凸表面如用壓花（knurling）所產生的。在另一態樣中，本發明為一具有此一浮凸表面之室組件。在一進一步的態樣中，本發明為一種產生一室組件的方法。在另一態樣中，本發明為一種處理一包含該浮凸的組件的接材的方法」。由此可得知，證據2所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之粒子污染情形，所採用之技術亦係在半導體室的內部室組件至少一部份具有壓花表面，以增加污染物質黏附於室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。
⒋證據2與系爭專利請求項1之差異在於：證據2未明確
指出系爭專利請求項1之半導體濺鍍設備的反應室粗糙面的組件，惟證據2已揭示半導體處理室，至少一部分具有一浮凸表面如用壓花（knurling）所產生的。此外，證據2與系爭專利請求項1均應用於半導體濺鍍裝置，且所欲解決的問題均為改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程，二者解決問題所採用之技術亦均係增加室組件之表面積，即於室組件表面設有壓花圖案。因此，所屬技術領域中具有通常知識者依證據2所揭示之內容，係可輕易思及在半導體處理室中的「至少一部分」具有凸凹不平的花紋。再者，系爭專利請求項1與證據2相較，並未具有無法預期之功效，故證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性。
⒌原告雖主張，依據證據2所提供產生具有浮凸表面（如
用壓花方式產生）室組件的方法與產品，無法輕易思及系爭專利請求項1之整體技術特徵（即除了反應室整體結構外，有目的性地、選擇性於在靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面等特定表面皆設計為粗糙面，而非無差別地於反應室所有組件表面均進行粗糙化之製程）以及達成系爭專利請求項
1之功效，更遑論簡單轉用而得到系爭專利請求項1之重要技術特徵，原處分及訴願決定顯有違法不當云云。經查，系爭專利請求項1雖然選擇在「靶材固定件之接觸面」、「承載環之環凸面」、以及「覆蓋保護環之附著面」等特定表面皆設計為粗糙面，惟綜觀系爭專利之發明目的，其主要在於希望能延長替換週期的半導體濺鍍設備之反應室結構，而在部份的構件表面上施以特殊的粗糙面處理，也因增加表面積的關係而能增加承受沉積的次數，藉此提高稼動率，並使品質提升。此外，參酌系爭專利說明書第4頁第6至8行「在濺鍍作業中，標靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的是亦會沉積於腔體2內之各構件表面，各構件如該靶材固定件4、承載環5、以及覆蓋保護環6」，系爭專利之發明之所以選擇「靶材固定件之接觸面」、「承載環之環凸面」、以及「覆蓋保護環之附著面」等特定表面皆設計為粗糙面，無非是因為在濺鍍作業中標靶材料也會沉積在腔體內的各構件表面的緣故，所以於系爭專利請求項1中界定該等技術特徵。而標靶材料既會沉積在腔體內的構件表面，則所屬技術領域中具有通常知識者在清理半導體濺鍍設備的反應室時，係可很容易知悉在該反應室的何部位沉積物較多，例如參照107年6月6日參加人所提之行政訴訟參加人陳述（一）狀第8至10頁所提的照片（見本院卷第400-402頁），其靶材固定件、承載環及覆蓋保護環等均已揭示在不同的部位有不同沉積物的情形，其容易受污染的部位會有較多的沉積物。顯然，在反應室中選出「靶材固定件」、「承載環」以及「覆蓋保護環」並於其特定表面設計為粗糙面，係為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成者。更何況系爭專利說明書中並未有記載為何特別選擇出此等的構件以及其目的為何。此外，證據2說明書第8頁末段已揭示「雖然從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34」。顯然證據2已教示了從標靶（即靶材）中所濺射出來的物質會沉積在腔體內的各構件表面，而證據2也選擇了在該等容易沈積物質之構件表面上（例如線圈)做出粗糙面的結構。因此，雖然證據2未揭示系爭專利請求項1的「靶材固定件」、「承載環」及「覆蓋保護環」等構件，惟證據2已教示了可在反應室的中之易沈積物質之構件表面設計出具有粗糙面的結構。又如上所述，證據2已教示了在反應室的構件表面形成具有粗糙表面的結構後，可改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效。據此，證據2已揭示系爭專利所欲解決之問題、及解決問題之技術手段，且系爭專利與證據2相較，不具有無法預期之功效，原告所稱並無理由。
⑵系爭專利請求項2：
⒈系爭專利請求項2為請求項1之附屬項，包含請求項1
之所有技術特徵，並進一步界定「該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。證據2說明書第6頁之發明目的及概述、第9頁第1至5行、第2圖及第4圖已揭示「在半導體室的內部組件之至少一部分具有浮凸表面」。再者，證據2說明書第11頁第14至16行已揭示「工具80可具有一相反的表面，其中陸塊區域從該工具表面伸展出，及凸脊被改變成凹下的溝槽」，亦即參照證據2說明書內容所述，其第2圖之凸脊40亦可被改變為凹下的溝槽，而該溝槽亦為交錯的溝槽。因此，證據2既已揭示了在半導體室的內部組件中的至少一部分可以具有浮凸表面，則欲將該浮凸表面形成溝槽交錯的非平坦表面亦仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。再者，系爭專利請求項2將該花紋界定為「由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」，其目的仍為減少設備停機更換的次數與提升品質，仍未有無法預期的功效。是以，系爭專利請求項2不具進步性。
⒊原告雖主張，證據2僅揭露粗糙面為「壓花表面」之上
位概念，未能揭露系爭專利請求項2所進一步界定之技術特徵云云。惟壓花結構為何，係為所屬技術領域中具有通常知識者可將其輕易變化的技術，且證據2說明書第12頁第3至9行已揭示浮凸的壓紋可以具有其他種類的壓花結構。此外，如前揭所述，證據2說明書第11頁第14至16行及第2圖已教示了凸脊40亦可被改變為凹下的溝槽，而該溝槽亦為交錯的溝槽，其更揭示了系爭專利請求項2的結構。因此，原告之主張，不足採信。
⑶系爭專利請求項3：
⒈系爭專利請求項3為請求項2之附屬項，包含請求項2
之所有技術特徵，並進一步界定「該溝槽的深度範圍為
1.2至1.8mm」為其附屬技術特徵。⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項2不具進步性，已
如前述。此外，系爭專利請求項3所請之溝槽深度的深淺，僅是單純的深度量化，並未有無法預期的功效，為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，而依據證據2說明書第10頁第11至13行所揭示之內容「在壓花的零件上所完成之表面是在200至500微英吋的範圍之內」，其已教示在被壓花的零件上所完成之表面溝槽深度的變化是可依需求調整。因此，系爭專利請求項
3不具進步性。⒊原告雖主張，證據2所揭露之數值實與系爭專利請求項
3數值不同，其差距更有數倍之距，實難謂可輕易置換，而達成系爭專利請求項3較佳的功效云云。惟參酌系爭專利說明書第5頁第16行至第6頁第3行所述，具有該溝槽的目的也是為了增加所能承受之沉積物量，而證據2既已揭示了在半導體處理室的內部組件的至少一部分具有浮凸表面，其已教示了增加半導體處理室的內部組件的表面積，可降低半導體處理室中之粒子污染的情況。是以，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解增加內部室組件粗糙度表面的深度，則可增加其表面積，即其可增加所能承受之沉積物量，進而延長內部室組件的清洗或更換週期，以使稼動率上升。據此，雖然證據
2未揭示系爭專利請求項3所述之溝槽的深度範圍，惟其仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，原告之主張，不足採信。
⑷系爭專利請求項4：
⒈系爭專利請求項4為請求項1之附屬項，包含請求項1
之所有技術特徵，並進一步界定「該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。證據2雖未揭示系爭專利請求項4所界定之測試片，惟於審查進步性時，應以申請專利之發明的整體為對象，申請專利之發明與先前技術雖有差異，但為該發明所屬技術領域中具有通常知識者依先前技術所能輕易完成時，該發明不具進步性。證據2雖未揭示系爭專利請求項4所界定之測試片，惟有關該測試片的技術，經參酌系爭專利說明書內容，僅於其說明書第6頁第5至10行記載「該測試片7的用途是在濺鍍設備進行一批晶圓濺鍍加工後，利用該測試片7暫時取代原本晶圓的位置，在進行一次濺鍍作業，以測試各式數據、構件移動位置是否正確，以便進行校正。……。」，而綜觀系爭專利所請之發明目的主要是因為「在濺鍍作業中，標靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的是亦會沉積於腔體2內之各構件表面，各構件如該靶材固定件4、承載環5、以及覆蓋保護環6」（參系爭專利說明書第4頁第6至8行）。是以，為了增加設備的稼動率，延長取出各構件清洗的週期，而將該等構件表面與以粗糙化。因此，即使證據2未揭示使用測試片，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據2所教示，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的反應室中，且證據2亦教示反應室中所曝露出的構件均沉積有沉積物，並且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術領域中具有通常知識者自可輕易思及可於反應室中使用測試片並予以粗糙化。因此，證據2足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
⒊原告雖主張，證據2未揭露系爭專利請求項4進一步界
定的技術特徵，且不斷研究、改良，發現為使測試數據精準，仍有必要刻意在測試片上形成粗糙面，經不斷實驗、測試後，發現確有功效上重大突破云云。惟系爭專利與證據2所欲解決的問題與功效並無不同。且系爭專利說明書僅記載：「在本實施例中該測試片7的上表面71亦可設計為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」（參系爭專利說明書第6頁第8至10行），並未有記載有何種的功效上的重大突破。綜觀系爭專利之所以要將測試片的表面形成粗糙化的目的應僅在於減少設備停機更換的次數、提高設備稼動率及降低不良率使品質提升，其所欲解決的問題與功效均已被證據2所教示。是以，雖然證據2未揭示系爭專利請求項4所界定之測試片的結構，惟使用該測試片並未有產生其他無法預期的功效，故系爭專利請求項4仍不具進步性，原告之主張，不足採信。
⑸系爭專利請求項5及6：
⒈系爭專利請求項5及6為請求項1之附屬項，包含請求
項1之所有技術特徵，並進一步界定靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，並界定該接觸面整面皆具有粗糙面，或是該接觸面之區域僅限於局部表面，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據2說明書第8頁末段已揭示「雖然從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34。來自於這些來源之任何的物質剝落為一潛在的基材污染」，而證據2說明書第9頁第9至15行揭示線圈可以是圓形的技術特徵，且證據2也針對線圈的表面進行粗糙化的處理。據此，證據2已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系爭專利請求項5及6所界定之靶材固定件的接觸面，也因此證據2教示了針對曲率不為零的表面之半導體處理室內部組件進行表面粗糙化的技術。是以，系爭專利請求項5及6不具進步性。
⒊原告雖主張，其不斷研究、改良，始發現外壁曲率不為
零之表面較容易發生沉積剝離之情形，因此提高避免沉積物剝離最有效率的方式，即係僅在「外壁不為零之表面」形成粗糙面，而證據2係無差別地於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的表面）均形成粗糙面，因此，證據2無法證明系爭專利不具進步性云云。惟證據2已教示了於曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組件（例如圓形線圈）的表面進行粗糙化，系爭專利請求項6雖然界定該接觸面之粗糙面區域可僅限於局部表面，惟所屬技術領域中具有通常知識者在操作半導體濺鍍設備時，可輕易理解在反應室的各固定組件中的何處較容易發生沉積物剝離的情形，而證據2又已教示為了降低半導體處理室中之粒子污染，係可在內部室組件的至少一部分形成具有浮凸表面。據此，系爭專利請求項5及6所界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，且不具有無法預期之功效，不具進步性，原告之主張，不足採信。
⑹系爭專利請求項7：
⒈系爭專利請求項7為請求項1之附屬項，包含請求項1
之所有技術特徵，並進一步界定「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，系爭專利請求項7中所界定之承載環具有環曲面狀凸起的凸環，其主要係指在「曲率不為零」的承載環的環凸面上表面進行表面粗糙化，如前所述，證據2已揭示了使用圓形線圈，並在其表面上形成粗糙化的結構，其即已教示了在「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構。再者，證據2說明書第8頁末段揭示「從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面」，而系爭專利請求項7所界定之「承載環」亦屬半導體濺鍍設備之反應室結構中的一構件，故於反應室結構中的一「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構，為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。是以，證據2可證明系爭專利請求項7不具進步性。
⑺系爭專利請求項8及9：
⒈系爭專利請求項8及9為請求項1之附屬項，包含請求
項1之所有技術特徵，並進一步界定覆蓋保護環之附著面的整面皆具有粗糙面，或該覆蓋保護環之附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。證據2已揭示了在「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構，此外，證據2說明書第8頁末段已揭示「雖然從標靶22濺射出來之物質之所欲達到的沉積位置是該基材14，但該物質亦會沉積在曝露於該電漿下之所有表面，包括了該遮罩28，該夾環26及線圈34」，其中夾環28又類似於系爭專利請求項8及9所述之「覆蓋保護環」，而證據2已教示了可在沉積物沉積處進行表面粗糙化，則系爭專利請求項8所界定之覆蓋保護環之垂直外壁面、最頂面的水平外壁面以及銜接垂直外壁面及水平外壁面的弧形表面，均屬所屬技術領域中具有通常知識者經由操作半導體濺鍍設備時可以輕易完成的範圍。是以，證據2可證明系爭專利請求項8及9不具進步性。
⑻系爭專利請求項10：
⒈系爭專利請求項10為請求項1之附屬項，包含請求項1
之所有技術特徵，並進一步界定「該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下方」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據2可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。又審查進步性時，應以申請專利之發明的整體為對象。證據2雖未揭示系爭專利請求項10所界定之腔體的結構，惟有關該腔體的技術，經參酌系爭專利說明書內容，僅於其說明書第4頁第2至4行記載「另外該腔體2是由一保護壁22及一外壁23所形成雙層式中空腔室，該支撐座21係於該外壁23底部，該支撐座21係延伸至內層之該保護壁22所形成的空間下方」，而綜觀系爭專利所請之發明目的，主要是因為「在濺鍍作業中，標靶材料主要係濺鍍沉積於晶圓表面外，但無法避免的是亦會沉積於腔體2內之各構件表面」，為了增加設備的稼動率，延長取出各構件清洗的週期，而將該等構件表面予以粗糙化。因此，雖然證據2所揭示的腔體結構與系爭專利請求項10有所差異，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據2所教示。據此，證據2仍足以證明系爭專利請求項10不具進步性。㈡證據3是否可證明系爭專利請求項1至10不具進步性？⑴系爭專利請求項1：
⒈系爭專利請求項1係為二段式之寫法，其發明的技術特
徵應在於「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」。
⒉經查，證據3係有關「表面結構化之方法」，其說明書
第5頁之【發明所屬之技術領域】揭示「更明確地說，本發明之實施例係關於一種使用電子束來調整用於製程反應室內之構件表面的方法，以在反應室構件上提供一表面紋理(atexturedsurface)」。此外，證據3說明書第6頁第1至7行揭示「為了防止凝結在製程反應室內表面之外來物質分離，可將提供一表面紋理予內表面以使形成在這些表面上之凝結的外來物質對該表面有增強的附著力，因此可能較不會分離並污染晶圓基板。目前用來提供一表面紋理予反應室表面之方法包含『噴砂法（或稱珠光處理，beadblasting）』。噴砂法包含將堅硬微粒噴射在該表面上以使該表面粗糙化」。再者，證據3說明書第7頁第7至10行揭示「本發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合」。由此可知，證據3所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之粒子污染情形，所採用之技術亦係在反應室構件表面上形成複數個特徵，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合，以增加污染物質黏附於室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。
⒊證據3與系爭專利請求項1之差異在於：證據3未明確
指出系爭專利請求項1之半導體濺鍍設備的反應室粗糙面的組件，惟證據3已揭示反應室構件表面上形成複數個特徵，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合。此外，證據3與系爭專利請求項1均應用於半導體濺鍍裝置，且所欲解決的問題均為改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程，二者解決問題所採用之技術亦均係增加室組件之表面積，即於反應室構件表面上形成複數個特徵，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合。因此，所屬技術領域中具有通常知識者依證據3所揭示之內容，係可輕易思及在半導體射濺鍍設備的反應室中的構件表面具有凸凹不平的花紋。再者，系爭專利請求項1與證據3相較，並未具有無法預期之功效，故證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性。
⒋原告雖主張，證據3係將反應室所有組件的全部表面進
行紋理化之處理，惟證據3並未揭露於整體反應室結構中，應如何有目的性地選擇在特定反應室構件、特定反應室構件的何部分表面須產生特定表面紋理。因此，證據3無法證明系爭專利請求項1不具進步性云云。經查，證據3說明書第28頁第2至7行已揭示「為了降低凝結之外來物質從製程反應室構件分離的傾向，該反應室構件，例如，保護組合718、靶材706、支撐環712、沈積環730、線圈（未示出)、線圈支撐（未示出)、沈積準直儀（未示出)、臺座738、對準環728、關閉盤（shutterdisk)（未示出)或基板支撐736，係經提供予一紋理化反應室，例如，設備100之工作反應室
114」。顯然證據3已教示了從反應室構件的表面會有外來物質（即沉積物)，並教示可在反應室的一部分構件中進行紋理化（例如支撐環、線圈、或沉積環等)做出粗糙面的設計，可改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效。雖然證據3未揭示系爭專利請求項1的「靶材固定件」、「承載環」及「覆蓋保護環」等構件，惟系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者在清理半導體濺鍍設備的反應室時，可很容易知悉在該反應室的何部位沉積物較多，已如前述，專利請求項1與證據3相較，並未具有無法預期之功效，故證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性。原告之主張，不足採信。
⑵系爭專利請求項2：
⒈系爭專利請求項2為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」為其附屬技術特徵。
⒉證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已如前述
。證據3說明書第7頁第7至10行已揭示「本發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法。該方法包含以電磁能量束掃瞄過一或多個製程反應室構件表面以在其上形成複數個特徵。所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合」。再者，證據3說明書第20頁第12至19行已揭示「該等複數個特徵500可以是凹陷（depressions)、突起(protuberances)、或其組合。該等複數個特徵500可經配製成一基本上在特徵500間具有一致間隔508之圖案。雖然第5A、5B、和5C圖示出不連續特徵500之圖案。但特徵500可以接觸、重疊、或彼此合併。重疊設計之一可能實施例在第5D圖中示出。在另一個實施例中，也可能形成重疊特徵500之陣列以在該工作件表面上形成溝槽或紋路，進而促進所沈積薄膜之附著力」，亦即參照證據3說明書內容所述，其該等複數個特徵亦可形成溝槽，進而促進所沉積薄膜之附著力。因此，證據3既已揭示了在半導體室的內部組件中的複數個特徵可以形成溝槽，則將系爭專利請求項2之該花紋界定為「由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」亦仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。是以，系爭專利請求項2仍不具進步性。
⒊原告雖主張，證據3僅揭露粗糙面為「凹陷、凸起以及
其組合」之上位概念，未能揭露系爭專利請求項2所進一步界定之技術特徵云云，惟如前述，證據3已教示了該等複數個特徵可形成溝槽的技術特徵，且系爭專利請求項2所界定的結構，並未有無法預期的功效。因此，原告所稱並無理由。證據3仍足以證明系爭專利請求項
2不具進步性。⑶系爭專利請求項3：
⒈系爭專利請求項3為請求項2之附屬項，並進一步界定
「該溝槽的深度範圍為1.2至1.8mm」為其附屬技術特徵。
⒉證據3可證明系爭專利請求項2不具進步性，已如前述
。系爭專利請求項3所請之溝槽深度的深淺，僅是單純的深度量化，並未有無法預期的功效，為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，而依據證據3說明書第21頁第18至21行所揭示之內容「該凹陷602被描繪為具有一表面622。該凹陷602具有一深度612，界定為從該工作件104之上表面620至該凹陷602之底部的垂直距離，在約0.001英吋至約0.060英吋範圍內」以及證據3說明書第22頁第3至5行「在一實施例中，突起604具有在約0.002英吋至約0.060英吋範圍內之高度618，並且較佳地介於0.002至約0.046英吋間」，其已教示凹陷602至凸起604的距離介於0.003至
0.12英吋，並且較佳地界於0.003至0.106英吋，也就是說該範圍為0.0762mm至3.048mm間，且較佳地界於
0.0762mm至2.9624mm間，該範圍已包含系爭專利請求項3所界定之溝槽深度。系爭專利請求項3所界定之該溝槽的範圍亦未有其他無法預期的功效。因此，系爭專利請求項3仍不具進步性。
⒊原告雖主張，證據3所揭露之凹陷深度僅為大範圍數值
，並未能具體揭露請求項3目的的選擇較小範圍特徵，無法達成請求項3較佳的功效云云，惟參酌系爭專利說明書第5頁第16行至第6頁第3行所述，具有該溝槽的目的也是為了增加所能承受之沉積物量，而證據3既已揭示了該發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法，其是使用反應室構件表面以在其上形成複數個特徵，該等所形成之特徵係選自凹陷、突起、以及其組合，其已教示了增加半導體處理室的內部組件的表面積則可降低半導體處理室中之粒子污染的情況。是以，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解增加內部室組件粗糙度表面的深度，則可增加其表面積，即可增加所能承受之沉積物量，進而延長內部室組件的清洗或更換週期，以使稼動率上升。據此，雖然證據3揭示較大範圍的凹陷深度，惟系爭專利請求項3所欲解決的問題及其所達成的功效仍與證據3相同，故系爭專利請求項3所界定的溝槽深度的範圍仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成者，不具進步性。原告之主張，不足採信。
⑷系爭專利請求項4：
⒈系爭專利請求項4為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」為其附屬技術特徵。
⒉證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已如前述
。證據3雖未揭示系爭專利請求項4所界定之測試片，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據3所教示，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的反應室中，且證據3亦教示反應室中所曝露出的構件均沉積有沉積物並且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術領域中具有通常知識者自可輕易思及可於反應室中使用測試片並予以粗糙化，且使用該測試片並未有產生其他無法預期的功效，據此，證據3足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
⑸系爭專利請求項5及6：
⒈系爭專利請求項5及6為請求項1之附屬項，並進一步
界定靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，並界定該接觸面整面皆具有粗糙面，或是該接觸面之區域僅限於局部表面，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據3說明書第25頁末段至第26頁第1行及第7圖已揭示「該例示真空反應室716含有一圓柱狀反應室壁714及一設置在該反應室壁頂部之支撐環71
2。該反應室頂部係利用一具有內表面706A之靶材板70
6來封閉。該靶材板706利用一安置在該靶材板706和該支撐環712間之環形絕緣體710來與該反應室壁714電絕緣」，證據3已教示該反應室中具有之支撐環，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解該支撐環為一「曲率不為零的表面」，且證據3說明書第28頁第2至7行亦揭示「為了降低凝結之外來物質從製程反應室構件分離的傾向，該反應室構件，例如，保護組合718、靶材706、支撐環712、沈積環730、線圈(未示出)、線圈支撐(未示出)……，係經提供予一紋理化反應室」。證據3也教示可在反應室的一部分構件中進行紋理化（例如支撐環、線圈等)做出粗糙面的結構。據此，證據3已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系爭專利請求項5及6所界定之靶材固定件的接觸面，也因此證據3教示了可針對曲率不為零的表面之半導體處理室內部組件進行表面粗糙化的技術。是以，系爭專利請求項5及6所請之內容仍不具進步性。
⒊原告雖主張，其不斷研究、改良，始發現外壁曲率不為
零之表面較容易發生沉積剝離之情形，因此提高避免沉積物剝離最有效率的方式，即係僅在「外壁不為零之表面」形成粗糙面，而證據3係無差別地於所有室組件的全部表面（包含曲率為零的表面）均形成粗糙面，因此，證據3無法證明系爭專利不具進步性云云。惟查，證據3已教示了於支撐環、線圈等曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組件中進行表面粗糙化。證據3又已教示為了降低半導體處理室中之粒子污染，係可在反應室構件表面上形成複數個特徵，其所形成之該等特徵係選自凹陷、突起、以及其組合。據此，系爭專利請求項
5及6所界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，故仍不具進步性。
⑹系爭專利請求項7：
⒈系爭專利請求項7為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。系爭專利請求項7中所界定之承載環具有環曲面狀凸起的凸環，其主要係指在「曲率不為零」的承載環的環凸面上表面進行表面粗糙化，證據3已揭示可在反應室的一部分構件中進行紋理化（例如支撐環、線圈、或沉積環等)，其即已教示了在「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構。系爭專利請求項7雖然選擇「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」作為其附屬技術特徵，惟仍未有無法預期的功效，故系爭專利請求項7仍不具進步性。
⑺系爭專利請求項8及9：
⒈系爭專利請求項8及9為請求項1之附屬項，並進一步
界定附著面的整面皆具有粗糙面或該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。
⒉經查，證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據3已教示可在反應室「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構，其可在弧形表面上形成表面粗糙化。據此，系爭專利請求項8及9所界定之附著面均屬所屬技術領域中具有通常知識者經由操作半導體濺鍍設備時可以輕易得知於覆蓋保護環的該等壁面上均會沉積有沉積物之處，而證據3既已教示了可在沉積物沉積處進行表面粗糙化。是以，證據3可證明系爭專利請求項8及9不具進步性。
⑻系爭專利請求項10：
⒈系爭專利請求項10為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下方」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據3可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。雖然證據3未揭示系爭專利請求項10所界定之腔體的結構，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據3所教示。據此，證據3仍足以證明系爭專利請求項10不具進步性，證據3雖未揭示系爭專利請求項10所界定之腔體的結構，惟使用該結構並未有產生其他無法預期的功效，故系爭專利請求項10仍不具進步性。
㈢證據4是否可證明系爭專利請求項1至10不具進步性？⑴系爭專利請求項1：
⒈系爭專利請求項1係為二段式之寫法，其發明的技術特
徵應在於「該靶材固定件之接觸面、該承載環之環凸面、以及該覆蓋保護環之附著面皆為粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋」。
⒉證據4係有關「成膜裝置用構成組件及其製造方法」，
其說明書第3頁之〔產業上之利用領域〕揭示「本發明係關於一種成膜裝置內所使用之構成組件，更詳而言之，關於一種於濺鍍、CVD、真空蒸鍍等之氣相成長方法中的成膜裝置用的構成組件」。此外，證據4說明書第
6頁第4至9行揭示「以端銑刀（endmill）機械加工鋁合金（A5052）之平板（縱15cm×橫20cm×厚5mm）的一面，而設成如圖1所示之凹凸。圖1之A為其部分平面圖，圖1之B為部分側面圖。亦即，縱方向與橫方向分別於2mm節距(pitch)掘開寬1mm之溝槽，所形成之山M與谷N上附帶R0.5mm之圓狀，且，山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材1」。再者，證據4之說明書第9頁第23行至第10頁第1行揭示「此凹凸係使附著堆積物之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可，不可一概而定」。而證據4第11頁之〔發明之效果〕亦揭示「如以上所述，若依本發明之成膜裝置用構成組件，成膜材料即使附著堆積很厚，亦不會引起由其剝離脫落所產生之微粒發生，故，停止成膜裝置運轉而進行清淨至下次進行清淨之間隔可長期間化，每1台成膜裝置之生產量，亦即可使生產增大。又，因以無微粒引起之污染來進行製造，故可提高成膜製品之製品產率，提高信賴性。進而，不須如電解電箔進行點焊接或以鉚釘固定作業，故，可縮短用以配設之成膜裝置的停止時間，也可減少配設費用」。由此可得知，證據4所欲解決的問題為降低在半導體處理室中之粒子污染情形，所採用之技術亦係在成膜裝置用構成組件表面上形成凹凸的結構，以增加污染物質黏附於室組件的表面積，延長室組件須拆洗的時間與避免污染物質剝落。
⒊證據4與系爭專利請求項1之差異在於：證據4未明確
指出系爭專利請求項1之半導體濺鍍設備的反應室粗糙面的組件，惟證據4已揭示成膜裝置用構成組件表面上形成凹凸的結構。此外，證據4與系爭專利請求項1均應用於半導體濺鍍裝置，且所欲解決的問題均為改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程，二者解決問題所採用之技術亦均係增加室組件之表面積，即於成膜裝置用構成組件表面上形成凹凸的結構。因此，所屬技術領域中具有通常知識者依證據4所揭示之內容，係可輕易思及在半導體射濺鍍設備的反應室中的構件表面具有凸凹不平的花紋。再者，系爭專利請求項1與證據4相較，並未具有無法預期之功效，故證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性。
⒋原告雖主張，證據4係將反應室所有組件的全部表面進
行紋理化之處理，然而，證據4並未揭露於整體反應室結構中，應如何有目的性地選擇在特定反應室構件、特定反應室構件的何部分表面虛產設定表面紋理。因此，證據4無法證明系爭專利請求項1不具進步性云云。惟查，證據4既已教示了可在成膜裝置用構成組件表面上形成凹凸的結構，且例如證據4說明書第9頁第5至8行的實施例6亦已揭示「配設實施例1作成之處理板A而形成可使Al真空蒸鍍於滾筒狀PP(聚丙烯)膜之成膜裝置的坩堝周邊防附著板。藉此防附著板可防止在習知防附著板所產生之真空蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆積物而落入坩堝中之問題」。顯然證據4已教示了從反應室構件的表面會有沉積物，而將該構件進行表面粗糙化的技術，並具有可改善污染物質於短時間內即剝落影響濺鍍物的品質，及延長室組件拆下清洗的時程的功效。雖然證據4未揭示系爭專利請求項1的「靶材固定件」、「承載環」及「覆蓋保護環」等構件，惟系爭專利所屬技術領域中具有通常知識者在清理半導體濺鍍設備的反應室時，可很容易知悉在該反應室的何部位沉積物較多，已如前述，專利請求項1與證據4相較，並未具有無法預期之功效，故證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性。原告之主張，不足採信。
⑵系爭專利請求項2：
⒈系爭專利請求項2為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」為其附屬技術特徵。
⒉證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已如前述
。證據4說明書第6頁第4至9行揭示「亦即，縱方向與橫方向分別於2mm節距(pitch)掘開寬1mm之溝槽，所形成之山M與谷N上附帶R0.5mm之圓狀，且，山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材1」，因此，證據4已揭示了在半導體室的內部組件中的凹凸表面可以形成溝槽，則將系爭專利請求項2之該花紋界定為「由數溝槽交錯而形成的非平坦表面」仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍。是以，系爭專利請求項2不具進步性。
⑶系爭專利請求項3：
⒈系爭專利請求項3為請求項2之附屬項，包含請求項2
之所有技術特徵，並進一步界定「該溝槽的深度範圍為
1.2至1.8mm」為其附屬技術特徵。⒉證據4可證明系爭專利請求項2不具進步性，已如前述
。系爭專利請求項3所請之溝槽深度的深淺，僅是單純的深度量化，並未有無法預期的功效，為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，又依據證據4說明書第6頁第8至9行所揭示之內容「山M與谷N之深度設有2mm之凹凸而形成母材」，該深度雖與系爭專利請求項3所界定的範圍不同，惟證據4說明書第9頁末二行至第10頁第1行已揭示「此凹凸係使用附著堆積物之剝離應力分散者，其形狀或大小只要依照附著堆積物之成膜材料本質上剝離應力大小來決定即可」，亦即證據4已教示了凹凸的深度係可依實際情況而定，其主要目的為降低半導體處理室中之粒子污染的情況，而系爭專利請求項3所界定之該溝槽的範圍亦未有其他無法預期的功效。因此，系爭專利請求項3仍不具進步性。⒊原告雖主張，證據4所揭露之深度為2mm其與系爭專利
請求項3所界定的溝槽深度範圍明顯不同，無法達成請求項3較佳的功效云云。惟參酌系爭專利說明書第5頁第16行至第6頁第3行所述，具有該溝槽的目的也是為了增加所能承受之沉積物量，而證據4既已揭示了該發明也提供一種降低製程反應室內之污染之方法，其是使用反應室構件表面以在其上形成凹凸面，其已教示了增加半導體處理室的內部組件的表面積則可降低半導體處理室中之粒子污染的情況。是以，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解調整內部室組件粗糙度表面的深度，則可調整其表面積，即可調整所能承受之沉積物量。據此，雖然證據4所揭示之凹凸深度與系爭專利請求項
3有所不同，惟系爭專利請求項3所欲解決的問題及其所達成的功效仍與證據3相同，故系爭專利請求項3所界定的溝槽深度的範圍仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成者，仍不具進步性。原告之主張，不足採信。
⑷系爭專利請求項4：
⒈系爭專利請求項4為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該承載環能承載一測試片，該測試片的上表面為一粗糙面，該粗糙面具有凸凹不平的花紋，而其中一種花紋係由數溝槽交錯而形成的非平坦面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。證據4雖未揭示使用測試片，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據4所教示，而測試片既是置於半導體濺鍍設備的反應室中，且證據4亦教示反應室中所曝露出的構件均沉積有沉積物並且可將該表面予以粗糙化，則所屬技術領域中具有通常知識者自可輕易思及可於反應室中使用測試片並予以粗糙化。據此，證據4仍足以證明系爭專利請求項4不具進步性。
⑸系爭專利請求項5及6：
⒈系爭專利請求項5及6為請求項1之附屬項，並進一步
界定靶材固定件係由圓弧錐體及圓筒體所構成的中空型體，並界定該接觸面整面皆具有粗糙面，或是該接觸面之區域僅限於局部表面，即該圓弧錐體外壁或該圓弧錐體與圓筒體的銜接處兩者的其中至少一處為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據4說明書第9頁第5至8行已揭示「配設實施例1作成之處理板A而形成可使Al真空蒸鍍於滾筒狀PP（聚丙烯)膜之成膜裝置的坩堝周邊防附著板。藉此防附著板可防止在習知防附著板所產生之真空蒸鍍中從防附著板剝離Al附著堆積物而落入坩堝中之問題」，證據4已教示在成膜裝置中具有滾筒狀的坩堝周邊形成防附著板，且該防附著板具有凹凸面，所屬技術領域中具有通常知識者自可理解該形成於滾筒狀坩堝周邊的防附著板為一「曲率不為零的表面」。據此，證據
4已教示了沉積物的剝離是會發生在具有曲率不為零的表面之半導體處理室的內部組件中，亦即如系爭專利請求項5及6所界定之靶材固定件的接觸面，也因此證據
4教示了可針對曲率不為零的表面之半導體處理室內部組件進行表面粗糙化的技術。系爭專利請求項5及6所界定之靶材固定件的接觸面區域，仍為所屬技術領域中具有通常知識者可輕易完成的範圍，故仍不具進步性。
⑹系爭專利請求項7：
⒈系爭專利請求項7為請求項1之附屬項，並進一步界定
「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據4已揭示可在成膜用構件組件產生凹凸面（例如滾筒狀坩堝），其即已教示了在「曲率不為零」的構件表面上形成粗糙化的結構。且系爭專利與證據4所欲解決的問題亦為相同。因此，系爭專利請求項7雖然選擇「該承載環具有圓弧曲面狀凸起的凸環，該凸環面則是指該凸環的上表面」作為其附屬技術特徵，惟仍未有無法預期的功效，故系爭專利請求項7仍不具進步性。
⑺系爭專利請求項8及9：
⒈系爭專利請求項8及9為請求項1之附屬項，並進一步
界定附著面的整面皆具有粗糙面或該附著面具有粗糙面之區域僅限於局部表面，即於弧形壁面處。
⒉經查，證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。此外，證據4已揭示可在成膜裝置用構成組件中的滾筒狀坩堝的表面形成凹凸面，其已教示了在曲率不為零的半導體處理室的內部組件中進行表面粗糙化。據此，系爭專利請求項8及9所界定之附著面均屬所屬技術領域中具有通常知識者，可輕易完成之範圍，且未具有無法預期的功效，故系爭專利請求項8、9不具進步性。
⑻系爭專利請求項10：
⒈系爭專利請求項10為請求項1之附屬項，包含請求項1
之所有技術特徵，並進一步界定「該腔體是由一保護壁及一外壁所形成雙層式中空腔室，該支撐座係於該外壁底部，該支撐座係延伸至內層該保護壁所形成的空間下方」為其附屬技術特徵。
⒉經查，證據4可證明系爭專利請求項1不具進步性，已
如前述。雖然證據4未揭示系爭專利請求項10所界定之腔體的結構，惟就系爭專利所欲解決的問題及達成的功效而言，均已被證據4所教示。證據4雖未揭示系爭專利請求項10所界定之腔體的結構，惟使用該結構並未有產生其他無法預期的功效，故系爭專利請求項10仍不具進步性。
六、綜上所述，證據2，證據3，證據4分別足以證明系爭專利請求項1至10不具進步性，系爭專利違反103年專利法第22條第2項之規定，被告就本件專利舉發案所為「系爭專利請求項1至10舉發成立應予撤銷」部分之處分，並無違誤，訴願決定予以維持，亦無不合。原告訴請撤銷原處分及訴願決定，為無理由，應予駁回。
七、本件事證已臻明確，兩造其餘主張或答辯，經本院審酌後認對判決結果不生影響，爰不一一論列，併此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依智慧財產案件審理法第1條，行政訴訟法第98條第1項前段，判決如主文。
中華民國107年7月31日
智慧財產法院第二庭
審判長法官李維心
法官蔡如琪法官彭洪英以上正本證明與原本無異。
如不服本判決，應於送達後20日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，其未表明上訴理由者，應於提起上訴後20日內向本院補提上訴理由書；如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後20日內補提上訴理由書（均須按他造人數附繕本）。
上訴時應委任律師為訴訟代理人，並提出委任書（行政訴訟法第
241條之1第1項前段），但符合下列情形者，得例外不委任律師為訴訟代理人（同條第1項但書、第2項）。
┌─────────┬────────────────┐│得不委任律師為訴訟│所需要件││代理人之情形││├─────────┼────────────────┤│(一)符合右列情形之│1.上訴人或其法定代理人具備律師資││一者，得不委任律│格或為教育部審定合格之大學或獨││師為訴訟代理人│立學院公法學教授、副教授者。│││2.稅務行政事件，上訴人或其法定代│││理人具備會計師資格者。│││3.專利行政事件，上訴人或其法定代│││理人具備專利師資格或依法得為專│││利代理人者。│├─────────┼────────────────┤│(二)非律師具有右列│1.上訴人之配偶、三親等內之血親、││情形之一，經最高│二親等內之姻親具備律師資格者。││行政法院認為適當│2.稅務行政事件，具備會計師資格者││者，亦得為上訴審│。││訴訟代理人│3.專利行政事件，具備專利師資格或│││依法得為專利代理人者。│││4.上訴人為公法人、中央或地方機關│││、公法上之非法人團體時，其所屬│││專任人員辦理法制、法務、訴願業│││務或與訴訟事件相關業務者。│├─────────┴────────────────┤│是否符合(一)、(二)之情形，而得為強制律師代理之例外，││上訴人應於提起上訴或委任時釋明之，並提出(二)所示關係││之釋明文書影本及委任書。│└──────────────────────────┘中華民國107年8月3日
書記官郭宇修