臺北高等行政法院91年度訴字第1732號判決

裁判字號：臺北高等行政法院91年訴字第1732號判決

裁判日期：民國92年08月28日

裁判案由：發明專利舉發

臺北高等行政法院判決九十一年度訴字第一七三二號
原告甲○○訴訟代理人 鍾亦琳 律師
乙○○兼送達右一人複代理人丁○○被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）住同右訴訟代理人辛○○
參加人財團法人工業技術研究院代表人丙○○董事長訴訟代理人壬○○
戊○○己○○右一人複代理人庚○○右當事人間因發明專利舉發事件，原告不服經濟部中華民國九十一年三月十三日經訴字第０九一０六一０五四三０號訴願決定，提起行政訴訟，並經本院裁定命參加人獨立參加被告之訴訟。本院判決如左：
主文原告之訴駁回。
訴訟費用由原告負擔。
事實
一、事實概要：緣參加人前於民國（下同）八十五年十二月十七日以「增進散熱效果之半導體構裝」向被告之前身經濟部中央標準局申請發明專利，經該局編為第00000000號審查，准予專利（下稱系爭案），並於公告期滿後，發給發明第○九九五四九號專利證書。嗣原告以其不符發明專利要件，檢具舉發證據一為系爭專利說明書，證據二為西元一九九三年六月一日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證一），證據三為西元一九九四年十一月十五日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證二），證據四為西元一九九六年八月六日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證三），對之提起舉發，案經被告審查，於九十年十月十八日以（九○）智專三（二）○四○二四字第○九○八九○○一八八九號專利舉發審定書為「舉發不成立」之處分。原告不服，提起訴願，經遭駁回，遂向本院提起本件行政訴訟。
二、兩造聲明：㈠原告聲明求為判決：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉被告應為舉發成立之處分。
㈡被告及參加人聲明求為判決：駁回原告之訴。
三、兩造之爭點：引證案是否足以證明系爭案不具新穎性及進步性，有系爭專利核准時專利法第二十條第一項第一款及第二項規定之情形，而應不予專利？
甲、原告主張之理由：由專利法第一條觀之，雖係以鼓勵發明創作為目的，然其本意係在於促進產業發
展；換言之，申請專利之發明若僅係習用技術之組合與轉換，且屬一般業者所容易想出者，自難謂有技術上之創新與產業發展上之貢獻，當非專利法所欲鼓勵者。本舉發事件中，系爭案所運用之技術手段於其提出申請前即已為舉發證據所揭示，其單純為習用技術之轉換；且該等技術手段之組合與應用，並無任何需克服之困難點，顯然屬業界所能輕易思及。又，專利權本質上乃是一種「交易」（或「交換」），國家給予人民排他性之專利實施權以換取人民將技術內容公開，社會大眾因此可以藉由公開之技術「精益求精」，以提昇國家整體技術水準。而人民則可因此等排他性權利之實施獲得經濟上利益。換言之，如該等技術係業者容易思及，其公開並無益於提昇技術水準以及促進產業發展，即無「犧牲市場競爭法則之公共利益，讓技術的擁有者享受市場獨占地位，獲取私人利益」的必要；系爭案僅以該項技術者所能輕易完成之習知技術的轉用作為創作精神，即獲准專利，已阻礙一般大眾對於習知技術之自由運用的機會，顯然不利於技術上之發展，此絕非專利法之本意。
按被告所頒行之專利審查基準第1-3-13已敘明：「記載於獨立項中之『構成之必
要技術內容、特點』，乃為發明之不可或缺之要件，因此發明獲准專利後，專利權人不得將獨立項所載事項之一部份，更正為非發明構成之必要技術內容、特點的事項」；亦即，申請專利範圍之獨立項所界定者，即為授與專利權人排他性之專利實施權的最大權利範圍。又，同基準第1-3-21已明確記載：「附屬項之記載內容，必須包含其所引用之請求項全部技術內容在內，然後對其中之技術內容，作進一步敘明其所引用之請求項目外之技術特點」；換言之，系爭案之申請專利範圍附屬項所界定者，並非系爭案之必要技術內容，而附屬項所記載之內容所達之功效，僅為系爭案可達之功效，並非系爭案必然具有之功效。故，若欲主張系爭案不同於習知技術（即，舉發證據）之特點係在於附屬項所記載之內容，則表示該附屬項所記載之內容為系爭案之必要技術，應將其記載於獨立項中，方能合理界定系爭案之專利權範圍，俾避免專利權範圍過廣而阻礙一般大眾對於習知技術之自由運用的機會。因此，若系爭案之技術特徵係在於申請專利範圍之附屬項所界定者，則應盡速撤銷訴願決定及原處分，命被告機關重行審酌，方可使系爭案獲得合理修正、縮限權利範圍之機會，先予陳明。
根據鈞院八十九年度訴字第二二一八號判決理由，有關發明專利之進步性的相關見解已明確指出：
㈠因不具進步性而不予發明專利之消極構成要件要素僅有二項，一為「運用申請前
既有之技術或知識」，一為「熟習該項技術者所能輕易完成」；而在新型案件，要認定新型不具進步性，必須同時滿足三項構成要件要素，即「運用申請前既有之技術或知識」，「熟習該項技術者所能輕易完成」，「未能增進功效」。
㈡申請專利之新型能增進舊有技術內容所沒有之功效，其進步性即得確定；相對於
新型專利，發明專利之進步性要獲得肯認顯然比較困難的。換言之，申請專利之發明，即使能「產生某一新功效」或具有「增進某種功效」之特徵，但若其為「熟習該項技術者所能輕易完成」時，仍然不能認為具有進步性。
又，根據改制前行政法院八十八年度判字第二０一八號判決理由，關於發明專利之進步性亦敘明有：「發明專利，其性質屬思想上之創作，必須在技術上、知識上及功效上，均有創新之表現始足當之」。
如前述，系爭案之主要技術內容（即，申請專利範圍第1項所界定之技術手段），應為「散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱」以及「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」。惟查：⒈就個別而論，各個技術手段已分別為引證一、二、三所揭示，並非系爭案首先提出；⒉系爭專利之說明書內容並未提及或暗示，對熟習該項技術者而言，組合該等技術手段並加以實施，存有任何待克服之困難點；以及⒊根據系爭案之說明書之內容，組合該等技術手段所達之功效（系爭案之說明書第九頁第二十二至二十五行）並非無法由舉發證據所揭示之內容思及，而舉發答辯中擴張解釋說明中未提及之功效亦明顯與事實不符。換言之，系爭案之技術思想知識或為熟知之習用技術、或為習知技術之組合轉用，並非在技術上、知識上及功效上，均有創新之表現；且，對於熟習此領域之人士而言，結合各個舉發證據之內容實施系爭案之主要技術，並未存有任何待克服之困難點。此已足見，系爭案係屬熟習此技術領域之人士易於思及，不具專利要件之進步性，應無疑義。
系爭案之申請專利範圍第2至15項均為第1項之附屬項，並非系爭案之必要技術，
實非為用以審就系爭案之新穎性與進步性的依據。再者，被告機關並未針對系爭案之獨立項所界定者，是否係為熟習該項技術者所能輕易完成加以審就，僅以引證二之折部19、引證三之支撐部份與系爭案之該凹槽支持器116c不同，即為舉發不成立之審定，顯然有誤。
再者，按被告所頒行之專利審查基準第1-2-20頁第15至19行，關於“進步性”之
判斷方式亦明確指出：「判斷發明是否能輕易完成時，⒈准予將二件或二件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，⒉准予將先前技術(priorart)之各片斷部分相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步」。亦即，“進步性”之判斷係允許將不同文獻之部分內容加以組合，或將先前技術之各片斷相互組合，再與系爭案所界定之標的進行進步性之比對；故，用以與系爭案進行比對之該等證據文獻中必然具有與系爭案所界定之結構、構成要件或技術內容相同的部分，亦允許該等文獻中存有與系爭案所界定之結構、構成要件或技術內容不相同的部分；若用以與系爭案進行進步性比對之證據文獻所揭示之全部內容，均必需與系爭案所界定之標的完全相同，則僅需以單一證據文獻所揭示之全部內容與系爭案所界定之標的進行進步性之比對即可，無組合不同證據文獻之部分內容再與系爭案所界定之標的進行進步性比對之必要。
易言之，引證一、二及三所揭示之裝置中，就其構成要件而言，或許與系爭案之半導體構裝結構存有差異，惟就引證一、二及三所揭示之裝置中與系爭案之結構中相同的部分加以組合，並可由組合後之結果輕易推知系爭案之半導體構裝結構，則系爭案仍應視為不具專利要件之進步性。故，被告僅就引證一至三所揭示之內容中與系爭案之半導體構裝結構相左之部分進行比較，刻意忽視系爭案之半導體構裝結構已分別為引證一至三所揭示之部分，實有失公允。
按原告於原舉發程序中向被告機關所提出之舉發理由第一項已明確指出，原告所提之舉發理由係基於系爭案所請之半導體構裝結構，屬熟習該項技術者針對引證
一、二及三所揭露之全部或部分內容進行組合，即可輕易完成，故不具專利要件之進步性，而依法對系爭案提起舉發。被告雖可依職權針對系爭案之新穎性或進步性進行審查，惟，不論系爭案所界定之半導體構裝結構，相較於引證一、二及三所揭示之內容是否具有專利要件之新穎性，若系爭案之半導體構裝結構相較於引證一、二、三所揭示之內容，不具專利要件之進步性，依法亦不應取得發明專利。亦即，系爭案是否符合專利法第二十條第一項第一款關於新穎性之相關規定，並非原告於原舉發程序中提起舉發之重點所在，且系爭案是否具有專利要件之新穎性亦未變更系爭案不符合專利法第二十條第二項之規定而不具有專利要件之進步性的事實；因此，系爭案所界定之半導體構裝結構是否為熟習該項技術者，藉由引證一、二、三所揭示之全部或部分內容的組合而可輕易推知，方為論斷系爭案是否具有專利要件之進步性的判斷標準，且系爭案是否具有專利要件之進步性，始為原告於原舉發程序中據以提出應撤銷系爭案不當取得之專利權的關鍵所在，應先予釐清。
根據系爭案於其申請專利範圍所界定之半導體構裝結構，該結構係由基板、晶片
、訊號傳遞裝置、散熱裝置、以及覆蓋裝置所構成，其中該散熱裝置，設置於該晶片之上，其中上述之散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱，複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接，又依系爭案之說明書內容可知：⒈系爭案之申請專利範圍中，並未界定該散熱裝置是否直接接置於晶片上，且根據系爭專利之說明書第十頁第十二至十四行所述：「控制半球形凹槽116c的壓深深度使盤狀凹槽16a與晶片102表面有些微的距離或是接觸，以防晶片合模時將晶片102壓壞」，亦說明系爭專利之半導體構裝結構中，該散熱裝置與晶片間可具有些微的距離或與晶片直接接觸，並無特別限制，故引證一、二、三所揭示之半導體裝置中，其散熱裝置是否與晶片相接觸，絕非用以論斷該等證據所揭露之半導體裝置與系爭案所界定之半導體構裝結構是否相同之判斷依據。⒉系爭案之半導體構裝結構中，就設於該散熱裝置之複數個凹槽支持器而言，系爭專利僅將該凹槽支持器界定為“形成於平板之表面並與該基板連接”，且系爭案之說明書第十頁第七至十行：「將散熱片116表面朝下，直接擺入面朝上的模穴內，然後，將已完成晶片102接合及打線之基板104表面朝下放置，使基板104藉第二支持器116c（即，系爭案於申請專利範圍中所界定之凹槽支持器）的支撐安置到模穴內之散熱片116的上方」已指出該凹槽支持器與基板相連接，係用以支撐該散熱裝置，使該散熱裝置與基板間維持一固定的距離，應無疑義。
㈠根據被告機關於舉發審定理由（四）第一至四行：「⑴證據二係將散熱件45接於
晶片上。⑵證據三其散熱片並未連接於晶片之上，其散熱片之折部19亦與系爭案散熱裝置上之複數個凹槽支持器116c不同。⑶證據四其散熱片17亦未連接於晶片之上，其支撐部份與系爭案之該凹槽支持器116c不同，該證據二結合證據三、四並不足以證明系爭案為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性」可知，被告機關所為舉發不成立之審定，僅針對引證一、二及三所揭示之半導體裝置中，與系爭案所界定之半導體構裝結構具有差異的部分進行比較，且刻意忽視該等構成要件僅於外型設計上之差異，又未審究系爭案之結構中，其各項構成要件已分別為引證一、二及三所揭露且為熟習該項技術者所能輕易完成之事實，實有違誤。
就上述第⑴項而言，被告機關於舉發審定理由中已指出：「證據二係將散熱件45接於晶片上」；故系爭案所界定之半導體構裝結構中“將散熱裝置連接於該晶片之上”的特徵已為引證一所揭露，應無庸置疑。
再就第⑵項而言，引證二所揭示之半導體裝置中，晶片（即，半導體元件）上方亦設有散熱裝置（即，散熱片），且該散熱裝置係藉由其支撐部分（即，折部19）使該散熱裝置與導線架維持一固定距離（其中，引證二中的導線架與系爭案中的基板，均係用以承載晶片之晶片承載件，為熟習該項技術者所熟知的等效替換）；故，系爭案所界定之半導體構裝結構中“將散熱裝置連接於該晶片之上，並使該散熱裝置之凹槽支持器與基板連接，以使該散熱裝置與承載晶片之基板間維持一固定距離”，均已為引證二所揭示。被告機關雖於舉發審定理由中指稱：引證二所揭示之散熱片的折部19與系爭案所界定之散熱裝置上的複數個凹槽支持器116c不同，惟系爭案之凹槽支持器與引證二中用以支撐其散熱裝置之折部19均可使散熱裝置與基板維持一固定距離，其外觀上之差異，僅為一設計上之變更，就功效而言，系爭案針對該支持器在外形上之設計，並未具有任何技術特徵，亦未產生任何增進之功效；再者，散熱裝置是否連接於晶片上，並未界定於系爭案之申請專利範圍中，故被告所指稱：「引證三其散熱片並未連接於晶片之上」乙節，並未變更系爭專利之半導體構裝結構中，將散熱裝置設置於晶片上方並藉由該散熱裝置之支持器使該散熱裝置與基板維持一固定距離，均已揭示於引證三之事實。就第⑶項而言，引證三亦已明確顯示其散熱片17具有支撐器連接於基板上用以散熱；同樣地，引證三所揭示之半導體裝置中，該散熱片（即，散熱裝置）亦藉由其支撐器與基板相連接而支撐該散熱片，相較於系爭案之散熱裝置中所界定之凹槽支持器，雖於外形設計上存有差異，為其均係藉由與基板相連接以支撐該散熱裝置，引證三之支撐器與系爭案之凹槽支持器，使該散熱裝置與基板間維持一固定距離之功效均相同，而該散熱片是否連接於晶片之上，並未改變系爭案所界定之半導體構裝結構已為引證三所揭露之事實。
由上述可知，該等證據雖非個別與系爭案完全相同，惟熟習該項技術者就揭露於該等證據中且與系爭案所界定之半導體構裝結構相同的部分加以組合，則可輕易推知系爭案之申請專利範圍中所界定的半導體構裝結構。故被告僅針對引證一、
二、三所揭示之內容與系爭案之半導體構裝結構相異的部分進行比較，即指稱系爭案不同於引證一、二、三所揭示之內容，完全忽視系爭案之半導體構裝結構之各項構成要件已分別為引證一、二、三所揭露之事實，明顯違反上述專利審查基準中，針對進步性所規定之判斷方式，顯然有誤。
㈡再按專利審查基準第1-2-19頁第14至19行：「『熟習該項技術者』，係指虛擬一
具有申請專利當時知道該發明所屬技術領域之既有技術及知識之人，其可用研究、開發等一般技術性手段（指依據既有之技術或知識之基礎，經由邏輯分析、推理或試驗而得之技術手段），並發揮一般創作能力，例如：選擇材料或變更設計，使當時該發明所屬技術領域之技術水準，化為其本身之知識的人而言」；因此，針對系爭案申請前已為引證一、二、三所揭示之既有技術或知識，以一般創作能力所進行如選擇材料或變更設計等改變，係熟習該項技術者所能完成，當無疑義。
被告機關於舉發審定理由（四）第4至8行所述：「⑷系爭案申請專利範圍第二項中之第一盤狀凹槽與該證據二散熱片之平板部位及該證據三散熱件中心之碟狀突出部20不同，⑸該第二項中之複數個邊角支持器116f、凸出支持器116d及第一開孔116b之整體配合，亦與該引證二之外突伸部35、散熱件外露之突出部位及開孔21等不同。該引證一、二、三不能證明系爭案申請專利範圍之獨立項或各附屬項不具新穎性或進步性」，亦未依其所頒行之專利審查基準的相關規定進行比對，顯有錯誤。
首先，按專利法之規定，一專利之權利範圍應以申請專利範圍所界定者為準。換言之，進行專利要件之進步性比對時，應以系爭案之申請專利範圍所界定者為準，其說明書及圖式所揭露者，僅為其申請專利範圍所界定之範圍內的特定具體實施態樣，故系爭案之申請專利範圍僅係以一上位的概念對系爭案所請之標的加以界定，其中除包含說明書及圖式所示之具體實例外，亦可能存有與圖式之具體實例不完全相同者；因此，系爭案之說明書或圖式所示之具體實例，與引證一至三所揭示之內容不完全相同時，該等揭示於證據中之內容，仍有機會為系爭案之申請專利範圍所涵蓋；亦即，系爭案所請之標的（申請專利範圍所界定者）實已為引證一至三所揭露。是以，進行專利要件之進步性比對時，應以系爭案之申請專利範圍所界定者為準，方可確定系爭案所請之範圍使否已為引證一至三所揭露，斷非如原告機關僅針對系爭案之說明書或圖式所揭示，與引證一至三所揭示之內容相異者進行比對，合先敘明。
就系爭案之申請專利範圍第二項中，針對“第一盤狀凹槽之界定”係：「該第一盤狀凹槽形成於該平板之表面上用以保護金線防止該平板與該金線、該晶片接觸」；又按系爭專利之說明書第9頁第20至22行：「散熱片116的中心部位具有一盤狀凹槽116a與晶片102表面接觸用以散熱，其適當的壓深高度可防止散熱片116在擺置的過程不會傷及金線108」；故，該第一盤狀凹槽似乎具有i)接觸晶片以增進散熱效果，以及ii)防止該散熱裝置與該金線及晶片接觸以保護金線之功能；惟，按系爭案於申請專利範圍第1項之界定，該散熱裝置與該基板間之距離係由該散熱裝置之凹槽支持器所界定，換言之，該散熱裝置係利用其凹槽支持器使該散熱裝置與基板間維持一適當的距離，使該散熱裝置不會與該金線及晶片接觸，與該盤狀凹槽並無關聯；再者，原訴願決定機關於其訴願決定理由中指出：「系爭案之散熱裝置包含至少一平板，連接於晶片之上用以散熱」，復說明該散熱裝置連接於晶片上方的部分（即，盤狀凹槽），主要係用於增進散熱效果。因此，系爭案之申請專利範圍第二項所界定之第一盤狀凹槽，實際上僅具有接觸晶片以增進散熱效果之功能，該散熱裝置與該金線及晶片接觸與否，係基於該散熱裝置之支持器在該散熱裝置與該基板間所界定之距離，與該第一盤狀凹槽並無關聯，應先釐清。
再就前述第⑷項而言，證據二所揭露之半導體散熱裝置中，如被告機關於審定理由中所述：「引證二係將散熱件45接於晶片上」，且由證據二之第6圖中可知，該散熱片係以其平板部位接置於晶片上，必然與系爭案之申請專利範圍第二項所界定之第一盤狀凹槽同樣具有增進之散熱效果；系爭案之說明書第10頁第21至25行雖指出：「該凹槽117a為球體狀之一部份，因此凹槽117a具有球形曲面，可使散熱片117與晶片102表面的接觸點，既使在散熱片117傾斜的情況下，仍可保持平滑的曲面頂點而非角狀的凸緣線或凸點的接觸，以避免刮傷晶片表面的保護層及線路」；惟，將該凹槽設計為球形曲面，並未界定於系爭專利之申請專利範圍中，其說明書中之敘述僅為系爭案之申請專利範圍所界定之多種實施態樣之一，無法充分代表其申請專利範圍所界定之全部內容；故就系爭案之申請專利範圍而言，該等差異並未改變系爭案所界定之盤狀凹槽已為引證一所揭露之事實。
再者，由引證二之第1圖所示亦可得知，其所揭露之半導體裝置中，該散熱裝置具有一碟狀突出部，其外形設計與系爭案所界定之盤狀凹槽完全相同。因此，結合引證一與引證二中與系爭案相同之內容（即引證一所揭露：使散熱裝置接於晶片上；與引證二所揭露：該散熱裝置具有一碟狀突出部），即可輕易推知系爭案於其申請專利範圍第二項所界定之盤狀凹槽。
又，就第⑸項而言，按系爭案之申請專利範圍第二項所界定者：「複數個邊角支持器，凸出於該平板之各角並與該覆蓋裝置連接用以在灌膠過程中頂住模穴之各角防止平面旋轉或位移以及增加支撐能力、防止剝離現象；複數個凸出支持器，凸出形成於該平板之表面與該覆蓋裝置連接，在灌膠過程中頂住模穴防止上下移動」；亦即，系爭案之申請專利範圍第二項所界定之邊角支持器116f與突出支持器116d，係藉由與模穴相接觸，進而避免該散熱裝置在灌膠過程中發生旋轉或移位的情形；惟，引證二之說明書第4欄第15至18行已載明：「散熱裝置17及18之外突伸部35係與模穴之內壁相接」，同時引證二之第1圖中，該散熱裝置之頂端亦與模穴相接觸，因此，引證二所揭示之散熱裝置之頂端及外突伸部35均係藉由與模穴相接觸，而具有防止該散熱裝置在灌膠過程中發生旋轉或移位之功效；換言之，引證二所揭示之散熱裝置之頂端及外突出部35與系爭案所界定之邊角支持器116f及突出支持器116d均具有防止散熱裝置在灌膠過程中發生旋轉或移位之功效，除在具體實施態樣中（系爭案之圖式)因設計之變更而於外形上具有部分差異之外，就其功效而言並無任何差異；且按被告機關所頒行之專利審查基準所述，該等外形設計上之變更，屬熟悉該項技術者所能輕易完成，絕非用以論斷專利要件之進步性的差異所在。
此外，系爭案之申請專利範圍第二項：「複數個第一開孔，…用以與膠體可以充份咬合防止剝離」亦揭示於引證二之說明書第7欄第30至32行：「其散熱件的周圍亦設有通孔(32)，可用以固接樹脂…」，以及說明書第6欄第37至40、45至49行：「在散熱件上亦可設有通孔以改善與填入樹脂之密封黏合性，且該通孔於密封後具有鉚接功能」；換言之，系爭專利中形成於散熱裝置使封裝物（樹脂或其他膠體）通過，以增加該散熱裝置之固著並防止其剝離之開孔，亦確為引證二所揭露。
㈢因此，熟習該項技術者組合引證三之半導體裝中所揭露之散熱裝置的支持部或引
證二之折部19（相當於系爭案之凹槽支持器）、引證二之碟狀突出部20（相當於系爭案之盤狀凹槽）、突伸部35（相當於系爭案之邊角支持器）、散熱裝置之頂端（相當於系爭案之凸出支持器）、及開孔21（相當於系爭案之第一開孔），則可形成與系爭案之申請專利範圍第2項所界定者相等之散熱裝置；再依引證一所揭示“將該散熱裝連接於晶片上”（相當於系爭案之申請專利範圍第1項中“散熱裝置設置於晶片之上”），並如引證三所揭示“使該散熱裝置之支持部與基板相連接”（相當於系爭案中“複數個凹槽支持器，形成於平板之表面與該基板連接”），可使該散熱裝置與基板間維持一固定的距離，以避免該散熱裝置與晶片或金線接觸；換言之，系爭案之申請專利範圍第1項所揭示，可提昇散熱效果之半導體構裝結構，已為引證一至三之組合所揭露，系爭案不具專利要件之進步性的事實，已然確鑿。
經上述分析可知，系爭案與引證一至三所揭示之內容之差異，僅單純為一般創作能力在設計上所進行之簡單變更，屬熟習該項技術者所能完成，實難謂其為發明專利之高度創作，且系爭案並未因此種設計上之變更而具有增進之功效；再者，該等外形設計上之差異，多未界定於系爭案之申請專利範圍中，故就系爭案之申請專利範圍所界定者而言，其各個構成要件均分別為引證一至三所揭露；因此，被告基於此種設計上之簡單變更而稱系爭案具有專利要件之新穎性及進步性，實為誤謬。
訴願決定機關所為之判斷，並未確實了解系爭案之技術內容所在，實有諸多違誤，應予撤銷。
㈠系爭案於其申請專利範圍第1項所界定之散熱裝置中，亦如上述，該連接於晶片
上用以散熱之平板已揭露於引證一之第6圖以及引證二之碟狀突出部20；系爭案中形成於平板之表面與基板連接之凹槽支持器，與引證二所揭露之折部19以及證據四所揭露之支持部並無差異。再者，系爭案之申請專利範圍中，對該平板以及該凹槽支持器之外觀形狀並無特殊界定，僅載明該平板連接於晶片上以及該凹槽支持器連接於基板；因此，依系爭專利之申請專利範圍所界定者，均已分別為引證一、二、三所揭露。原訴願決定機關未經任何分析判斷，即輕率斷言該等構造未見於引證一至三中，實為一誤謬之論斷。
㈡根據系爭案之說明書第十二頁中，關於第二實施例之製作流程敘述，其中該頁第
六至十三行：「如第7圖C所示，然後將黏膠120透過製具105所開的窗口點到晶片102之表面及金線108四周的適當位置，使黏膠120能覆蓋整個晶片102及部份的金線108。參閱第7圖D，再將散熱片117經由製具105窗口的對位，正確地置於晶片102表面後以適當之壓力使散熱片17其下之黏膠120能經由散熱片117上的開孔117c及開孔117d溢到散熱片117的表面」，以及次頁第一至五行所述：「這種預先將散熱片117黏著到基板104上的PBGA構裝型式，除了可改善散熱功能及方便組裝作業外，銀膠120事先將晶片102及部份金線108涵蓋不但可防止灌膠導致金線108的滑動現象，亦能預防濕氣入侵晶片102及金線108銲點以及流銲(reflow)過程的爆米花效應(popcorn)發生」。
因此，系爭案之舉發答辯書第四頁第十六行至第五頁第二行以及訴願決定第四頁第三至五行所述：「系爭案之散熱裝置在底部具有凸點支持器與基板接合，使封膠可填充於凸點周遭之空隙，不會使散熱裝置與基板間形成空隙，有防止水氣聚集之功效，可達保護晶片之效果」顯然與事實不符。參照系爭案之圖示，明顯可知，系爭案之凸點支持器與基板接合之周緣，根本無法使封膠材料完全填充於凸點支持器與基板之間，更容易形成空隙。系爭案之半導體構裝結構，並未具有防止水氣聚集之功能。原訴願決定機關以此為由，指稱系爭案之半導體構裝結構具有進步性，顯然悖離事實，應予以撤銷。
系爭專利之「專利權範圍本身」未能產生增進之功效，不具專利要件之進步性。
根據本案準備程序筆錄之內容以及參加人之行政訴訟辯論意旨暨申請狀附表可知，本案爭論點係在於系爭專利之「散熱裝置具有複數個凹槽支持器與基板相連接」乙項；然而，專利法之規定以及相關判決見解均已明確指出，專利權之範圍應視申請專利範圍之獨立項所載內容而定，說明書、圖式、以及附屬項所記載之內容，並非審究專利性之依據。在此一前提下，就系爭專利申請專利範圍獨立項所界定之內容而言，「散熱裝置具有複數個凹槽支持器與基板相連接」之技術內涵實已涵蓋系爭專利申請前既有之技術且非熟習該項技術者無法輕易完成；另一方面，參加人反覆辯稱系爭專利可達不同於引證案之功效，惟均非「散熱裝置具有複數個凹槽支持器與基板相連接」之技術內涵本身所產生者。換言之，系爭專利之權利範圍顯然已涵蓋申請前既有之技術而為熟習該項技術者所能輕易完成，系爭專利並未具有突出之技術特徵與增進之功效，顯然不具有專利要件。故，被告所為舉發不成立之審定以及訴願決定機關所為訴願駁回之決定，均應予以撤銷。系爭專利之散熱件116、引證一之散熱件54、及引證二之散熱件均為半導體封裝
件之散熱裝置，均為應用於半導體封裝之相同領域的散熱裝置，具有發揮相同功能之關聯性。
系爭專利之散熱件116係半導體構裝(即，業界所通稱之半導體封裝件)中的散熱裝置，係用以將晶片102所產生的熱導引至半導體構裝；引證一所揭示之散熱件54係屬於半導體封裝件310之散熱裝置，用以將晶片18所產生的熱導引至封裝件外（參見引證一第六圖）；引證二所揭示之散熱件17、18係屬於半導體封裝件之散熱裝置，用以將晶片14所產生的熱導引至封裝件外（參見引證二首頁之代表圖式）。換言之，系爭專利之散熱件116、引證一之散熱件54、與引證二之散熱件
17、18均為半導體封裝件之散熱裝置，且均係用以將半導體封裝件中之晶片所產生的熱導引封裝件外部，其目的及應用領域均相同，對於熟習該項技術者而言，引證一與引證二之組合並未存有任何待克服之困難點，根據我國專利法之相關規定，顯然係該項技術者所能輕易完成；參加人為混淆系爭專利不具專利要件之進步性，而指稱引證案之技術內容與系爭專利相差甚遠乙項，明顯與事實不符。
系爭專利之專利權範圍應以申請專利範圍之「獨立項」所界定者為依據。
根據被告機關所頒行之專利審查基準第1-3-13頁：「申請專利範圍中『記載申請專利發明之構成之必要技術內容、特點』之請求項，稱為『獨立項』（專施16Ⅱ）。獨立項乃作為專利性之判斷（專20）、專利權之效力（專56）、專利權之放棄（專69）、異議（專41）、依職權撤銷（專71）、舉發（專72）等劃分之基本單位。…，一獨立項所載事項，必須具備整體性之技術思想，…」；又，根據鈞院九十年訴字第一○七九號判決有關專利權範圍之相關見解亦指出：「認定專利權之範圍時是以說明書中之申請專利範圍為準，說明書之限制記載，依法原本不得據為將來限制專利權範圍之依據」。亦即，系爭專利說明書之說明內容以及圖式僅為其創作精神之例示性具體實施態樣，並非用以限定專利權範圍之條件，更非用以判斷是否具有專利要件之依據；系爭專利之權利範圍是否涵蓋先前技術而不應給予專利以及系爭專利是否係屬熟習該項技術者所能輕易完成而不具專利要件，均應以系爭專利說明書之申請專利範圍第一項獨立項所記載之內容作為判斷依據。揭示於說明書、圖式、或申請專利範圍附屬項而未記載於獨立項之特徵與要件，均應視為非必要構成要件；基於該等非必要構成要件所達之功效，當然非為系爭專利之專利要件審究依據，先予釐清。
經查，系爭專利申請專利範圍獨立項所界定散熱裝置之凹槽支持器，相較於引證
案所揭示者，單純為外型設計上之變更，並無實質增進之功效，屬熟習該項技術者所能輕易完成，不具發明專利要件之進步性，其理由如下：
㈠發明專利要件之進步性應以是否為「該項技術者所能輕易完成」作為判斷依據，並非僅以系爭專利與引證案之異同作為判斷標準。
如前述，就本案爭點「系爭專利所請之半導體裝構之結構中，該散熱裝置之複數個凹槽支持器是否具有專利要件」而論，引證二之說明書第六圖、第九圖、第十三圖均已揭示「散熱裝置具有凹槽支持器與基板連接」之特徵，且被告與參加人均未否認引證二所揭示之散熱件係以折部19與基板連接（參見準備程序筆錄第二頁及第三頁，被告與參加人僅辯稱系爭專利之凹槽支持器與基板是點的接觸，而引證案是面的接觸），且引證一第六圖已揭示系爭專利「散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱」的特徵；對於熟習該項技術者而言，系爭專利之凹槽支持器116c與引證二之說明書圖式所揭示之折部19，均係散熱元件用以與基板連接的結構，組合引證一所揭示「散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱」的特徵，即與系爭專利所界定之散熱裝置相同。相較於引證二所揭示之折部19，系爭專利之凹槽支持器單純為習知技術之轉用，實未見其存有任何待克服之困難點，顯然為熟習該項技術者所能輕易完成，當不具專利要件之進步性。
㈡系爭專利之專利權範圍已涵蓋申請前既有之技術，應不予專利。
根據鈞院九十年訴字一○七九號判決理由之判斷原則：「Ａ、如果申請專利範圍之請求範圍太大，相對於其他技術內容，屬於上位概念時，因其內涵小，外延大，他相關下位概念之技術內容內涵，均會包括在其內涵中，此時如果相同之上位概念技術內容或該上位概念所屬之下位概念技術內容已經申請專利在先、並經核准專利者，該後申請之上位概念技術內容即不具有新穎性（見發明專利審查基準第1-2-6頁所載）。Ｂ、又如果先前已有上位概念之技術內容申請專利在先，而後申請之新型專利則為原有上位概念所屬之下位概念新型，由於其構件、構件間之作用方式或內涵有增加，外延變小，當然與原有先申請之上位概念新型專利具有不同之技術內容，而符合新穎性之要求，此時只要其同時有功效上之增進，而具備進步性時，即可取得新型專利。Ｃ、不過在上述參、一、Ｂ之情況下，若後申請之下位概念新型，於申請階段，在說明書之申請專利範圍記載太廣，使其請求給予專利之範圍等同於上位概念之技術內容時，即使其在說明書中其他部分記載有構成下位概念所新增之相關構件、構件間之作用方式或其內涵，但由於將來在認定專利權之範圍時是以說明書中之申請專利範圍為準，說明書之限制記載，依法原本不得據為將來限制專利權範圍之依據。則後申請下位概念技術內容者，會因其申請專利範圍太廣之結果，導致請求內容與先前已取得專利權之上位概念新型構件及內涵相同，因此不具備新穎性，而使其原本可以取得專利權之下位概念新型，因此被主管機關拒絕給予專利權」；因此，系爭專利第一項獨立項所界定之權利範圍若涵蓋申請前既有之技術，則應視為不具專利要件。
經查，系爭專利申請專利範圍第1項中僅載明：「散熱裝置具有複數個凹槽支持器與基板連接」，該獨立項中並未限定該凹槽支持器的形狀，亦未將該凹槽支持器與基板間的接觸形式限定為點的接觸。參照附件七，系爭專利專利權範圍之圖式說明所示，系爭專利獨立項之「凹槽支持器」相對於系爭專利第四圖A所示之凹槽支持器116c以及引證二之折部19，係屬上位概念界定。系爭專利獨立項之「凹槽支持器」的界定實已涵蓋散熱裝置與基板是點的接觸以及面的接觸兩種型式態樣。換言之，系爭專利之專利權範圍已明顯涵蓋申請前既有技術，應不予專利。故，被告機關所為舉發不成立之審定與訴願決定機關所為訴願駁回之決定，顯然有誤，應予以撤銷。
㈢被告機關與參加人之答辯理由中所述之功效，並非基於系爭專利之必要技術手段所產生。
亦如前述，系爭專利申請專利範圍所界定之凹槽支持器並非必然係以點的接觸與基板連接；故，該凹槽支持器與基板係以點的接觸並非系爭專利之必要技術特徵，舉發答辯理由與訴願駁回理由中所稱「防止水氣聚集」、以及被告與參加人於準備程序之答辯理由所稱「不會破壞基板線路」等功效，係基於該凹槽支持器以點的接觸與基板連接的前提下始具有之功效，均非系爭專利之權利範圍必然可達成之功效。因此，系爭專利之凹槽持器相較於引證二所揭示之折部並無實質差異，亦無增進之功效，應已無疑異。
又鈞院九十年訴字一○七九號判決理由中亦敘明：「既然申請專利權範圍技術內容（記載於說明書之申請專利範圍者）與未申請專利權範圍之技術內容（已記載於說明書，但未記載於申請專利範圍者）同時對外公開，而申請人對未記載於申請專利範圍外之技術內容，在公開之前，未曾表明享有專利權之意思，如果事後允許其反悔，將有違『以公開技術換取獨占性使用權限』之專利基本法理」。系爭專利不但未將「該凹槽支持器與基板係點的接觸」界定於申請專利範圍中，系爭專利之說明書中亦未提及前述「該凹槽支持器與基板係點的接觸可達特殊功效」；若准予系爭專利根據該等未載明於說明書之延伸性解釋而縮限專利權之範圍，則必損及「以公開技術換取獨占性使用權限」之專利基本法理，敬請鈞院慎查。
㈣再者，根據專利法第十九條有關發明專利之定義：「稱發明者，謂利用自然法則
之技術思想之高度創作」，亦即，發明專利的保護範疇係技術思想之創作精神，與新型專利的保護範疇「對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良」並不相同；系爭專利之凹槽支持器相較於引證案所揭示者，單純僅為形狀外觀上之變更，實難謂為技術思想上之高度創作，絕非發明專利保護之範疇。
參加人於本案準備程序答辯理由所述「系爭案的凹槽與基板（誤述為平板）是點
的接觸，會有良好的散熱效果」乙項，與系爭專利說明書所揭示之內容不符，明顯違反該項技術者的經驗法則判斷。
根據系爭專利說明書第八頁：「就散熱的效果來說，安置散熱片於晶片表面的方法，其散熱途徑為透過散熱片將有效的散熱面積擴大並借以將熱由PBGA的構裝元件的上方表面導引出去。要比前述改良基板方式之PBGA的構裝元件，其熱源穿過晶片本體、銀膠、部分導熱孔、基板到其下金屬板，再經由導體球傳到印刷電路板再散熱出去，其間經過多層介質才到外界來的更好」可知，半導體封裝件之散熱效果係由「散熱途徑」與「散熱件之散熱面積」決定；半導體封裝件之散熱效果與該凹槽支持器與基板是否係點的接觸並無關聯。
首先，就「散熱途徑」而言，引證一說明書第6圖所揭示之構裝元件中，散熱件54亦係安置於晶片18表面，用以將晶片所產生的熱導引至構裝元件上方表面；又，引證二說明書摘要頁之圖式所揭示者，該散熱件18亦安置於晶片14表面，用以將晶片所產生之熱導引至半導體元件外部。因此，就散熱途徑而言，系爭專利「透過散熱片將有效的散熱面積擴大並借以將熱由PBGA的構裝元件上方表面導引出去」之特徵已為引證案所揭示，應無疑義。
再就「散熱面積」而言，在半導體封裝件中，覆蓋裝置（或稱為封裝膠體）通常係使用散熱效果較差的樹脂材料；因此，散熱裝置外露出覆蓋裝置之面積越大者，其較大散熱面積當然具有較佳散熱效果。相較之下，引證一第六圖所揭示之散熱件外露於封裝膠體36的面積比例明顯大於系爭專利之散熱片116，必然具有較佳的散熱效果。
綜上，系爭專利之該凹槽支持器與基板係點的接觸並無益於改善半導體封裝件的散熱效果；且，根據系爭專利之申請專利範圍所界定者，該凹槽支持器與基板並非必然為點的接觸。相較之下，根據系爭專利說明書所提及影響散熱效果之因素，不論是衡量「散熱途徑」或是「散熱面積」，引證一均優於系爭專利。參加人所述「系爭專利的凹槽與基板（誤述為平板）是點的接觸，會有良好的散熱效果」乙項，顯然與事實不符。
參加答辯理由，與事實不符。
參加人有關發明專利要件進步性之判斷已明確指出：⑴「顯然的進步」係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上；以及⑵「非能輕易完成」係指文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合，通常視為非能輕易完成者。參加人雖不斷辯稱系爭專利「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」之技術特徵所產生之功效係熟習該項技術者不易由邏輯分析、推理或試驗而得。惟，參加人由始至終均未說明「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」技術本身所產生之功效為何；亦如前述，參加人與被告機關指稱系爭專利所達之功效（包括防止水氣聚集、不會損及基板表面電路等）均是在「該凹槽支持器與基板係點的接觸」的前提下始具有之功效，並非「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」本身所產生之功效。系爭專利之獨立項中並未界定「該凹槽支持器與基板係點的接觸」之技術內涵，亦即，該項技術內涵並非系爭專利之必要技術特徵；換言之，防止水氣聚集、不會損及基板表面電路等功效亦非系爭專利必然可達；依專利審查基準判斷專利性之原則，技術手段「該凹槽支持器與基板係點的接觸」與該技術手段所達之功效均未見於系爭專利之獨立項界定中，非為用以判斷系爭專利是否具有進步性之依據斷，參加人所述之功效並未改變系爭專利獨立項所界定之專利權範圍已涵蓋申請前既有技術而不具專利要件之事實。
另一方面，本案之爭點係在於散熱裝置「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」；而引證一已揭示與系爭專利「散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱」相同之技術內涵，引證二所揭示之折部19亦為散熱件與基板接觸之結構。換言之，不論系爭專利之凹槽支持器、或引證二之折部19均為散熱件與基板連接之結構，並無非類似、非接近或無關的技術領域之情事，實未見其存有任何待克服之困難點，相較於引證案所揭示者，系爭專利明顯係屬熟習該項技術者所能輕易完成，絕非僅為原告主觀之臆測。
又，引證二所揭示之折部19亦可使散熱片與晶片、金線維持固定距離，當然亦具有「能使散熱片之安裝過程不致傷及金線、壓碎晶片及損害表面的線路」等功效；至於「灌膠時能維持固定住，以方便灌膠之進行」乙項，根據系爭專利說明書第九頁第十二至十六行：「散熱片116之形狀以較佳之實施例而言為正方形金屬板，具有梯形之第一支持器116f位於角落沿著對角線凸出於金屬板，此第一支持器116f分別頂住模穴之各角在灌膠過程中可以防止平面旋轉或位移…」之敘述可知，參加人辯稱系爭專利具有「灌膠時能維持固定住，以方便灌膠之進行」的功效係基於「凸出於散熱片對角線角落之第一支持器116f」之技術內涵，並非「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」。再者，該「凸出於散熱片對角線角落之第一支持器116f」之技術內涵並未界定於系爭專利之獨立項中，如前述，亦非屬專利性之判斷依據，敬請鈞院詳查。
關於參加人於答辯理由中辯稱系爭專利已獲得國外專利並有多家公司向參加人為
授權契約，而稱系爭專利確實具有專利要件之新穎性與進步性乙項，亦有諸多誤謬之論述，茲逐一說明如下；㈠根據被告機關所頒行之專利審查基準第1-2-28頁關於審查上應注意事項第7項已
敘明：「發明在市場上之成功，如係因發明之突出的技術特徵本身直接所獲得者，可作為進步性之有利事證之一。惟發明在市場上之成功，係因其他因素，例如銷售技巧或宣傳所獲得者，則不得作為發明具有進步性之憑據」。亦即，在市場上成功之發明並非必然具有專利要件之進步性，必須在發明之突出的技術特徵本身直接導致市場上之成功的前提下始具有專利要件之進步性，參加人僅自行辯稱系爭專利在市場上成功，應視為具有專利要件，顯然已曲解審查基準之原義。
㈡系爭專利是否被多項國內外專利申請案直接或間接引用，僅能證明多項國內外專
利申請案係針對系爭專利所揭示之內容進行創作與改良，並不足以證明系爭專利係因突出的技術特徵本身直接導致市場上之成功。另一方面，系爭專利是否被其他專利申請案引用，亦與系爭專利之權利範圍是否涵蓋申請前既有之習知技術而不具專利要件無關，此亦為參加人曲解之誤謬。
㈢又，根據鈞院九十年訴字六六五三號判決理由中亦提及：「各國專利法制未盡相
同，各該申請專利範圍及舉發資料未必相同」之相關見解。且系爭專利相對應之美國第0000000號專利中，其申請專利範圍共37項，包括第1、14、22、29、36項等五項獨立項，相較於系爭專利獨立項所界定者，該美國專利之獨立項中所界定之技術內涵較多；亦即，參加人在美國所取得第0000000號專利權之範圍遠小於系爭專利獨立項所界定者。而系爭專利指稱有多家封裝大廠向參加人為授權契約，並有成功產品推出上市等，亦存有諸多不明事項：
⒈參加人指稱多家公司廠商向參加人為授權契約，然而參加人並未說明向參加人為
授權契約之各家公司廠商係基於為取得系爭專利之技術，或是系爭專利之專利權範圍已涵蓋習知技術而阻礙了各家公司廠商本身之產品開發，不得不藉由取得授權並支付權利金的方式，使本身的產品研發得以順利進行。若為後者，則更說明範圍過廣而涵蓋習知技術之專利權，不但有違專利法促進產業發展之立法精神，更增加了社會大眾運用習知技術進行研究發展的成本，減少了技術創新的誘因，此絕非專利法之立法本意。
⒉參加人並未指明該授權契約之標的究竟是爭專利之專利權或是參加人在美國、日
本所取得之專利權；另一方面，參加人亦未說明市場上之商品係運用系爭專利之何項技術，亦或是授權人針對系爭專利進行創新研發再取得專利權之產品。不論是何種狀況，參加人均未能明確說明市場上之產品確實係運用系爭專利之技術所生產者，亦未說明該等商品之成功係基於系爭專利本身突出之技術特徵而非其他創新改良之技術。
綜上所述，參加人於參加答辯狀中所述有關系爭專利已取得國外之專利權並經多個專利申請案直接或間接引用、以及有多家公司廠商向參加人為授權契約並有成功商品推出上市等答辯理由，仍存有諸多待釐清之不明處；且該等答辯理由與系爭專利之權利範圍是否涵蓋先前技術而不具專利要件均無任何關聯性，亦非用以判斷系爭專利獨立項所界定之專利範圍是否應准予專利之依據，敬請鈞院詳查。關於參加人於參加答辯理由第五項中指稱「原告違反專利法第七十二條第二項『
一事不再理』規定」乙節，根據被告機關所頒行之專利審查基準第1-9-17頁已敘明專利法第七十二條第二項所規定之「一事不再理」係指主張同一事實及同一證舉先後提起多件異議案及舉發案之情事；又，根據同基準第1-9-18至1-9-19頁有關「同一事實」與「同一證據」之相關說明，本案並無參加人所稱違反專利法第七十二條第二項「一事不再理」規定之情事，一併予以指明。
為此請鈞院明鑒，判決如訴之聲明，以彰專利法旨。
乙、被告主張之理由：
一、起訴理由稱系爭專利在半導體構裝之結構中設置一具有凹槽、開孔之散熱裝置用以提昇散熱效果之技術手段，與舉發證據二、三、四（即引證一、二、三）相同，不具專利要件云云。惟查系爭專利之散熱裝置包含至少一平板，連接於晶片之上用以散熱，複數個凹槽支持器，形成於平板之表面與基板連接，上述構造並未見於引證一、二、三中，亦未見均等之結構，在本件舉發審定書中已說明系爭專利與引證一、二、三不同，原告僅以引證一、二、三可達成散熱效果即稱系爭專利與引證一、二、三相同，並非恰當。
二、起訴理由稱系爭專利與引證一、二、三之差異處為熟悉該項技術者所能輕易推及云云。惟系爭專利之散熱裝置在底部具有凸點支持器與基板接合，使封膠可填充於凸點周遭之空隙，不會使散熱裝置與基板間形成間隙，有防止水氣聚集之功效，可達保護護晶片之效果，故系爭專利並非只是引證一、二、三之形狀改變，對於熟習該項技藝人士並非能輕易思及，起訴理由自不足採。
三、綜上所述，被告原處分並無違法，請駁回原告之訴。
丙、參加人主張之理由：
一、查我國專利審查基準與本案相關之規定：㈠新穎性判斷⒈就新穎性判斷之概念：「謂『新穎性之判斷』，指判斷申請專利範圍之請求項所
載發明之新穎性而言。」，亦即，依據舊專利法第二十條第一項第一款至第三款（或請參考九十年十月二十六日公布新修正專利法第二十條第一項及第二十之一條規定）規定之情事，來判斷申請專利範圍之請求項所載發明有無該條款所規定之情事。如有，則不具新穎性；如無，則具有新穎性。
⒉就新穎性判斷之基本原則而言：「作為新穎性判斷對象之發明，為申請專利範圍
之『請求項所載發明』判斷發明有無新穎性時，應以發明之技術內容比對是否相同（含能由熟習該項技術者直接推導）為準。不相同即具有新穎性；相同即不具新穎性。比對方式，應採單獨比對方式，以個別獨立的引證資料與「請求項所載發明」進行比對，不得將二個以上獨立的引證資料予以組合，以與「請求項所載發明」比對。
㈡進步性判斷⒈就判斷進步性之基本原則而言：「判斷進步性之前，須先判斷該發明是否具備新
穎性要件，經判斷該發明具有新穎性後，始能判斷有無進步性。判斷發明有無進步性時，應確實依據發明所屬技術領域，以及申請專利當時之技術水準(thestateoftheart)，檢索申請當日之前之既有技術及／或知識作為引證資料，以研判發明之技術手段之選擇與結合，如其選擇與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完成者，即具有進步性；反之，如為熟習該項技術者基於引證資料所能輕易完成者，則不具進步性。」⒉就判斷方式而言：「判斷發明是否能輕易完成時，准予將二件或二件以上不同文
獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，准予將先前技術(priorart)之各片斷部分相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時（若有主張優先權者，則指有效優先權日），所能輕易完成者為限。」⒊判斷是否能輕易完成時，應注意下列事項：
⑴文獻之組合應注意事項：
應假設熟習該項技術者，如遭遇申請專利發明所欲解決的問題時，是否能輕易組合所引證之文獻之技術內容，以解決該問題。文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合，通常視為非能輕易完成。組合所需之文獻為不同的文獻者，其數量愈多，通常視為非能輕易完成。以先前技術之片斷部分相互組合，而判斷發明是否能輕易完成時，應考慮發明是否具有「突出的技術特徵」或「顯然的進步」。「突出的技術特徵」，係指申請專利之發明對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基礎，仍然不易由邏輯分析、推理或試驗而得者。「顯然的進步」係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上。例１：在技術發展空間有限之領域中(inthefieldof
thecrowdedart)，如在技術上有微小的改進，得視為具有「顯然的進步」。例
２：發明能解決人類長久未能解決之技術問題者，得視為具有「顯然的進步」。例３：在發明所屬之技術領域中，發明能突破熟習該項技術者長久根深蒂固存在之技術、知識時，可視為具有「顯然的進步」。
⑵就審查上應注意事項而言：
進步性之研判，因審查委員在審查中瞭解其技術內容後，極易對發明之進步性作成偏低之評斷，以致有"後見之明"之情形，故審查時應以熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，作客觀之判斷。發明在市場上之成功，如係因發明之突出的技術特徵本身直接所獲得者，可作為進步性之有利事證之一。
㈢簡而言之，就新穎性比對方式，應採單獨比對方式，不相同即具有新穎性；相同
即不具新穎性。就進步性比對方式，可將相關技術領域之二件或二件以上不同文獻之各片斷部分相互組合。如發明之技術手段之選擇與結合，如其選擇與結合具有困難度，並非為熟習該項技術者所能輕易完成者，即具有進步性；反之，如為熟習該項技術者基於引證資料所能輕易完成者，則不具進步性。且發明在市場上之成功，如係因發明之突出的技術特徵本身直接所獲得者，可作為進步性之有利事證之一。
二、依據上揭專利審查基準規定，原告所提之引證案，其比對方式顯然有誤，且不能採信，茲說明如下：
㈠系爭專利確實具有新穎性：
查原告所提出之證據二（即美國專利證號0000000，即引證案一）、證據三（即美國專利證號0000000，即為引證案二）以及證據四（即美國專利證號0000000，即為引證案三），與本件系爭專利之申請專利範圍在技術內容比對差異如下列表：
由該表比對之差異結果可知，系爭專利確實具有新穎性。原告所提的引證案比對表並未有系爭專利的特徵「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」，顯然該三引證案均未揭露系爭專利的這項特徵，所以系爭專利當具有新穎性，至為明顯，原告辯稱系爭專利未具有新穎性，根本不能採信。
㈡原告之舉發申請書所提進步性之判斷方式，亦純屬主觀臆測，並不符我國專利審查基準之規定：
⒈根據專利審查基準第二章第四節所云，「突出的技術特徵」係指申請專利之發明
對熟習該項技術者而言，若以先前技術為基礎，仍然不易由邏輯分析、推理或試驗而得者。「顯然的進步」係指申請專利之發明克服先前技術中存在的問題點或困難性而言，通常係表現於功效上。例如：在技術發展空間有限之領域中(in
thefieldofthecrowdedart)，如在技術上有微小的改進，得視為具有「顯然的進步」。又文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合，通常視為非能輕易完成。再者，有發明在市場上之成功，如係因發明之突出的技術特徵本身直接所獲得者，均可作為進步性之有利事證之一。
⒉然而本件原告卻無視於系爭專利﹁具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面
與該基板連接﹂之技術特徵改變所產生之功效，為熟習該項技術者不易由邏輯分析、推理或試驗而得，逕指⑴凹槽支持器之設計僅為運用他發明予以變更形狀之設計，及⑵支持器之功能已為一般熟習技藝者所能輕易推知而不具進步性。此皆純屬原告主觀之臆測而已，況且其並無法提出相關技術領域之引證案，來支持其主張，因此其主張顯無足採。而細閱原告所提出之引證案，發現該引證案內容與系爭專利之技術領域相去甚遠，原告竟企圖以該引證案質疑舉發本系爭專利之進步性，此不僅違反專利審查基準的認定範圍，且實有誤導事實、模糊焦點之嫌。⑶再者，原告提出引證案之散熱片係直接黏貼於晶片之，於灌膠之前的合模過程中，上模的壓力會很容易將晶片壓碎，並且毫無緩衝保護功能。然而反觀系爭專利之申請專利範圍第一項之散熱裝置﹁具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接﹂與引證案之散熱片結構完全不同，其功能在於能使散熱片之安裝過程不致傷及金線、壓碎晶片及損害表面的線路，並且於灌膠時能維持固定住，以方便灌膠之進行，因此系爭專利散熱片之結構對於晶片及其內部線路之保護明顯較引證案具有優勢，實無庸置疑。
㈢因系爭專利之突出特徵而直接或間接引用，並產生的專利列舉如下，請鈞院參考：
⒈國內部分有：（括弧內為專利證書號，括弧外為智慧財產局之申請案號）
00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(000000),00000000(………),00000000(……)⒉美國專利有：
0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,0000000,....㈣又系爭專利亦分別獲得美國專利證書第0000000號及日本專利第0000000號。而目
前國內之封裝大廠如日月光半導體製造股份有限公司、矽品精密工業股份有限公司、華泰電子股份有限公司、上寶公司等多家公司廠商均向參加人為授權契約，並且已有很成功的產品推出上市，另新加坡STATS半導體封裝廠商亦為了爭食這塊日漸成長的大餅，特於去年四月向參加人要求授權，俾利其製造。再者，國外還有數家從事製造之大廠商亦來要求參加人授權。如此均在在充分說明，因系爭專利之突出特徵，而使市場成功及優勢之因素，且更足以證明系爭專利確實具有新穎性及進步性。
㈤原告違反專利法第七十二條第二項「一事不再理」規定：
現行法制中雖未及規範禁止類此惡意舉發之行徑，但由現行專利法第七十二條第二項規定之「異議案及前項舉發案，經審查不成立者，任何人不得以同一事實及同一證據，再為舉發」觀之，其立法理由即係為避免他人反覆利用舉發制度、造成重複審查、妨害專利權行使及拖延訴訟等問題。因此當舉發人對系爭專利提起舉發時，倘若之前已有同一人或他人以「同一事實」及「同一證據」對該案為異議或舉發，並業經審查不成立確定者，即不得再為舉發，被告則應為「舉發駁回」之審定。本件原告提出之引證一，與前他件發明專利舉發行政訴訟（即鈞院九十年度訴字第三八五五號，舉發人為 陳淑容 ，其訴訟代理人亦為乙○○）之引證案重複，而該案鈞院已經判決原告之訴駁回並確定在案，其判決理由認定「系爭專利‧‧‧該散熱裝置構造之描述與引證案僅說明散熱裝置設於晶片之上，並不相同，亦即引證案並未揭露系爭專利支付數個凹槽支持器形成於平板表面並與基板連接，故系爭專利仍具有新穎性；‧‧‧系爭專利之散熱裝置結構並未見於引證案中，亦未見均等之結構‧‧‧，且對於熟習該項技藝人士並非能輕易思及，故系爭專利仍具有進步性。」。故原告今針對同一事實及相同之引證案證據提出舉發，顯然違反上揭專利法「一事不再理」之規定。
三、原告主張可將各引證案相組合，僅是其憑空論定、片面推測，實不能採信：查原告主張「系爭專利屬熟悉該項技術者針對引證一、引證二及引證三所揭露之全部或部分內容進行組合即可輕易完成‧‧‧。」云云，根本毫無任何依據，且原告並未舉出具體事證以實其說。茲分由法律層面及技術層面說明如下：
㈠法律層面：
⒈按專利法第二十條第二項規定：「發明係運用申請前既有之技術或知識，而為熟
悉該項技術所能輕易完成時，雖無前項所列情事，仍不得依本法申請取得發明專利。」，惟所謂﹁申請前既有之技術或知識﹂係指所有已公開之技術或知識，必須其所揭示之內容足以教示或建議熟悉該項技術者，依據申請當時之技術水準能輕易完成某發明專利之申請標的時，該公開之技術或知識始為一具有證據力之引證案。且我國專利審查基準第1-2-20、1-2-21頁對進步性判斷方式，准將文獻或先前技術之各片斷部分相互組合。惟明確指出「其組合，以熟習該項技術者於申請當時（若有主張優先權者，則指有效優先權日），所能輕易完成者為限。」，於文獻組合時，應注意文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合，通常視為非能輕易完成。組合所需之文獻為不同的文獻者，其數量愈多，通常視為非能輕易完成‧‧‧。
⒉次按美國專利審查基準第2143條及專利法第103條關於判斷進步性（即非顯而易
見，non-Obviousness），雖亦認為引證資料可加以組合以否定其非顯而易見性，然而必須有三要件同時具備：⑴所有引證資料有揭示如何組合之教示、動機或建議；⑵該組合有被合理期待成功之可能；⑶所有以公開之技術或知識引證資料在其專利範圍內均已揭露該技術特徵，換句話說，若已公開之技術或知識之的引證資料中未曾有該相關揭示，則不可由各式各樣之習知技術引證資料中，任意選取其個別元件而加以組合，否則即與該法律規定及精神不合。（2143BasicRequirementsofaPrimaFacieCaseofObviousness--Toestablishaprimafaciecaseofobviousness,threebasiccriteriamustbemet.First,theremustbesomesuggestionormotivation,eitherinthereferencesthemselvesorintheknowledgegenerallyavailabletooneofordinaryskillintheart,tomodifythereferenceortocombinereferenceteachings.Second,theremustbeareasonableexpectationofsuccess.Finally,thepriorartreference(orreferenceswhencombined)mustteachorsuggestalltheclaimlimitations.Theteachingorsuggestion
tomaketheclaimedcombinationandthereasonableexpectationofsuccessmustbothbefoundinthepriorart,notinapplicant'sdisclosure.InreVaeck,947F.2d488,20USPQ2d1438(Fed.Cir.1991)⒊另歐洲專利審查亦同意於判斷是否具有進步性，可將各引證案之技術特徵加以組
合，然而組合之技術特徵間必定需有功能上的關係，即倘若各技術特徵間沒有互相關連性，就不能將該技術特徵組合。
⒋因此由上揭法律規定及原則，可知雖各國國情及法律規定不盡相同，但對於各技
術資料是否可加總、組合，需符合一定要件並無二致。然而細閱原告提出之引證
一、引證二及引證三之專利說明書內容，不僅各引證案皆未如上揭規定有組合之教示、動機或建議，更未有記載或支持如原告主張及其狀紙內容中所有組合推測（例如：原告主張「結合引證一與引證二中與系爭專利相同之內容，‧‧‧即可輕易推知系爭專利於其申請專利範圍第二項所界定之盤狀凹槽‧‧‧，第十四頁」組合證據四之半導體裝中所揭露之散熱裝置或引證二之折部19、引證二之碟狀突出部20‧‧‧，則可形成與系爭專利之申請專利範圍第2項所界定者相等之散熱裝置」‧‧‧等等），而原告亦未舉出具體事證以證明如何組合三個引證案，況且三個引證資料所示亦均未揭露系爭專利之「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」之突出的技術特徵，則原告聲稱之組合又如何能有通天本領產生該突出之技術特徵？原告主張某項組合即為系爭專利某一元件等等，不僅係原告毫無根據之片面推測，甚至係擴大解釋之結果，且原告恣意選取各種以公開技術及知識之個別元件，再空言主張可以組合，亦已嚴重背離上揭法律規定及立法精神，故原告主張實不能採信。
㈡技術層面：
構裝層級基本上可區分為；⒈晶片級；⒉印刷電路板級；⒊系統級。不同構裝層級所需解決問題不同，其技術亦無共通性。引證一為ＢＧＡ架構（原告於八十九年十一月二十四日舉發申請書第三頁第十行已自承引證一為球柵陣列（BGA）半導體封裝件）、引證二為ＴＡＢ架構（詳原告引證二專利說明書第一欄第八行），兩者雖皆屬於晶片級構裝，但引證一為打線接合，引證二為自動捲帶接合，接線技術是不一樣；而引證三為ＴＣＰ架構（詳原告引證三專利說明書第一欄第三行），由其說明書第一頁圖式所示，其蓋部17是外加在ＴＣＰ架構102之外部，且蓋部17並與印刷電路板101（詳引證三專利說明書第十九欄第十六行）相接合，故可判斷引證三為印刷電路板級構裝。由此可知，引證一、引證二及引證三之構裝層級或接線技術均不一樣，原告逕將該引證案組合而與系爭專利相比較，顯無理由。
㈢綜上所述，不論由法律層面或技術層面，都能清楚瞭解引證一、引證二及引證三
，根本無法相組合，今原告空言主張可以組合，惟卻又未舉具體事證以實其說，更未證明其片面主張之組合，是否為熟習該項技術者依當時技術水準，所能輕易完成者？故原告主張顯不能採信。又原告係以現今發展之技術角度，回頭看五、六年前早已發明之系爭專利，卻又未客觀、充分舉證證明以申請當時技術水準是否能輕易將三個引證案加以組合，亦已流於後見之明，而與我國專利審查基準第1-2-28頁進步性審查上應注意事項之第六點「進步性之研判‧‧‧，極易對發明之進步性做偏低之評斷，以致有後見之明之情形，故審查時應以熟習該項技術者之觀點，根據申請當時之技術水準，做客觀之判斷。」原則有違，難令人折服。
四、次查，原告於八十九年十一月二十四日舉發申請書（下稱舉發申請書）、九十年十一月二十日訴願狀（下稱訴願書）及九十二年六月十一日行訴訟補充理由狀（下稱理由狀）三份狀紙內容，前後主張多有矛盾，顯見原告不僅不暸解系爭專利之技術內容，甚至不清楚其提出之各引證案技術內容，茲舉例如下：
㈠系爭專利「複數個凹槽支持器」：原告於訴願書第四頁第9-11行，原聲稱「引證
二其散熱片之折部19雖以導線架為晶片承載見之半導體構裝，但結合引證一所揭示之球柵陣列（BGA）半導體構裝，‧‧‧推及被舉發案於散熱裝置上所形成之複數凹槽支持器。」，嗣後於理由狀第九頁第4-12行及第十四頁第9-10行，卻主張引證二之「折部19」相當於系爭專利「凹槽支持器」，惟兩者主張內容顯然不同。
㈡系爭專利「盤狀凹槽」：原告於訴願書第三頁第6-7行，指稱證據三在半導體構
裝中設有散熱裝置17及18，該散熱17及18具有盤狀凹槽之特徵‧‧‧。於理由狀第十三頁第5-7行，則稱結合引證一所揭露：使散熱裝置接晶片；與引證二所揭露：該散熱裝置具有一碟狀突出部20，即為系爭專利範圍第二項所界定之盤狀凹槽。然而於理由狀第十四頁第10行，卻又稱引證二之碟狀突出部20相當於系爭專利之盤狀凹槽。針對系爭專利之「盤狀凹槽」同一技術特徵，竟有前後三種迥然不同主張。
㈢系爭專利「突出支持器」：原告於舉發申請書第五頁第12-15行，主張引證二17
、18與系爭專利突出支持部相同‧‧‧然而於理由狀十四頁第11行，則稱引證二散熱裝置之頂端相當於系爭專利之突出支持器‧‧‧？此令人相當狐疑，針對系爭專利之「突出支持器」，原告前後主張已不一致，更甚者原告既如前第（二）點，主張引證二之17、18相當於系爭專利之「盤狀凹槽」，何以於不同狀紙內容中又主張引證二之17、18等同於系爭專利之「突出支持器」？由此可見，原告主張相互矛盾，根本不能採信。
㈣系爭專利「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連接」之技術特徵：
原告於舉發申請書第三頁第15行及第四頁第1-4行中，主張由引證一之「設於晶片上並與晶片連接之散熱片」，結合引證二及三揭示之散熱片與基板（或導線架）連接之支撐器可推至系爭專利該項技術特徵。詎料，其餘理由狀第十四頁第13-14行，卻直接主張引證三所揭示「使該散熱裝置之支持部與基板相連接」即相當於系爭專利「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連接」。顯然原告之主張都僅是臨訟拼湊之辭，毫無依據。
五、另將系爭專利與各引證資料相較，亦可知悉各引證案之技術內容實不足證明系爭專利不具進步性：
㈠系爭專利屬ＰＢＧＡ架構（詳專利說明書第四頁最後一行），其實施特點主要是
將一金屬散熱片放置在基板及晶片上，並利用散熱裝置上之「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連接」，此突出的技術特徵之主要特點是為解決ＢＧＡ架構中散熱、避免壓碎晶片、傷及金線、於灌膠時避免金線滑動及防止爆米花效應上有顯然的進步，並且可簡化散熱片之製程，以降低成本等。
㈡引證一為ＢＧＡ架構，惟其散熱片係以黏膠直接貼於晶片上方，毫無緩衝保護功
能，一旦於封裝上下模合模時，散熱片則容易將晶片壓碎，進而破壞該結構。而系爭專利則是利用散熱裝置上之複數個凹槽支持器與基板連接，其功能在於能使散熱片之安裝過程不致傷及金線、壓碎晶片及損害基板表面的線路，並且於灌膠時能維持固定住，且於上下模合模時，因有複數個凹槽（反面即為凸點）支撐住，所以根本不會有壓碎晶片之情形產生。
㈢引證二為ＴＡＢ架構，屬早期使用之架構，且ＴＡＢ架構係應用於液晶顯示器之
接合（如筆記型電腦之螢幕），而系爭專利之ＰＢＧＡ架構，則是應用在ＩＣ封裝，兩者是屬完全不同之技術層級，根本不能相比：
⒈引證二之並無基板結構，僅有tapeautomatedbonding自動捲帶，該捲帶材質為
銅箔，就如同照相之底片，非常軟，因此於該捲帶及晶片之上下需同時使用兩片散熱片，始使其結構固定，否則其專利即毫無意義。然而於固定時，原告所稱折部19與其捲帶表面連接時，因為係「面的接觸」，故於灌膠時無法將空氣及水氣排除，當高溫焊接時，當然會產生爆米花效應，致使散熱片裂開。
⒉而系爭專利之散熱裝置無須同時上下兩片散熱片存在。且係以複數個凹槽支持器
，形成於該平板之表面與基板連接，為「點的接觸」，沒有死角，於灌膠時則可完全將空氣由各側排除，不會積存空氣泡，故當高溫焊接時，不會產生爆米花效應，此亦可由系爭專利之產品在市場上流通廣，更加證明系爭專利在防止爆米花效應上有顯著之進步。
⒊原告前辯解引證二之折部19即為系爭專利之複數個凹槽，根本係誤導鈞院，按引
證二折部19僅係為『固定、支撐』上下二片散熱片及其材質軟如照相之底片的捲帶而已，與系爭專利複數個凹槽之設置的結構及前第二點（一）清楚說明之特點「避免壓碎晶片、傷及金線、於灌膠時避免金線滑動及防止爆米花效應等」完全不同，原告竟顛倒是非，由此更見原告不清楚系爭專利及各引證案技術內容。
㈣引證三為ＴＣＰ架構，如前已說明，與系爭專利之技術層級亦不相同：
⒈引證三在未加入散熱片之前已是一完整之封裝架構，而其散熱片是「外加」在該
封裝結構上，且因引證三並未如系爭專利有覆蓋裝置（如黑色膠體覆蓋物）之保護，故於其散熱片需加上蓋部17，以解決如引證三說明書附圖11、16、34、37等壓損晶片之問題，由此可知引證三之技術特徵與系爭專利毫無關連。
⒉又引證三無灌膠步驟，故與系爭專利以灌膠來避免產生爆米花效應實無法比較。
⒊再者，引證三之散熱片與其印刷電路板101（與系爭專利之基板不同）之接合是
靠螺絲釘鎖上加以固定，即其印刷電路板101上必須鑽孔，而為了鑽孔，印刷電路板101上之電路則需配合以避開，然而一般之基板都是面積小且線路又密集，完全沒有如引證三有鑽孔之空間，而引證三的印刷電路板101為鑽孔，必須避開電路，則其結構就不可能做成較小巧，因此也就無法安裝於較輕薄短小之電子產品中，相對地較無市場競爭力。而且目前鎖螺絲釘之步驟尚無法自動化，仍需靠人工始能完成，這樣一來又會耗費太多成本及人力資源。
⒋惟系爭專利是以散熱裝置上之複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連
接，因此根本不需鑽孔及避開電路，由於與引證三在結構上之差異，更彰顯系爭專利之密度高、封裝體積小，可安裝於較輕薄短小之電子產品中，其於市場競爭力亦較強，當然具有進步性；又系爭專利之散熱裝置與晶片之間有灌膠，是一固體之封膠體，而固體又為良好之導熱體，當然有利晶片將熱氣擴散並排除，而不需如引證三再外加散熱片，以補其散熱功能之不足。
㈤綜前所述，系爭專利內容相對該三個引證案，顯非屬運用申請前既有知識與技術
，而為熟習該項技術者能輕易完成之情事，其進步性乃得以確立無疑，況且該三個引證案之技術內容亦與系爭專利相差甚遠，實無法與系爭專利相提並論。不僅如此，三個引證案如前已詳述，其構裝層級及接線技術亦完全不同（引證一為ＢＧＡ架構、引證二為ＴＡＢ架構、引證三為ＴＣＰ架構且為印刷電路板級構裝），故三個引證案又如何能組合、相加？實令人相當匪夷所思。原告竟企圖魚目混珠，空言主張其恣意選取三個引證案中之部分元件即可相互組合，惟卻未詳細說明如何能組合，即來質疑舉發本系爭專利之進步性，此已誤導事實，且根本不瞭解系爭專利之技術內容，甚至不尊重他人潛心研究之技術發明。再者，各引證案又有各種不同應待解決問題，及面臨之困難，然原告卻仍無視於此，並罔顧系爭專利「具有複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基連接」突出之技術特徵，所能產生之功效及特點，為依當時技術水準，熟習該項技術者不易由邏輯分析、推理或試驗而得，逕指：⒈三個引證案相互組合即為系爭專利；⒉系爭專利複數個凹槽支持器之設計僅為運用他發明予以變更形狀之設計，及⒊支持器之功能已為一般熟習技藝者所能輕易推知而不具進步性，然而原告又無法提出明確事證來支持其主張，顯見其主張純屬片面且毫無依據之臆測而已，實不能採信。
六、參加人欲附帶說明，參加人之系爭專利亦早已分別獲得美國專利證書第0000000號及日本專利第0000000號。美國及日本專利之獲准亦可說明先進國家如美國或日本專利局也並未檢索出來有先前技藝揭露本案，因此更可證明系爭專利確實非運用申請前既有技術，而為熟悉該項技術者所能輕易完成。雖曰中、美、日之國情、專利法制及審查基準不盡相同，但對於專利實質要件的要求並無二致，故參加人之發明已獲准美國及日本專利之事實不僅極具參考價值，且應為參加人發明具可專利性之最佳佐證。
七、末查，目前國內之封裝大廠如日月光半導體製造股份有限公司、鑫成科技股份有限公司、矽品精密工業股份有限公司、華泰電子股份有限公司、上寶半導體股份有限公司、立衛科技股份有限公司及飛利普建元電子股份有限公司等多家公司廠商均向參加人為授權契約，並且已有很成功的產品推出上市，另新加坡STATS半導體封裝廠商亦為了爭食這塊日漸成長的大餅，欲於半導體市場佔有一席之地，亦特於去年四月間與參加人完成簽訂授權契約，俾利其技術發展。再者，國外還有數家從事製造之大廠商亦陸陸續續要求參加人授權。如此均在在充分說明，系爭專利亦符合我國專利審查基準第1-2-28頁進步性審查上應注意事項之第七點「發明在市場上之成功，‧‧‧可作為進步性之有利事證之一。」原則，確實具有新穎性及進步性。為此請鈞院詳加斟酌以上所述，並判決如訴之聲明，以維權益。
理由
壹、程序方面：本件被告之代表人原為 陳明邦 ，九十一年九月九日變更為蔡練生，茲由其具狀聲明承受訴訟，核無不合，應予准許，先為敍明。
貳、實體方面：
一、按凡利用自然法則之技術思想之高度創作，而可供產業上利用者，得依法申請取得發明專利為系爭專利核准時專利法第十九條暨第二十條第一項之規定。而對於獲准專利權之發明，任何人認有違反同法第十九條至第二十一條或第二十七條規定者，依法得附具證據，向專利專責機關舉發之。從而，系爭專利有無違反專利法之情事而應撤銷其發明專利權，應由舉發人附具證據供專利專責機關即被告審查，如舉發人所主張之事實及證據，經專利專責機關調查結果認不足以證明系爭專利有違專利法之規定，又無依職權補充調查之必要時，自應為舉發不成立之處分。
二、本件系爭第00000000號「增進散熱效果之半導體構裝」發明專利案，該結構包含：一具有晶片接合區域及複數個導體通道之基板；一晶片，裝置於該晶片接合區域與該導體通道電性耦合；訊號傳遞裝置，設置於該基板之底部用以做為外部與該晶片間傳遞訊號之裝置；一散熱裝置，設置於該晶片之上，其中上述之散熱裝置包含至少一平板，連接於該晶片之上用以散熱，複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接；及一覆蓋裝置，用以覆蓋該晶片、該散熱裝置以及該基板。原告所提之舉發證據一為系爭專利說明書，證據二為西元一九九三年六月一日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證一），證據三為西元一九九四年十一月十五日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證二），證據四為西元一九九六年八月六日公告之美國第0000000號專利案（下稱引證三）。本件被告略以，系爭案於八十八年九月一日提出更正申請專利範圍，已准予更正並公告在案，本舉發案依更正後之內容審查；引證一係將散熱件接於晶片上；引證二之散熱片並未連接於晶片之上，其散熱片之折部亦與系爭專利散熱裝置上之複數個凹槽支持器不同；引證三之散熱片亦未連接於晶片之上，其支撐部分與系爭專利之該凹槽支持器不同；引證一結合引證二及三並不足以證明系爭案為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。另系爭案申請專利範圍第二項中之第一盤狀凹槽與該引證一散熱片之平板部位及該引證二散熱件中心之碟狀突出部不同，其第二項中之複數個邊角支持器、凸出支持器及第一開孔之整體配合，亦與引證二之外突伸部、散熱件外露之突出部位及開孔等不同，是引證一至三不能證明系爭案範圍之獨立項或各附屬項不具新穎性及進步性，乃為舉發不成立之處分。原告不服，提起訴願，主張系爭案在半導體構裝之結構中設置一具有凹槽、開孔之散熱裝置用以提昇散熱效果之手段，已為引證一至三所揭示，且該等技術手段為已公開之習知技術，並為熟習該項技術者所能輕易完成；又系爭案雖以複數個凹槽支持器形成於該散熱件平板與該基板之連接，其與引證一至三之差異處，均屬熟習此項技術者所能輕易推及並予變化者；另引證一至三之散熱裝置均有外露於覆蓋裝置之設計，優於系爭案云云，經訴願決定駁回，原告猶不服，提起行政訴訟，主張理由及其爭點均如事實欄所載。
三、本院查：㈠系爭案之散熱裝置包含至少一平板，連接於晶片之上用以散熱，複數個凹槽支持
器、形成於平板之表面與基板連接，上述構造未見於引證一至三中，系爭案與引證一至三不同，具有新穎性，為原告於本院審理時所不爭執。
㈡本件原告提出之引證一，與先前另件發明專利舉發行政訴訟（本院九十年度訴字
第三八五五號，舉發人為陳淑容，其訴訟代理人亦為乙○○，系爭案與本件相同）之引證案重複，而本院就該案已經判決原告之訴駁回（維持原舉發不成立）並確定在案，依專利法第七十二條第二項規定，原告已不得以同一事實及同一證據，再為舉發，故就引證一而言，自無庸再予論究。
㈢本件原告所提引證案，除新增引證二、三外，並將引證一與引證二及三結合，就
此而言，與引證一並非同一事實及同一證據，自無違反專利法第七十二條第二項「一事不再理」之規定。惟進步性判斷標準中所謂「申請前既有之技術或知識」，係指所有已公開之技術或知識，必須其所揭示之內容足以教示或建議熟悉該項技術者，依據申請當時之技術水準能輕易完成某發明專利之申請標的時，該公開之技術或知識始為一具有證據力之引證案。此觀被告制訂之專利審查基準（第1-2-20、1-2-21頁）：「判斷發明是否能輕易完成時，准予將二件或二件以上不同文獻之全部內容或其各該文獻之部分內容、或同一文獻之各不同部分內容相互組合，准予將先前技術(priorart)之各片斷部分相互組合，以判斷申請專利之發明是否具有突出的技術特徵或顯然的進步。惟其組合，以熟習該項技術者於申請當時（若有主張優先權者，則指有效優先權日），所能輕易完成者為限。」於文獻組合時，應注意「文獻之技術內容屬於非類似、非接近或無關的技術領域者，則其組合，通常視為非能輕易完成。組合所需之文獻為不同的文獻者，其數量愈多，通常視為非能輕易完成」自明。然而細閱原告提出之引證一、引證二及引證三之專利說明書內容，不僅各引證案皆未有組合之教示、動機或建議，而原告亦未舉出具體事證以證明如何組合三個引證案，況且三個引證資料所示亦均未揭露系爭專利之「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與該基板連接」之突出的技術特徵，則原告主張某項組合即為系爭專利某一元件云云，乃片面推測之詞，不足採信。
㈣就技術層面而言，構裝層級基本上可區分為；⒈晶片級；⒉印刷電路板級；⒊系
統級。不同構裝層級所需解決問題不同，其技術亦無共通性。引證一為ＢＧＡ架構（原告於八十九年十一月二十四日舉發申請書第三頁第十行已自承引證一為球柵陣列（BGA）半導體封裝件）、引證二為ＴＡＢ架構（詳原處分卷附引證二專利說明書第一欄第八行），兩者雖皆屬於晶片級構裝，但引證一為打線接合，引證二為自動捲帶（tapeautomatedbonding）接合，接線技術是不一樣；而引證三為ＴＣＰ架構（詳原處分卷附引證三專利說明書第一欄第三行），由其說明書第一頁圖式所示，其蓋部17是外加在ＴＣＰ架構102之外部，且蓋部17並與印刷電路板101（詳引證三專利說明書第十九欄第十六行）相接合，故可判斷引證三為印刷電路板級構裝。由此可知，引證一、引證二及引證三之構裝層級或接線技術均不一樣，依前揭專利審查基準，其組合，通常視為非能輕易完成，原告即難逕將上開引證案組合而與系爭專利相比較。
㈤系爭專利屬ＰＢＧＡ架構（詳專利說明書第四頁最後一行），其實施特點主要是
將一金屬散熱片放置在基板及晶片上，並利用散熱裝置上之「複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連接」，此突出的技術特徵之主要特點是為解決ＢＧＡ架構中散熱、避免壓碎晶片、傷及金線、於灌膠時避免金線滑動及防止爆米花效應上有顯然的進步，並且可簡化散熱片之製程，以降低成本等。而引證二為ＴＡＢ架構，屬早期使用之架構，且ＴＡＢ架構係應用於液晶顯示器之接合（如筆記型電腦之螢幕），與系爭專利之ＰＢＧＡ架構，應用在ＩＣ封裝，兩者是屬完全不同之技術層級：
⒈引證二之並無基板結構，僅有自動捲帶ＴＡＢ（tapeautomatedbonding），該
捲帶材質為銅箔，就如同照相之底片，非常軟，因此於該捲帶及晶片之上下需同時使用兩片散熱片，始使其結構固定，否則其專利即毫無意義。然而於固定時，原告所稱折部19僅係為「固定、支撐」上下二片散熱片，與其捲帶表面連接時，因為係「面的接觸」，故於灌膠時無法將空氣及水氣排除，當高溫焊接時，當然會產生爆米花效應，致使散熱片裂開。
⒉而系爭專利之散熱裝置無須同時上下兩片散熱片存在。且係以複數個凹槽支持器
，形成於該平板之表面與基板連接，為「點的接觸」，沒有死角，於灌膠時則可完全將空氣由各側排除，不會積存空氣泡，故當高溫焊接時，不會產生爆米花效應，足見系爭專利在防止爆米花效應上有顯著之進步。故引證案之技術內容實不足證明系爭專利不具進步性。
㈥引證三為ＴＣＰ（tapecarrierpackage）架構，如前已說明，與系爭專利之技術層級亦不相同：
⒈引證三在未加入散熱片之前已是一完整之封裝架構，而其散熱片是「外加」在該
封裝結構上，且因引證三並未如系爭專利有覆蓋裝置（如黑色膠體覆蓋物）之保護，故於其散熱片需加上蓋部17，以解決如引證三說明書附圖11、16、34、37等壓損晶片之問題，由此可知引證三之技術特徵與系爭專利毫無關連。
⒉又引證三無灌膠步驟，故與系爭專利以灌膠來避免產生爆米花效應之技術特徵，實無法比較。
⒊再者，引證三之散熱片與其印刷電路板101（與系爭專利之基板不同）之接合是
靠螺絲釘鎖上加以固定，即其印刷電路板101上必須鑽孔，而為了鑽孔，印刷電路板101上之電路則需配合以避開，然而一般之基板都是面積小且線路又密集，完全沒有如引證三有鑽孔之空間，而引證三的印刷電路板101為鑽孔，必須避開電路，則其結構就不可能做成較小巧，因此也就無法安裝於較輕薄短小之電子產品中，相對地較無市場競爭力。而且目前鎖螺絲釘之步驟尚無法自動化，仍需靠人工始能完成，這樣一來又會耗費太多成本及人力資源。
⒋惟系爭專利是以散熱裝置上之複數個凹槽支持器，形成於該平板之表面與基板連
接，因此根本不需鑽孔及避開電路，由於與引證三在結構上之差異，更彰顯系爭專利之密度高、封裝體積小，可安裝於較輕薄短小之電子產品中，其於市場競爭力亦較強；又系爭專利之散熱裝置與晶片之間有灌膠，是一固體之封膠體，而固體又為良好之導熱體，當然有利晶片將熱氣擴散並排除，而不需如引證三再外加散熱片，以補其散熱功能之不足。故引證案之技術內容實不足證明系爭專利不具進步性。
㈦綜前所述，系爭案之散熱裝置在底部具有凸點支持器與基板接合，使封膠可填充
於凸點周遭之空隙，不會使散熱裝置與基板間形成空隙，有防止水氣聚集之功效，可達保護晶片之效果，其功能在於能使散熱片之安裝過程不致傷及金線、壓碎晶片及損害表面的線路，並且於灌膠時能維持固定住，以方便灌膠之進行，因此系爭專利散熱片之結構對於晶片及其內部線路之保護明顯較引證案具有優勢。故系爭案並非僅是引證一至三之形狀改變，對於熟習該項技藝人士並非能輕易思及，引證一、二及三亦無法結合以證明系爭案為熟習該項技術者所能輕易完成而不具進步性。是原告主張不足採信。
四、綜上所述，被告認為系爭案未違反核准時專利法第二十條第一項第一款及第二項規定所為舉發不成立之處分，認事用法並無不合，訴願決定予以維持，亦無違誤，原告起訴意旨，仍執前詞及個人主觀之見解，請求撤銷訴願決定及原處分，並命被告應為舉發成立之處分，為無理由，應予駁回。至兩造（含參加人）其餘攻擊防禦方法，於本件判斷不生影響，爰不再逐一論斷，附此敘明。
據上論結，本件原告之訴為無理由，爰依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如
主文。中華民國九十二年八月二十八日
臺北高等行政法院第三庭
審判長法官姜素娥
法官吳東都法官林文舟右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內，向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國九十二年八月二十八日
書記官余淑芬