裁判字號：臺北高等行政法院93年訴更一字第36號判決
裁判日期：民國93年12月22日
裁判案由：新型專利異議
臺北高等行政法院判決九十三年度訴更一字第三六號
原告義隆電子股份有限公司代表人甲○○董事長訴訟代理人 陳世寬 律師複代理人 陳絲倩 律師訴訟代理人戊○○被告經濟部智慧財產局代表人 蔡練生 （局長）訴訟代理人丙○○
己○○丁○○
參加人乙○○右當事人間因新型專利異議事件，原告不服經濟部中華民國九十年五月三日經（九○）訴字第○九○○六三○九一一○號訴願決定，提起行政訴訟，本院以九十年度訴字第四六八三號判決駁回後，原告不服提起上訴，經最高行政法院以九十三年度判字第一五九號判決廢棄發回本院更為審理，本院判決如左：
主文訴願決定及原處分均撤銷。
被告應就原告第00000000號新型專利異議案件，為異議不成立之處分。
第一審及發回前第二審訴訟費用均由被告負擔。
事實
一、事實概要：原告於民國（下同）八十三年十一月九日以「寬工作電壓唯讀記憶體控制構造」向被告（原經濟部中央標準局，八十八年一月二十六日改制為經濟部智慧財產局）申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利。公告期間，參加人以其有違核准審定時專利法第九十八條第一項第一款及第二項，不符新型專利要件之規定，對之提起異議，案經被告審查，認有違前揭專利法第九十八條第二項之規定，乃於八十九年十月十六日以（八九）智專三（二）○二○二二字第○八九八九○○一七三八號專利異議審定書為「異議成立，應不予專利」之處分。原告不服，提起訴願，遭決定駁回，遂提起行政訴訟。經本院以九十一年十月二十四日九十年度訴字第四六八三號判決駁回，原告仍表不服，提起上訴，由最高行政法院以九十三年二月二十六日九十三年度判字第一五九號判決廢棄，發回本院更為審理。
二、兩造聲明：㈠原告之聲明：
⒈訴願決定及原處分均撤銷。
⒉被告應為異議不成立之處分。
⒊訴訟費用由被告負擔。
㈡被告之聲明：
⒈原告之訴駁回。
⒉訴訟費用由原告負擔。
三、兩造之爭點：系爭案是否有違核准審定時專利法第九十八條第二項進步性之規定，不符新型專利要件？㈠原告主張：
⒈被告指異議證據二與系爭新型創作同樣可在工作電壓過高時降壓而加寬工作電壓，可達到相同之目的與功效，乃違背事實之錯誤推測：
⑴異議證據二無法與系爭新型創作同樣可在工作電壓過高時降壓而加寬工作
電壓，異議證據二只是係在位元線上對過度電荷進行釋放處理，對工作電壓完全未作處理。系爭新型創作之最大目的乃在於透過降壓的機制，能夠加寬記憶體之工作電壓，以節省再行開發新電路之費用，而系爭新型創作之技術手段主要係透過降壓的機制，對於字元線及位元線皆予以降壓，使其可在工作電壓高於原始設計電壓之情況，予以降壓，使其能繼續工作，不致因工作電壓過高而須重新設計新工作電壓之電路，而異議證據二事實上只是討論在記憶體位元線上對過度電荷進行釋放處理（按過度電荷釋放處理實質上相當於「穩壓處理」，並不同於降壓處理），且異議證據二從未提及字元線降壓，因此，若其工作電壓過大時，由於其位元線雖有過度電荷進行釋放處理，如工作電壓過大，並無法以過度電荷進行釋放之處理方式，達到可續為工作之電壓（異議證據二中之工作電壓，即令透過過度電荷進行釋放處理，依其圖說，進入之工作電壓並未改變，並無降壓之說明，請參見異議證據二第九圖中明白標示工作電壓Vcc，因發生Vcc+⊿V（變動電壓））之情形，透過過度電荷進行釋放處理，回復原工作電壓Vcc，即可得其明證），更且因字元線完全未經過度電荷進行釋放處理或降壓處理，必定使得記憶體無法正常工作，當然無法達成系爭新型創作所欲之加寬工作電壓目的與功效。被告於此顯然失察而為錯誤推測，殊屬不當。⑵系爭新型創作加寬工作電壓之機制可適用於使用單一工作電壓之具有不同
線寬製程之唯讀記憶體，可降低製造成本、增進使用便利性，而異議證據二技術則無法達成。按唯讀記憶體主要包含記憶胞陣列（memorycellarray）及其他相關電路兩部分，其中記憶胞陣列目前以較細之線寬製程製造，以增加記憶胞容量，以一種具有０‧３５微米製程製作的記憶胞陣列並具有０‧５微米製程製作的其他相關電路之唯讀記憶體為例，其中０‧３５微米製程之工作電壓約為３‧３伏特，而０‧５微米製程之工作電壓為５伏特，所使用之單一電壓為５伏特。一般０‧３５微米製程製作的記憶胞陣列，其工作電壓為３．３伏特，理論上最高不能超過３．８伏特。如果接５伏特的工作電壓，則一般０．３５微米製程製作的記憶胞陣列便無法使用，但是使用系爭新型創作揭露技術的０．３５微米製程的記憶胞陣列，仍然可以繼續使用，因為在送進記憶胞陣列之前，對字元線及位元線的電壓皆先降壓為３伏特。而若使用異議證據二之技術，其根本沒有提及字元線降壓，在工作電壓為５伏特時，０．３５微米製程的記憶胞陣列便無法使用，除非另提供３伏特之工作電壓供０‧３５微米製程的記憶胞陣列，如此使用上較不便利，因此異議證據二無法達成如同系爭新型創作可適用於使用單一工作電壓之具有不同線寬製程之唯讀記憶體以增進使用便利性之功效增進。
⑶異議證據二之說明書及圖式清楚地描述其目的及功效在於在避免位元線被
過分充電，使感測放大器能夠高速操作，從未明確提及或教示如同系爭新型創作所欲之加寬工作電壓目的及功效，且事實上如前述第（一）及（二）點所陳，並無法達如同系爭新型創作所欲之加寬工作電壓目的及功效。系爭新型創作係加寬工作電壓的範圍，但從未提及如何加速感測放大器，反之，異議證據二則獲得高速感測放大器，卻從不涉及工作電壓，並未偵測電源電壓（工作電壓、供電電壓），亦未改變字元線的供電電壓，因此，其適用的電源電壓必須是固定不可變的，不可能被加寬，且異議證據二第三欄第４０-４５行自陳其所處理的過度電荷係來自雜訊（noise），而非其他的原因，因此亦與工作電壓範圍的加寬無關，甚至異議證據二第３欄第３０-３５行也已經說明其僅適用於位元線電壓的微小變化。是以，二者的起因、原理以及因此而產生的改良動機皆明顯不同，故異議證據二及系爭新型創作二者在目的／功效上互不相關、互不包含或重疊，而被告機關指稱異議證據二能夠如同系爭新型創作加寬工作電壓之見解顯屬錯誤推測。
⒉系爭新型創作整體技術手段在諸多方面不同於異議證據二，而被告則誤察推論，遽為異議成立之處分，實應予以撤銷：
⑴系爭新型創作偵測供電電壓（工作電壓），不同於異議證據二偵測位元線電壓。
①按供電電壓同時影響字元線及位元線的電壓，而因電壓決定記憶體電晶
體是否能夠正常工作，系爭新型創作說明書第四頁第１５-２０行即指出，記憶體無法適用於較高工作電壓操作的理由在於：工作電壓必須小於臨界電壓值，以避免電晶體無法完全開路之漏電問題；以及電晶體之洩極電壓必須小於接面崩潰電壓，以避免造成接面漏電之不良現象。因此，系爭新型創作為確保在高供電電壓下，記憶體仍然能夠正常操作，必須同時對字元線及位元線施予降壓，使電晶體仍在額定電壓下工作。
②另一方面，異議證據二其位元線如果被過度充電，則會導致速度變慢，
但此而非影響電晶體的工作電壓範圍。如果將異議證據二的記憶體連接較高的供電電壓，不論其位元線上的釋放電路是否發生作用，其記憶體電晶體都將因為字元線電壓過高而不能正常工作。
③被告雖承認異議證據二的位元線電壓Va不是電源電壓Vcc，卻以位元線
電壓Va與供電電壓Vcc係相關聯為由，而謂異議證據二與系爭新型創作的技術相同云云，明顯違背專利審查應就實質之技術內容予以審查的原則。蓋一電路使用一供電電壓，該電路中的任一電壓當然與該供電電壓有所關聯，但不能逕稱位元線電壓即是電源電壓Vcc，否則何須加以區分，今被告既然認為異議證據二的位元線電壓Va與供電電壓Vcc之間的關聯，可以證明系爭新型創作不具進步性云云，即應說明此關聯之技術內容為何，以及為何因此得證位元線電壓Va與供電電壓Vcc相同及系爭新型創作不具進步性之理由。然而被告機關卻完全未說明其所謂的關聯是指如何的技術內容，故被告藉此指稱系爭新型創作不具進步性云云，其之理由，並無任何根據。
④易言之，僅以電路中的某一電壓與供電電壓係相關聯便論斷一申請案不
具進步性云云，實與未說明任何理由完全相同，且由被告直至行政訴訟時，始改口區分位元線電壓Va與供電電壓Vcc及位元線電壓Va與供電電壓Vcc係相關聯（被告機關最先審定處分時，根本將位元線電壓Va與供電電壓Vcc混為一談，完全錯誤，直至行政訴訟時，始改口區分位元線電壓Va與供電電壓Vcc，但仍未說明位元線電壓Va與供電電壓Vcc之間的關聯性及關連之技術內容為何），亦可知被告未實質審查系爭技術，前揭說詞，只係臨訟卸責之詞而已。
⑵系爭新型創作之降壓處理，不同於異議證據二之釋放電荷處理，二者目的完全不同。
①系爭新型創作係在高供電電壓時利用降壓技術以保持供給記憶體電晶體
的電壓在其額定範圍內，因而確保該電晶體可以正常工作。而異議異議證據二則是釋放位元線電容(BITLINECAPACITANCE)上的過度電荷(excesscharge)，以避免過度電荷延緩感測速度（請參其第３欄第３６-３９行及第7圖），二者目的完全不同。
②被告前行政訴訟答辯書理由第一項指稱異議證據二之目的係為確保位元
線電壓在正常值，以獲得寬工作電壓之功效，乃是違背記憶體電路原理的重大錯誤。異議證據二的特點係在排除過度電荷，而引起此問題的原理和電晶體的工作電壓無關，然被告機關此種答辯，實已混淆釋放過度電荷與工作電壓的降壓兩種技術，事實上異議證據二在其說明書中一直強調是在釋放過度電荷，即使其釋放元件也是使用「過度電荷釋放電路（EXCESSCHARGEDISCHARGINGCIRCUIT）」（即被告所指「過度電荷放電裝置」）（第11A圖）一詞，而不使用「降壓電路」一詞（因為降壓在電子電路中有其特別的涵義與技術），亦可得其明證。
⑶系爭新型創作同時針對位元線及字元線之降壓，不同於異議證據二僅涉及位元線之過度電荷釋放。
①按字元線與位元線在記憶體的操作中居於完全不同的角色，如異議證據
二中所述，位元線電容的過度電荷會導致速度變慢，但是字元線卻沒有這項問題。異議證據二的改良電路係針對位元線電容上的過度電荷而來，而字元線因沒有相同的問題存在，故異議證據二在字元線上沒有過度電荷釋放之處理。
②再純就異議證據二之內容推論，既然異議證據二未揭露字元線降壓電路
，即表示字元線降壓電路與異議證據二的目的及技術內容無關，或者異議證據二未思及此項技術而因此缺少該項技術所能達成之功效。然被告機關先誤認位元線過度電荷釋放處理機制為工作電壓降壓處理機制，再以字元線降壓技術與位元線降壓技術完全相同為由，而謂本件新型創作不具進步性云云，更顯其推論錯誤。蓋位元線過度電荷釋放處理機制，並非工作電壓降壓處理機制，被告之認定基礎已是錯誤，又如欲將異議證據二的位元線相關電路複製到字元線上，必須字元線與位元線在技術上完全等效，否則即屬變更異議證據二的實質內容，但字元線與位元線在記憶體的操作中居於完全不同的角色，被告之認定，殊已完全脫離異議證據二之技術內容，並不足採。
⒊系爭新型創作申請專利範圍第一項獨立項完全符合核准時專利法第九十八條第二項有關進步性要件之規定：
⑴按系爭新型創作核准時專利法第九十八條第二項規定，倘新型係運用申請
前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效時，方不能取得新型專利。
⑵自前述陳明可知，異議證據二非但功效上未能達成如系爭新型創作申請專
利範圍第一項獨立項者，而且技術手段上亦與系爭新型創作申請專利範圍第一項獨立項有實質重大差異，確難以對系爭新型創作申請專利範圍第一項獨立項構成任何具體教示作用，故系爭新型創作申請專利範圍第一項獨立項絕無運用申請前既有之技術或知識，而為熟習該項技術者所能輕易完成且未能增進功效之情事，而完全符合核准時專利法第九十八條第二項有關進步性要件之規定，實昭昭甚明。
⒋異議證據三中之感測放大器不同於系爭新型創作之電壓偵測電路，且該感測
放大器所揭比較器及異議證據二圖１３C所揭比較器不能影響系爭新型創作之進步性：
按異議證據三第六四八頁所討論之感測放大器（SenseAmplifier），無論從名稱或構成要件觀之，皆不同於系爭新型創作之電壓偵測電路（Voltagedetector），二者是不同之電路。再者，系爭新型創作申請專利範圍第二項附屬項並非單獨主張電壓偵測電路可由比較器構成，其乃依附於申請專利範圍第一項獨立項之整體架構，而如前述者，該第一項獨立項整體架構相較於異議證據二業具進步性，故依附於該第一項獨立項之該第二項附屬項整體架構當不受異議證據三感測放大器所揭比較器與異議證據二圖１３C所揭比較器之影響，而自亦具進步性。
⒌原告前所提呈之由專利代理人戊○○先生出具之專利分析報告，業就異議證
據二、三不能證明系爭新型創作不具進步性且被告行政訴訟答辯不能成立等事項詳予分析闡明，敬請參考。
⒍綜前論陳，異議證據二、三確皆不具佐證系爭新型創作不具進步性之異議證
據力，而被告及訴願機關率未究明此等事實，敬請判決如訴之聲明，俾維應有權益，並明法治。
㈡被告主張：
⒈引用其在本院前審訴訟程序之主張。
⒉參加人乙○○以行政訴訟陳報狀自承異議理由書所提證據與系爭案目的不同
，技術原理手段應有實質差異，功效亦有別云云，查參加人於異議理由書所主張之爭點既已不存在，被告亦無從為再答辯。
㈢參加人主張：
⒈異議證據二與系爭案解決課題不同及創作動機應有不同：
異議證據二欲解決雜訊（按係瞬間存在）造成記憶體位元線電容被過度充電所導致感測速度變慢之問題（第３欄第２４至４７行、第７、８圖），而系爭案則針對記憶體無法適用於較高工作電壓（即電源電壓）（按係持續存在）操作之缺失，兩者創作動機應有所不同。
⒉異議證據二與系爭案技術原理手段應有實質差異：
⑴異議證據二與系爭案採用不同技術原理與電路。
異議證據二應係將受到位元線電容被過度充電影響之位元線電壓施以釋放電荷處理（相當於穩壓處理），而系爭案則將較高之供電電壓（即電源電壓）施以降壓處理，使得施加至記憶體位元線以及字元線之電壓皆能維持在記憶體電晶體的操作電壓應有的大小範圍內。降壓處理可以使用諸如分壓電路、類比數位轉換器或電壓轉換器等等技術，而穩壓處理一般使用電容結合放電電路之技術，應屬不同類型之處理技術。另由於在較高電源電壓下，必須同時對字元線及位元線施予降壓，才能使記憶體電晶體在正常電壓下工作，而異議證據二只在位元線上改良，並未在字元線上有任何改變，故異議證據二的技術應不是針對電源電壓處理。異議證據二如其圖１１A所示，使用「過度電荷釋放電路（EXCESSCHARGEDISCHARGINGCIRCUIT）２５（例如其圖１３A所示之電晶體２５a）」釋放位元線電容（bitlinecapacitance）（如其圖７所示者）上的過度電荷（excesscharge），以使位元線電壓Va回復正常，此相當於一般之穩壓處理。而系案係在較高供電電壓（即電源電壓）時，利用降壓技術將供給記憶體位元線及字元線之電壓保持在正常值，因而確保記憶體可以正常工作。
⑵異議證據二應係偵測位元線電壓或反相器輸出電壓，而系爭案偵測供電電壓（即電源電壓、工作電壓、操作電壓）。
異議證據二如其圖１３A所示，其電壓判斷電路２４a應係偵測位元線電壓Va，另如其圖１３B所示，其電壓判斷電路２４a應係偵測反相器（inverter）２３之輸出電壓Vb(位元線電容被過度充電會直接影響該電壓Va，且間接影響該電壓Vb），並非偵測位於負載２１上方之供電電壓（即電源電壓）Vcc，而系爭案如其第二圖所示，其電壓偵測電路２０則偵測供電電壓（即電源電壓）VDD（即相當於電源電壓Vcc）。
⒊異議證據二與系爭案達成功效應屬有別：
⑴異議證據二應係用以加快唯讀記憶體的操作速度，而系爭案則可加寬唯讀記憶體的工作電壓範圍，二者應屬不同。
⑵按參加人經審慎研究後發現，若將較高之供電電壓（即電源電壓）Vcc施
加至異議證據二之例如圖１３A之電路，則因其位元線電壓Va與電源電壓Vcc相關聯，令位元線電壓Va始終高於預先設定的參考值，使得電壓判斷電路24a輸出信號一直驅使過度電荷釋放電路２５a導通，如果該電荷釋放的速率足夠大，則位元線電壓Va將因為充電與放電達到動態平衡而保持在高於預先設定參考值的某個穩定值，造成記憶體不能正常工作，如果該電荷釋放的速率不夠大，則位元線電壓Va將持續被充電至接近電源電壓Vcc，造成記憶體電晶體燒毀，不論為何者，該記憶體皆不可能正常運作。換言之，異議證據二之電源電壓必須是固定不變的，應無法達成系爭案之加寬唯讀記憶體工作電壓（電源電壓）範圍之功效。
⑶字元線與位元線的操作是不同的，異議證據二之位元線電容過度電荷釋放
電路應不能複製到字元線上，如果複製到其字元線上，則記憶體的操作速度會變慢，而且記憶體會因為電壓超出應有的範圍反而無法正常開關，達不到原先設計的目的。
⒋異議證據三顯示感測放大器，應不同於系爭案之電壓偵測電路，且該感測放
大器所示比較器及異議證據二圖１３C所示比較器，亦應與系爭案有所不同：按異議異議證據三第六四八頁係討論感測放大器（SenseAmplifier），其實質上應不同於系爭案之電壓偵測電路（Voltagedetector），而且系爭案申請專利範圍第二項附屬項係提供可由比較器構成電壓偵測電路之一較佳實施例，並非限制電壓偵測電路僅能由比較器構成，而且該第二項附屬項並非單獨主張，而係依附於申請專利範圍第一項獨立項，今既然該第一項獨立項所主張專利範圍不受異議證據二影響，則依附於該第一項獨立項之該第二項附屬項整體架構亦應不受異議證據三感測放大器所示比較器與異議證據二圖13C所示比較器之影響。
理由
一、按凡對物品之形狀、構造或裝置之創作或改良，而可供產業上利用者，得依法取得新型專利，為系爭專利核准審定時專利法第九十七條暨第九十八條第一項所規定。而公告中之新型，任何人認有違反前揭專利法第九十七條至第九十九條規定者，依法得自公告之日起三個月內，備具異議書，附具證明文件，向專利專責機關提起異議。從而，系爭專利有無違反專利法情事而應不予專利，依法應由異議人附具證據證明之，倘其證據不足以證明系爭專利有違專利法之規定，自應為異議不成立之處分。
二、本件原告於民國八十三年十一月九日以「寬工作電壓唯讀記憶體控制構造」向被告申請新型專利，經被告編為第00000000號審查，准予專利；公告期間，參加人以其有違核准審定時專利法第九十八條第一項第一款及第二項，不符新型專利要件之規定，對之提起異議，案經被告審查，認系爭案包括：一電壓偵測電路，有一與電源連接之偵測輸入端及一控制輸出端，可偵測供電電壓，並與一參考工作電壓比較，以送出一表示高或低電壓之控制訊號；一字元線降壓電路，為串接在唯讀記憶體之各字元線輸入端上及有一與前述控制訊號連接之降壓控制端，可依據該控制訊號之電位高低對送入唯讀記憶體各字元線端點訊號進行降壓或不進行降壓，以確保送入至唯讀記憶體之訊號電壓為低於記憶體臨界電壓；及一位元線降壓電路，為串接在唯讀記憶體之位元線端與預充電線路之間及有一與前述控制訊號連接之降壓控制端，可依據該控制訊號之電位高對送入唯讀記憶體位元線端點進行降壓或不進行降壓，以確保送入至唯讀記憶體之各電晶體洩極電壓為低於接面崩潰電壓值；構成一種可視供電電壓之變化而藉對各輸入訊號進行降壓與否，使各輸入至唯讀記憶體內之各訊號維持在額定電壓範圍內者；參加人所提異議證據計有：異議證據二係西元一九九四年三月八日公告之美國第0000000號專利案及異議證據三為西元一九八四年十月公開之「AHighPerformance1MbitEPROM」論文摘頁影本資料；異議證據二係由過度電荷偵測裝置偵測電源電位超過一正常值，而由一過度電荷放電裝置使該電位回復至正常值，與系爭案由電壓偵測電路偵測供電電壓，而於該電壓高時由降壓電路進行降壓等技術手段相同；系爭案於電壓偵測電路以一參考工作電壓與供電電壓比較，並為異議證據三第六四八頁所揭示，又系爭案中之多段電壓比較、多段降壓、省電模式等全為附屬項，且皆無具體之技術內容，可知系爭案除習知位元線之降壓外，又以相同之技術作字元線之降壓，為運用申請前既有之技術與知識，乃熟習該項技術者所能輕易完成，並未增進功效，不具進步性，認系爭案有違首揭專利法第九十八條第二項之規定，乃為系爭異議成立之處分。原告不服，提起訴願，主張異議證據二係在改良感測放大器偵測位元線電壓，進而使位元線的電壓恢復正常值，以維持高速操作；與系爭案係偵測供電電壓，於傳統之唯讀記憶體增加一組控制構造，以確保送入至唯讀記憶體之各電晶體洩極電壓為低於接面崩潰電壓值，進而使工作電壓的範圍能夠加寬，二者所偵測對象、內容及技術手段不同；況異議異議證據三第六四八頁，並無「以參考工作電壓與供電電壓比較」的技術描述，被告所為之認定理由與事實不符，異議證據二、三實皆不具佐證系爭案不具進步性之異議證據力，原處分應予撤銷云云。案經訴願機關經濟部審議認：
異議證據二之過度電荷偵測電路如其圖１３A、B所示，亦包含電壓判斷電路２４a，其所測者亦為位元線之供電電壓Va，圖１３C顯示該Va與一參考電壓比較，而於超過一正常值時由一過度電荷放電裝置使電壓回復至正常值，亦如系爭案可使工作電壓加寬，故異議證據二在技術手段與達成之功效皆與系爭案相同；另系爭案於電壓偵測電路以一參考工作電壓與供電電壓比較，全為文字上之敍述，其說明書中並無任何具體之電路構造，顯然亦自認該電路之本身為習知技術，且異議證據三中之感測放大器亦如系爭案係運用在唯讀記憶體，且其第六四八頁亦揭示含一參考電壓於比較器之運用，而系爭案申請專利範圍第二項則僅指定其電壓偵測電路可由比較器構成；又系爭案之字元線降壓之技術內容與該位元線之內容完全相同，故系爭案與異議證據二及三在電壓偵測等於唯讀記憶體之運用技術領域上仍屬相同，系爭案確係運用申請前既有之技術與知識，且未能增進功效，不具進步性；被告為本件異議成立應不予專利之處分，洵無不合，應予維持，乃為訴願駁回之決定；固非無見。
三、惟查：㈠系爭案創作之目的乃在於透過降壓的機制，能夠加寬記憶體之工作電壓，以節
省再行開發新電路之費用，其技術手段主要係透過降壓的機制，對於字元線及位元線皆予以降壓，使其可在工作電壓高於原始設計電壓之情況，予以降壓，使其能繼續工作，不致因工作電壓過高而須重新設計新工作電壓之電路；而異議證據二事實上只是討論在記憶體位元線上對過度電荷進行釋放處理（按過度電荷釋放處理實質上相當於「穩壓處理」，並不同於降壓處理），且異議證據二從未提及字元線降壓，因此，若其工作電壓過大時，由於其位元線雖有過度電荷進行釋放處理，如工作電壓過大，並無法以過度電荷進行釋放之處理方式，達到可續為工作之電壓（異議證據二中之工作電壓，即令透過過度電荷進行釋放處理，依其第圖說，進入之工作電壓並未改變，並無降壓之說明，另其第九圖中明白標示工作電壓Vcc，因發生Vcc+⊿V（變動電壓）之情形，透過過度電荷進行釋放處理，回復原工作電壓Vcc，即可得到證明），且因字元線完全未經過度電荷進行釋放處理或降壓處理，必定使得記憶體無法正常工作，當然無法達成系爭案創作所欲達到加寬工作電壓目的與功效。又一般唯讀記憶體主要包含記憶胞陣列（memorycellarray）及其他相關電路兩部分，其中記憶胞陣列目前以較細之線寬製程製造，以增加記憶胞容量，以一種具有０‧３５微米製程製作的記憶胞陣列並具有０‧５微米製程製作的其他相關電路之唯讀記憶體為例，其中０‧３５微米製程之工作電壓約為３‧３伏特，而０‧５微米製程之工作電壓為５伏特，所使用之單一電壓為５伏特。一般０‧３５微米製程製作的記憶胞陣列，其工作電壓為３．３伏特，理論上最高不能超過３．
８伏特，如果接５伏特的工作電壓，則一般０．３５微米製程製作的記憶胞陣列便無法使用，但是使用系爭案所揭露技術０．３５微米製程的記憶胞陣列，仍然可以繼續使用，因為在送進記憶胞陣列之前，對字元線及位元線的電壓皆先降壓為３伏特；惟若使用異議證據二之技術，因其未有提及字元線降壓，在工作電壓為５伏特時，０．３５微米製程的記憶胞陣列便無法使用，除非另提供３伏特之工作電壓供０‧３５微米製程的記憶胞陣列，如此使用上較不便利，故異議證據二無法達成如同系爭案可適用於使用單一工作電壓之具有不同線寬製程之唯讀記憶體以增進使用便利性之功效增進。另異議證據二之說明書及圖式已敘述其目的及功效在於在避免位元線被過分充電，使感測放大器能夠高速操作，並未提及或教示如同系爭案所欲達成之加寬工作電壓目的及功效，且事實上如前述，其亦無法達如同系爭案所欲達成之加寬工作電壓目的及功效；系爭案係加寬工作電壓的範圍，但從未提及如何加速感測放大器，反之，異議證據二則獲得高速感測放大器，卻從不涉及工作電壓，並未偵測電源電壓（工作電壓、供電電壓），亦未改變字元線的供電電壓，故其適用的電源電壓必須是固定不可變的，不可能被加寬，且異議證據二第三欄第４０-４５行自陳其所處理的過度電荷係來自雜訊（noise），而非其他的原因，因此亦與工作電壓範圍的加寬無關，甚至異議證據二第３欄第３０-３５行也已經說明其僅適用於位元線電壓的微小變化。綜上，系爭案與異議證據二之起因、原理以及因此而產生的改良動機皆明顯不同，二者在目的、功效上互不相關、互不包含或重疊；原處分及訴願決定認定異議證據二能夠如同系爭案在工作電壓過高時降壓而加寬工作電壓，達到相同之目的與功效云云，實有違誤。
㈡按供電電壓同時影響字元線及位元線的電壓，因電壓決定記憶體電晶體是否能
夠正常工作，系爭案專利說明書第四頁第１５-２０行即指出，記憶體無法適用於較高工作電壓操作的理由在於：工作電壓必須小於臨界電壓值，以避免電晶體無法完全開路之漏電問題；以及電晶體之洩極電壓必須小於接面崩潰電壓，以避免造成接面漏電之不良現象；因此，系爭案為確保在高供電電壓下，記憶體仍然能夠正常操作，必須同時對字元線及位元線施予降壓，使電晶體仍在額定電壓下工作。反觀，異議證據二其位元線如果被過度充電，則會導致速度變慢，影響電晶體的工作電壓範圍；如果將異議證據二的記憶體連接較高的供電電壓，不論其位元線上的釋放電路是否發生作用，其記憶體電晶體都將因為字元線電壓過高而不能正常工作；是系爭案之偵測供電電壓（工作電壓），不同於異議證據二偵測位元線電壓。又系爭案之降壓處理，亦不同於異議證據二之釋放電荷處理，二者目的完全不同；蓋系爭案係在高供電電壓時利用降壓技術以保持供給記憶體電晶體的電壓在其額定範圍內，因而確保該電晶體可以正常工作；而異議異議證據二則是釋放位元線電容(BITLINECAPACITANCE)上的過度電荷(excesscharge)，以避免過度電荷延緩感測速度，二者目的完全不同。再者，字元線與位元線在記憶體的操作中係居於完全不同的角色，如異議證據二中所述，位元線電容的過度電荷會導致速度變慢，字元線則無此問題；異議證據二之改良電路係針對位元線電容上的過度電荷而來，而字元線因無相同之問題存在，故其在字元線上並無過度電荷釋放之處理；可知系爭案同時針對位元線及字元線之降壓，不同於異議證據二僅涉及位元線之過度電荷釋放。乃原處分及訴願決定先誤認位元線過度電荷釋放處理機制為工作電壓降壓處理機制，再以字元線降壓技術與位元線降壓技術完全相同為由，而謂系爭案相較於異議證據一不具進步性云云，其推論顯有錯誤。
㈢異議證據三第六四八頁所討論之感測放大器（SenseAmplifier），無論從名
稱或構成要件觀之，皆不同於系爭新型創作之電壓偵測電路（Voltagedetector），二者為不同之電路；再者，系爭案申請專利範圍第二項附屬項並非單獨主張電壓偵測電路可由比較器構成，其乃依附於申請專利範圍第一項獨立項之整體架構，而如前述者，該第一項獨立項整體架構相較於異議證據二業具進步性，故依附於該第一項獨立項之該第二項附屬項整體架構，當不受異議證據三感測放大器所揭比較器與異議證據二圖１３C所揭比較器之影響，自亦具進步性。
㈣參加人已陳明原異議理由及相關主張，乃誤解所致，引證二、三確實不足以證
明系爭案不具進步性；且被告於本訴訟程序中，對於原告之主張，亦不再爭執。
㈤綜上所述，異議證據二、三尚不足以證明系爭案不具進步性，被告未審及此，
遽為本件異議成立，應不予專利之處分，實有違誤，訴願決定未加糾正仍予維持，亦有未合。原告起訴意旨執此指摘，為有理由，爰將訴願決定及原處分均予撤銷，由被告就系爭專利異議案另為異議不成立之處分，以昭公允。
四、據上論結，本件原告之訴為有理由，依行政訴訟法第九十八條第三項前段，判決如主文。
中華民國九十三年十二月二十二日
臺北高等行政法院第一庭
審判長法官徐瑞晃
法官蕭惠芳法官李得灶右為正本係照原本作成。
如不服本判決，應於送達後二十日內向本院提出上訴狀並表明上訴理由，如於本判決宣示後送達前提起上訴者，應於判決送達後二十日內補提上訴理由書（須按他造人數附繕本）。
中華民國九十三年十二月二十八日
書記官陳清容